UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
(Universidad del Perú, DECANA DE AMERICA)
FACULTAD DE INGENIERIA
INDUSTRIAL
E.A.P. INGENIERIA INDUSTRIAL
Trabajo de investigación
ALUMNO:
CURSO: PROCESOS DE MANUFACTURA
PROFESOR:
2021
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Sputtering
I.1 Estructura interna de los materiales
La estructura y el ordenamiento atómico de los materiales depende de la fuerza de cohesión que
une los átomos, iones, moléculas o conjuntos de moléculas de un cuerpo sólido, líquido o gaseoso; en
los cuerpos sólidos la fuerza de estos enlaces es tan alta como para que se conserve una forma y
volumen determinado, dando como resultado un ordenamiento regular que se denomina estructura
cristalina. En contraste, existen también otros cuerpos sólidos con ordenamientos irregulares
(parecidos a los ordenamientos por enlaces débiles de los gases y líquidos) formando una
estructura conocida como vítrea o amorfa.
El ordenamiento regular de los sólidos cristalinos se puede describir al representar los átomos en los
puntos de intersección de una red tridimensional que se conoce como red espacial y puede describirse
como un ordenamiento tridimensional infinito de puntos, donde cada punto tiene un entorno idéntico
(la agrupación de puntos alrededor de un punto es la misma sin importar el punto de referencia que se
escoja). Cada red espacial se puede describir al especificar la posición de los átomos en una celda
unitaria repetitiva como se observa en la Figura 1, donde un grupo de átomos organizados en una
posición determinada y asociados con puntos de la red constituye una base. La estructura cristalina es
definida como la colección de redes espaciales y de bases. El tamaño y forma de una celda puede
describirse por tres vectores de la red a, b y c, con origen en un vértice de la celda unitaria. Las
longitudes axiales a, b y c y los ángulos α, β y γ son las constantes de la red de la celda unitaria.
El tipo de ordenamiento atómico en la estructura de los materiales da origen a la aparición de
fases cristalinas y amorfas en ellos. Una fase se define como toda porción homogénea de la
materia, con estructura física y química definida y diferenciada de otras fases presentes en el material.
Es homogénea pues todos sus puntos poseen igual composición química y el mismo estado físico,
y es diferenciada de otras fases cuando está separada por superficies llamadas interfaces, donde al
otro lado de éstas, la estructura y las propiedades cambian sustancialmente. En los materiales, las
diferentes fases pueden estar simplemente mezcladas o reunidas (hormigón o materiales
compuestos), pero también pueden encontrarse formando lo que se denomina sistema, como en las
aleaciones polifásicas como es el caso del acero.
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Figura 1. Tipos de sistemas cristalinos existentes en la naturaleza.
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I.2 Películas delgadas y pulverización catódica
La inmensa mayoría de los dispositivos tecnológicos fabricados en la actualidad por cualquier rama de
la industria electrónica, mecánica, óptica, energía, transporte, deporte, etc, requieren en algún
momento de su construcción de la síntesis y el apilamiento sucesivo de pequeñas capas de materiales
sólidos de espesores inferiores a un micrómetro (10 -6 m), a las cuales se les denomina como películas
delgadas o capas finas. Las películas delgadas por su extrema delgadez y fragilidad no se suelen
emplear aisladas, sino que se hallan soportadas sobre otros sólidos de mayor grosor y de distintas
propiedades físicas o químicas, a los que se les denomina “sustratos”. En términos generales las
películas delgadas se emplean para dos finalidades: la primera y más simple es optimizar alguna o
varias de las propiedades de los sustratos a los que éstas recubren o incluso dotarlos de propiedades
nuevas, caso en el cual, se suele referir a las películas delgadas con el término “recubrimiento”; la
segunda es la fabricación de dispositivos con propiedades fisicoquímicas específicas y singulares, que
guardan muy poca o ninguna relación con las propiedades iniciales del sustrato, el cual se comporta
entonces como un mero soporte físico.
Uno de los métodos más utilizados en la producción de películas delgadas es la deposición física
en fase vapor asistida por plasma (PAPVD por sus siglas en inglés), el cual es un proceso atómico
en el que un material es vaporizado desde un estado sólido o líquido en la forma de átomos o
moléculas y transportado en la forma de vapor a través del vacío o de un ambiente con gas a baja
presión (o un plasma) hasta llegar a un sustrato, donde es condensado. Típicamente, los procesos
de PAPVD son usados para depositar películas con espesor en el rango desde unos cuantos
nanómetros hasta miles de nanómetros y, pueden ser aplicables para formar películas multicapas,
depósitos de composiciones determinadas, depósitos muy gruesos y estructuras independientes.
Los procesos de PAPVD pueden ser utilizados para depositar películas de elementos y aleaciones, así
como materiales compuestos usando procesos de deposición reactiva; en estos procesos, se
forman compuestos por la reacción del material a ser depositado y el gas que está en el ambiente, tal
como el Nitrógeno (una de las reacciones más comunes que se logra en estos procesos es la del Titanio
con el Nitrógeno para formar TiN) o con un material que se intenta depositar al mismo tiempo (un
ejemplo es el carburo de Titanio, TiC). Existen diversas configuraciones de los sistemas PAPVD para
elaborar las películas delgadas, sin embargo, en términos generales las categorías principales se
pueden reunir en: evaporación al vacío, baño de iones y pulverización catódica.
La pulverización catódica o sputtering, es un proceso no térmico de evaporación donde los átomos de
la superficie de un material son expulsados físicamente por la transferencia de momento producida al
hacer bombardear sobre un blanco partículas energéticas de tamaño atómico como se muestra en
la Figura 2(a). Estas partículas usualmente son iones gaseosos acelerados desde un plasma, mientras
que el material a ser pulverizado (blanco) puede ser un elemento, una aleación, un material
compuesto o una mezcla de varios elementos [30]. En la deposición por pulverización catódica,
los átomos del blanco son re-condensados en la superficie de un sustrato, formando así un
recubrimiento, el esquema de este sistema de deposición se ilustra en la Figura 2(b).
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(a) (b)
Figura 2. Pulverización catódica: (a) Esquema físico, (b) Sistema de deposición [31].
I.2.1 Tipos de deposición por pulverización catódica
En la literatura se encuentran diversos tipos de mecanismos para depositar recubrimientos por
pulverización catódica dependiendo del tipo de fuente, cámara y fenómeno utilizado en la
pulverización catódica. Los siguientes son los tipos de pulverización catódica más mencionados en la
literatura:
Sputtering por diodo: Es la forma más simple de sputtering, en la que se usa una diferencia de potencial
entre un cátodo y un ánodo para crear un plasma, el cual es utilizado para pulverizar la superficie
del blanco (ubicado en el cátodo). El material es entonces transportado desde el blanco hacia un
sustrato (ubicado en el ánodo) formando así un recubrimiento. Se pueden depositar así películas
de metales puros o aleaciones usando descargas de gases nobles (típicamente Ar) con blancos
metálicos.
Bias sputtering: La pulverización catódica por voltaje de polarización (Bias) es una variante del
sputtering de diodo en la que los sustratos son bombardeados por iones durante la deposición,
este mecanismo puede hacer que el material que no se halla unido bien sea re-pulverizado, se
implanten iones de bajas energías en el recubrimiento, desorción de gases o produzca
modificaciones en la morfología de los recubrimientos. La fuente para el sputtering no necesita ser un
blanco de sputtering sino que puede ser tomada desde una fuente de evaporación, un gas reactivo
con constituyentes condensados o una mezcla de gases reactivos con constituyentes condensados
y otros gases que reaccionan con estos constituyentes condensados para formar compuestos.
Sputtering por haz de iones (ion-beam): En este tipo de pulverización catódica se utiliza un cañón
de iones para desprender el material de los blancos, en este sentido el plasma no se genera en la
cámara de deposición, sino que se produce en la fuente de los cañones de iones. Este tipo de
sputtering es especialmente útil para controlar el área de deposición de los recubrimientos, pues
permite de manera puntual depositar el material deseado, además no se entra en contacto con los
elementos del plasma, lo que permite obtener una mayor pureza en los recubrimientos.
Sputtering DC: Esta técnica utiliza una fuente de corriente directa (DC por sus siglas en ingles) para
la generación del plasma en la que se produce una diferencia de potencial entre un electrodo
denominado como cátodo (donde está situado el blanco) y otro denominado ánodo (donde está
situado el substrato) y el cual la mayoría de las veces está bajo un potencial a tierra. Para establecer
una descarga de diodo DC en el argón se necesita que la presión del gas sea mayor de 10 mTorr
para una
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región de generación de plasma de aproximadamente 1 cm de longitud. El límite de presión para
realizar deposición es de 100 mTorr, a presiones mayores el material pulverizado es devuelto y
dispersado hacia el electrodo, impidiendo la deposición. El cátodo (blanco) en la descarga de
diodos DC debe ser un conductor eléctrico puesto que un material aislante produce el fenómeno
del “ánodo desaparecido”, en el que se carga la superficie del blanco evitando la pulverización de
la misma y “desapareciendo” así el ánodo, este fenómeno también ocurre cuando el blanco es
inicialmente un conductor pero desarrolla una capa no conductora debido a reacciones con los
gases en el plasma, lo cual produce arcos eléctricos y disminuye la velocidad de pulverización. Una
ventaja del sputtering DC es que el plasma puede establecerse uniformemente sobre un área grande
alrededor del blanco, lo que produce unas altas velocidades de pulverización.
Sputtering AC: En la pulverización catódica de corriente alterna (AC por sus siglas en inglés) el
potencial del blanco es revertido periódicamente, por lo general se usan frecuencias menores a 50 kHz
produciendo movilidad de iones similar a la del sputtering DC. Aquí el sustrato, la cámara de
deposición u otro blanco de sputtering pueden ser usados como contra-electrodos. En el AC sputtering
asimétrico el substrato es el contra-electrodo y el recubrimiento depositado es repulverizado
periódicamente para mejorar la pureza del recubrimiento. El problema del “ánodo desparecido” puede
solucionarse usando AC magnetrón sputtering con frecuencias entre 50 y 100 kHz.
Sputtering RF: La pulverización catódica por radio frecuencia (RF) ocurre a frecuencias superiores a
50 kHz. En ésta, los iones no alcanzan suficiente movilidad como para establecer una descarga similar
a la del sputtering DC y los electrones tienen suficiente energía como para causar colisiones ionizantes
en el espacio entre los electrodos, lo que produce el plasma en el espacio entre los electrodos. Una de
las mayores ventajas de usar sputtering RF es que se pueden utilizar blancos no conductores pues se
aplica un potencial oscilante en el blanco, lo que hace que en cada medio ciclo se puedan acelerar los
iones del plasma hacia la superficie con suficiente energía como para producir la pulverización
catódica y en el otro medio ciclo, los electrones del plasma alcanzan la superficie impidiendo cualquier
tipo de acumulación de carga. Las frecuencias RF usadas para la deposición por sputtering están en el
rango de
0.5 y 30 MHz siendo 13.56 MHz la frecuencia más usada comercialmente. Una de las mayores
desventajas de la pulverización catódica de materiales semiconductores o aislantes es que la mayoría
de estos materiales tienen baja conductividad térmica, grandes coeficientes de expansión térmica y son
usualmente materiales frágiles, y este tipo de propiedades son indeseables en un proceso como el RF
sputtering donde la mayoría de la energía de bombardeo produce calor y se generan grandes gradientes
de temperatura en el blanco, lo que puede producir su fractura.
Magnetrón sputtering: Una de las configuraciones de pulverización catódica más usadas es el
magnetrón sputtering, en la cual aplica un campo magnético cerca al blanco para concentrar los
electrones de la cámara de pulverización en dicha región y con el alto flujo de electrones se genera un
plasma de alta densidad desde el cual se puedan extraer los iones que realizan posteriormente la
pulverización del blanco, incrementando así las velocidades de deposición y de pulverización. La
pulverización catódica con magnetrón es un método bastante exitoso en la producción de películas de
alta calidad y pureza a una velocidad de deposición razonable, por lo que su uso comercial ha
sido ampliamente extendido desde su desarrollo a mediados de la década de 1970 [32]. Gracias al
campo magnético, los electrones usados para crear el plasma no bombardean los substratos, sino que
quedan
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atrapados en trayectorias cicloidales cerca al blanco, de este modo no hay daño por radiación y
temperatura hacia los substratos, lo que permite la utilización de substratos que son sensibles a la
temperatura como los plásticos con mínimos efectos adversos. Existen sistemas de pulverización
catódica con magnetrón cilíndrico o plano como se muestran en la Figura 3.
Figura 3. Sistemas de deposición por magnetrón sputtering.
Magnetrón sputtering desbalanceado (unbalanced): Una desventaja de las configuraciones de
magnetrón sputtering es que el plasma está confinado a estar cerca al cátodo, lo cual aumenta la dificultad
de que los gases del plasma puedan reaccionar con la superficie del sustrato y de las partículas recién
depositadas, disminuyendo así la efectividad del sputtering reactivo. Esta desventaja puede ser
superada al aplicar un voltaje de polarización RF (bias) en el cátodo, así como un potencial DC,
sin embargo, esta solución no es efectiva para todos los materiales. Alternativamente se puede
usar una configuración de magnetrón desbalanceada en la que el campo magnético es tal que
algunos de los electrones del plasma pueden escapar de la región del cátodo y pueden llegar a la
superficie del sustrato. Una desventaja de este tipo de configuración es que se produce un flujo no
uniforme de electrones que escapan del plasma, generando así una pulverización y deposición no
uniforme.
Magnetrón sputtering DC pulsado: La pulverización catódica con magnetrón DC pulsado es una
técnica en la que se utilizan pulsos de potencias en los blancos mediante una onda cuadrada de
funcionamiento unipolar o dipolar que opera entre 50 y 250 kHz. Un “pulso” en este sentido es
una descarga periódica del voltaje presente en la superficie de los blancos, siendo esta descarga lo
suficientemente alta como para descargar la superficie del blanco, pero tan baja como para prevenir la
pulverización de las paredes de la cámara y de la superficie del sustrato. Esta técnica también
puede ser usada para deposiciones reactivas para blancos no conductores, además, en este tipo de
deposición la frecuencia óptima, la duración y la magnitud relativa de los pulsos, dependen del
tipo de material que se va a pulverizar; por ejemplo cuando se va a pulverizar un buen material
dieléctrico como el Al2O3, se debe de usar una frecuencia de alrededor de 50 kHz, pero para un
material con una conductividad mayor como el TiN, es recomendable usar una frecuencia de 150 kHz
debido a que la conducción de la superficie permite disipar con mayor rapidez la carga formada en la
misma.
I.2.2 Variables del proceso de pulverización catódica
En los procesos por pulverización catódica existen muchos parámetros que se pueden controlar como:
tamaño de los blancos, longitud entre blancos y sustratos, presiones en la cámara de
pulverización, flujo de gas de pulverización, temperaturas, tipos de sustratos y blancos, etc.
7
Sin embargo, los
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parámetros que permiten encontrar grandes cambios en los recubrimientos son: presiones de la cámara
de pulverización, potencias de los blancos, voltaje de polarización y cambios de temperatura tanto en
el proceso de deposición como en los recubrimientos ya sintetizados.
a) Presión en la cámara de pulverización: Hay dos tipos de presiones que hay que tener en
cuenta en un proceso de sputtering: la presión base y la presión de trabajo. La presión base es la
presión a la cual se evacuan los gases del sistema antes de iniciar el proceso de recubrimiento y por lo
tanto se toma como base cuando se le adicionan gases a la cámara de pulverización, mientras que la
presión de trabajo es la presión final del proceso de sputtering después de haber adicionado los
respectivos gases; ambas presiones pueden variar dependiendo de la cámara de sputtering, gases
utilizados, blancos y substratos. Por lo general, la presión base más usada en los procesos de
sputtering es del orden de 10-5 Torr (lo que garantiza una muy pobre cantidad de partículas de aire en
la cámara) y para la presión de trabajo entre 1 y 10 mTorr. La presión de trabajo es muy importante
pues es la que al ser disminuida puede causar un incremento en la velocidad de deposición,
debido a que:
Los átomos pulverizados que dejan el blanco van a estar expuestos a menos colisiones térmicas, lo
que produce que un gran porcentaje de estos sigan su trayectoria hacia el substrato sin dispersión,
aumentando así la velocidad de deposición.
Usando tanto potencias RF como DC, el voltaje aplicado al plasma en relación al blanco se
incrementa, debido a la caída de presión del gas, aumentando así la energía de los iones que
bombardean el blanco e incrementando la velocidad de pulverización.
b) Potencia: La potencia es una variable directamente proporcional a la velocidad de
pulverización del blanco, al doblar la potencia se dobla aproximadamente la velocidad de
pulverización, desafortunadamente, al aumentar la potencia de forma arbitraria se pueden
producir muchos otros efectos que son adversos, pues toda la potencia aplicada al magnetrón se
debe disipar en algún lugar del sistema. Se dice que aproximadamente el 75% de la energía disipada
termina en calentamiento del sistema de enfriamiento del magnetrón. Es decir que el 75% de la
potencia total utilizada en la cara frontal del blanco debe ser transferida a través del blanco hacia
el sistema de enfriamiento, por esto; es crítico tener en cuenta la conductividad térmica del blanco,
su coeficiente de expansión térmica, su resistencia mecánica y su punto de fusión.
c) Voltaje de polarización (Bias): En los procesos de pulverización se aplican voltajes de
polarización para variar el flujo y la energía de las especies cargadas que se van a depositar. Esto
se logra al aplicar campos eléctricos negativos DC o RF en la superficie de los sustratos. Con voltajes
de los blancos entre -1000 y -3000 V se aplican típicamente voltajes de polarización de -50 y -300 V.
La técnica de aplicación de voltajes de polarización ha sido efectiva en la modificación de un amplio
rango de propiedades en los recubrimientos depositados, como aumento de la adhesión de los
recubrimientos, aumento de densidad, reducción de resistividad eléctrica, cambios en la dureza y
en esfuerzos residuales, etc.
d) Temperatura: La temperatura es un parámetro muy importante para la síntesis de recubrimientos
por sputtering, ya que se trata de una de las variables responsables de cambiar la estructura de los
recubrimientos mediante distintos fenómenos: desde el cambio de la velocidad y energía de los átomos
que llegan a la superficie de un sustrato (ad-átomos), hasta la habilitación de procesos de difusión que
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permiten crear una buena interfaz recubrimiento-sustrato. Por lo general en los procesos de
deposición por magnetrón sputtering se utilizan temperaturas en los sustratos entre 300ºC y 600ºC
dependiendo del tipo de sustrato y recubrimiento con el que se trabaje. La temperatura se puede
suministrar durante el proceso de deposición o posteriormente mediante la realización de tratamientos
térmicos, los cuales se usan en general para promover el transporte de masa (difusión) y así
desaparecer los esfuerzos residuales y los defectos estructurales de los recubrimientos
depositados. Para las películas delgadas se ha demostrado que la temperatura de alivio de estos
esfuerzos está debajo de la temperatura de recocido del material en volumen. Los tratamientos
térmicos pueden ser utilizados para inducir crecimiento de grano o cambios de fase, pero se debe tener
cuidado en los cambios que pueden resultar al incrementar la temperatura, como es la aparición de
esfuerzos residuales debido a la diferencia entre el coeficiente de expansión térmica de los
recubrimientos y los sustratos, así como las modificaciones de fase que puedan surgir ya que al
cambiar la fase del recubrimiento se inducen esfuerzos debido a cambios en su densidad, lo que
puede provocar agrietamiento y hasta desprendimiento del recubrimiento.
I.2.3 Pulverización catódica reactiva:
La pulverización catódica es un proceso que sucede en la escala atómica, debido a que la mayoría de
las partículas emitidas por un blanco, independientemente de que provengan de un cátodo elemental
o de una aleación, son emitidos como átomos y no como moléculas o clústeres. Las reacciones
químicas entre el blanco y el sustrato son raras, pero es completamente posible que un átomo que haya
acabado de ser depositado reaccione químicamente con átomos de gas que estén en contacto con
la superficie para formar una película compuesta. Un ejemplo de esto es la pulverización de
Titanio en presencia de Nitrógeno, que, aunque es depositado como un metal, puede reaccionar
rápidamente con el Nitrógeno del ambiente para formar un nitruro. Este proceso se conoce
generalmente como pulverización catódica reactiva y es comúnmente utilizado en la deposición de
óxidos y nitruros. Existen 3 métodos para la deposición reactiva de compuestos:
Deposición directa: en ésta se utiliza un blanco de la aleación, óxido o nitruro como material de
interés para su posterior deposición.
Co-deposición: la co-deposición es un método en el que se utilizan blancos de distintos elementos
y se depositan al mismo tiempo para depositar un compuesto o aleación de estos elementos.
Deposición reactiva con un metal: La deposición reactiva utiliza un metal como blanco a
depositar y un gas que reaccione fácilmente con el metal a depositar
Cada uno de estos tres métodos presenta ventajas y desventajas. Por ejemplo, la deposición
reactiva con un metal es un método fácil y confiable para depositar nitruros y óxidos, pero tiende
a presentar un riesgo de formar una capa de óxido o nitruro en la superficie de los blancos, lo que
afecta negativamente las velocidades de deposición. Por otro lado los procesos de deposición
directa y co- deposición permiten la deposición de compuestos complejos como PbTiO 3,
PLZT[(Pb, La)(Zr, Ti)O3], y superconductores de alta temperatura; pero también son mucho más
complejos de controlar por la cantidad de fuentes y las diferentes propiedades de los elementos
utilizados.
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I.3 Modelo de crecimiento de películas por sputtering
Las películas delgadas producidas por pulverización catódica experimentan esencialmente 4 etapas:
(1) condensación y nucleación, (2) crecimiento de los núcleos, (3) formación de una interfaz y (4)
crecimiento del recubrimiento.
I.3.1 Condensación y nucleación
Un material se condensa cuando pasa de estar de su estado gaseoso a un estado sólido. En los procesos
por pulverización catódica los átomos que llegan a la superficie de un sustrato se pueden
comportar de tres formas: ser liberados inmediatamente de la superficie del sustrato luego de
llegar a él, ser re- evaporados luego de un tiempo de residencia en el sustrato, condensarse en la
superficie del sustrato. Si los átomos no reaccionan inmediatamente con la superficie, tendrán un
grado de movilidad sobre la superficie antes de ser condensados, convirtiéndose en estos átomos
móviles conocidos como “ad- átomos”. La re-evaporación de los átomos es un comportamiento que
está en función de la energía de enlace entre los ad-átomos y la superficie, la temperatura de la
superficie y el flujo de ad-átomos móviles. Por ejemplo, la deposición del Cadmio en acero no es
posible a temperaturas superiores a 200ºC, mientras que es posible lograr recubrimientos de
Cadmio en acero a temperaturas inferiores .
La movilidad de un átomo en la superficie depende de tres factores: la energía de los átomos, las
interacciones átomo-superficie y la temperatura de la superficie. La movilidad en la superficie puede
variar debido a cambios en la estructura química o cristalográfica de la superficie. Los diferentes
planos cristalográficos de una superficie tienen diferentes energías libres, lo que afecta la difusión
en la superficie; por ejemplo, la movilidad de un ad-átomo es mayor en superficies con planos (111)
que en planos (100) debido a que la energía libre de los planos (111) es menor que la energía de
los planos (100), esto significa que para distintos planos cristalográficos la condensación de los ad-
átomos será más o menos rápida.
Los ad-átomos se condensan en una superficie mediante pérdida de energía, por reacciones químicas
con los átomos superficiales del sustrato, buscando sitios preferenciales de nucleación (defectos de
red, escalones atómicos, impurezas, etc) y formando enlaces químicos. Los enlaces químicos pueden
ser metálicos, iónicos o por atracciones electrostáticas (fuerzas de Van der Waals) debido a la
polarización de átomos. Si la interacción átomo-átomo es fuerte, la movilidad en la superficie es baja y
cada átomo superficial puede actuar como un sitio de nucleación. Si el enlace químico resultante
entre el átomo condensado y la superficie es fuerte, se dice que el átomo es quimiabsorbido. En
algunos casos el átomo quimiabsorbido desplaza los átomos superficiales, dando cabida a una
estructura “pseudomórfica”.
Si la interacción ad-átomo/superficie es débil, el ad-átomo tendrá alta movilidad en la superficie y se
condensará en sitios de nucleación preferenciales donde se puedan formar enlaces más fuertes debido
a un cambio en la química de la superficie o debido a un incremento en el número de
coordinación. Los sitios de nucleación preferencial pueden ser: discontinuidades superficiales de
morfología como escalones o ralladuras, defectos de red en la superficie como defectos de punto o
límites de grano, inclusiones, sitios cargados en superficies aislantes, o áreas superficiales con
diferente orientación
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cristalográfica o estructura química. Otra forma de cambiar la interacción ad-átomo/superficie es
cambiando la velocidad de llegada de los ad-átomos a la superficie, esto es debido a que los ad-átomos
móviles de la superficie pueden nuclearse por colisiones con otras especies móviles de la
superficie, formando así un núcleo estable. Por ejemplo, en la deposición de Plata en Plomo se ha
encontrado que a velocidades de deposición de 0.1nm/min la plata es completamente re-evaporada,
mientras que a 10 nm/min los átomos son completamente condensados.
I.3.2 Crecimiento de los núcleos
Se han identificado tres tipos de mecanismos de crecimiento dependiendo de la naturaleza de la
interacción entre los átomos depositados y el material de la superficie:
Mecanismo Van der Merwe que corresponde al crecimiento por monocapas.
Mecanismo Volmer-Weber que corresponde al crecimiento tridimensional de núcleos.
Mecanismo Stranski-Krastanov (S-K) en el que se da la formación de una estructura deformada o
pseudomórfica, seguido por nucleación de clústeres en dicha capa alterada. La nucleación S-K es
común en deposiciones metal-metal a bajas temperaturas donde la movilidad de los átomos con la
superficie es baja. Las condiciones para estos tipos de crecimiento son generalmente descritas en
términos de la termodinámica o consideraciones de la energía de superficies. A menudo la
absorción de átomos es acompañada por deformaciones en la red cristalina de la superficie,
reconstrucción de la superficie o por relajación de la red cristalina de la superficie, esto hace
que se cambie el espaciamiento entre átomos o la estructura cristalográfica de la superficie,
produciendo una estructura pseudomórfica.
Un núcleo que crece en la superficie puede crecer de dos formas: normal a la superficie (crecimiento
des-humectante) o paralelo a la superficie (crecimiento humectante). Entre más grande es la densidad
de núcleos y entre más núcleos crezcan paralelos a la superficie, menor será la cantidad de
material necesario para formar una película continua. El crecimiento y coalescencia de los núcleos
puede dejar huecos o discontinuidades estructurales en la superficie, particularmente si no existe
alguna interacción química entre los núcleos y el material del sustrato, esto lleva a que ocurra un
crecimiento perpendicular a la superficie. En los casos donde hay muy poca interacción química entre
los átomos nucleantes y el sustrato, los núcleos pueden crecer juntos formando islas continuas.
Antes de la coalescencia, los núcleos pueden tener un comportamiento de tipo líquido, lo que les
permite rotar y alinearse cristalográficamente unos con otros, dando así un crecimiento orientado.
La aglomeración de los núcleos ocurre cuando la temperatura de los núcleos es lo suficientemente alta
como para permitir la difusión y una reorganización de los núcleos de tal forma que permitan la
formación de pequeñas “montañas”, minimizando así el área superficial. Cuando hay una interacción
fuerte entre los ad-átomos y el sustrato, pero hay poca difusión, la orientación cristalina del
material depositado podrá ser influenciada por la orientación cristalográfica del sustrato,
produciendo una orientación preferencial de la estructura cristalina, este tipo de crecimiento se
conoce como crecimiento epitaxial. El desajuste que hay entre los núcleos y el sustrato en la interfaz
puede ser acomodado por deformación en la red o por la formación de redes de dislocaciones.
Gracias a este fenómeno y bajo condiciones apropiadas, se puede formar un recubrimiento
epitaxial monocristalino, siendo este el
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objetivo primordial en la epitaxia de haces moleculares (MBE) y en la deposición química en fase
vapor (CVD) .
I.3.3 Formación de la interfaz
Los materiales al ser depositados pueden difundirse y reaccionar con el material del sustrato en
una región que se conoce con el nombre de interfaz, y el material que la compone se conoce como
material de interface. El tipo y la cantidad del material de interface se puede modificar mediante
los procesos de deposición o por tratamientos después de la deposición. Las interfaces se pueden
clasificar en:
Abruptas: Esta interfaz se caracteriza por un cambio abrupto entre el material del sustrato y del
recubrimiento en una distancia de orden atómico (2.5 Å), produciendo un cambio abrupto en
las propiedades del material. Este tipo de interfaz se produce al tener enlaces químicos débiles
entre el sustrato y el recubrimiento, baja temperatura, contaminaciones en la superficie o
insolubilidad entre los materiales del sustrato y el recubrimiento.
Por difusión: Se caracteriza por un cambio gradual de la composición de los materiales del
sustrato y recubrimiento, sin la formación de algún compuesto. Esta interfaz se forma cuando
hay solubilidad entre los materiales del sustrato y el recubrimiento, y la temperatura y el tiempo
son lo suficientemente grandes para permitir el proceso de difusión.
Compuestas: Esta se presenta cuando hay difusión entre los materiales del sustrato y del
recubrimiento, donde además de la formación de un compuesto nuevo en la interfaz, éstos son
frágiles e introducen esfuerzos residuales debido al cambio volumétrico que ocurre en la
formación del nuevo compuesto. Este tipo de interfaces dan lugar a buena adhesión del
recubrimiento, pero si llegan a ser de gran tamaño dan lugar a la formación de porosidades y de
grietas, reduciendo la adhesión.
Pseudo-difusión: Ocurre cuando se depositan dos o más recubrimientos al mismo tiempo
para mejorar sus propiedades y la adhesión. Un ejemplo se da en la deposición de Ti-Cu en la
que se puede empezar a depositar el Titanio pero antes de terminar se empieza con la
deposición del Cobre, lográndose así una mezcla entre el Cobre y el Titanio antes de
depositar el Cobre por sí solo, formándose una interface fuerte e incrementando la adhesión.
I.3.4 Crecimiento de los recubrimientos
Los recubrimientos crecen por la nucleación continua de los átomos que son depositados encima del
material previamente depositado. El crecimiento de los recubrimientos, así como el tipo de nucleación,
determina muchas propiedades de los recubrimientos tales como: densidad del recubrimiento,
área superficial, morfología superficial y tamaño de grano. La morfología superficial puede variar
desde ser muy lisa como la de un espejo, o muy rugosa como se encuentra en muchos materiales
sinterizados. Generalmente, a medida que el recubrimiento crece, la rugosidad superficial
aumenta debido a que algunos núcleos o algunos planos cristalinos crecen más rápido que otros. La
rugosidad puede ser no uniforme sobre la superficie o pueden haber áreas locales de rugosidad debido
a rayas, inclusiones, etc, lo que lleva a la variación de las propiedades de los recubrimientos en
estas áreas.
En general las tres variables que afectan el crecimiento del recubrimiento son: temperatura, presión y
tipo de sustrato. Los sustratos son los responsables, en general, de la estructura del recubrimiento
depositado debido a que son los que más alteran la movilidad de los ad-átomos por su acabado
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superficial. Dependiendo de la rugosidad de los sustratos se afecta de un modo u otro el
crecimiento del recubrimiento: si la rugosidad es alta los picos del sustrato recibirán a los ad-
átomos desde todas las direcciones, y si la movilidad de los ad-átomos es baja, crecerán más rápido
los picos que los valles de los sustratos. Esto se corrige con un sustrato pulido con acabado espejo,
donde la distancia entre los picos y los valles sea pequeña.
En la Figura 4 se ilustra el tipo de estructura que pueden tener los recubrimientos depositados
dependiendo de la temperatura y de la presión de Argón. Como se puede observar mientras mayor
es la temperatura del sustrato (cerca al punto de fusión del recubrimiento), el recubrimiento
tiende a desarrollar estructuras con tamaño de grano grande y de forma columnar, mientras que a
medida que baja la temperatura, la estructura se convierte en una estructura con granos más densos y
pequeños, y si se utiliza una temperatura muy baja, los ad-átomos no tienen movilidad
conduciendo a formar estructuras porosas. En general el aumento en presión va en detrimento de
la estructura del material, debido a que llega menos cantidad de átomos a la superficie por los
choques que ocurren entre los átomos a depositar y los átomos de Argón, reduciendo en
consecuencia la movilidad de los ad-átomos.
Figura 4. Esquema del desarrollo estructural de materiales depositados por sputtering.
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