SEMICONDUCTORES

Domingo Pedro Lazo Ochoa

 EL DIODO
INTRODUCCION
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente
entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.

Resistencia nula

Resistencia nula
Diodos comerciales
 INCISO: Representación del componentes eléctricos en diagrama V-I

I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ∞) (R = 0) (R)

I I I I
+ +
V V

- V - V

Batería Fuente
Corriente
DIODO DE UNION PN

Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales

semiconductores de características opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo
P. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el
resto del circuito.

Formación de la unión PN

Se trata de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una

frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y
la otra de tipo N.
Zona P > átomos del grupo III ( Boro ).
Zona N > átomos del grupo V ( Fósforo ).

Mecanismo de difusión:
Consiste en llevar partículas de donde hay más a donde hay menos. El
efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos
zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
• Electrones de la zona N pasan a la zona P.
• Huecos de la zona P pasan a la zona N.
 Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto: en la región
de la zona P cercana a la unión:

• El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una

carga negativa
• Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga
positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para

la zona N.

Carga positiva en la zona N y negativa en la zona P

DIODO SEMICONDUCTOR (Diode)
Zona libre de cargas.
Solo quedan los iones fijos.
ZONA
TRANSICIÓN
P N
- +
ÁNODO CÁTODO
- +

- +

- +

ÁNODO CÁTODO

SÍMBOLO

Fue descubierto accidentalmente el

los laboratorios Bell por Russel Ohl
en 1940
 Aparece un campo eléctrico desde la zona N a la zona P que se opone al
movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo conforme pasan más
cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico
se equilibran y cesa el trasiego de [Link]:
✓Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.
✓Zona N, semiconductora, con una resistencia RN.
✓Zona de agotamiento (deplección): No conductora, puesto que no posee
portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los
extremos actúa una barrera de potencial.
Polarización directa:
Polarización directa (II):

El potencial aumenta por encima del de barrera → desaparece la zona de

deplección.
1. Electrones y huecos se dirigen a la unión.
2. En la unión se recombinan.
La tensión aplicada se emplea en:
1. Vencer la barrera de potencial.
2. Mover los portadores de carga.
Polarización inversa

Tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P → se retiran portadores

mayoritarios próximos a la unión. Aumenta la anchura de la zona de deplección.
Como en ambas zonas existen portadores minoritarios, su movimiento hacia la
unión crea una corriente, aunque muy pequeña.

Si aumenta mucho la tensión inversa, se produce la rotura por avalancha por

ruptura de la zona de deplección. No significa la ruptura del componente.
Característica tensión-corriente
La figura muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

• Región de conducción en polarización directa (PD).

• Región de corte en polarización inversa (PI).
• Región de conducción en polarización inversa.
En el caso de los diodos de Silicio, VON está sobre los 0,7 V.
Principales características comerciales
1. Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua
máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. Tres
límites:
• Corriente máxima continua (IFM).
• Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica
también el tiempo que dura el pico.
• Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se
especifica la frecuencia máxima del pico.

2. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse

Voltage, PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por
avalancha.
3. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la
tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa
segura.
4. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes
valores de la tensión inversa
5. Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltage): A veces no es 0.7 Volts.
MODELOS DEL DIODO DE UNION PN
Modelos para señales continuas
Válido tanto para señales contínuas como para de muy baja frecuencia.

n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2.

Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud
de la corriente directa y del valor de IS.
• VT, es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de Boltzmann
(K), la carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente
expresión permite el cálculo de VT:
• R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la
tensión que se está aplicando en la unión PN, siendo I la intensidad que circula
por el componente y V la tensión entre terminales externos.
• IS, es la corriente inversa de saturación del diodo. Depende de la
estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.

Modelo ideal del diodo de unión PN

• Factor de idealidad como la unidad, n=1.
• La resistencia interna del diodo es muy pequeña. la
caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña,
frente a la caída de tensión en la unión PN.
 Modelo lineal por tramos
• En inversa, la corriente a través de la unión es nula.
• En directa, la caída de tensión en la unión PN (VON) es constante e
independiente de la intensidad que circule por el diodo.

Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unión PN de silicio. El

potencial térmico a esa temperatura (25 ºC) es VT=25.7 mV. Tomando como
variable independiente la intensidad I, la ecuación ideal del diodo queda:

Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones

0.6 V <VDIODO< 0.77 V.

Estado Modelo Condición

Conducción
BIESTADO
Corte
✓ Conducción o Polarización Directa "On“. La
tensión es VON para cualquier valor de corriente.
✓ Corte o Polarización Inversa "Off", donde la
corriente es nula para cualquier valor de tensión
menor que VON.

Modelo para pequeñas señales de alterna

Se aplica: La corriente:
 Modelo para pequeñas señales de alterna

Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensión aplicada

(VD) y queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El
método de cálculo sería: 𝑉𝐷𝑄 +∆𝑉𝐷 𝑉𝐷𝑄 −∆𝑉𝐷

∆𝐼𝐷 = 𝑖𝑚𝑎𝑥 (t)−𝑖𝑚𝑖𝑛 (t)=𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇 −𝑒 𝑉𝑇 )

Para obtener la solución al problema

citado de una forma más simple se
linealiza la curva del diodo en el entorno
del punto de operación, es decir, se
sustituye dicha curva por la recta que
tiene la misma pendiente en el punto de
operación, según se aprecia en la Figura
 MOMENTO DE REFLEXIÓN:
A la vista de lo anterior y sin mas consideración

¿Como debería ser la característica de un diodo?

I I

V
FALSO
V
-

Dos trozos de material, relativamente buen conductor, podríamos pensar

que debe comportarse como una resistencia bastante pequeña
(idealmente un corto).
POLARIZACIÓN DIRECTA:
LA CONSIDERACIÓN INTUITIVA ES BASTANTE CIERTA

Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se ven

empujados a "invadir" la zona de transición.

La zona de transición se ve reducida drásticamente.

La corriente se debe a mayoritarios y la corriente directa

puede llegar a ser importante.

La aproximación de una resistencia pequeña (idealmente un

cable es razonable)

+ -
POLARIZACIÓN INVERSA:
FALLA LA INTUICIÓN.

Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se ven

I empujados a "escapar" de la zona de transición.

P La zona de transición aumenta drásticamente.

La corriente se debe a minoritarios y la corriente directa será

muy pequeña (idealmente nula).
N
La mejor aproximación es un cable roto (falla la intuición)

P
-
N
-

-
-

-
+

+
+

+ +
- - + +

- - + +
 CARACTERÍSTICA DEL DIODO (CONCLUSIONES)
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
I
+ I
P ¡¡ PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
V NO LINEAL !!
N
-
V

ANÉCDOTA
Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un único sentido.
 DIODO REAL

i [mA]
ánodo cátodo 1

p n Ge Si

A K
V [Volt.]
Símbolo -0.25
0
0.25 0.5

Silicio IS = Corriente Saturación Inversa

Germanio K = Cte. Boltzman
VD = Tensión diodo
 VKDTq  q = carga del electrón
I D = I S   e − 1 T = temperatura (ºK)
ID = Corriente diodo
 
 DIODO REAL (Distintas escalas)
i [mA]
Ge: mejor en conducción
i [mA] Si: mejor en bloqueo 30
Ge
1 Si
Ge Si

V [Volt.] V [Volt.]

-0.25 0 -4 0 1
0.25 0.5

i [A] i [pA]
V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 0
-0.5

Si
Ge -0.8 -10
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I I I
Solo tensión
Ideal de codo Tensión de codo y
Ge = 0.3 Resistencia directa
Si = 0.6
V V V

I I
Curva real
Corriente de fugas con (simuladore
Tensión de codo y s, análisis
Resistencia directa gráfico)

V V
 DIODO: LIMITACIONES

Corriente máxima
I
Tensión inversa
Límite térmico,
máxima
sección del
conductor
Ruptura de la Unión
por avalancha

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes
id

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima VR
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador
VR = 100V Tensión inversa máxima obtener las hojas de
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima características de un diodo (p.e.
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 25 nA Corriente inversa
1N4007). Normalmente
aparecerán varios fabricantes para
el mismo componente.
DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode)

La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).

En la zona Zener se
Tensión I comporta como una fuente
Zener de tensión (Tensión Zener).
(VZ)
Necesitamos, un límite de
corriente inversa.

V Podemos añadir al modelo

lineal la resistencia Zener.

Aplicaciones en pequeñas
Límite máximo
fuentes de tensión y
referencias.
Normalmente,
límite de potencia
máxima
DIODOS ESPECIALES

Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión

PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta
longitud de onda. (p.e. Luz roja)

A K
 DIODOS ESPECIALES
Los diodos basados en compuestos III-V,
Fotodiodos (Photodiode) presentan una corriente de fugas proporcional a la
luz incidente (siendo sensibles a una determinada
longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.

i Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotómetros)
V Comunicaciones
0
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la
corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y
pueden ser usados como sensores térmicos

i
El modelo puede ser una fuente
de corriente dependiente de la I = f(T) V
luz o de la temperatura según el
caso
T1 0
T2>T1
 DIODOS ESPECIALES
Cuando incide luz en una unión PN, la
característica del diodo se desplaza hacia el
Células solares (Solar Cell) 4º cuadrante.

i En este caso, el dispositivo puede usarse

como generador.

VCA V

Zona
uso
iCC

Paneles de células
solares
 DIODOS ESPECIALES

Diodo Varicap La unión PN polarizada inversamente

(Varicap , Varactor or Tuning diode) puede asimilarse a un condensador de
placas planas (zona de transición).

Esta capacidad se llama Capacidad de

P
-
N
Transición (CT).
-

-
-

-
+

+
+

+
+ Notar, que al aumentar la tensión inversa
- - + +

- - + + aumenta la zona de transición. Un efecto

parecido al de separar las placas de un
condensador (CT disminuye).
Dieléctrico
Tenemos pues una capacidad
dependiente de la tensión inversa.

Un diodo Varicap tiene calibrada y

caracterizada esta capacidad.
CT
30 pF Uso en equipos de comunicaciones (p.e.
Control automático de frecuencia en
d sintonizadores)
VI
10 V
DIODOS ESPECIALES

Diodo Schottky (Schottky diode)

Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado

efecto schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy

bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V).

Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de

Potencia
El efecto Schottky fue predicho
teóricamente en 1938 por Walter H.
Schottky
 DIODOS ESPECIALES
Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode)
Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (105
veces mayor).

Zona de resistencia Aparece un efecto nuevo conocido como efecto

ID negativa. túnel. (Descubierto por Leo Esaki en 1958).
Efecto Túnel
Un efecto parecido (GUNN) se produce en una
cavidad tipo N de Ga As.

El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en

1962.

VD Los efectos se traducen en una zona de resistencia

negativa en la característica directa del diodo.

Diodo GUNN Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de

microondas.

(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del

receptor del radar. Está presente en todos los
radares marinos actuales).
 ASOCIACIÓN DE DIODOS
Puente rectificador
Diodo de alta tensión Monofásico +
(Diodos en serie)

-
Trifásico
+

DISPLAY
-
APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexión de
objeto

Detectores de barrera
Detectores reflexión de espejo
 APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotómetros

Sensor de lluvia en vehículos
Detectores de humo
Turbidímetros
Sensor de Color

LED

Objetivo Fotodetector

LED azul

LED verde LED

LED rojo Fotodiodo
COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrónicos) son

dispositivos no lineales.

¡Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposición!

¡Cuidado, no se puede aplicar el análisis con complejos
VE VS
EJEMPLO TÍPICO: +
RECTIFICADOR VS
t VE
- t

VMAX ID
VE R

t
− VMAX VD
 COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Si POLARIZAMOS en una zona de funcionamiento, podremos aplicar el

principio de superposición y sustituir el dispositivo por un equivalente lineal.

¡¡¡ AQUÍ SI, PODEMOS CONSIDERARLO UN ELEMENTO LINEAL!!

VE VS
+
VAC
VCC
VS
VCC -
t t
Hablaremos de:
VE ID Equivalente
Circuito de polarización del diodo
(Circuito de continua)
y de:
Circuito alterna

t VD
APLICACIÓN DEL EQUIVALENTE THEVENIN EN ELECTRÓNICA

Tensión Thevenin = Tensión de Vacio

ID
Circuito +
Lineal Circuito +
VD Lineal
(R, fuentes) VTH = VVACIO
-
-
Equivalente
Thévenin
ID Resistencia Thevenin
RTH +

VTH VD Anular fuentes

RTH
dependientes.
-
tensión = corto
corriente =
abierto
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL ID
RTH +

VTH VD

-
I
VTH Característic
a del diodo
RTH
ID
Característica del
PUNTO DE circuito lineal
FUNCIONAMIENT (RECTA DE CARGA)
O
VD VTH V
 DIODOS: Propuesta para el alumno
Búsqueda en la web: Con ayuda de un buscador(Google o similar), se sugiere obtener y consultar hojas de
características (Datasheet) de diodos comerciales.

Es normal encontrar para cada referencia de componente, fabricantes distintos. Toda la información está
siempre en Ingles.

A continuación se sugieren algunas referencias para la búsqueda. No obstante, con el término ingles (diode,
Zener diode, tunnel diode, etc) aparecen muchísimas referencias, catálogos completos, guías de selección, etc.

1N4007 Diodo de Silicio

1N4148 Diodo de Silicio rápido (FAST)
OA91 Diodo de Germanio
HLMPD150 Diodo LED
BZX79C15 Diodo Zener
10MQ040N Diodo Schottky
OK60 Panel Solar
BB152 Diodo Varicap
MG1007-15 Diodo GUNN
AI201K Diodo Tunel
BPW21R Fotodiodo
DIODOS

 Símbolo. Polarización
 Tipos de diodos
 Curva característica
 Aproximaciones lineales del diodo rectificador
 Aproximaciones lineales del diodo Zener
 Resolución de circuitos con diodos
Características. Símbolo
• Diodo semiconductor: union PN. Referencia: diodos de silicio (Si)
• Elemento biterminal. Terminales diferentes.

Ánodo + – Cátodo

Polarización directa Polarización inversa

+ – + –

I I

+ – – +
E E
Tipos de diodos
Diodo rectificador
• En P.D. conduce corriente. En P.I. no conduce.

Diodo LED
• En P.D. conduce corriente y emite luz.
• En P.I. no conduce corriente y no emite luz.

Fotodiodo
• Opuesto al anterior. En P.I. absorbe luz detectada
y conduce corriente

Diodo Zener
• En P.D. como el diodo rectificador
• En P.I., si se supera cierta tensión (tensión Zener)
conduce también.
 Curva característica corriente/tensión
Diodo rectificador
• Relación exponencial
ID ID ID

+ VD –
V D q
 I.P. D.P.
ID = IS 
e
K T
− 1

 
Diodo Polarizado directamente VD
0,7 V

• P.I. corriente de saturación (pocos nA)   qVD  

I D = IS   e  KT  −1
• P.D. tensión umbral
• P.I.: ruptura
 
Curva característica corriente/tensión

Diodo Zener
• Peculiaridad en P.I: superada Vz, “ruptura Zener” ID
conduce corriente sentido inverso
I.P. D.P.

−V Z
ID ID 0,7 V
VD

+ VD –
 VKDTq 
ID = IS 
e − 1

 
Aproximaciones lineales del diodo rectificador
Primera aproximación: diodo ideal
• P.D. conduce como un cortocircuito
• P.I. no conduce
• Aproximación más alejada

ID

I.P. D.P.
VD
 ID ID
A B
+ VD –

ID Ecuación Condición

D. P. : A B VD = 0 ID  0
+VD = 0 –

ID = 0

I. P. : A B ID = 0 VD 0
+ VD –
Aproximaciones lineales del diodo rectificador
Segunda aproximación (más frecuente)
• P.D. conduce a partir de 0,7V
• P.I. no conduce
• Tiene en cuenta la tensión umbral

ID

I.P. D.P.
VD
0,7 V
 ID ID
A B
+ VD –
Ecuación Condición
ID 0,7 V ID
D. P. : A +– B V D = 0, 7 V ID  0
+ V D = 0, 7 V –

ID = 0
ID = 0 VD 0, 7 V
I. P. : A B
+ VD –
Aproximaciones lineales del diodo rectificador
Tercera
• P.D. conduce a partir de 0,7V, pero la tensión aumenta si la corriente
aumenta
• P.I. no conduce
ID

I.P. D.P.

VD
0,7 V
 ID ID
A B
+ VD –

Ecuación Condición
ID 0,7 V
r
D. P. : A +– B V D = 0,7 + rID ID  0
+ – ( r = 0,5  - 1 )
V = 0, 7 + rI r resistencia interna
D D

ID = 0

I. P. : A B ID = 0 VD  0, 7 V
+ VD –
Aproximaciones lineales del diodo Zener

• Sólo una aproximación (se pueden hacer más)

• Similar a la 2ª aprox. del diodo rectificador
• En P.D. se comporta igual, también a partir de 7V
• En P.I. al llegar a la tensión Zener, conduce corriente en sentido
contrario
ID
I.P. D.P.
−V Z región normal
VD
0,7 V

región Zener
 ID ID IZ IZ
A B
+ VD – – VZ +

ID 0,7 V Ecuación Condición

D. P. : A +– B
V D = 0, 7 V I D  0  I Z  0
+ VD = 0, 7 V –
I. P. :
ID = 0
ID = 0 −VZ V D 0, 7 V
región normal: A B
VZ parámetro conocido
+ VD –
IZ VZ IZ
región Zener: A –+ B V D = −VZ IZ  0  I D  0

+ VD = −VZ –
Resolución gráfica de circuitos con diodos

• Punto de operación del diodo

• Recta de carga

ID RTh
A
+
I.P. D.P. ETh +– ID VD
–
VD
0,7 V B

ETh = RTh I D + VD
ETh 1
ID = −  VD
RTh RTh
Resolución gráfica de circuitos con diodos

• Intersección: punto de operación del diodo

ID

E Th
R Th
Q Punto de operación (V Q , I Q )
IQ

VD
VQ E Th
 Una aplicación del diodo: el rectificador

• Generador de tensión continua o fuente de alimentación

Fuente de al imentaci ón

Transformador

Rectificador

Regulador
6V

Filtro
220 V 5V
50 Hz
50 Hz
1. Transformador

Trans formador

+ +
se ñal de se ñal de c.a.
c.a.
vE vS más pequeña
– –
2.a Rectificador de media onda
Rectificador

c.a. + +
(positiva y vE vS c. pseudocontinua
negativa) – – vS  0

Entrada D Salida
+ +
vE RL
Rectificador vS = vR
– –
1.- VE> 0 → i > 0 0 ≤ t ≤ T/2
D
+ i +
vE  0 RL
vS =vE  0
– –

2.- VE < 0 → i < 0 T/2≤ t ≤ T

D

+ – +
vE  0 >0 i = 0 RL vS = 0
– + –
vE T

¶ ¶
t
T
2
vS

t
 2.b Rectificador de onda completa: primera opción

DA
+
v EA = vE v EA
– RL
– – +
v EB = −v E vS
v EB
+
DB
 + +
v EA DA RL vS
– –
v–EB DB
+
1.- VEA> 0 y VEB < 0
DA

+
v EA + RL
vS
– –

2.- VEA< 0 y VEB > 0 +

R
L v
S
–
–
v
EB
+
D
B
v T v
E EA v
EB

¶ ¶
t

v
S

t
3. Filtro

Entrada D Filtro Salida

+ Rectificador +
vE vS = vR
C
– –
• Filtro con rectificador de media onda
vS

t
T 5T
4 vE 4

vE = vC vE = vC
• Filtro con rectificador de onda completa
v
S

t
T
3T
4
4 v v
EA EB
v =v v =v
EB C EA C
 4. Regulador
Regulador
Entrada D Salida

+ +
v R
E
L v =v
S R
C
– –

• Regulador con rectificador de media onda

vS

Vmin VZ
t
• Regulador con rectificador de onda completa
vS
Vmin
VZ
t