INFORME DE LABORATORIO DE

ELECTRONICA II – EE 458

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

DOCENTE: ING. VIRGINIA ROMERO F.

ALUMNO: FERNANDEZ ARBIETO, SOLEDAD

CICLO: 6TO

ESPECIALIDAD: ELECTRÓNICA

2021-1
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones
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INFORME PREVIO N° 4

AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Docente: Ing. Virginia Romero Fuentes
Alumno: Fernandez Arbieto Soledad
Email alumno: sfernandeza@[Link]

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I. OBJETIVO

Esta esperiencia, tiene como finalidad:

• Estudiar las características de funcionamiento de un amplificador operacional.

• Implementar y analizar el comportamiento de un amplificador operacional en sus
diferentes configuraciones.
• Diseñar, simular, implementar y analizar circuitos con amplificadores operacionales.

II. INTRODUCCIÓN

Un amplificador operacional es un amplificador que posee alta ganancia, impedancia de

entrada muy alta (orden de MΩ) y una impedancia de salida baja. El circuito básico se
construye utilizando un amplificador diferencial de dos entradas (positiva y negativa) y por
lo menos una salida.

Figura 1. Representación de un amplificador operacional práctico

Desde un punto de vista ideal es mucho más fácil entender y analizar el dispositivo. El
OPAM ideal tiene una ganancia de voltaje infinita y un ancho de banda infinito. La
impedancia de entrada infinita de modo que no carga la fuente de excitación y la
impedancia de salida cero.

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Figura 2. Representación de un amplificador operacional ideal

• Parámetros importantes

Excursión máxima del voltaje de salida Vo(p-p)

Idealmente, cuando se aplica una señal de entrada, los límites ideales de la señal de salida pico a
pico son ± Vcc. Sin embargo, en la práctica no puede ser alcanzado. Vo(p-p) varía con la carga
conectada al amplificador operacional y se incrementa directamente con la resistencia de la carga.

Compensación de corrientes y voltajes

Idealmente la salida de un amplificador operacional debe ser de 0 V cuando la señal de entrada es

de 0 V, pero en la práctica se presenta una compensación de voltaje a la salida, es decir aparece un
voltaje pequeño (orden de mV). Este voltaje representa una señal no deseada generada por el
circuito y no por la señal de entrada. La compensación de voltaje de entrada, dado por el fabricante,
y la ganancia del amplificador determinan la compensación de voltaje de salida. Son dos
condiciones distintas en el circuito que afectan la compensación de voltaje de salida:

- Compensación de voltaje de entrada VIO

Para explicar el efecto del voltaje de entrada en la salida, se desarrollará la siguiente conexión
mostrada.

Figura 3. Circuito que muestra el efecto de una compensación de voltaje de entrada VIO.
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Utilizando la relación Vo=AVi.

𝑅1
𝑉𝑜 = 𝐴(𝑉𝐼𝑂 − 𝑉𝑜 )
𝑅𝑓 + 𝑅1

𝐴
𝑉𝑜 = 𝑉𝐼𝑂 𝑅1
1 + 𝐴(𝑅 )
𝑓 +𝑅1

El resultado representa una compensación de voltaje de salida con una compensación de

voltaje de entrada especificado para la conexión de amplificador de la Figura 3.

- Compensación de voltaje de salida debido a la compensación de corriente de entrada

Existe una diferencia en las corrientes de polarización de cd en ambas entradas. Como los dos
transistores de entrada nunca coinciden con exactitud, cada uno operará con una corriente
ligeramente diferente. Para el siguiente circuito con OPAM, se demuestra cómo se halla la
compensación de corriente de entrada.

Figura 4. Conexión de amplificador operacional con ausencia de señal de entrada que muestra las
corrientes de polarización de entrada.

Figura 5. Circuito modelado con OPAM ideal.

Aplicando la teoría de superposición, determinaremos el aporte sobre el punto Vo, el cual

es producido por la compensación de corriente 𝐼𝐼𝑂 definido como:
+ −
𝐼𝐼𝑂 = 𝐼𝐼𝐵 − 𝐼𝐼𝐵
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+
Con la fuente 𝐼𝐼𝐵 .

+
𝑅𝑓
𝑉𝑜+ = 𝐼𝐼𝐵 𝑅𝑐(1 + )
𝑅1
−
Con la fuente 𝐼𝐼𝐵 .

−
𝑅𝑓
𝑉𝑜− = 𝐼𝐼𝐵 𝑅1 (− )
𝑅1

+
𝑅𝑓 −
𝑉𝑜 = 𝐼𝐼𝐵 𝑅𝑐 (1 + ) + 𝐼𝐼𝐵 (−𝑅𝑓 )
𝑅1

• Especificaciones de amplificadores operacionales en parámetros de frecuencia

Un amplificador operacional está diseñado para que funcione como un amplificador de

banda ancha de alta ganancia. Esta operación suele ser inestable debido a la realimentación
positiva. Para garantizar su operación estable, los amplificadores operacionales se
construyen circuitos de compensación interna. Por este motivo la ganancia de voltaje se
reduce a medida que se incrementa la frecuencia. Las especificaciones del amplificador
operacional describen la ganancia contra el ancho de banda.

𝑓1 = 𝐴𝑉𝐷 𝑓𝑐

Velocidad de razón de cambio (SR), velocidad máxima a la cual la salida del amplificador
puede cambiar en volts por microsegundo. Si tratáramos de excitar la salida a una velocidad
de cambio del voltaje mayor que el parámetro SR, el resultado sería una señal con recorte
o distorsionada.

III. RESPUESTAS A PREGUNTAS

a. Compare las características técnicas de los amplificadores operacionales, LM741,

LM308, y TL082.

Tabla 1. Comparación de características de tres modelos de OPAM's.

Característica LM741 LM308 TL082

Maxima potencia de disipación 500mW - 680mW
Maximo voltaje diferencial de ± 30V ± 30V ± 30V
entradade temperatura de
Rango -50°C – -55°C - -55°C -
operación
Rango de voltaje de alimentación ± 10V125°C
- ±22V 125°C
± 18V ± 7V125°C
- ±30V
Ganancia en voltaje 200 V/mV 300 V/mV 200 V/mV
Voltaje de compensación de 2 – 6 mV 2.0 – 7.5 mV 3 – 10 mV
entrada
CMRR 95 dB 100 dB 86 dB
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Impedancia de entrada 0.3 – 2 MΩ 40 MΩ 1000GΩ
THD (Distorción armonica) 0.001% - 0.003%
SR (slew rote) 0.5 V/uV - 1.3 V/uV

- El que tiene una mayor impedancia de entrada es el OPAM TL082.

- El que tiene un mayor factor de rechazo al modo común es el OPAM LM308, esta
característica refleja la ganancia de una señal respecto a la ganancia de su ruido.
Es muy importante ya que siempre se evita la amplificación del ruido.
- El THD refleja la calidad del amplificador y cuanto distorsiona la señal de
entrada; sim embargo, solo se encontró esa variable de uno de los modelos de
OPAMs.

b. Determine la Impedancia de entrada y salida los 2 primeros circuitos.

Figura 6. Circuito 1 Amplificador inversor.

La impedancia de entrada se halla con la relación Vi/i.

2
𝑉𝑖𝑛 = 𝑖 × (10𝐾 + 𝑀)
3𝑠
2
𝑍𝑖𝑛 = (10𝐾 + 𝑀)Ω
3𝑠

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Figura 7. Circuito 2 Amplificador no inversor

250𝑀
𝑉𝑖𝑛 = (420𝐾 + )𝑖
𝑠
250𝑀
𝑍𝑖𝑛 = (420𝐾 + )Ω
𝑠
c. Obtenga la función de transferencia de los circuitos 1 hasta el circuito 2.

El circuito 1 es un amplificador inversor con la siguiente estructura:

Figura 8. Circuito genérico de un amplificador inversor.

Trabajando en dominio de laplace con los valores dados:

2
𝑍1 = 10𝐾 + 𝑀 Ω
3𝑠
1.2×1010
100𝐾 × 1.2 × 1010
𝑠
𝑍2 = 1.2×1012
= Ω
100𝐾 + 𝑠 + 1.2 × 105
𝑠

𝑍3 = 100𝐾 Ω
Apartir del circuito, considereanto un amplificador ideal:
𝑉𝑖𝑛 −𝑉𝑜
=
𝑍1 𝑍2
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𝑉𝑜 𝑍2
=−
𝑉𝑖𝑛 𝑍1
1.2×1010
𝑉𝑜 𝑠+1.2×105 1.2 × 105 𝑠
=− 20 = 200
𝑉𝑖𝑛 10𝐾 + 3𝑠 𝑀 (𝑠 + 1.2 × 105 )(𝑠 + 3 )

El circuito 2 es un amplificador no inversor con la siguiente estructura:

Figura 9. Circuito genérico de un amplificador no inversor.

Trabajando en dominio de laplace con los valores dados:

4.5×109
45𝐾 × 4.5 × 109
𝑠
𝑍1 = 4.5×109
= Ω
45𝐾 + 𝑠 + 105
𝑠
250𝑀
Ω 𝑍2 = 20𝐾 +
𝑠
Apartir del circuito, considereanto un amplificador ideal:

400𝐾
𝑉𝑎 = 𝑉𝑖𝑛 250𝑀
420𝐾 + 𝑠
𝑉𝑎 𝑉𝑎 − 𝑉𝑜
+ =0
5𝐾 𝑍1
400𝐾 1 1 𝑉𝑜
𝑉𝑖𝑛 250𝑀 (5𝐾 + 𝑍1) = 𝑍1
420𝐾 + 𝑠
𝑉𝑜 400𝐾 𝑍1
= ( + 1)
𝑉𝑖𝑛 420𝐾 + 250𝑀 5𝐾
𝑠

𝑉𝑜 20 𝑠(𝑠 + 106 )
=
𝑉𝑖𝑛 (21𝑠 + 12500)(𝑠 + 105 )

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d. Diseñe los circuitos 1 hasta el circuito 2, según los parámetros indicados para cada
caso.

• Amplificador invesor
Los parámetros son: Vin = 200 mV / 1 KHz; fi =100 Hz; fs =16 KHz; IC LM741; G =
10; Ri = 5 K.

La función de transferencia con valores genéricos es:

𝑉𝑜 1 𝑠
=− 1 1 =− 1 1
𝑉𝑖𝑛 (2𝑅1 + )( + 𝐶2𝑆) (𝑅𝑖𝑠 + 𝐶1)(𝐶2𝑠 + 𝑅2)
𝐶1𝑠 𝑅2

1
𝑓𝑐 = = 16𝐾
2𝜋𝐶2𝑅2
1
𝑓𝑐 = = 100
2𝜋𝐶1𝑅𝑖
𝑅1
𝐺=− = −10
𝑅2
𝑅1 = 1𝐾Ω 𝑅2 = 10𝐾Ω
𝐶1 = 1.59𝑢𝐹 𝐶2 = 0.9𝑛𝐹

• Amplificador no invesor
Los parámetros son: Vin = 200 mV / 1 KHz; fi =100 Hz; fs =16 KHz; IC LM741; G =
10; Ri = 5 K.

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𝑉𝑜 𝑅3 1
= 1 ( 1 + 1)
𝑉𝑖𝑛 𝑅𝑡 + (𝑅1)( + 𝑠𝐶2)
𝐶1𝑠 𝑅2

𝑅3𝑅1
𝑉𝑜 (𝑅3 + 𝑅2 ) + 𝑠𝑅1𝑅3𝐶2
=
𝑉𝑖𝑛 (𝑠𝑅𝑡 + 1 )(𝑅1 + 𝑠𝑅1𝐶2)
𝐶1 𝑅2

1
𝑓𝑐 = = 16𝐾
2𝜋𝐶2𝑅2
1
𝑓𝑐2 = = 100
2𝜋𝐶1𝑅𝑖

𝑅3 𝑅1 𝑅1
𝐺= ( + 1) ≈ + 1 = 10
𝑅3 + 𝑅𝑖 𝑅2 𝑅2

𝑅1 = 1𝐾Ω 𝑅2 = 9𝐾Ω 𝑅𝑖 = 420𝐾

𝐶1 = 3.78𝑛𝐹 𝐶2 = 1.1𝑛𝐹

e. Simule la respuesta a una excitación sinusoidal y los diagramas de Bode de los

circuitos 1 hasta 2.

Circuito 1, amplificador inversor. La señal de entrada es una señal de Vp=200m con

una frecuencia de 1KHz, la cual pertenece a las frecuencias medias. Por lo tanto, se
espera una ganancia de 10.

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Figura 10. Señal de Salida del circuito 1 con Vi=200mV.

Figura 11. Diagrama de Bode del circuito 1.

Circuito 2, amplificador no inversor. Al igual que en el anterior circuito, se usa una señal de
200mV.

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Figura 12. Señal de Salida del circuito 2 con Vi=200mV.

Figura 13. Diagrama de Bode de circuito 2.

Se observa que la señal de salida del circuito 1 sale con un desfase de 180° y su mismo
nombre describe dicha característica. Mientras, que el amplificador no inversor tiene como
salida la señal. Por otro lado, las frecuencias de corte superior e inferior coinciden con los
parámetros dados en la guía.

IV. DATA SHEET Y HOJA DE DATOS

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Figura 14. Datasheet del OPAM LM741.

Figura 15. Datasheet del OPAM LM308.

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Figura 16. Datasheet del OPAM TL084.

V. EQUIPOS Y MATERIALES

Los materiales y equipos a usar en la experiencia, se obtiene de la guia de laboratorio, si ha

usado otro componente o dispositivo, colocar en este item.

• Una computadora
• Software de simulación
• Acceso a Internet
• 1 multímetro
• 1 generador de Ondas
• Fuente DC
• Dos Potenciómetros de 10KΩ
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• Un Termistor NTC 190 aprox. A 25°C
• 2 condensadores de: 0.082nF, 2x 0.15µF, 4.7µF, 0.22nF, 4nF, 72nF, 1uF
• Dos CI, LM 741
• 03 transistores: 2N2222, 2N3904 y 2N2907
• Resistencias:3x5kΩ; 2x 100kΩ, 45kΩ, 20kΩ, 2x400kΩ, 200kΩ, 5x1KΩ, 22KΩ, 4x2.2KΩ,
3x420Ω, 2x42KΩ

VI. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

1. Implementar el Amplificador Inversor (circuito1), verificando que la salida sea cero en

ausencia de señal.
2. Aplicar con el generador, una señale de Vin = 200 mV y efectuar un barrido de
frecuencia desde 5 Hz hasta 150 KHz.
3. Con estos datos obtener el Diagrama de Bode.
4. Obtener la Corriente IL en la carga.
5. Implementar el Amplificador No Inversor (circuito 2), verificando que la salida sea
cero en ausencia de señal.
6. Aplicar con el generador, una señale de Vin = 200 mV y efectuar un barrido de
frecuencia desde 5 Hz hasta 150 KHz.
7. Con estos datos obtener el Diagrama de Bode.
8. Obtener la Corriente IL en la carga.

VII. SIMULACIÓN

1. Implementar el Amplificador Inversor (circuito1), verificando que la salida sea

cero en ausencia de señal.

Vin = 200 mV / 1 KHz; fi =100 Hz; fs =16 KHz; IC LM741; G = 10; Ri = 5 K.

Figura 17. Simulación del circuito 1 (amplificador inversor).

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2. Aplicar con el generador, una señale de Vin = 200 mV y efectuar un barrido de
frecuencia desde 5 Hz hasta 150 KHz.

Tabla 2. Valores de voltaje de salida del circuito 1 con distintos valores de frecuencia.

Frecuencia
50 70 90 100 150 200 500 700 1K 3K 5K 10K 15K 16K 20K 30K
(Hz)
Voltaje salida
0.856 1.11 1.31 1.39 1.69 1.86 1.96 1.99 1.99 1.97 1.92 1.7 1.47 1.42 1.26 0.941
(V)

3. Con estos datos obtener el Diagrama de Bode.

Diagrama de Bode
23

21

19

17
H (dB)

15

13

11

9
40 400 4000 40000
Frecuencia (Hz)

Gráfica 1. Gráfica de Bode del Amplificador inversor.

4. Obtener la Corriente IL en la carga.

Con una señal de entrada de 200mV y resistencia de 5KΩ.

1.99𝑉
𝐼𝐿 = = 0.398 𝑚𝐴
5𝐾

5. Implementar el Amplificador No Inversor (circuito 2), verificando que la salida sea

cero en ausencia de señal.

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Figura 18. Simulación del circuito 2 (amplificador no inversor).

6. Aplicar con el generador, una señale de Vin = 200 mV y efectuar un barrido de

frecuencia desde 5 Hz hasta 150 KHz.

Tabla 3. Valores de voltaje de salida del circuito 2 con distintos valores de frecuencia.

Frecuencia
50 70 90 100 150 200 500 700 1K 3K 5K 10K 15K 16K 20K 30K
(Hz)
Voltaje
0.983 1.23 1.41 1.47 1.7 1.82 1.96 1.98 1.98 1.94 1.87 1.61 1.35 1.3 1.14 0.867
salida (V)

7. Con estos datos obtener el Diagrama de Bode.

Diagrama de Bode
23

21

19

17
H (dB)

15

13

11

9
40 400 4000 40000
Frecuencia (Hz)

Gráfica 2. Gráfica de Bode del Amplificador no inversor.

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8. Obtener la Corriente IL en la carga.

Con una señal de entrada de 200mV y resistencia de 5KΩ.

1.98𝑉
𝐼𝐿 = = 0.396 𝑚𝐴
5𝐾

VIII. BIBLIOGRAFÍA

Colocar la bibliografia que han usado para presentar su informe previo del siguiente modo:

[1] Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky, Electroni devices and circuit theory, 10th
edition.
[2] Floyd, T. L. (2002). Dispositivos electronicos/ Electronic Devices. Limusa.
[3] López, F. y Julián, R., Circuitos Electronicos I, Ciencias [Link], 4th edicion.
[4] Fuente del navegador
[Link]
[Link]

IX. FECHA
Lima, 21/06/2021

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