Timei-29 óscar mejía cc1113538270 1
INFORME DE MONTAJE MOSFET
Óscar David Mejía Marulanda.
Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para
la conmutación y amplificación de señales. El nombre
completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio
transistor.
I. INTRODUCCIÓN
En este informe se presentarán las simulaciones
correspondientes a lo visto en clases en el tema de mosfet con
sus respectivas mediciones
II. CONFIGURACIÓN SOURCE COMÚN (TIPO N)
Mediciones de Voltaje y de corriente para el circuito 1.
Circuito 1: Configuración source común Tabla obtenida del datasheet del mosfet trabajado
Timei-29 óscar mejía cc1113538270 2
III. CON INTERRUPTOR
Haciendo uso de un interruptor y con el divisor de voltaje,
llevamos a los estados de corte y saturación el transistor. Al
cerrar el interruptor llevaremos el mosfet a saturación, y
abriendo el interruptor lo llevaremos a zona de corte.
Mediciones para el circuito 2, mosfet llevado a corte
Circuito 2: MOSFET interruptor.
Mediciones para el circuito 2, mosfet llevado a saturación.
Timei-29 óscar mejía cc1113538270 3
IV. TRANSISTOR MOSFET IRF5210S (TIPO P) V. MOSFET TIPO P CON INTERRUPTOR
Circuito 3: Emisor común tipo P
Circuito 4: mosfet tipo con interruptor.
Mediciones de Voltaje y de corriente para el circuito 3.
Mediciones para el circuito 4, mosfet llevado a corte
Timei-29 óscar mejía cc1113538270 4
.
Mediciones para el circuito 4, mosfet llevado a saturación.
VI. CONCLUSIONES
Con el desarrollo de este laboratorio y de este informe Se
Logró comprender el uso del MOSFET cumpliendo los
objetivos propuestos en el laboratorio