Instituto Tecnológico de Nogales

Materia: Electrónica de Potencia Aplicada

Profesor: Reyes Hurtado Juan Manuel

Tarea: Semiconductores de Potencia

No. De Control: 15340783

Alumno: Luis Adrian Tapia Arce

H. Nogales Sonora 27 marzo del 2021

Contenido
Diodos de Potencia.......................................................................................................................3
Características estáticas.........................................................................................................4
Parámetros en bloqueo........................................................................................................4
Parámetros en conducción.................................................................................................5
Modelos estáticos del diodo...............................................................................................6
Características dinámicas.......................................................................................................7
Tiempo de recuperación inverso.......................................................................................7
Influencia del trr en la conmutación.................................................................................9
Tiempo de recuperación directo......................................................................................10
Disipación de potencia..........................................................................................................11
Potencia máxima disipable (Pmáx)....................................................................................11
Potencia media disipada (PAV)..........................................................................................11
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM).................................................................12
Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM)............................................................12
Características térmicas........................................................................................................13
Temperatura de la unión (Tjmáx)........................................................................................13
Temperatura de almacenamiento (Tstg)..........................................................................13
Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc).................................................................13
Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)..........................................................13
Protección contra sobreintensidades................................................................................14
Principales causas de sobreintensidades....................................................................14
Órganos de protección......................................................................................................14
Parámetro I2t........................................................................................................................14
COMPARACIÓN DE LOS DIODOS DE POTENCIA:..............................................................15
Tipos de diodos de potencia....................................................................................................16
Diodo rectificador normal.....................................................................................................16
Diodos Schottky......................................................................................................................16
Diodos de recuperación rápida (fast) y ultrarrápidos (ultrafast).................................16
Diodo Zener..............................................................................................................................16
Diodo Túnel o Esaki................................................................................................................17
Diodo Varicap...........................................................................................................................17
Imágenes de Diodos...................................................................................................................18
Bibliografía.......................................................................................................................................19
Diodos de Potencia
Diodos de potencia. Componente electrónico ampliamente utilizado en la
electrónica de potencia. A diferencia de los diodos de baja potencia estos se
caracterizan por ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña
caída de tensión en estado de conducción y en sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña
intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensión inversa máxima

VD: tensión de codo.

A continuación, vamos a ir viendo las características más importantes del diodo,

las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

1. Características estáticas:
 Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
 Parámetros en conducción.
 Modelo estático.
2. Características dinámicas:

 Tiempo de recuperación inverso (trr).

  Influencia del trr en la conmutación.

 Tiempo de recuperación directo.

3. Potencias:
 Potencia máxima disipable.
 Potencia media disipada.
 Potencia inversa de pico repetitivo.
 Potencia inversa de pico no repetitivo.
4. Características térmicas.
5. Protección contra sobreintensidades.

Características estáticas

Parámetros en bloqueo
 Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada
por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
 Tensión inversa de pico repetitivo (V RRM): es la que puede ser soportada en
picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
  Tensión inversa de pico no repetitiva (V RSM): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
 Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante
10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.
 Tensión inversa continúa (VR): es la tensión continua que soporta el diodo
en estado de bloqueo.

Parámetros en conducción
 Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad
de impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.
 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada
cada 20 ms, con una duración de pico a 1 ms, a una determinada
temperatura de la cápsula (normalmente 25º).
 Intensidad directa de pico no repetitiva ( IFSM): es el máximo pico de
intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
 Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se
encuentra en el estado de conducción.
Modelos estáticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se

representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar,
para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que
necesitemos.

Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más
complejos para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen
ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del
programa.
Características dinámicas

Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa

instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad I F, la
zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta
mayor densidad de éstos cuanto mayor sea I F. Si mediante la aplicación de una
tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt,
resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo
conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo
y cátodo no se establece hasta después del tiempo t a llamado tiempo de
almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la
unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo t b (llamado
tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (I RRM) a un valor
despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.
  ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso
por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
 tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la
capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir
desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
 trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

 Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área

negativa de la característica de recuperación inversa del diodo.
 di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
 Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo:

De donde:

Para el cálculo de los parámetros I RRM y Qrr podemos suponer uno de los dos
siguientes casos:

 Para ta = tb trr = 2ta

 Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutación

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:

 Se limita la frecuencia de funcionamiento.

 Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación
inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida.

Factores de los que depende trr:

 A mayor IRRM menor trr.

 Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será
la capacidad almacenada, y por tanto mayor será t rr.
Tiempo de recuperación directo

tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante

en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión
se estabiliza en el valor VF.

Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir

pérdidas de potencia apreciables.
Disipación de potencia

Potencia máxima disipable (Pmáx)

Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos
confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada
esta potencia de trabajo.

Potencia media disipada (PAV)

Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en
estado de conducción, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de
fugas.

Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como:

Si incluimos en esta expresión el modelo estático, resulta:

y como:

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente:

Generalmente el fabricante integra en las hojas de características tablas que

indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media
con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la
intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)

Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM)

Similar a la anterior, pero dada para un pulso único

Características térmicas
Temperatura de la unión (Tjmáx)
Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la
unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating
temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que
el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas
comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica
ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta
temperatura.

Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo.
En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula:

Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx

siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable.

Resistencia térmica contenedor-disipador (R cd).

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta
refrigeradora). Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar
por otro medio (como mica aislante, etc.).

Protección contra sobreintensidades

Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un
cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden
aparecer picos de corriente en el caso de alimentación de motores, carga de
condensadores, utilización en régimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la
unión, que es incapaz de evacuar las calorías generadas, pasando de forma casi
instantánea al estado de cortocircuito (avalancha térmica).

Órganos de protección
Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco
numerosos y por eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles,
del tipo "ultrarrápidos" en la mayoría de los casos.

Los fusibles, como su nombre indica, actúan por la fusión del metal de que están
compuestos y tienen sus características indicadas en función de la potencia que
pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz
de corriente, sino incluso con su I2t y su tensión.

Parámetro I2t
La I2t de un fusible es la característica de fusión del cartucho; el intervalo de
tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios.

Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que así será el
fusible el que se destruya y no el diodo.

COMPARACIÓN DE LOS DIODOS DE POTENCIA:

Tipos de diodos de potencia
Diodo rectificador normal
Presenta altos tiempos de recuperación inversos y es normalmente utilizado en
aplicaciones de baja frecuencia
Diodos Schottky
Se utilizan cuando se necesita una caída de tensión directa muy pequeña (0.3 V
típicos) para circuitos con tensiones de salida pequeñas. Tienen limitada su
capacidad de bloquear tensión a 50 - 100 V.

Diodos de recuperación rápida (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)

Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinación de
conmutadores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperación
pequeños. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios
cientos de amperios, estos diodos poseen un trr de pocos microsegundos. Un
diodo con esta variación de corriente tan rápida necesitará circuitos de protección,
sobre todo cuando en el circuito exterior encontramos elementos inductivos.

Diodo Zener
El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado que se ha construido
para que funcione en las zonas de rupturas, El diodo Zener es la parte esencial de
los reguladores de tensión casi constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga
y temperatura.

Diodo Túnel o Esaki

Se le conoce como diodo túnel o esaki, en honor del hombre que descubrió que
una fuerte de contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización
de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión.
Tienen una región de trabajo donde se produce una resistencia negativa debido al
efecto túnel, permitiendo amplificar señales y circuitos muy simples que posean
dos estados.

Diodo Varicap
El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un
diodo que aprovecha determinadas técnicas constructivas para comportarse, ante
variaciones de la tensión aplicada, como un condensador variable.

Polarizado en inversa, este dispositivo electrónico presenta características que

son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los
cambios de capacidad.
 Imágenes de Diodos

Diodo Zener

Diodo Varicap

Diodo Túnel
Bibliografía
 2019. Tema 3 - Resumen Diodos de Potencia. 1st ed. [ebook] Instituto Tecnológico
Metropolitano, pp.15-17. Available at: <[Link]
tecnologico-metropolitano/electronica-industrial/otros/tema-3-resumen-diodos-de-
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 Electromundo. n.d. Los 13 Tipos De Encapsulados De Diodos, Usos Y Funciones. [online]
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