“UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA”

Facultad de Ciencias e Ingenierías Físicas y Formales

Escuela Profesional de Ingeniería Mecánica – Mecánica Eléctrica y Mecatrónica

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

PRÁCTICA Nº3

“TRANSISTOR BJT”

GRUPO: 02
MIERCOLES (3 PM – 5 PM)
ALUMNO:
CONTRERAS ZEBALLOS JONATHAN LUIS

PROFESOR:
ING. CHRISTIAM GUILLERMO COLLADO OPORTO

AREQUIPA – PERÚ

2020
 1. OBJETIVOS:

 Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.

 Decretar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT.
 Analizar y determinar las características de transistores BJT.
 Calcular la curva de los transistores BJT.

2. MARCO TEÓRICO:
TRANSISTOR BIPOLAR
Podemos decir que el transistor bipolar es el más común y general de los transistores, y como los
diodos, puede ser de germanio o silicio. Encontramos dos tipos de transistores: el NPN y el PNP, y
por ello, indica que la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo demuestra la flecha que se
ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y
emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de
transistor.

Transistor NPN
Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas es decir
su base, el entregará por otra que es el emisor, una cantidad mayor a
ésta, esto se dará en un factor que se llama amplificación. Este factor
se llama b que significa beta y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:

 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor

de amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).

 Ic = β * Ib

 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor

que Ic, sólo que, la corriente en un caso entra al transistor y en
el otro caso sale de él, o viceversa.
Según la fórmula anterior nos demuestra que las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero es todo lo contrario, ya que en la realidad la corriente Ib cambia ligeramente cuando
se cambia Vcc.
En el segundo gráfico mostrado las corrientes de
base
(Ib) son

ejemplos para
poder comprender que a
más corriente la curva es más
alta.
Regiones operativas del transistor

 Región de corte:
Podemos decir que un transistor está en corte cuando la corriente de colector = corriente de
emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje que se encuentra entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentación del circuito. Debido a ello, como no hay corriente circulando, no hay
caída de voltaje, Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib =0)

 Región de saturación:
Indicamos que un transistor está saturado cuando la corriente de colector = corriente de emisor =
corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)

En este caso se muestra que la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación
del circuito y depende también de las resistencias conectadas en el colector, en el emisor o en
ambos que nos indica la ley de Ohm. Todo ello generalmente se presenta cuando la corriente
de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más
grande. (recordar que Ic = β * Ib)

 Región activa:

Esta se da cuando un transistor no se encuentra en su región de saturación ni en la región

de corte, debido a ello se encuentra en una región intermedia, la cual es la región activa. En
esta región la corriente de colector (Ic) depende primordialmente de la corriente de base (Ib),
de β, se demuestra que la ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante
y asi mismo de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor. Esta región es
la más importante en el caso que se desee utilizar el transistor como un amplificador.

3. EQUIPO Y MATERIALES:
 Protoboard

 Resistencias 330KΩ, 1KΩ, 4.7KΩ, 100Ω

 Potenciometro 1MΩ, 5KΩ, 5MΩ, 10KΩ

  Transistor BC548 (equivalente)
2N3904 (equivalente)

 Miliamperímetro DC

 Voltímetro DC

 Fuente DC

4. PROCEDIMIENTO:

PARTE 1:

Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT

Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del
DMM.

TERMINAL ROJO (+) TERMINAL NEGRO (-) LECTURA DEL DMN

1 2
2 1
1 3
3 1
2 3
3 2
TABLA 1.

Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla:

TERMINAL BASE 2

TERMINAL COLECTOR 1

TERMINAL EMISOR 3

TIPO DE TRANSISTOR NPN

MATERIAL DEL SILICIO

TRANSISTOR
 TABLA 2.

PARTE 2:

Esquema

a) Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del
tipo de transistor (NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y  (hFE).

b) Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la
correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir  en el
caso de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son
BJTs.

c) Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de
transistor, configuración de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima,  (hFE)
y frecuencia de corte.

d) En el circuito, se requiere ajustar Rb2

de tal manera que IB alcance los 25uA. A
continuación, se varía Rc2 de forma de
VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en
los distintos casos la corriente IC.

e) Grafique Vce vs Ic.

f) Obtener las lecturas de VCE, IB, e

IC empleando el multímetro, repitiendo
 el proceso para IB igual a 50uA, 75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.

Vce = 0V Vce = 0.5V Vce = 1V Vce = 1.5V

I b=25 μA I c =m A 1.47 6.95 6.31 6.37
I b=50 μA I c =mA 1.47 9.68 10.4 10.6
I b=75 μA I c =mA 1.48 12.1 14.3 14.7
I b=125 μA I c =mA 1.48 13.2 20.3 21.8
TABLA 3.

- Con voltaje 0 V e intensidad de corriente 25 μA .

- Con voltaje 1.5 V e intensidad de corriente 50 μA .

- Con voltaje 0.5 V e intensidad de corriente 75 μA .
 Vce vs Ic
7

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6

GRAFICA 1.

PARTE 3:

Características del Colector

a) Construya el circuito de la fig 2.

b) Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10A
como se indica en la Tabla 4.

c) Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la

Tabla 4.

d) Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 4.

 e) Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que aparece
en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10A en los diferentes niveles de VCE.

f) Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.

g) Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 4. Cada valor de
VRB establecerá un nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.

h) Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de I C = VRC / VC y el valor de IE
= Ic + IB. Use los valores medidos de Rc.

i) Usando los datos de la Tabla 4, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La
curva es IC vs. VCE para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para
Ic e indique cada valor de IB.

V RB ( V ) I B ( μA ) V CE ( V ) V RC ( V ) I C ( mA ) V BE ( V ) I E ( mA )  

3.3 10 2 3.47 3.8132 0.66 3.8231 0.9974 381.32

3.3 10 4 3.59 3.9451 0.66 3.9551 0.9974 394.51
3.3 10 6 3.4 3.7363 0.65 3.7462 0.9973 373.63
3.3 10 8 3.48 3.8242 0.65 3.8342 0.9974 382.42
3.3 10 10 3.56 3.9121 0.65 3.9221 0.9975 391.21
3.3 10 12 3.85 4.2307 0.64 4.2408 0.9976 423.08
3.3 10 14 3.71 4.0769 0.64 4.0869 0.9976 407.69
3.3 10 16 3.77 4.1429 0.63 4.1529 0.9976 414.29

6.6 20 2 6.77 7.4396 0.67 7.4596 0.9973 371.98

6.6 20 4 6.89 7.5714 0.67 7.5914 0.9974 378.57
6.6 20 6 7.22 7.9341 0.66 7.9541 0.9975 396.70
6.6 20 8 7.14 7.8462 0.66 7.8662 0.9975 392.31
6.6 20 10 7.57 8.3187 0.65 8.3387 0.9976 415.93
6.6 20 12 7.75 8.5165 0.65 8.5365 0.9977 425.82
6.6 20 14 ------ ------ ---------

9.9 30 2 9.92 10.901 0.69 10.931 0.9973 363.37

9.9 30 4 10.1 11.121 0.68 11.151 0.9973 370.70
9.9 30 6 10.9 12.022 0.67 12.052 0.9975 400.73
9.9 30 8 11.4 12.527 0.65 12.557 0.9976 417.58
9.9 30 10 11.2 12.352 0.66 12.382 0.9976 411.72

13.2 40 2 12.8 14.110 0.72 14.149 0.9972 352.75

13.2 40 4 13.6 14.967 0.68 15.007 0.9973 374.18
 13.2 40 6 14.1 15.549 0.67 15.589 0.9974 388.74
13.2 40 8 ------ ------

16.5 50 2 16.1 17.692 0.7 17.742 0.9972 353.85

16.5 50 4 16.3 17.978 0.69 18.028 0.9972 359.56
16.5 50 6 ------ --------- ------ --------- --------- ----------
16.5 50 8 ------ --------- ------ --------- --------- ----------
TABLA 4.

Variación de  y 
Para cada línea de la Tabla 4 Calcule los niveles correspondientes de  y  usando las siguientes
ecuaciones:

 = Ic / IE

 = Ic / IB

5. CUESTIONARIO FINAL:

a) La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué
representan?

La gráfica con Ib de 10 UA y Vrb (V) de 3.3 V

El punto de intersección representa el punto de trabajo.

b) ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?
Las diferencias que se demuestran en las gráficas es que la corriente de colector incrementa
exponencialmente debido a que la corriente base es mayor, como se puede observar en la
figura, la corriente de 125 uA es superior que las demás corrientes dado que los tramos más
grandes, hacen que aumente la corriente base.

c) ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da este caso en la práctica?
Se dice que un transistor está en corte cuando este no pasa corriente por la base, por ello no
puede transitar por sus otros terminales, así mismo que el transistor se encuentre en corte.
Podemos decir que teóricamente se demuestra esto en práctica, pero pese a ello el
funcionamiento del transistor depende de la cantidad de corriente que pase por su base.
En este caso en la práctica no se puede realizar, ya que el circuito no se muestra como abierto.

d) ¿Cuándo se dice que un transistor está en saturación?, ¿se logra en la práctica?

Se dice que un transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta, si ese
fuera el caso se permite la circulación de corriente entre el colector, el emisor y el transistor los
cuales actúan como si fuera un interruptor cerrado.
 En este caso cuando se aplica en la práctica, podemos decir que si se logra llegar a un transistor
de un transistor de saturación.

e) Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.

La relación entre Ic e Ib en nuestra primera práctica nos demuestra que nuestro Ic e Ib toman
valores menores, esto se debe a que se adaptó nuestro circuito a esas corrientes con los
potenciómetros y el voltaje de la fuente.
Sin embargo, en la segunda práctica nos demuestra que la corriente base y la corriente
colectora son aproximadamente las mismas si no fuera por las milésimas de variación, puesto
que la forma de nuestro circuito potenciómetros y resistencias de otra forma modelada.

6. CONCLUSIONES, OBERVACIONES Y RECOMENDACIONES:

 Llegamos a la conclusión que un transistor BJT contiene diversos puntos de trabajo, los cuales
desempeñan diferentes funciones como amplificación, swich abierto o cerrado, etc.

 Se concluyó que los transistores son unos elementos que facilitan los circuitos en gran medida el
diseño de los circuitos electrónicos. Interpretamos que, con el invento de estos dispositivos, han
dado como resultado un giro enorme en nuestras vidas, también se halló los diversos tipos de
transistores, así como su aspecto físico, su estructura básica y las simbologías utilizadas.

 Con los transistores encontrados en el circuito, ahora si se conseguirá comprobar o realizar la

prueba de los transistores, todo ello se realizará para poder conocer si este se encuentra en
buenas condiciones para su uso.

 Se observó que las medidas, tanto experimentales como teóricas, no siempre van a demostrarse
como las mismas, esto se debe a que influye de una manera sorprendente el Software Proteus y
las operaciones matemáticas correctas que se realicen.

 Se debe tener en cuenta si la práctica se realizará físicamente, debido a que los instrumentos de
medida como los componentes que se deben utilizar estos deben estar revisados y en su
correcto funcionamiento antes de realizar las correctas mediciones.

 Se recomienda tener en cuenta el colocar adecuadamente el circuito antes de situar una fuente
de tensión, esto se debe a que, si no está adecuadamente elaborado el circuito, este como
resultado podría quemarse y por ello el circuito entraría en corto, esto sucedería siempre y
cuando lo hagamos físicamente.

7. BIBLIOGRAFÍA:
 Adalberto Cantú Chapa (2008), Electrónica II, Análisis de diseño con diodos y transistores – Sitio
Web:
[Link]
%C3%[Link]?sequence=3&isAllowed=y
 Instituto Tecnológico de Soledad Atlántico (2016), Electrónica Análoga – Sitio Web:
[Link]
 Ing. Tarquino Sánchez A. Quito (2013), Escuela Politécnica Nacional, Electrónica: Dispositivos y
Aplicaciones – Sitio Web:
[Link]
%20y%[Link]
 Gustavo A. Ruiz Robedro (2001), Electrónica Básica para Ingenieros - Sitio Web:
[Link]
%[Link]