Práctica 5.

- Amplificador de transistores
Práctica 6.- Transistor en corte y saturación

Electrónica Analógica

Participantes:
Hernández Espinoza Luis Alejandro
Varelas Ruiz Diego Armando
Andrade López José Santos

Profesor: Zamarrón Ramírez Antonio

Fecha: 05/05/2021

Grupo 3065B

Equipo 1
Introducción (5-6)
Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como
actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia,
controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores),
aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un
circuito cerrado.
Por estas razones se justifican las dos prácticas que se desarrollan en este reporte
y se ponen en práctica las competencias necesarias de acuerdo al formato y
objetivo entregados previamente.

Objetivos (5-6)
Concluir las prácticas 5 y 6 de manera satisfactoria y coincidir con los resultados
que nos brinda la lectura y los cálculos previos, tanto en el amplificador como en el
corte y saturación. Esto para relacionar la teoría que se ha visto con anterioridad y
poner en práctica los conocimientos adquiridos con la tutoría y supervisión del
profesor.

Equipo y material utilizado, (Prácticas 5 y 6)

 Transformador de 120 a 24 V con derivación central a 1 amperio

 3 transistores BC547
 Resistencias 330, 470, 560, 820, 1k, 1.5k, 2.2k, 3.3k, 5.6k, 18k, 33k, 47k,
56k, 100k, 560k (3 de cada una, todas a 1/4 de W)
 1 relevador electromecánico para circuito impreso de 12 V de cd
 1 protoboard.
 2 metros cable pot #18.
 1 clavija.
 Multímetro
 Pinzas de corte y de punta
Marco teórico (5)
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar
una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término “transistor” es la
contracción en inglés de transfer resistor, (resistor de transferencia). Actualmente
se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares,
aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de
circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de
los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.

(1.1) Datasheet del transistor

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función
amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo
de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde
se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector
Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas
(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son emisor
común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión
presente en el terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y
Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente
entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del tríodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a
gran escala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centímetro
cuadrado y en varias capas superpuestas.
Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de
silicio-germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y
Si) se describe como elemental.
En el transistor bipolar como amplificador, el comportamiento del transistor se
puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor,
polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso.
Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión
directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4
para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente
proporcional a la corriente de base: I C = β IB, es decir, ganancia de corriente
cuando β>1. Para transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Existen
tres configuraciones para el amplificador transistorizado: emisor común, base
común y colector común.

Transistor como Amplificador. Un caso intermedio entre corte y saturación se

produce cuando la corriente en la base no es tan pequeña como para cortar la
corriente en los otros terminales, pero tampoco tan grande como para permitirla
pasar completamente.

En ese caso el transistor funciona como un amplificador que nos proporciona entre
el colector y el emisor un múltiplo de la corriente que pasa por la base.  En estas
imágenes se ve como al regular con el potenciómetro la corriente que pasa por la
base, la bombilla brilla más o menos.

(1.2) Configuraciones del transistor

Cuando el transistor se comporta como un amplificador y conduce parcialmente

decimos que trabaja en la zona activa.

Desarrollo (5)
Comenzamos armando el circuito del puente rectificador de diodos que
posteriormente nos sirvió para las prácticas, lo que se deseaba con este circuito
era una salida de 12V regulados para alimentar el circuito de polarización del bjt.

(2.1) Lectura de la fuente de voltaje (12v).

 (2.1) Circuito de polarización del bjt.

Las resistencias usadas en R1 y R2 fueron una de 1kΩ y un arreglo de tres

resistencias de 1kΩ en serie para obtener una resistencia de 3kΩ, obteniendo así
un voltaje de salida de 5.1v en el colector del transistor y por consecuente
obteniendo las siguientes lecturas:
1 1 1
R 2≥ ( β +1 ) ℜ= ( β +1 ) 330= ( 110+1 ) 330 ≥3.9 k
10 10 10
R 2Vcc 3.9 k ( 12 )
R 1= −R 2= −3.9 k ≥ 22 kΩ
Vb 1.9

(2.2) Lectura de voltaje colector de la polarización del bjt (5.1v).

 (2.3) Voltaje de la base (2.9v)

(2.4) Intensidad del emisor (6.78mA)

(2.5) Intensidad del colector (6.89mA).

Resultados (5)
Fuente voltaje 12.07v
Voltaje colector 5.1v
Voltaje de base 2.9v
Intensidad del 6.78mA
emisor
Intensidad del 6.98mA
colector

Marco teórico (6)

Transistor en corte o en saturación

El funcionamiento del transistor depende de la cantidad de corriente que pase por

su base. Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus
otros terminales; se dice entonces que el transistor está en corte, es como si se
tratara de un interruptor abierto. El transistor está en saturación cuando la
corriente en la base es muy alta; en ese caso se permite la circulación de corriente
entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor
cerrado.

El transistor trabaja en conmutación cuando puede pasar de corte a saturación

según la cantidad de corriente que reciba por su base. La ventaja de utilizar el
transistor y no un interruptor convencional es que el transistor corta o reanuda la
corriente de forma mucho más rápida.

Primero que nada, tenemos que considerar que el transistor que seleccionemos
tiene una beta o hfe determinada. Por ejemplo para un transistor con las
siguientes características queremos controlar una barra de LEDs de 12V. La salida
para activar nuestra barra es un Arduino o micro controlador.

VCC=12V – La fuente de alimentación del LED.

VBB=5V – La fuente de alimentación de control (Arduino).

Hfe =200 – Ganancia de corriente del transistor.

El transistor se encuentra en la región de corte cuando IC=0. Para dejar en cero la
corriente de colector, se requiere tener en cero la corriente de base IB. Esta será
cero cuando VBB=0. El transistor se encuentra en saturación cuando el voltaje
colector emisor sea de cero VCE=0. Cuando VCE=0, podemos determinar el valor
de la corriente de saturación de colector ICsat=VCC/RC.

Si ICsat=250 mA

Para RC=VCC/ICsat=12V/250mA=48 Ohms.

Entonces ICsat=hfe*IB

Por lo tanto:

IB=ICsat/hfe=250mA/200=1.25mA (Para asegurar el estado de saturación,

evitando efectos intrínsecos del transistor podemos multiplicar la ganancia por 5).

IB=5*ICsat/hfe=5*250mA/200=5*1.25mA= 6.25mA.

Considerando la malla de la entrada, podemos determinar el valor adecuado para

RB.

VBB=IB*RB+VBE

RB= (VBB-VBE)/IB

Sustituyendo:

RB=(5V-0.7V)/6.25mA= 688 Ohms.

Por lo tanto la configuración nos queda:

RB=688 Ohms

RC=48 Ohms.

Para determinar la corriente de saturación, consideramos el voltaje colector emisor

de la malla de salida igual a cero. Por lo tanto:

VCC=IC*RC+VCE | VCC=IC*RC+0
IC=VCC/RC

Para determinar el corte, consideramos que la corriente de base es igual a cero,

por lo tanto la corriente de colector es igual a cero:

VCC=IC*RC+VCE | VCC=0*RC+VCE

VCE=VCC

Con estos dos puntos determinamos la recta de carga del transistor. La región
central se llama, región activa. Las regiones del extremo son regiones de
saturación y de corte.

(3.1) Gráfica de las regiones del transistor

Por último, considerando una carga de RC=6 Ohms y un voltaje de colector VCC =
2V y requiero 400mA para activar esta carga.  La señal de entrada es de 3V. Por
lo tanto tenemos que calcular la corriente de base para un transistor con una hfe
de 160.

IB=IC/hfe=400mA/160=2.5mA. Para asegurar la región de saturación se

recomienda multiplicar la IB por 5. Por lo que nos quedaría en:

IB=12.5mA

Por lo tanto la resistencia de base

VCC = RB*IB+VBE

RB = (VCC-VBE)/IB = (3V-0.7V)/12.5mA = 184 Ohms. Debido a que no existe una

de 184 podemos bajar un poco a un valor comercial, por ejemplo 180 Ohms.

Desarrollo (6)
Usamos los 5.1v obtenidos de la práctica anterior como alimentación para la
intensidad de la base del transistor y controlando esta intensidad a través de un
push botton.

(4.1) Diagrama propuesto en clase

Seguimos el circuito propuesto en clase por el profesor con el objetivo que a

través de la configuración del transistor como interruptor controlar el encendido y
apagado de un foco con el push botton y posteriormente se hicieron las lecturas
necesarias.
 (4.2) Voltaje colector emisor en saturación (0.7v).

(4.3) Voltaje colector emisor en corte (12v).

(4.4) Corriente del emisor (29.6mA)

Resultados (6)
Link del video del funcionamiento del circuito:
[Link]
usp=sharing
Voltaje colector 0.07v
emisor en corte
Voltaje colector 12.07v
emisor en
saturación
Corriente del 29.6mA
emisor
Conclusiones (5-6)
Las prácticas se llevaron a cabo dentro del tiempo que específico el profesor, en
estas se logró el objetivo de equipo, hubo que hacer unos ajustes en cuanto a las
resistencias para llegar a resultados que se acercaran a los deseados, se
identificó y dio resultados que coincidieran en la lectura; lo cual también se tenía
que verificar durante la hora de clase con el profesor que por falta de material y tal
vez de tiempo se hizo en un horario fuera de la clase, las competencias que se
buscaban se lograron y se cerró de manera satisfactoria.

Bibliografía (5)
[Link]
q2_contenidos_5c.htm#:~:text=En%20ese%20caso%20el
%20transistor,bombilla%20brilla%20m%C3%A1s%20o%20menos.
[Link]
%20dispositivo,%2C%20oscilador%2C%20conmutador%20o%20rectificador.

Bibliografía (6)
[Link]
?usp=sharing
[Link]
[Link]
%20se%20encuentra%20en,la%20corriente%20de%20base%20IB.&text=El
%20transistor%20se%20encuentra%20en%20saturaci%C3%B3n%20cuando
%20el%20voltaje,sea%20de%20cero%20VCE%3D0
[Link]
q2_contenidos_5b.htm#:~:text=El%20transistor%20est%C3%A1%20en
%20saturaci%C3%B3n,si%20fuera%20un%20interruptor%20cerrado.&text=El
%20transistor%20est%C3%A1%20en%20saturaci%C3%B3n,si%20fuera
%20un%20interruptor%20cerrado