TRABAJO PRÁCTICO Nº 5:
PROPIEDADES
ELÉCTRICAS DE LOS
MATERIALES
Dra. Guadalupe Pérez
Dra. Rosario Cornejo
1) Determine la resistencia de una fibra con un área transversal de 1,34 mm2
y una longitud de 10 cm que se somete a una tensión de 225 V para la que la
densidad de corriente es 1,25 A/cm2. Suponga que el material y las
propiedades del resistor son uniformes.
LEY DE OHM (MACROSCÓPICA)
La corriente total es: I=J∗A
La diferencia de potencial es: V= E∗L V más bajo
L
y la resistencia del conductor: R=ρ∗
A V más alto
FINALMENTE
V L
I= I
R
A V
2) Se aplica un voltaje de 10 V a un alambre de aluminio de 2mm de diámetro
y 20 m de largo. Si 10% de los electrones de valencia transportan la carga
eléctrica, calcule la velocidad de deriva media en km/h.
Datos:
q= 1,6*1019 C/e-
Estructura del Al: FCC
Parámetro de red: 4,04958 Å
LEY DE OHM (MICROSCÓPICA) E
J = = σ∗E
ρ
DENSIDAD DE CORRIENTE I
J = = n ∗ q ∗ vd
A
RESISTIVIDAD DE METALES
ρ(T) = ρ0ºC (1 + αT T)
2) Se aplica un voltaje de 10 V a un alambre de aluminio de 2mm de diámetro
y 20 m de largo. Si 10% de los electrones de valencia transportan la carga
eléctrica, calcule la velocidad de deriva media en km/h.
Datos:
q= 1,6*1019 C/e-
Estructura del Al: FCC
Parámetro de red: 4,04958 Å
LEY DE OHM (MICROSCÓPICA) E
J = = σ∗E
ρ
DENSIDAD DE CORRIENTE I
J = = n ∗ q ∗ vd
A
RESISTIVIDAD DE METALES
ρ(T) = ρTR (1 + αT (T − TR))
2) Se aplica un voltaje de 10 V a un alambre de aluminio de 2mm de diámetro
y 20 m de largo. Si 10% de los electrones de valencia transportan la carga
eléctrica, calcule la velocidad de deriva media en km/h.
Datos:
q= 1,6*1019 C/e-
Estructura del Al: FCC
Parámetro de red: 4,04958 Å
LEY DE OHM (MICROSCÓPICA) E
J = = σ∗E
ρ
DENSIDAD DE CORRIENTE I
J= = n ∗ q ∗ vd
A
RESISTIVIDAD DE METALES
ρ(T) = ρTR (1 + αT (T − TR))
Aluminio
𝟏𝐬 𝟐 𝟐𝐬 𝟐 𝟐𝐩𝟔 𝟑𝐬 𝟐 𝟑𝐩𝟏
Z=13
2) Se aplica un voltaje de 10 V a un alambre de aluminio de 2mm de diámetro
y 20 m de largo. Si 10% de los electrones de valencia transportan la carga
eléctrica, calcule la velocidad de deriva media en km/h.
Datos:
q= 1,6*1019 C/e-
Estructura del Al: FCC
Parámetro de red: 4,04958 Å
DENSIDAD DE CORRIENTE I
J = = n ∗ q ∗ vd
A
Aluminio
𝟏𝐬 𝟐 𝟐𝐬 𝟐 𝟐𝐩𝟔 𝟑𝐬 𝟐 𝟑𝐩𝟏
Z=13
𝑛 = 0,1 ∗ nátomos ∗ ne−valencia
e−
e − de valencia
volumen átomos átomo
volumen
3)Calcule la conductividad eléctrica del níquel a -50ºC y a 500ºC.
RESISTIVIDAD DE METALES
ρ(T) = ρTR (1 + αT (T − TR))
CONDUCTIVIDAD 1
σ=
ρ
Deben buscar los valores de conductividad o resistividad del níquel a
una temperatura de referencia y el coeficiente térmico.
4) Calcular la conductividad eléctrica del germanio a la temperatura de 200 ºC
DATOS:
Concentración del portador intrínseco (Ge): ni = 2,3 x 1019 electrones/m3
Carga del electrón = 1,602 x 10-19 coulomb/electrón
Movilidad del electrón; µe = 0,364 m2/(volt · seg)
Movilidad del hueco; µh = 0,190 m2/(volt · seg)
Banda de energía del germanio; Eg = 0,66 eV.
Constante de Boltzmann; k = 8,62 x 10-5 eV/ºK.
CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA EN SC
La conducción eléctrica en SC es debida a los electrones y a los huecos.
σ = nqμn + pqμp
En un SC intrínseco la concentración de electrones y huecos es la misma.
σ = ni q(μn + μp )
Dependencia de la concentración de portadores de carga con la T:
ni α e−Eg /2kT σ = σ0 e−Eg /2kT
5) Para el germanio a la temperatura de 25 ºC se pide estimar: a) El número de
portadores carga (n); b) La fracción de todos los electrones de la banda de
valencia que han sido excitados y que han pasado a la banda de conducción y c)
La constante preexponencial no.
DATOS:
Conductividad eléctrica = 0,02 (ohm · cm)-1
Banda de energía del germanio; Eg = 0,67 eV.
Movilidad del electrón; µe = 3800 cm2/(volt · seg)
Movilidad del hueco; µh = 1820 cm2/(volt · seg)
Carga del electrón = 1,602 x 10-19 coulomb/electrón
Constante de Boltzmann; k = 8,62 x 10-5 eV/ºK.
Estructura cristalina = Cúbica tipo diamante (CD)
Número equivalente de átomos estructura CD = 8 átomos/celda
Constante reticular = 0,56575 nm
Electrones de valencia:
átomos 𝐗 e − e−
Estructura CD → 8 y →
CU átomos CU
La constante preexponencial no ni = n0 e−Eg/2kT
6) Se desea diseñar un semiconductor imperfecto tipo n de ZnO que aporte 20 x
1020 portadores de carga por cm3.
DATOS:
Radio iónico cinc = 0,74 Å
Radio iónico oxígeno = 1,32 Å
Peso atómico cinc = 65,38 g/mol
Peso atómico oxígeno = 15,9994 g/mol
El diseño del semiconductor implica saber cuantos gramos de cada
elemento se necesitan o cuál es el porcentaje en masa del dopante.
𝐒𝐞𝐦𝐢𝐜𝐨𝐧𝐝𝐮𝐜𝐭𝐨𝐫 𝐝𝐞 𝐭𝐢𝐩𝐨 𝐧 → 𝐃𝐨𝐧𝐚𝐝𝐨𝐫𝐚𝐬
6) Se desea diseñar un semiconductor imperfecto tipo n de ZnO que aporte 20 x
1020 portadores de carga por cm3.
DATOS:
Radio iónico cinc = 0,74 Å
Radio iónico oxígeno = 1,32 Å
Peso atómico cinc = 65,38 g/mol
Peso atómico oxígeno = 15,9994 g/mol
El ZnO tiene una estructura cristalina de la blenda de cinc.
Los iones se tocan a
lo largo de la diagonal
del cuerpo
𝐃 = 𝟒 ∗ 𝐑𝐙𝐧 + 𝟒 ∗ 𝐑𝐎
n iones CU/volumen
𝐃 = 𝟑 ∗a
6) Se desea diseñar un semiconductor imperfecto tipo n de ZnO que aporte 20 x
1020 portadores de carga por cm3.
DATOS:
Radio iónico cinc = 0,74 Å
Radio iónico oxígeno = 1,32 Å
Peso atómico cinc = 65,38 g/mol
Peso atómico oxígeno = 15,9994 g/mol
Zn aporta 2 electrones
2 ∗ 1021 e −/cm3
2 e −/ión Zn
𝐧ú𝐦𝐞𝐫𝐨 𝐝𝐞 𝐢𝐨𝐧𝐞𝐬 𝐝𝐞 𝐙𝐧 𝐚 𝐝𝐨𝐩𝐚𝐫
iones a dopar
=X 𝑋 = 0,05
iones de SC intrínseco
5 iones a dopar
100 iones Zn
100 iones de Zn y 100 iones de O
7) Suponga que la conductividad eléctrica del MgO está determinada
principalmente por la difusión de los iones Mg+2. Estime la movilidad de los iones
Mg+2 y calcule la conductividad eléctrica del MgO a la temperatura de 1800 ºC.
DATOS:
Difusividad del Mg+2 en MgO a 1800 ºC = 1,0 x 10-10 cm2/seg
Valor absoluto de la carga del electrón; q = 1,602 x 10-19 coulomb/electrón
Constante de Boltzmann; k = 1,38 x 10-23 Joule/ºK.
Estructura MgO = Cúbica del NaCl.
Nequiv atomos = 4 átomos/celda
Constante reticular = 0,396 nm
Las fórmulas a utilizar: Cloro
𝐙∗𝐪∗𝐃
𝛍=
𝐤∗𝐓 Sodio
𝛔= 𝐧∗𝐙∗𝐪∗𝛍
