Transistor de Efecto de Campo
El transistor de unión bipolar (BJT, bipolar junction transistor)
está basado en dos tipos de carga (bipolar): los electrones
libres y los huecos.
Existe otro tipo de transistor: el FET (field-effect transistor,
transistor de efecto de campo).
EL FET es unipolar porque su operación sólo depende de un
tipo de carga, electrones libres o huecos.
En otras palabras, un FET tiene portadores mayoritarios pero
no portadores minoritarios.
Nota: Las figuras tomadas en esta presentación son del
libro “Principios de Electrónica, A. Malvino y D. Bates,
Ed. 7. McGrawHill
Transistor de Efecto de Campo
Existen algunas aplicaciones lineales en las que el FET se
adapta mejor a causa de su alta impedancia (cientos de MΩ)
de entrada y otras propiedades.
El FET es el dispositivo preferido para las aplicaciones de
conmutación, porque no existen los portadores minoritarios.
En consecuencia, puede cortarse más rápidamente, ya que
no hay carga almacenada que tenga que ser eliminada del
área de la unión.
Transistor de Efecto de Campo
Existen dos clases de transistores unipolares:
a) JFET (junction field-effect transistor)
b) MOSFET (metal-oxide semiconductor FET).
a) b)
JFET El término efecto de campo está relacionado con las
zonas de deplexión alrededor de cada una de las
regiones p. Estas zonas de deplexión existen porque los
Diodo G-S se electrones libres se difunden desde las regiones n a las
polariza inversa regiones p.
= alta Z.
Los electrones que fluyen desde la fuente al drenador tienen
que atravesar el estrecho canal que hay entre las zonas de
deplexión.
Cuando la tensión de puerta se hace más negativa, las zonas
de deplexión se expanden y el canal de conducción se hace
más estrecho.
Cuanto más negativa sea la tensión de puerta, menor será la
corriente entre la fuente y el drenador.
JFET El JFET es un dispositivo controlado por tensión porque
una tensión de entrada controla una corriente de salida.
En un JFET, la tensión puerta-fuente (VGS) determina la
cantidad de corriente que fluye entre la fuente y el
drenador.
Si VGS es cero, la corriente máxima de drenador circula a
través del JFET.
Si VGS es lo suficiente negativa, las zonas de deplexión
se tocarán y la corriente de drenador se cortará.
JFET de canal n, porque el canal entre la fuente y el
drenador es un semiconductor de tipo n.
JFET
Curvas de drenador
Cuando VDS = VP, las zonas de deplexión están casi
en contacto y por tanto el estrecho canal de
conducción se estrangula impidiendo que la
corriente siga aumentando. Por ello, la corriente
Región óhmica tiene un límite superior igual a IDSS.
VP, tensión o voltaje de estrangulamiento VDS(max), tensión o voltaje de disrupción
Curvas de drenador
Resistencia óhmica del JFET (solo en la
región óhmica)
Región óhmica
IDSS
Voltaje de corte puerta-fuente, VGS(off)
Un MPF4857 tiene VP = 6 V y IDSS =100 mA. ¿Cuál es la resistencia óhmica? ¿Y la tensión de corte
puerta-fuente?
Curva de transconductancia
Curva de transconductancia
Región óhmica, el JFET es equivalente a una resistencia
Polarización
Región activa, el JFET se comporta como una fuente de corriente.
Polarización en la región óhmica
Punto Q inestable
El 2N5459 tiene los siguientes intervalos de
variación entre el mínimo y el máximo:
IDSS varía entre 4 y 16 mA
VGS(off ) varía entre 2 y 8 V.
La Figura muestra las curvas de
transconductancia mínima y máxima.
Si se utiliza una polarización de puerta de 1 V con
este JFET, obtenemos los puntos Q mínimo y
máximo mostrados.
Polarización en la región óhmica
Saturación fuerte (polarización en región óhmica)
¿Cuál es la tensión de drenador en el circuito?
Puesto que VP = 4 V, VGS(OFF) = -4 V, antes del punto A, JFET está cortado, por lo tanto:
Obtener IDsat y VD.
VDD = 15 V
IDsat = 15V/10K Ω = 1.5 mA
RDS = 3V/5mA = 600 Ω
600Ω
𝑉𝐷 = 15V = 0.849 V
10𝑘Ω + 600Ω
Recomendación hacer ejercicios de este tipo.
Región óhmica, el JFET es equivalente a una resistencia
Polarización
Región activa, el JFET se comporta como una fuente de corriente.
Polarización en la región activa
Autopolarización
El circuito crea su propia polarización
utilizando la tensión en RS para
polarizar la puerta en inversa (-IDRS).
Polarización en la región activa
Autopolarización
Ecuación lineal:
Si RS = 500 Ω El punto Q de un circuito autopolarizado
no es muy estable, por lo que la
VGS = -ID (500 Ω) autopolarización sólo se utiliza en los
amplificadores de pequeña señal.
Si, VGS = 0
Por tanto, encontrará circuitos JFET
-ID = 0 autopolarizados en las primeras etapas
de los receptores de comunicaciones en
Si ID = IDSS = 4 mA las que la señal es pequeña.
VGS = 4 mA (500 Ω) = - 2 V
Encuentre RS y VD
RDS = RS = 400 Ω
Por lo tanto, la corriente de drenador
(ID) es aproximadamente igual a la
cuarta parte de 10 mA, es decir 2,5
mA.
La tensión de drenador será
aproximadamente:
El JFET 2N5486 tiene la siguiente curva. Encontrar el rango de VGS e ID para los puntos Q. RS = 270 Ω
Trazar la línea recta con dos puntos.
Las coordenadas de Qmin y Qmax
Valores mínimos Rs = 2V/8mA = 250
Valores máximos Rs = 6V/20mA = 300
Recomendación hacer ejercicios de este tipo.
Polarización en la región activa
Polarización mediante divisor de voltaje o tensión
VGS ˂˂˂ VG
Por lo tanto ID es casi constante para cualquier JFET
IDsat
Polarización en la región activa
Polarización mediante divisor de voltaje o tensión
Obtención de los puntos Q gráficamente
Dibuje la recta de carga en continua Ideal, VGS ˂˂˂ VG
y el punto Q para el circuito de la
Figura utilizando el método ideal
El JFET 2N5486 tiene la siguiente curva. Encontrar el rango de VGS e ID para los puntos Q. RS = 270 Ω
Recomendación hacer ejercicios de este tipo.
Polarización en la región activa
Polarización de fuente con dos alimentaciones. ¿Cuál es la ID y VD?
Recomendación hacer ejercicios de este tipo.
Polarización en la región activa
Polarización mediante fuente de corriente. ¿Cuál es la ID y VD?
Recomendación hacer ejercicios de este tipo.
