REPUBLICA BOLIVARIANA DE

VENEZUELAMINISTERIO DEL PODER POPULAR

PARA LAEDUCACIONUNIVERSITARIA, CIENCIA Y
TECNOLOGIAI.U.P. “SANTIAGO MARIÑO”
EXTENSION-MATURIN

Memoria RAM

Profesor: Estudiantes:
Ing. Pablo Zerpa. Cruz Osmara

Sistemas Digitales 2. Maricruz Mejías

López Luis

Maturín, 11 de Junio de 2019

 ÍNDICE

Introducción……………………………………………………………..……….….01

Memoria de Acceso Aleatorio……………………………………………………02-03

Operaciones de lectura y escritura…………………………………….…………03-04

Tipos de memorias……………………………………………………………….04-06

Construcción interna……………………………………………………………..06-07

Características de una memoria RAM………………………………………………07

Dispositivos de E/S………………………………………………………………07-08

SRAM 6264………………………..…………………………………….…..…..08-09

Tabla de Verdad del6264…………………………..………………………………..09

Materiales……………………………………………………………………………09

Simulación y Ejecución……………………………………………………….…10-16

Conclusiones…………………………………………………………………………17

Anexos……………………………………………………………………………….18

ii
 INTRODUCCIÓN

Un componente indispensable de toda computadora es su memoria. Sin

memoria no podría haber computadoras como las que conocemos. La memoria sirve
para almacenar las instrucciones que se van a ejecutar, y también los datos. En las
secciones que siguen examinaremos los componentes básicos de un sistema de
memoria aleatoria, para ver cómo funcionan internamente así como también la
versatilidad de almacenar datos en la memoria SRAM 6264 mediante simulaciones en
la plataforma PROTEUS.

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 MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO

Una unidad de memoria es un conjunto de celdas de almacenamiento junto con

los circuitos asociados que se requieren para transferir información al y del
dispositivo. El tiempo que toma transferir información a o de cualquier posición al
azar deseada siempre es el mismo, de ahí el nombre memoria de acceso aleatorio o
RAM. Una unidad de memoria almacena información binaria en grupos de bits
llamados palabras. Una palabra de memoria es una entidad de bits que siempre se
guardan o sacan juntos, como una unidad.
Una palabra de memoria es un grupo de unos y ceros y podría representar un
número, una instrucción, uno o más caracteres alfanuméricos o cualquier otra
información codificada en binario. Un grupo de ocho bits es un byte. Casi todas las
memorias de computadora manejan palabras cuya longitud es un múltiplo de ocho
bits. Así, una palabra de 16 bits contiene dos bytes, y una de 32 bits consta de cuatro
bytes. La capacidad de una unidad de memoria por lo regular se da como el número
total de bytes que es capaz de guardar. La comunicación entre la memoria y su
entorno se efectúa a través de líneas de entrada y salida de datos, líneas de selección
de direcciones y líneas de control que especifican la dirección de la transferencia. En
la figura 1 se presenta un diagrama de bloques de la unidad de memoria. Las n líneas
de entrada de datos alimentan la información que se guardará en la memoria, y las n
líneas de salida de datos proporcionan la información que viene de la memoria.
Las k líneas de dirección especifican la palabra específica escogida, de entre
muchas disponibles. Las dos entradas de control especifican la dirección de la
transferencia deseada: la entrada de escritura hace que se transfieran datos binarios a
la memoria; la de lectura hace que se saquen datos binarios de la memoria.

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 Figura 1.

OPERACIONES DE LECTURA Y ESCRITURA

Las dos operaciones que efectúa una memoria de acceso aleatorio son escritura
y lectura. La señal de escritura especifica una operación de transferencia hacia
adentro, y la de lectura, una de transferencia hacia afuera. Al aceptar una de estas
señales de control, los circuitos internos de la memoria efectúan la operación deseada.
Los pasos que deben seguirse para transferir una nueva palabra a la memoria y que
esta se guarde son:
1. Aplique la dirección binaria de la localidad deseada a las líneas de dirección.
2. Aplique a las líneas de entrada de datos los bits de datos que se guardarán en la
memoria.
3. Active la entrada escribir.
La unidad de memoria tomará entonces los bits de las líneas de datos de entrada
y los almacenará en la localidad especificada por las líneas de dirección. Los pasos
que deben seguirse para sacar de la memoria una palabra almacenada son:
1. Aplique a las líneas de dirección la dirección binaria de la localidad deseada.
2. Active la entrada leer.
La unidad de memoria tomará entonces los bits de la localidad seleccionada por la
direccióny los aplicará a las líneas de datos de salida. El contenido de la localidad
seleccionada no cambiadespués de la lectura.Algunos componentes de memoria que
se venden comercialmente en chips de circuitos integradosofrecen las dos entradas de
control para leer y escribir en una configuración un tantodiferente. En vez de tener

3
dos entradas individuales de leer y escribir para controlar las dos operaciones, casi
todos los circuitos integrados ofrecen otras dos entradas de control: una selecciona
la unidad y la otra determina la operación. Las operaciones de memoria resultado de
Estas entradas de control se especifican en la tabla 1.

La entrada de habilitar memoria (o de seleccionar chip, como también se le conoce)

sirve para habilitar un chip de memoria en una implementación multichips de una
memoria grande. Sí habilitar memoria está inactiva, el chip no está seleccionado y no
se efectúa ninguna operación. Si esa entrada está activa, la entrada leer/escribir
determina la operación a efectuar.

Tabla 1.

TIPOS DE MEMORIAS

El modo de acceso de un sistema de memoria depende del tipo de componentes

empleados. En una memoria de acceso aleatorio, se considera que las direcciones de
palabra están separadas en el espacio, y cada palabra ocupa un lugar dado. En una
memoria de acceso secuencial, la información almacenada en algún medio no está
accesible inmediatamente; sólo se obtiene en ciertos intervalos de tiempo. Los discos
magnéticos o unidades de cinta son de este tipo.
Cada posición de memoria pasa por las cabezas de lectura/escritura en cierto orden,
pero sólo se lee información cuando se ha llegado a la palabra solicitada. En una
memoria de acceso aleatorio, el tiempo de acceso siempre es el mismo, sin importar
en qué lugar esté la palabra. En una memoria de acceso secuencial, el tiempo que
toma tener acceso a una palabra depende de la posición de la palabra con respecto a la
posición de la cabeza lectora; por tanto, el tiempo de acceso es variable.

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Las unidades de RAM en circuitos integrados tienen uno de dos modos de operación:
estático y dinámico. La RAM estática (SRAM) consiste básicamente en latches
internos que guardan la información binaria. La información binaria será válida en
tanto no deje de alimentarse de electricidad a la unidad. La RAM dinámica (DRAM)
almacena la información binaria en forma de cargas eléctricas en condensadores.
Éstos se forman dentro del chip con transistores MOS.
La carga almacenada en los condensadores tiende a disiparse con el tiempo, por lo
que los condensadores deben recargarse periódicamente refrescando la memoria
dinámica. El refresco se efectúa restaurando de forma cíclica la carga de todas las
palabras cada cierto número de milisegundos, en orden. La DRAM consume menos
electricidad y por ello ofrece mayor capacidad de almacenamiento en un solo chip de
memoria. La SRAM es más fácil de usar y sus ciclos de lectura y escritura son más
cortos.
Las unidades de memoria que pierden la información almacenada cuando se
interrumpe la alimentación eléctrica se denominan volátiles. Las RAM de circuitos
integrados, tanto estáticas como dinámicas, pertenecen a esta categoría, pues las
celdas binarias necesitan electricidad externa para mantener la información
almacenada. En contraste, una memoria no volátil, como un disco magnético,
conserva la información almacenada después de apagarse.
Ello se debe a que los datos almacenados en componentes magnéticos están
representados por la dirección de imantación, que se mantiene cuando se deja de
alimentar electricidad. Otra memoria no volátil es la memoria de sólo lectura (ROM).
Se requiere una memoria no volátil en las computadoras digitales para almacenar los
programas que se necesitarán la próxima vez que se encienda la computadora después
de apagarse.
Los programas y datos que no pueden alterarse se guardan en ROM. Otros programas
grandes se mantienen en discos magnéticos. Cuando se enciende la computadora,
puede usar los programas que están en ROM. Luego, los demás programas que
residen en disco magnético se transfieren a la RAM de la computadora, conforme se

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vayan necesitando. Antes de apagar la computadora, la información binaria contenida
en su RAM y que se desea conservar se transfiere al disco.
CONSTRUCCION INTERNA

La construcción interna de una memoria de acceso aleatorio de m palabras y n bits

por palabra consta de m*n celdas binarias de almacenamiento y los correspondientes
circuitos de decodificación que seleccionan palabras individuales. La celda binaria de
almacenamiento es el bloque de construcción básico de una unidad de memoria. En la
figura 2 se muestra la lógica equivalente de una celda binaria que guarda un bit de
información.
La parte de almacenamiento de la celda se modela con un latch SR y algunas
compuertas. En realidad, la celda es un circuito electrónico con entre cuatro y seis
transistores. No obstante, es posible y conveniente modelarla empleando símbolos
lógicos. Las celdas binarias de almacenamiento deben ser muy pequeñas para que
muchas de ellas quepan en la reducida área del chip de circuitos integrados. La celda
binaria almacena un bit en su latch interno.
La entrada de selección habilita a la celda para leer o escribir, y la entrada
leer/escribir determina la operación de la celda. Un 1 en esa entrada hace que se
efectúe la operación de lectura porque establece una trayectoria entre el latchy la
terminal de salida. Un 0 en la entrada de leer/escribir hace que se efectúe la operación
de escritura porque establece una trayectoria entre la terminal de entrada y el latch.
En la figura 3 se ilustra la construcción lógica de una RAM pequeña. Consta de
cuatro palabras de cuatro bits cada una y tiene un total de 16 celdas binarias.

Figura 2.

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 Figura 3.

CARACTERISTICAS DE UNA MEMORIA RAM

Las características principales de una memoria RAM son:

• Tecnología: puede ser del tipo DDR, DDR2, DDR3... Cada tecnología trabaja con
unos valores máximos y mínimos de envío de datos.
• Capacidad: las memorias RAM actualmente varían su capacidad entre 2 y 8
gigabytes. Se pueden disponer varias memorias RAM para combinar su capacidad en
una misma placa base, en función de las ranuras de que disponga la misma a tal fin.
• Cantidad de contactos o pines: cantidad de contactos que establece con la ranura de
la placa base (200-pin, 240-pin...).

DISPOSITIVOS DE E/S

Existe un gran número de diferentes dispositivos de E/S para los computadores

actuales, los cuales se pueden dividir en tres grandes categorías: dispositivos que
reciben su entrada del usuario, dispositivos que muestran una salida al usuario y
dispositivos que interaccionan con otros dispositivos. Los dispositivos que reciben su
entrada directamente de los usuarios, tales como los teclados o ratones, suelen tener

7
bajos requerimientos de ancho de banda, pero requieren un tiempo de respuesta
rápido.

Por ejemplo, un mecanógrafo que escribe 60 palabras por minuto tan solo genera 5
caracteres por segundo de E/S, suponiendo una longitud media de las palabras de 5
letras. El ancho de banda requerido es mínimo, pero el mecanógrafo rápidamente
percibe el retraso si el computador no responde inmediatamente a las pulsaciones de
teclas.

Los dispositivos que muestran salidas a los usuarios, tales como tarjetas de video,
impresoras y tarjetas de sonido pueden requerir una notable cantidad de ancho de
banda de salida, pero poco ancho de banda de entrada. Los dispositivos que
interactúan con otras máquinas, como unidades de disco, CD-ROM, adaptadores de
red, etc. Precisan a menudo un gran ancho de banda de ambas direcciones, además de
un bajo tiempo de respuesta por parte del procesador de forma que se pueda
proporcionar un requerimiento máximo. Comprender de las exigencias de los
diferentes dispositivos de E/S es crítico para obtener un buen requerimiento global
del sistema.

SRAM 6264

El 6264 es un circuito integrado estándar de RAM estática JEDEC . Tiene una

capacidad de 64 Kbit (8 KB ). Es producido por una amplia variedad de proveedores
diferentes, incluidos Hitachi , Hynix y Cypress Semiconductor . Está disponible en
una variedad de configuraciones diferentes, como DIP , SPDIP y SOIC . Algunas
versiones de la 6264 pueden ejecutarse en modo de potencia ultra baja y conservar la
memoria cuando no está en uso, lo que las hace adecuadas para aplicaciones de
batería de respaldo.

Especificaciones:

• Fuente de alimentación de 5 V ± 10%.

• Totalmente estática.
• Tiempo de acceso rápido: 12, 15, 20, 25, y 35 ns.

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• Corriente Mínima: 110 – 150 mA Máxima en AC.
•Totalmente compatible con TTL — Salidas de tres estados.

TABLA DE VERDAD DEL 6264

Figura 4

MATERIALES

 1 Resistencia de 10kΩ ±5%.

 8 Resistencias de 470Ω ±5%.
 2 SRAM 6264.
 5 Fuentes de 5V.
 2 Displays de 7 segmentos color verde (4 pines).
 2 paquetes de8 resistencias (RESPACK).
 1 botón.
 3 Diswitchs de 9 interruptores (DSW).
 6 Logicstate.

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 SIMULACION

Paso 1

Paso 2

10
Paso 3

Paso 4

11
Paso 5

Paso 6

12
Paso 7

Paso 8

13
Paso 9

Paso 10

14
 Paso 11

Paso 12

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 EJECUCION DE LA SIMULACION

 Paso 1: Se necesita 2 RAM del tipo 6264 de 13 direcciones y 8 bits, asi que se
procede a estructurar una simulación con un bus de datos y direcciones con 1
sola memoria de prueba.
 Paso 2: Active la entradadel Pin 27 para comenzar a leer según la tabla de
Verdad (Véase la figura 4) con el Pin 20-22 en 0 lógico y el Pin 26 en 1
lógico.
 Paso 3: Luego aplique la dirección binaria de la localidad deseada a las líneas
de dirección, en este caso se utiliza el paquete de interruptores que se localiza
del lado izquierdo y prenda el botón 1 y los demás apagados.
 Paso 4: Diríjase a las líneas de entrada de datos (Localizada en los
interruptores del lado derecho) e introduzca los bits de datos que se guardaran
en la memoria, en este caso es 10101010 como aparece en los leds.
 Paso 5: Se presiona el botón E/L (localizado en el Pin 27) para obtener un 0
lógico y así escribir los bits de datos en la dirección 1.
 Paso 6: Ahora la unidad de memoria tomara entonces los bits de las líneas de
datos de entrada y los almacenara en la localidad especificada por las líneas de
dirección (en este caso la dirección 1). A continuación se posicionan los
interruptores de las líneas de dirección en cero, es decir a su posición inicial.
 Paso 7: Cambie los interruptores de las líneas de datos a cero como estaban
inicialmente.
 Paso 8: Seleccione el botón 1 de la línea de dirección y actívela.
 Paso 9: Presione el Botón de E/L del Pin 27 para que entre en modo de lectura
(1 lógico) y visualice los bits seleccionados en los leds como 10101010.
 Paso 10: Ahora ya se conoce el procedimiento para escribir y leer en la
memoria de prueba, se puede borrar la información contenida en la memoria
con solo apagarla deteniendo la simulación.

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 Paso 11: Como se pide 2 memorias RAM se sigue el mismo esquema de la
memoria de prueba e interconectar la segunda con la primera para así
aumentar la capacidad de memoria, y se procede a seguir los pasos anteriores
para escribir y leer los bits de datos y además se añadió 2 display de 4 bits
cada uno para apreciar los números guardados.
 Paso 12:Para almacenar los datos en 1 de las 2 memorias se le añade un estado
lógico seguido de una compuerta NOT para seleccionar que memoria va a
trabajar, en este caso la memoria U1 está en modo Output Disabled (Salidas
deshabilitadas) y la memoria U2 está en modo de lectura según los estados
lógicos seleccionados.

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 CONCLUSIÓNES

 La memoria RAM sólo es capaz de almacenar datos cuando tiene alimentación

eléctrica, por lo que al apagar el ordenador todo el contenido de la misma se borra.
Es por ello que se recomienda cada cierto tiempo apagar los dispositivos
electrónicos que poseen dicha memoria para vaciarla y agilizar los procesos una vez
vuelve a ser encendido el dispositivo (teléfonos móviles, tabletas, ordenadores, etc.).

 Las características principales de las memorias RAM son: la capacidad de

almacenamiento, medida en bytes. La frecuencia de trabajo, medida en Hertz. El
tiempo de acceso, medido en sub-múltiplos del segundo, y el tipo de
almacenamiento, éste último determina si la memoria es estática SRAM o dinámica
DRAM.

 La comunicación entre el microprocesador y la memoria se lleva a cabo a través del

bus del sistema, dicho bus se divide en tres, bus de datos, de control y de dirección.
El bus de control es el encargado de habilitar o no el funcionamiento de sectores de
la memoria. A través del bus de datos el microprocesador transmite los bits a ser
escritos o leídos en la memoria, y por medio del bus de direcciones se establece la
celda de memoria que se escribirá o leerá de la misma.

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ANEXOS

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