Transistores de potencia 8-1 INTRODUCCION Las transistores de potencia tienen caracteristicas controladas de activacién y desactivacién, Los transistores, que se utilizan como elementas conmutadores, se operan en ta fegiGn Ue saturaciGn, Io que da como resultado en una caida de voltaje baja en estado activo. La velocidad de conmutaciéin de: los transistores modemos es mucho mayor que Ia de los tristores, por lo que se utilizan en forma amplia en convertidores de ca-cd y de cd-ca, con diodos conectados en paralelo inverso para proporcionar un flujo de corriente bidireccional. Sin embargo, las especificaciones de voltaje y de corriente son menores que las de los tirstores y por lo que, los transistores se uiltzan, por lo general, en aplicaciones Ue baja a media potencia, Los transistores de potencia se pueden *claifiear de manora general on cuatro categoria: 1, Transistores bipolares de juntura (BJT) 2. Trancistores semiconduetores da metal de. Gxida de efecto de campo (MOSFET) 3. Transistores de induccin estitica (SIT) 4, Transistores bipolares de compuenta aislada (IGBT) A fin de explicar las téenicas de conversisn de potencia, los BIT so MOSFET, SIT 0 IGBT se pueden tratar como interruptores ideales. Un transistor interruptor es mucho mas simple que un tiristor interruptor de conmutacién forzada, Sin embargo, en los circuitos de convertidores no es obvia la eleccién entre un BIT y un MOSFET, ya que cualquiera de ellos puede reemplazar a un tito, siempre que su especificacin de voliaje y de curricnts cumpla con los requisites de said del convertidor. Los transistors reales difieren de los dispositivos ideales. Los transistores tienen ciertas limitaciones estando restringidos a algunas aplicaciones. Las caracteristicas y especificaciones de cada uno de estos tipos debern examinarse para determinar su adecuaciGn a ‘una aplicacién en particular. 2628-2 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR Un transistor bipolar se forma afiadiendo una segunda regiGn p 0 na un diodo de unién pn. Con dos regiones n y una regiGn p, se forman dos uniones conociéndose como un transistor NPN, tal y como se muestra en la figura 8-1a. Con dos regiones p y una regiGu n, se conoce como un transistor PNP, tal y como 69 muestra on la figura &-1b, Las tres terminales se aman colector, emisor y base. Un transistor bipolar tiene dos uniones, la unidn colector base (CBI) y la unién ‘base emisor (BEJ). En la figura 8-2 aparecen transistores NPN de varios tamafios. -2.1 Caracteristicas en régimen permanente ‘A pesar de que hay tres configuraciones posibles, colector comin, hase.comtin y emisor comin, la configuracién de emisor comin que aparece en la figura 8-3a para un transistor NPN, es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutacién, Las caracteristicas \ipicas de entrada de la corriente de base, Ia, contra el voltaje base-emisor, Vee, aparecen en la figura 8-3b. La figura 8-3¢ muestra las caractersticas upicas de sallda de la corriente del colector, Zc, en funcién det voliaje colector-emisor, Vcg. En el caso de un transistor PNP, las polaridades de todas las corrientes y voltajes son invorsas Coteor Cover © c ® Je . he . ls : 5 > 8 aaa ' a . e , . (sy Tanto NPN (er Tansstor PNP Figura 8-1 Transistores bipolares. Figura 8-2 Transistores NPN. (Cortesia de Powerex, Inc.) Sec. 8-2 Transistores de union bipolar 263e Vea, Fors a Ve (0) Caracteitcas de entrada | Region aT [own won TAIT ura 8-3 Caracteristicas de los transistores NPN. En un transistor existen tres regiones de operneisin: de corte, activa y de samracién. Fn la regién de corte, cl transistor esti desactivado 0 la corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones polarizacién inversa. En la regién activa, el transistor actéa como un amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante una ganancia y el voliaje colector-emisor disminuye con la comriente de Ta base, La unig culectora base tiene polarizacién inversa, y la baso emisor polarizacién directa. En la rogién de saturacién, la cortiente de hase es lo suficientemente alta para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor actiia como interruptor. Ambas uniones (CBJ y BEJ) tienen polarizacién directa, La ccaracteristica de transferencia, que es una grifica de Vee en funcidn de Jy aparece en la figura 8-4. Vee Gone fo Activa —e |= Saturacen ie Figura 8-4 Caracteristicas de transferencia, 264 ‘Transistores de potencia Cap. 6En la figura 8-5 se muestra c! modelo de transistor NPN bajo operacién de gran sefial en cd. La ecuacidn que relaciona las vorrientes es Te=Ic+ Ie (8-1) La corriente de base es efectivamente la corriente de entrada y la corriente del colector es la corriente de salida, La relacién entre la corriente del colector, Ic, y la corriente de base, Ip, se conoce como ganancia de corriente 8: I B~ hee FE La corsiente del colector tiene dos componentes: una debida a la corriente de base y otra debida a Ja corriene de fuga de la unién colector-base. (82) lc = Bla + Ico (8-3) donde Iceo ¢s la corriente de fuga colector a emisor con la base en circuito abierto debiéndose considerar despreciable cn comparacidn con Bln. De las ecuaciones (8-1) y (8-3), Tp = Ig(1 + B) + Ico (Rd) = It +B) (4a) it Btt tewte(ied) ane 65) “+3 B Lacortente del colector se puede expresar como le~ ale 6 donde Ja constante a est relacionada con B mediante BL a= Bett (8-7) ovien 88) Figura 8-5 Modelo de twansistores NPN. 330,82 Transistores de union bipolar 265Consideremos ct circuito de ta figura 8-6, donde el transistor es operado como interruptor Va = Vie nate eo Ve= Vor = Veo ~ tele = Vee ~ 2RE (vp ~ Vine) 10) Ver = Vea + Vee obien Vee = Vee ~ Var i) La ecuacién (8-11) indica que siempre que Ver 2 Vas, la unién CBJ tendré polarizacién inversa y €l transistor estaré en regién activa. La corriente maxima del colector en Ia regién activa, que se pede oben alajustas Wop = 0 9 Vae = Vee. Voc = Vee _ Voc ~ Var 8-12 Tew Re Ro (8-12) yl valor corresponchiente dela corionte de base dow ow = Hat @13) 8 Si la corriente de base se incrementa por arriba de ay, tanto Vag como ta corriente del colector aumentaran y se reducira Vee por debajo de Vgc. Esto Continuara hasta que la union de CB quede con polarizacién directa con un Vac de aproximadamente 0.4 a 0.5 V. El transistor entonces pasa a saturaeién. La saturacién del transistor se puede definie como el punto por arriba del cual cualq incremento en la corriente de base no aumenta significativamente la corriente del colector. En saturacién, la corriente del colector se conserva précticamente constante, Si el voltaje de saturacién del colector-cmisor es Vesta, la corriente del colector es = Mec = Ver - a ae (14) yl valor correspondiente de la corriente de base es Ins = He wy) 266Normalmente, el circuito se discfta de tal forma que fy sea mayor que Tys. La relacién entre fy € Ins se conoce coma el factor de sobreexcitacidn, ODF: opr = 7 16) ylarelacign entre fey ¢ la se conoce como la B forzada, By donde a= te 17) La plidida total de potencia en las dos uniones es Pr= Voele + Veele (8-18) ‘Un valor alto de factor de sobrecarga no reduciré significativamente el vollaje colector-emisor. Sin embargo, Vee aumentaré debido al incremento de la corriente de base, resultando en una ‘aumentada pérdida de potencia en la unién base-emisor. Elemplo &-1 Se especifica que el transistor bipolar de la figura 8-6 tiene una B en el rango 8 a 40. La resistencia de la carga es Rc= 11 2. El voltae de alimentacidn en ed es Voc = 200 V y el votaje de ented al ciruito de la base es Va = 10 V. Si Verag)= 1.0 V, y Vaziay = 1-5 V, encuente (8) el valor de Rp que result en satuaelon con un faior de sobreexclcion de 5, (0) la Py forzada y (@) la pérdida de potencia Pr en el aniston. Soluclén Ver = 200 V. Bain = 8, Bray = 40, Re= 11 2, ODF = 5, Va = 10 V, Vertay = 1.0V 4 Veiga) = 1.5 V. Dela ecuacién (8-14), Ics = (200 ~ 1.0) /11 = 18.1 A. De la eouscion (8-15), Tas = 18.1/Bnin = 18.1/8 = 2.2625 A. La eouacién (8-16) da la corriente de base para un factor de sobrecarga de, X 2.2625 = 11.8129 A (@) La ecuacin (8-9) da el valor requerido de Re, Vo = Vasu) _ 10 = 1.5 _ Ry = HE fas Te = OSA 0 (b) Dela ecuacién (8-17), By = 18.1/11.3125 = 1.6. {€) La ecuacign (8-18) da fa pérdida de potencia tocal igual a Py = 1S X 1312S + 1.0 x 18.1 = 16.97 + 18.1 = 35.07 W ‘Nota. Para un factor de sobreexcitacién de 10, fp = 22.265 A y la pérdida de potencia seria Pr= 1.5 x 22.265 + 18.1 = 51.5 W. Una vez saturado el transistor, el voltaje colector-emisor no se reduce en relaciOn con el aumento de la corriente de base. Sin embargo, aumenta la perdida de potenvia, A un valor alto de facior de sobieeacitavién, el wansistor puede dafiarse debido al sobrecalentamiento, Por otra parte, si el transistor se opera por debajo de la especificacién (fp < Ics) puede llegar a operar en la regi6n activa y Ver aumentarfa, resultando también en un aumento de pérdida de potenci 8-2.2 Caracteristicas de conmutacion Una unién pn con polarizacin directa exhibe dos capacitancias paralelas: una capacitancia de la capa de agotamiento y una capacitancia de difusién, Por otra parte, una unin pn con polarizacién See 82 Transistaras de unidn bipolar 267inversa solo tiene una capacitancia de agotamiento, Bajo condiciones de régimen permanente, catas eapacitancias no jucgan ningin papel. Sin embargo, en condiciones transitorias,inflayen en el comportamiento de activacidn y desactivacién del transistor En la figura 8-7 se muestra cl modelo de un transistor bajo condiciones wransitorias, donde Ces y Cre Son las capacitancias efectivas de las uniones CBJ y BEI, respectivamente. La transconductancia, gm de un BIT se define como la relacién entre Alc y AVpe. Estas capacitancias ‘dependen de los volijes de la unin y de la Construcctdn fisica del wansiswor. Cay afecta en forma significativa la capucitancin de entrada debido al efecto muliplicador de Miller (6). ree ¥ ree 90” las resistencias del ealector al emisor y de ta hase al emisor. respectivamente. Debido a las capacitancias internas, el transistor no se activa en forma instantinea, En ta figura 8-8 se ilustran las formas de onda y los ticmpos de conmutacién. Conforme el vollaje de entrada vg se cleva deste cero hasta V; y la corriente de base se eleva hasta Ia, la Corriente del wulevior ny respon Ue innncdiay. Eaiste un reuaso, conocido com tiempu de retrao, 4 antes de que fluya cualquier corriente del colector. Este rtraso es necesario para cargar la capacitancia de 1a unién BET al vollaje de potarizacién directa Vee (aproximadamente 0.7 V), Una vez pasado este retraso, la corriente del colector se cleva al valor de régimen permanente fcs. El tiempo de elevacién, t, dopende de la constante de tiempo determina por la capacitancia de la unin BEY. La comiente de base es normaimente mayor a 1a requerida para saturar al transistor. Como sesultado, a carga excedente de postadores minoritarios queda almacenada cn la regién de la base. Mientras mas alto sea el factor de sobreexcitacién, ODF, mayor ser4 la carga adicional almacenada en la base. Esta carga adicional, que se conoce como carga de saturacién, es ‘proporcional a la excitacién excedente de ta base y ala corriente correspondiente, fe pI = ODF tates ODF—) ID la carga de strain est cd por Q, = th. = tps(ODF ~ 1) (8-20) donde t, es conocida como la constante de tiempo de almacenamiento del transistor. ‘Cuan el voltaje de entrada se invierwe de V4 Masta —V2, y tauubign a cor modifica hasta /52, durante un tiompo f,, conocido como tiempo de almacenamiento, la corrionte del colector no se modifica. t es ¢l tiempo que se requiere para climinar la carga de saturacién de Ja base, Dado que vp es todavia positivo, con s6lo 0.7 V aproximadamente, la corriente de base invierte su direccién debido al cambio en la polaridad de vp, desde Vj hasta -V, La corrieate (a) Modan ean ganancia de courant In Modelo con transconductancia Figura 87 Modslo tansiorio del BIT, 208 Transistures de polencla Cap. 8Figura 8-8 Tiempos de conmutacién de transistor bipolar fnversa, ~fna, ayuda a descargar la base y a eliminar la carga adicionall de la misma. Sin faa, ta carga de saturacién tcndria que ser totalmente climinada mediante recombinacién, siendo el tiempa de almacenamiento ms Una vez eliminada la carga adicional, fa capacitancia de fa unién BEJ se carga al voltaje de entrada -V, y la cortiente de base se abate hasta cero. El tiempo de abatimiento ¢y depende de la constante de tiempo, misma que esti determinada por la capacitancia de la unién BEJ con polarizacign inversa, La figura 89a muestra fa carga adicional almacenada en la base de un transistor saturado, Durante Ta desactivacisn, esta carga avticionzl es eliminada primero en el tiempo 1, pasando el perfil de la carga de a hasta ¢ tal y como se muestra en la figura 8-9b. Durante el tiempo de abatimiento, el perfil de ta carga disminuye a partir del perfil c hasta que todas las cargas han sido eliminadas, Emisor Colector Niioate ASN {a} Almacenarionte de carga enla base (b Peril dea carga durante a dosaclivacién Figura 8-9 al javenamiento de carga en wansiswores bipolanes saurados, See€2 Iransistores do union bipolar 265El tiompo de activacién fq €3 la suma del tiempo de retraso és y el tiempo de elev yy el tiempo de desactivacisn fair €s la suma del tiempo de almacenamicnto t, y el tiempo de ‘abatimiento fy tat ty tog = ty Fe Jemplo 8-2 Las formas de onda del transistor interruptor de la figura 8-0 aparecen en la figura 8-10. Los pparémetros son Voc = 250 V, Vain) = 3 Volo = 8 A, Verisu) = 2 Vs Ice = 100 A, tg 0.5 ps, fy = This, 4 = Sys, (7 = 3 sy f, = 10 kHy. Fl ciclo de wrahajo es k = 50%. La corriente de fuga colector a emisor es /cg) = 3 mA. Determine la pérdida de potencia debido a la corriente del colector (a) durante la activaci6n fgg = ta ty, (b) durante el perfodo de conduccién ty, (c) durante Ja desactivacion far = ty + 1, (B) durante el tiempo desactivado ty; (@) las pérdidas promedio totales de poteneia Fr, y (f) grafique le potencia instanténca debide a la corriente del cotector, Pld, Solucton T= 1/f,= 100 pis, k= 0.5, kT = ta f+ ty = 50 Us, fy = 50~0.5 - 1 = 48.5 ys, (ABT = ty + y+ fp = 50 ps, y fo = 505-3 = 42 ps. (@) Durante el lempo de reraso, 0 15 1 = Leto vcelt) = Vee Figura 8-10 Formas de onda para un interruptortransitaio. 270 Transistaras de potencia Cap ALa potencia instantinea debida ala corriente del colector es Pat) = ieee = leroVec = 3x 107 x 250= 0.75 W La pédida de poteneia promedio durante el tiempo de rotraso os * Patt) dt = IeeoVectul 1 Penal = 3X10 x 250% 0.5% 106 x 10 x 10 = 3.75 mW Durante et tiompo do elovacidin, 0S ¢ Ste ian = ey Ueelt) = Veo + (Weeran ~ Vee) Plt) = ievce * les + [Voc + Veeisu La potencia P<) serd maxima cuando = fq donde Wee Fee ~ Vewwaul 0.504 ps Y ta eouncin (8 22) nos da ta potencia pico Vicles ~ 51Vce ~ Veewonl 100 50 =D P 2502 ff Pan at = fest 10 x 109 x 100 x 1 x 10-6 [252 + 2 La pérdida tol de potoncia durante la setivacin ot Pog = Pst Pr = 000975 + 422.43 = 2.33 W (EL periodo de conduccin, OS 1S iq: « i = les Versa isvce = Vewwanles 2x 100 = 200 W (21) 22) 23) (824) (8.25) (8-26) See. 82 Transistores de union bipolarwo Ff Pad dt = Veesmlestabe = 29 100 % 48,5 % 10-6 > 10 > 10) = 97 W (©) Bi periodo de atmacenamiento 0S #5 4: 1.0 = Tes veel) = Vesa P(t) = icuce = Verwoles = 2% 100 = 200 W (6-28) ‘cownlestds Fh 100 5% 10-10 « 108 = 10W Ettiempo de aarimiento0s #1 s(1 tertt) = “EE, despreciando Iczo 29) dil Esta perdida de posencia durante ol tiempo de abatimionto sera maxima cuando t= 1/2 = 1.3 ps 4 le couscién (8-29) da la potencia pico, U0 = te =), esi xo PAD ives = Vecles [(1 60) 5250 W P= Hf! Pa at “ectesith ean BOR WO AI HI AIOE yy 1 pide do poencia durante I desscivacién cs Pag = Py Pr Veclesfi (t+ © = 10 + 125 - 135 W ae (d) Periodo desactivado 0$ #5 to: (0 = teeo veel) = Voc Pad = Les = lezoVec ~ 3x 10° x 250 = 0.75 W (833) 27 Transistores de potencia Cap. 8Lp ve Py Ff P00 ee ~ LeeoVecias 3X 1O™ % 250 % 42 x 10-10 x 10 = 315 W (©) La pérdida total de potencia en el transistor debido @ la corriente del colector es Pr= Pon + Pat Pat + Po = 42.33 +97 + 139 + 0.319 = 274.69 W (8) La gréfica do potencia instanténea aparece en la figura 8-11. 834) Ejemplo 8-3, Para los parémetros del ejemplo 8-2, calcule la pérdida promedio de potencia debida a la corriente de base A,T= Uf, = 100 ps, k= 0.5, & HS, y= 3 HS, fon = tafe = 15 HS, Y lot Durante sl porfodo 0 # < (tant) = 50-15 248.5 ps 0) ~ Uns ene) = Vac La potencia instanténea debida a la cortiente de base es Pit) = iste = Hasan =8x3=4W Durante ol porfodo <4 to= (T fon te ty ty: Pol!) = 0. La pérdida do potencia promedio es Pp TasVassshton + tu + Of 35) HBX SKS +85 +5) % 10 x 10 = 10 = 13.2 W end 200. onE—T. | Pigura 8-11 Grifica de la potenciainstanténea para el ejemplo 8-2. ‘Sea.62 _ Transistores de union bipolar 2738.2.3 105 de conmutacién Ruptura secundaria, SB, La ruptura secundaria (SB), que es un fendmeno destructivo, resulta del flujo de corriente a una pequefia porcién de la base, lo que produce puntos calientes tocalizados. Si 1a encrgia en estos puntos calientes es suficientemente grande, el salentamicnto eacesivo localizado pucde dafar al wansistor. Por lo tanto, la ruptura secundaria ¢s ‘causada por un sobrecalentamiento térmico localizado, resultado de concentraciones altas de corriente, La concentracién de corriente puede ser causada por defectos en la estructura del transistor. La ruptura secundaria ocurre en ciertas combinaciones de voltaje, corriente y tiempo, Dado que ef tiempo esté involucrado, la ruptura secundaria es basicamente un fenémeno que depende de la energia. Area de operacin segura en polarizacién directa, FBSOA. Durante la condicién activa y en operacién, la temperatura promedio de la unién y la ruptura secundaria limitan la capacidad de manoyo de potencia de un transistor. Los fabricantes normalmente juporcionia Lut vas FBSOA bajo vondiciones de prucba especificadas. Las FBSOA indican los limites de i,-ver del wransistor; para una operacién confiable del mismo el transistor no debe ser sujeto a una disipacién de potencia mayor que la que se muestra en la curva FBSOA. Area de operacién segura en polarizavion inversa, RBSOA, Durante la desaetivacién, el transistor debe soportar una corriente y un voltae altos, en la mayor parte de los ‘easo8 con tina tinién hase a emisor con polarizacisn inversa. El voltaje colector-emisor debe mantenerse a un nivel seguro 0 por debajo de un valor espocificado de la corriente del colector Los fabricantes proporcionan limites para el f--Vce durante la desactivacién con polarizacién inversa como el drea de operacidn segura en polarizacién inversa (RESUA). Decaimiento de potencia. El circuito térmico equivalemte aparece en la figura 8-12. Si la pSrdida de potencia promedio total es Py, la temperatura de la cubierta es Te= Ty ~ PrRie La temperatura del disipador de ealor ex Ts = Te ~ PrRes La temperatura ambiente es Ty = Ts — PiRes y Ty ~ Ty = PiU Rye + Kes + Rsa) (8-36) te ws w Re Ree Figura 8-12 Circuito térmico ts exjuivalente de un transistor. 274 Transistores de potencia Cap. 8donde Ryc = la resistoncia térmica de la unién a la cubierta, °C/W Res = la resistencia térmica de la enhierta al disipadar tér sq = la resistencia térmica del disipador térmico al ambiente, °C/W Por lo general, la disipacién méxima de potencia P, sc especifica cn Ty ='25 °C. Si la temperatura ambiente es aumentada aT = Trimax) = 150 °C, el transistor puede disipar una potencia cero. Por otra pare, si la temperatura de la unién es Tc = 0°C, el dispositive puede disipar la potencia méxima resultando esto no practico. Por lo tanto, al interpretar las especificaciones de los dispositivos deberdn considerarse tanto la temperatura ambiente como las resistencias térmicas. Los fabricantes publican curvas tanto para el decaimicnto térmicu come para la ruptura secundaria, Voltajes de ruptura. Un voliaje de ruptura se define como el voltaje maximo absoluto entre dos terminales, con la tercera terminal abieta, en corto cicuito 0 polarizada, ya sea directa 0 inversamente. En la ruptura el voltaje se conserva relativamente constante, en tanto que Ja corriente se eleva con rapide7. Los fabricantes citan los siguientes voltajes de ruptura: Veo: voltaic méximo entre las terminales del emisor y de la base, con ta terminal det colector en cizcuito abiert. Vezy 0 Veex: voltaje méximo entre las terminales del colector y del emisor, a un voltaje negativo especificado aplicado entre base y emisor. Veeoosus voltaje méximo de mantenimiento entre las terminales del colector y del emisor. ‘con la base en circuito abierto. Esta especificacidn se fija a los valores méximos de corriente y voltaje del colector, apareciendo simulténeamente a través del dispositive con un valor especitico de la inductancia de la carga. Veamos el cireuito de la figura 8~13a, Cuando cl interruptor SW se cicrra, aumenta la corriente del colector, y después de un transitorio, la corriente del colector en régimen permanente es les = (Vec ~ Veetan)/Re. En el caso de la carga inductiva, fa linea de carga seria la trayectoria ABC mostrada en la figura 8-13b. Si se abre el interruptor para eliminar la corriente de base, la Corriente del colector empezaré a abatirse y el voltaje de L(difdt) se induciré a través del inductor para oponerse a Ia reduccién de dicha corriente. El transistor quedard sujew # un voltaje {a1 Ceuta de prosba Figura 8-13 Lineas de carga de activacién y desactivacién Sea. 82 Transistores de unidn bipolar 275trantitorio, Si este vollaje lege al nivel del vollaje de mantenimiento, el voltaje del colector se ‘mantendré aproximadamente constante y la corriente del colector se reducird. Después de un corto tiempo, el transistor estard en estado desactivado en la figura 8-13b y aparece la Iinea de carga de desactivacién segiin la trayectoria CDA. Bjemplo 8-4 [La tomporatara mixin deunidn de un transistor ex Ty = 150°C y Ia temperatura ambiente 8 Ta = 25 °C. Si las impedancias térmicas son Ryc = 0.4 °C/W, Res = 0.1 °C/W y Rsq = 0.5 °C/W, caleule: (@) a sipacin mxima do poencia y (bla temperatura dela cubiera Solucion (a) Ty = Pi(Ric + Res + Req) = Priya, Kya = 04 + 0.1 +09 = 1.0 y 180-25 = 1.07}, fo que da le dispacin mxima de potenia come Py = 125 W. (Tee Ty Pyhyes 150195 04 = 100°C: 8-2.4 Control de la excitacién de la base La velocidad de conmutacién se puede aumentar reduciendo el tiempo de activacién ton y ot tiempo de desnctivacién su Se puede rodicit Jug peemitiondo el pica de: corriente de hase: diane Ja activacién, resultanclo en el principio una B(B) forzada baja. Después de la activacién, se puede incrementar By a un valor lo suficientemente alto como para mantener el wansistor en la regién de casi saturacién, faq se puede reducir invirtiendo la corriente de base y permitiendo que ‘durante fa desuctivaci6n la corricnts de buse Hlegue a valor pic. Aumentar el valor Uc la comiente de base inversa In2 Feduce el tiempo de almacenamiento. En la figura 8-14 aparece una forma de onda tipica para la corriente de base. Ademds de una forma fija de la corriente de base como en Ia figura 8-14, la B forzada se puede controlar en forma continua para hacer coincidir las variaciones de comriente del colector. Las tecnicas comunmente uilizadas para optimizar la excitacion de fa base de un transistor son: 1. Control de activacién 2 Control de desactivacisn 3. Control proporcional dela base 4. Control de antisaturacion Control de activacién. El pico de la corriente de base se puede obtener mediante el Circuito de la figura 8-15. Cuando cl voltaje de entrada se conecta, la corriente de la base queda Timitada por ta resistencia. cl valor incl Ue ka Conriemte de base es Vi = Vor Tn (837) Figura 8-14 Forms de onda de 1a comtiente de excitacién dela bas. 276 Transistores de potencia Cap. 6yy el valor final de la corriente de base es (638) Fl capacitor Cys eargn an vali final de 639) La constante de iempo de carga dl capacitor es aproximadaments n= Rae (6-40) Una vez que el voliaje de entrada vp se hace cero, la unidn base~emisor tiene polarizacién inversa y C, se descarga a través do Ra. La constante de tiempo de descarga es t2 = R2Ci. Para permitir suficientes tiempos de carga y de descarga, el ancho del pulso de hase dehe ser 2 St1 ¥ el periodo de desactivacién del pulso debe ser #2 > 5tz. La frecuencia maxima de conmutacién es fre MT = Mtr +) = 0.2001 + 0). Control de desactivacién, Si durante la desactivacidn el voliaje de entrada de In figura 8-15 se cambia a -V2, el voltaje del capacitor V- en la ecuacién (8-39) se suma a V2 a través del transistor como un voliaje inverso. Habré un pico de corriente de base durante la desactivacién, Conforme el capacitor Cy se descarga, el voltaje inverso se reduciré a un valor de régimen permanente, V2. Si se requieren diferentes caracterfsticas de activacidn y desactivacién, © pucde aftadir un eircuito de desactivacién (uilizando a Cz, Rs y Ra) tal y como oe muestra en la figura 8-16, Durante la desactivacién, el diodo D; aisla el circuito de excitacién directa de la base, del circuito de excitacién inversa de la base. Ge le = eo » [oe] let > Ebel. PS ee a 0, % . te wt — fs f q H of UU vee$ Figura 8-16 Pico de comriente de base durante Ia activacién y a dessetivacién, Sec. 82 — Transistores de unidn bipolar 277Control proporcional dela base. _ Este tipo de control tiene ventajas sobre el circuito de excitacién constante. Si la corriente del colector cambia debido a cambios en la demanda de la carga, la corriente de excitacicn de la base cambia en proporcisn a la corriente del colector. Una disposicién aparece on la figura 8-17. Cuando el interruptor Sy 5° activa, fluye un pulso de corriente de corta duracién a través de In hase dl transistor Qi: y se activard hasta la saturacién Una vez que la corriente del colector empieza a flur, se induce una corriente de base debido a la accién del transformador. El transistor se engancharfa a sf mismo, y St puede desactivarse. La relacién de vucltas es N2N; = Iclle =. Para la correcta operacién del circuito, la corriente tizamte, que seré muchy smcnor qué la vortiente del colector, debe ser Io mds pequetia jo. El interruptor Sy se puede implementar mediante un transistor de pequetia sefial, y durante el periodo de desactivacién del wansistor de potencia se requeriré de un circuito adicional para descargar al capacitor Cy y para volver a restablecer el micleo del transformador. Control de antisaturacién, Si cl transistor es operado severamente, el tiempo de almacenamiento, que es proporcional a la corriente de base, aumenta y se reduce ta velocidad de conmutacién. El tiempo de almacenamiento puede ser redueido operando el wansistor en una saturacién suave, en vez de una saturacién dura. Esto se puede llevar a cabo fijando el voltaje de colector-emisor a un nivel predeterminado. La corriente del colectoresté dada por Veo = Vow Ic Re (8-41) onde Ven €s el voltaye de tyaciOn y Vem > Vee. En la figura 8-18 se muestra un circuito con acci6n de fijacién (también conocido como fijador Baker). La corriente de base sin fijacién, que es adecuada para excitar severamente al transistor, se puede determinar a partir de Vo—Va_Vs p= y= Bo Ne (8-42) yy la correspondiente corriente del colector es I= Ble (8-43) ” mi ‘ Gm | tive % Figura 8-17 Circuito de excitacion proporcional de base ze Transistores de potencia Cap.beth OF ura 8-18 Cireuita de fijacién Gel colector. Después de que la corriente del colector se eleva, el transistor se activa, y la fijacién ocurre (debido al hecho de que D2 fecibe potarizacién directa y conduce), entonces Vee ~ Vie + Var ~ Vu 6.44) La corriente de carga es = Voc = Ver _ =e (R45) y la corriente del colector con fijcién es Je = Ble = Bll, ~ Ie + I) (8-46) B Trait Para la fijacign, Vix > Vaz esto se pucde obiener conectando dos © més diodos en vex. de Dy. La resistencia de la carga Rc deberi satisfaccr Ia condicién Bly > ty De la ecuacién (8-45), BlaRe > (Vee ~ Var = Vin + Via) (8-47) La avcién de fijacidn da como resultado una comicnte del colector més reducida y la climinacién prdcticamente total del tiempo de almacenamionio. Ademés, en forma simultinea, se obtione una activacién répida, Sin embargo, en razin de un Vee incrementado, la disipacién de la potencia en estado activo del transistor aumenta, en tanto que la pérdida de potencia por conmutaciGn se reduce. BJemplo #5 TE cireuito de exctacin de base de Ia figura 8-16 tiene Vax = 100 V, Re = 1.5 0, Van = 21 V, Vag = 019 V, Vor =07V, Vp= 18 V, Rp = 2 5.0y f= 16 Calente (Ia corriente del colector sin fijacién, (b) el voltaje de fijacién colector-emisor Vce y (c) la corriente del colector con fijacion. Solucion (a) Le fa ecuscion (8-42), = (13 ~ 21 ~O-129 = 488 A. Sin fyserOn, fe = 16% 4.88 =78.08 A. () Dela ecuacign (8-44), e voltae de fijcisn es Voe- 0.7 21 09-194 56.82 Transistores de union bipolar 278© De la eousrivn (6-43), H corriente del colcetor sin fijacién: (100 - 1.9/1.5, 54 A, La cousin (8-46) da la 4.88 + 65.4 BAO 65 A sol 8:3 MOSFET DE POTENCIA Un transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo controlado por corriente, que requiere de Corriente de base para conirolar el flujo de corriemte del colector. Dudo que la corriente del colector depende de la corriente de entrada (0 de la base), la ganancia de corriente es altamente Aependiemte deta temperatura eta nnn ‘Un MOSFET de potencia es un dispositive controlado por voltaje, que requiere solo de una pequefia corriente de entrada, La velocidad de conmutacién es muy alta siendo tos tiempos de conmutacién del orden de los nanosegundos. Los MOSFET de potencia estén encontrando cada vee més aplicaciones en lus wouvertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen los problemas de los fensmenos de ruplura secundaria que tienen los BIT. Sin embargo, los MOSFET ticnen problemas de descargas electrostéticas, por lo que su manejo requiere de ccuidados especiales. Ademés, es relativamente dificil protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito, Los MOSFET son de dos tipos: (1) los MOSFET de agotamiento y (2) los MOSFET de cariquceimiento. Un MOSITT tipo agotamiento de canal n se forma en un substrata de silicio de tipo p, tal y coma se muestra en la figura 8-19a, con das silicias n* fuertemente: dopadas para tener conexiones de baia resistencia. La compuerta estf aislada del canal mediante una delgada capa de xido. Las tres terminales se conacen como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente, el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente, Ves, puede ser positive o negativo. Si Vos €s negativo, algunos de los electrones del Area del canal n serdn repelidos y se cercaré una rogién de agotamicnto por debajo dec la capa de éxido, que resultard en un canal efective més angosto y en una alta resistencia de drenaje a fuente, Ros. Si Vas se hace suficientemente nezativo, el canal se agotaré totalmente, ofreciendo un alto valor Rps, y no habré flujo de corriente de drenaje a fuente, [ps = 0. Cuando esto ocurre, el valor de Ves se conoce como voligje de esirechamiento, Vp. Por otra parte, Ves se hace positivo, el canal se ensancha, ¢ Ios ‘aumenta debido a la reduccidn en Rps. Con un MOSFET tipo agotamiento de canal p, se invierten las polaridades de Vos, los y Vos- ‘Un MOSFET tipo enriquecimento de canal n. no tiene un canal fisico, tal y como se puede observar en la figura 8-20, Si Ves es positivo, un voliaje inducido atraerd los electrones det substrato p, y los acumulard en la superficie por dcbajo de la capa de dxido. Si Ves ¢s mayor que © igual a un valor conocido como voltaje de umbral, Vr, se acumulard un nimero sutictente de celectrones para formar un cant vistual m y la corriente fluird del drenaje a la fuente, Si se tata de un MOSFET tipo enriquecimiento do canal p, las polaridades de Vos, Jos y Vas Se invierten, En ta figura 8-21 aparecen MOSFET dle potencia de varios tamafios. 8-3.1 Caracteristicas en régimen permanente Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta, La compuerta utiliza una corriente de fuga muy pequena, del orden de los 380 Trancisteree de potencia Cap. 8ronae 1D) Cunaee e Batatate fe ‘meta (6) eeltipop cana Fuente de 6xido (8) Estructura bana ‘Simbole (1 MOSFET tipo sgoramento 0 canal n b Metal of Po Substrata 7. ° De : s Yo at Gimbolo Estructura basic (©) MOSFET tipo agotaminto de canal p Figura 8-19 MOSFET tipo agotamionta nanoamperes. La ganancia de corriente, ue es la relaciGn entre la corriente de drenaj, fb, y la corriente de entrada de la compucrta, (g, es tipicamente det orden de 10". Sin embargo, la ganancia de covticnte noes un pavdmet de importancia, La ansconetuctancia, gue es la relacién de la corrionte de drenaje al voliaje de la compuera, define las caracteristicas de transferencia, siendo un pardmetro muy importante. Las caracteristicas de iransferencia de los MOSFET de canal n y de canal p aparecen en la figura 8-22. En la figura 8-23 se muestran las caracteristicas de salida de un MOSFET tipo enniquecimiento de canal n, Exist tres regiones de operacion: (1) region de corte, donde Vas S Vrs (2) regivin de estucchamiemo 0 de saturacién, donde Vos $ Ves ~ Viv y 3) regién Lineal, donde Vos = Vas Vr. El estrochamionto ocurre on Vos = Vas ~ Vp. Bn la rogién lineal, la corrionte de drenaje Ip varia en proporcién al voliaje crenajo—fyente, Vos. Debido a a alta coriente de drenaje y al bajo voliaje de drenaje, los MOSFET de potericia se operan en ta regiGn lineal para acciones de conmutacién. En la regidn dle saturacién, la corriente de drenaje se conserva practicamente constante para cualquier neremento en ef valor de Vos, y fos transistores se uliizan en esta region para la amplificacién de volije. Debe hacerse notar que la saturaciGn tiene el significado ouesto que en el easo de los transistors bipotares, Bea MOSFET de potencia 267=o EF {si MOSFET tipo enriquecimiento do canal Substrate upon 7 3 Esructura basen ‘simboio (b} MOSFET tipo eniquecimiento de canal p Figura 8:20 MOSFET tipo cariquecimicnto. Figura 8-21 MOSFET de potencia (Cortesta de Intemational Rectifier.) 2a Transistores de potencia Cap.te z You nto I lo Canal canal Ia) MOSFET oo agotamionto ve o oN / ol 7 7 anal Cana p Ib) MOSFET tino enriquecimlento igura $22 Cericterietioas do trneforoncin dle los MOSFET. EL modelo en régimen permaneme, que es el mismo tanto para el MOSFET de ayouamieny como para el tipo enriquecimiento, aparece en la figura 8-24, La transconductancia, gm, se define Mo i 8-48 Bm = BV Vin comune ae La resistencia do sulla, rp = Ras, que 9 dine como Vos Ros = Spe 649) ‘es normalmente muy alta en la regidn de estrechamlemo, upicameme del orden de los megaotms ¥y muy pequefia en la regisn lineal, tfpicamente del orden de tos miliohms. Region oe estrechamiento o regidn de eaturacién Regién i en) NoMa — Fa es jguru 8-23 Caractristicas de salida del MOSFET tipo ensiquecimiento mejorado. Sec 82 MOSFET de potencia. 2awf f s a : Fp ve0 7 RG Ye 5 Gaon F - ds (a) Diagrams do creute (bi Cievto equiaere Figura 8-24 | Modelo de conmutacin en régimen permanente de los MOSFET. Para los MOSFET tipo agotamiento, el voliaje de compueria (0 de entrada) puede ser ppasitiva a negative, Pem las MOSFRT tipa enriquecimienta ssla respanden a valiajes pasitivos de compuerta. Los MOSFET de potencia son generalmente del tipo enriquecimiento. Sin embargo, los MOSFET tipo agotamiento podrian ser ventajosos y simplificar el disefto légico en algunas aplicaciones que requicren de algin tipo de interruptor de ca o cd compatible con 1a logica, y que se mantenge active cuando ef suminisuu Igivu caiga y Vos se haga cero. Las ccaracteristicas de los MOSFET tipo agotamiento no se analizarén con mayor detalle, 83.2 Caracteristicas de conmutacion Sin sefal de compuerta, un MOSHE tipo enriquectmiento puede considerarse como dos diodos onectados espalda con espalda 0 como un transistor NPN. La estructura de la compuerta tiene ceapacitancias parisitas con la fuente, Cy, y con ot drenaje Ca El transistor NPN tiene una unin de polarizacién inversa del drenaje a la fuente y ofrece una capacitancia Cas, La figura 8-25a muestra el circuito equivalente del transistor bipolar pardsito, en paralelo con un MOSFET. La regién base-emisor de un transistor NPN se pone en corto citcuito en el chip, metalizando la terminal de 1a fuente y ta resistencia de la base al emisor, debido a que la resistencia del material de las regiones 1 y p, Rye, €S pequcfa, Por lo tanto, un MOSTTT se puede considerar como si o ° lo lo ow T=] J Is (2) Bipolar pardsito (21 Diode interno Figura 8-25 Modelo del MOSFET tipo enriquesimiento que incluye efectos parsitos. 284 Transistores de potencia Cap. 8tuviera un diodo interno (el circuito equivatente aparece en fa figura 8-25). Las capacitancias parésitas dependen de sus vollajes respectivos. EI modelo de conmutacién de los MOSFET aparece en ta figura 8-26. Em la figura 8-27 se ‘mucstran tas formas de onda y los periodos de tiempo de conmutacién tipicos. El retraso de la activacién ton eS el tiempo requerido para cargar la resistencia de entrada al nivel de entrada det ‘umbral. El tiempo de elevacidn f €s el tiempo de carga de la compuerta desde el nivel de umbral hasta el voltaie completo de la compuerta Vesp, mismo que se requiere para excitar el transistor a la region lineal. El tiempo de reiraso en ta desactivacién tan es el tempo requerido para que la ccapacitancia de entrada se descargue desde el vollaje en sobre-eacitacién de la compuerta V1 hasta la regién do estrechamiento. Vas debe reducirse en forma significativa antes de que Vos cempiece a elevarse, El tiempo de abatimiento tres el tiempo que se requiere para que se descargue la capacitancia de entrada desde la regidn de estrechamicnto hasta el voltae del umbral. Si Vas $ Vr el transistor se desactiva, 8-3.3 Excitacién de compuerta El tiempo de activacién de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia de entrada 0 de compucria. El tiempo de activacién se puede reducir conectando un circuito RC, tal y ‘como se muestra en la figura 8-28, para cargar més aprisa la capacitancia de compuerta. Cuando se conecta el voltaje de compuera, la corriente de carga iniclal de la capacitancta es Tg xe (8-50) yee valor en régimen permanente del voltaje de compuerta es RoVo ae 51) Figura 8-26 Modelo de conmutacién del MOSFET. Figura 8-27 Formas de onda y hemos de conmutacion, Sco83 MOSFET de potencia 235‘Senate compuerta Figura 8.28, Cito de aecleracion de wetvaci [a compuert A fin de obtener velocidades de conmutacion det orden de 100 ns 0 menos, el circulto de. excitacién de compucrta debe tener una baja impedancia de salida y la eapacidad de manejar corrientes relativamente grandes. En la figura 8-29 se muestra una disposicién en forma de paste tem, capaz de proveer 0 absorber una corriente grande, Los transistores PNP y NPN actian como seguidores del emisor y ofrecen una impedancia baja de salida, Estos transistores operan en la regi6n lineal mas que en el modo de saturacién, minimizando en consecuencia el tiempo de retraso, La sofa! de compueria para el MOSFET dc potencia puede yenerarse por un a oporacional. La retroalimentacién via el capacitor C regula la velocidad do elevacién y de ahatimiento del voltaje de compuerta, controlando asf la velocidad y el abatimiento de la corriente de drenaje del MOSFET. Un diodo a través del capacitor C permite que el voltaje de compuerta cambie répidamente en una sola direccién, Existen en el mercado varios circuitos excitadores integrados, diseftados para maneyar transistores, y que son capaces de proveer 0 absorber cortientes grandes pata la mayor paste de los convertidores. Un SIT es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia. Es esencialmente una versién en. estado solido de un tubo triodo al vacio, La seccion transversal de silicio de un SIT [15] aparece en la figura 8-30a, y su simbolo en la figura 8-30b. Se trata de un dispositive de estructura vertical con multicanales cortos. Por ello, no ests sujeto a limitaciones de rea siendo adecuado para Nec Figura 8-29 Arreglo en poste-t6tem, cn formacién del Ranen dt psn, para ln excitacion de compuerts. 286 Transistores de potencia Cap. 8\ TULL, 60 Orensie (a) Seccién transversal (b)Simbolo Figura 8-30 Seccién wansversaly simbolo para los SIT. ‘operaciones de alta potencia y en alta velocidad, Los electrodos de la compueria estén enterrados dentro de las capas n-epsi del drenaje y de la fuente. Un SIT ¢s idéntico a un JFET. excepto por la construccién vertical y la compuerta enterrada, lo que origina una resistencia més baja de canal, y, por fo tanto, una caida més pequefia, Un SIT tiene una longitud corta de canal, una baja resistencia en serie de compuerta, una baja capacitancia compueriatuente y una resistencia téumiva pequea, Tiene bajo tuido, baja distorsién y alta capacidad de potencia en audio frecuencia, Los tiempos de activacin y desactivacién son muy pequefios, ipicamente 0.25 js. La caida en estado activo es alta. tipicamente de 90 V para un dispositive de 180 A. ¥ de 18, V para uno de 18 A. Un SIT es un dispositivo normalmente activo, desactivado por un voltaje negativo en la compuerta, La caracteristica de normalmente activo ¥ la alta caida en ese estado Jimita sus aplicaciones en conversiones de potencia en general. La especificacion de corriente de los SIT puede llegar hasta 300 A, 1200 V, sicndo la velocidad de conmutacién tan alta como 100 kHz. Es muy adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia (por ejemplo lificadores de audio, de DHF/UHF y de microondas). 8-5 IGBT Un IGBT combina las ventajas de los BIT y de los MOSFET. Un IGBT tiene una alta impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y bajas pérdidas de conduccién en estado activo, como lot BJT. Pero no presentan ningiin problema de ruptura secundaria, como los BJT. Mediante el disefo y la estructura det chip, la resistencia equivalente drenaje a fuente, Rps, se controla para «ue se comporie como la de un BIT: ‘La seccicn transversal de sllcio de un IGBT aparece en la igura 83a, y es idémica a la de ‘un MOSFET, excepto en cl substrato p*, Sin embargo, el rendimiento 0 comportamiento de un TGRT es més cercano al de un RIT que al den MOSFET. Esto se debe al substrato p*, que es en 65 1G8T 287AG GGG hhh aps epitaxial r e P ow ZK-K~?+R;V.V@@q§“=™”"” I (a) Seecion ransversa ¢ ¢ ae Rwoo pNP => Pup S o cot] xy cots 7 Pee FuB-31 Secciin ects y cireuta equivalente correspondiente a los IGBT. responsable de fa Inyeccidn de portatores minoritaros en la region n. En la igura 8-31 aparece el cireuito equivalenic, mismo que se pucde simplificar al de ta figura 8-31¢, Un IGBT esté fabricado con cuntro capas alteenadas PNPN, y se puede enganchar como un trisia, si se da Ia condiciGn necesaria: (Oxon + Olpes) > 1. La capa intermedia n* y la amplia base epitaxial reducen Ja ganancia de a terminal NPN mediante el disefo interno, evitando, por lo tanto, el enganche. Un 288 Transistores de potencia Cap. 8IGBT es un dispositive controlado por voluyje, similar a un MOSFET Ue potencia, Tiene menures pérdidas de conmutacién y de conduceién, en tanto comparte muchas de las caracteristicas atractivas de los MOSFET de potencia, como la facilidad de excitacién de compuera, la corriente. de pico, la capacidad y la resistencia, Un IGBT es inherentemente mas répido que un BIT. Sin embargo, la velocidad de conmutacién de los IGBT es inferior a la de los MOSFET. El simbolo y el circuito de un interruptor IGBT se muesisan en la figura 8-32. Las tes teuminales son compucsta, coleetor y emisor, en vez de compuerta, drenaje y fuente de un MOSFET. Los parémetros y sus simbolos son similares a los de los MOSFET, excepto en que los. suscritos correspondientes a la fuente y al drenaje se modifican a emisor y a colector, respectivamente. La especificaciOn de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta 400 A, 1200 V. y la frecuencia de conmutacién hasta 20 kHz, Los IGBT estén encontrando cada vez més usos en las aplicaciones de potencia media como son los propulsores para motores de cd y ca, fuentes de alimentacién, relevadores de estado sélido y los contactores. Seal de compuerts Figura 8-32 Simbolo y cireuito na 1 1 1 i 1 L----4 paraun MOSIGT. 8:6 OPERACION EN SERIE Y EN PARALELO. Los transistores pueden operarse en serie para aumeniar su capacidad de mancjo de voliaje. Es muy importante que los transstores conectados en serie estén activados y desactivados en forma simulténea, De lo contrario, el dispositivo mas lento en la activacién y cl dispositivo més répido en la desactivacién quedarian sujetos al voltaje completo det circuito colector-emisor (0 drenaje-fuente) pudiendo este dispositivo en particular quedar destruido debido al alto voltae. Los dispositivos deberdn ser pareados en lo que se reflee a ganancla, ransconductancia, voliale de umbrat, voligje de estado activo, tiempo de activacién y tiempo de desactivacién. Incluso, las cearacteristicns de compueriao de exeitacidn de hase deberin ser idénticns, Pueden wilizarse redes de comparticin de voltae similares a las que se uilizan con los diodes Si un dispositivo no es capaz de manejar la demanda de corriente de la carga, los transistores se conectan en paralclo, Para que exista una reparticiGn igual de la corriente, Jos wansistores deberan ser parcados en fo que se refiere a ganancia, transconductancia, voltaje dé saturacién, ticmpos de activacién y desactivacién. Pero en la practica, no es sicmpre posible cumplir con estos requisitos. Se puede obtener una cantidad,razonable de raparticién de corriente (de 45% a 55% con dos transistores) al conectar resistencias en serie con las terminates del emisor (ode la fuente) tal y como se muestra en la figura 8-33. Bajo condiciones de régimen permanente, las resistencias de la figura 8-33 ayudardn a la comparticién de corrieme, La comparticién de corriente en condiciones dinamicas puede obtenerse conectando inductores acoplados, como se muestra en la figura 8-34, Si se eleva la corriente a través ce. Qs, tamhién se elevars el L(difdi) a través de 1, y a través del inductor Fs 5ec6-8 _ Operacion en seile yen paralelo 238Figura 8-33. Transistores conectadox ‘en paraleo, Figura 8-34 Compartcién dindmica de cortiente, induciré un voltae correspondiente de polaridad opuesta. Ll resultado es una tayectoria de baja impedancia, siendo la corriente trasladada a Qz. Los inductores generar picos de voltaje y pueden resultar costosos y voluminosos, especialmente en el caso de alta corrientes. ‘Los TBJ tienen un coeficiente negativo de temperatura. Si un TBJ conduce més comriente durante la reparticidn de corriente, su resistencia en estado activo se reduce y su corriente aumenta aun mas, en tanto que los MOSFET tienen un coeficiente positive de temperatura y st operacién en paralclo es rclativaments fécil. El MOSFET que inicialmente conduzca mayor corriente se calentari mis y aumentari su resistencia en estado activo, resultanda en un desplazamiento de corriemte hacia otros dispositivos. Los IGBT requieren de un cuidado especial para parear sus caracteristicas, debido a las variaciones de los coeficientes de temperatura en relacién con la corriente del colector. Ejemplo 8-6 ‘Dos MOSFET conectados en paralelo similares a los de la figura 13-33 conducen una corriente total /p= 20 A. El voltaje drenaje a fuente del MOSFET M, es Vos, = 2.5 V y el del MOSFET es ‘Mz Vos = 3 V. Determine la corriente de dronaje de cada transistor y la diferencia en la Teparticion de corriente si las resistencias en serie para compartir la corriente son (a) Roy = 0.3 2 y Ra 022y (b) Ry = Ra =OS Solucion (a) for + Inn = lry Vsu = InRer = Vine + ImnRea = Rell = In). Ip = YO Kost brRa by ee Re (8-52) 325120 x0, arr 02 Ao 45% Iu = 20-9= 1A or 55% Ar = 55 ~ 45 = 1076 290 ‘Transistores de potencla Cap.0 0.8 (6) fo = 2 RO = 105A 0 52.5% Im=W-WS=9SA 0 M5% 2. = 47.5 = 5% a 9:7 LIMITACIONES POR di/dt ¥ dv/dt Los transistores requieren do ciortos tiompos do activacién y desactivacién. Despreciando el tiempo de retraso fz y el tiempo de almacenamiento ‘,, las formas de onda tipicas del voltaje y corriente de un interruptor BIT aparecen en la figura 8-35, Durante la activacién, se eleva ia corriente del colectory el dil es di te des ant co Durante la desactivaci6n, el voltaje colector-emisor debe elevarse en rlacién con el abatimiento de la corriente del colector, y dvidt es do _ Ve Ver (8.54) ay G Las condiciones difdi y dvidt en las ecuaciones (8-53) y (8-54) estén definidas por las caracteristicas de conmutacién del transistor y deben satisfacerse durante la activacién y la ‘desactivacion, Por lo general, se require de circuitos de proteccin para mantener los aid y dvidt de operacién dentzo de los limites permisibles del transistor. Un interuptor tipico de wansistor con proteceisn dildt y dvidt sparece en la figura 8.362, con las formas de anda operativas de ta figura 8-36b. La red RC a través del wansistor se conoce como un circuito de freno y limita el dvidt. El inductor L, que se ocupa de limitar el difdi a veces se conoce como un freno en serie. ‘Supongamos que bajo condiciones de régimen permanente, la corriente de carga [yest en marcha libre-a través del diodo Dy, cl cual tiene un tiempo de recuperacién inversa despreciable, Figura 8-28. Formas ds onda de volte y ds corronte Soc,87 Limiaciones por diidty Wvilt 291oe Nf, (a) Circuits de proteccion (bi Formas de onda Figura 8-36 Interuptor de transistor con proteccin did y avid, ‘Cuando se activa el transistor Qs. la corriente del colector se eleva y la corriente del diodo Dm Se abate, porque Dy, se comporta como si estuviera en corto circuito. El circuito equivalente durante ta activacién aparece en la figura 8-37a,y el dildt de activaciGn es di_v, dt Ly TIgualando la ecuacién (8-53) con Ia ecuacién (8-55), obtenemos el valor de Ls, (8-55) (8-56) Durante el tiempo de desactivacién, el capacitor C, se cargard a lacorriente de carga apareciendo el circuito equivalente en la figura 8-370. El voltaje del capacitor aparecerd a través del transistor yel dvidi es awk ac (8-57) Igualando la ecuacién (8-54) con la (8-57), obtenemos el valor requerido de capacitancia, (8-58) Ta) Moco + ibioao? ‘ei moses Figura 8-37 Circuitos equvalentes 292 Transistores de potencia Cap. 8Una vez que el capacitor se ha cargado hasta V,, el diodo de marcha libre se activa. Debido a la ‘energia almacenada en L, aparece un circuito resonante amortiguado, tal y como se muestra en ta figura 8-37c. El andlisis de transitorios del circuito RLC se analiza en la seccién 16-4, ‘Normalmente, para evitar oscilaciones, el circuito RLC se hace criticamente amortiguado, Para ‘una amontiguacion critica unltarla, 6 = 1, la ecuacion (16-11) nos eva a (8.59) El capacitor C, tiene que descargarse a través del transistor y la especificacién de corriente pico del transistor se incrememta. La descarga a través del transistor puede evitarse colucandy fa resistencia Ry a través de C, en voz do colocar R; através do Vs. La comriente de descarga se muestra en la figura 8-38. Al seleccionar el valor de R., deberd considerarse et tiempo de descarga, R,C, = ty. Un tiempo de descarga de la tercera parte del perfodo de conmutacién, T,, es por lo general adecuado. BRC, = obien 1 ye (8-60) Bjemplo 8-7 Un transistor bipolar es operado como interruptor pulsado a una frecuencia f, = 10 kHz. La disposicion del circuito aparece en la figura &-36a. El voltae de cd del pulsador es Vs = 220 Vy la corriente de ta carga os /L = 100 A. Vetan) = 0 V. Los tiempos de conmutacién som tg~ 0, tr = 3 py y= 1.2 ps. Determine los valores de () La: (b) Cx: ©) Re para la condicién de amortiguamiento critic; (4) Ry si el tiempo de descarga se limita a la tercera parte del perfodo dde conmutacin; () Rs sila coriente pico de descarga se limita al 10% de la corriente de carga; {y (0 la perdida de energia debido al freno RC, P,, despreciando el efecto del inductor Ly sobre el ‘volta del eapacitor de freno C. Soluelin f, = 100A. V,= 220. f,= 10KHr, = 3 wy = 12s () De la ecuaci6n (8-56), Ly = Vat = 220 x 3/100 = 6.6 HH. () De la ecuacién (8-58), C 55 uF. (¢) De a ecuacion (8-59), Re 93.2. (4) De la councisn (8-60), Ry = UG falCs) ~ 1043 x 10% 0.55) = 60.6 2. (e) ValRe= 0.1 XI, es decir, 220/R, = 0.1 x 100, 0 bien, Ry = 22.0. (La pérdida de energia en el circuto de freno, despreciando la pérdida en el SCM, = 0.5 % 0.85 % 10-8 3 220 10 x 109 = 133.1 W he | 1, —— | del capacitor del cireuito de reno, Sec. 87 Limitaciones por diddt v dvide 2938-8 AISLAMIENTO DF LAS FXCITACIONES DE COMPUERTA V DF BASE Para poder operar los transistores de potencia como interruptores. debe aplicarse un voltaje apropiado de compuerta 0 una corriente apropiada de base, y excitar los transistores al modo de saturacién para un vollaje activo bajo, El voltae de control deberd aplicarse entre las terminales de compuerta 0 de fuente 0 entre las terminales de base y emisor. Los convertidores de potencia por lo general requicren de varios transistors por lo que cada transistor debe excitarse individualmente. En la figura 8-39a aparece la topologta de un inversor monofésico de fuente. El voltaje con ed principal es V. con la terminal de tierra G. El circuito l6gico de la figura 8-39 genera cuatro pulsos. Esos pulsos, tal y como se muestra en Ia figura 8-39¢, son desplazados en el tiempo para llevar a cabo la secuencia légica requerida para la conversion de potencia de cd a ca. Sin embargo, todas los cuatro pulsos 16gicos ticnen una terminal comin C. La terminal comiin del circuito légico puede conectarse a la terminal de tierra G de 1a alimentacién de cd principal, tal y como lo muestran las Iineas punteadas. La terminal g1, que tiene un voltae Vjx con respecto ala terminal C, no se puede conectar directamente a la terminal de compucria Gy). La seftal Vey deberd aplicarse entre la terminal de compuerts G1 y la terminal de fueme $y del wansistor Mf. Se necesita aislar ¢ interconectar los Cirouitos entre la légica y los transistores de potencia. Sin embargo, los transistores Mz y Me pueden excitarse directamente sin circuitos de aislamiento o de interfa, si Ins sefiales lgicas son compatibles con los requisitos de excitacién de compuerta de los transistores. La importancia de excitar un transistor entre la compuerta y la fuente, en lugar de aplicar tun voltaje de compuerta entre la compuerta y la tierra comdn, se puede demostrar con Ia figura 8-40, donde la resistencia de carga cs conectada cnue fuente y tierra, El vollaje efectivo eompuerta— TH @ Ms meta, Se 2 | Sr Te) cengnso S a s Se Fy ole a Tw “7 oe | 5H ms - Se {e) Disposcin de euto Vo ‘2 41 vel ° igura 8-39 Inversor monofésico tipo fuente y sefiales de compuerta, 204 Transistores de potencia_Cap.8Flgura 8-40 Voluje de compueria = centre la compuertay Ta ierra fuente es Vos = Vo ~ RulolVes) donde Ip(Vs) varia con Ves. El valor efectivo de Vs se reduce contorme se activa el transistor y Hegando al valor de réyimen permanente, requeride para equilbrar la carga 0 fa eorviente Ue drenaje. El valor ofectivo de Vas no es predecible siendo una disposici6n como ésta no adecuada, Existen hisicamente dos formas de Motar 0 aislar la sefall de contol o de compuerta con respecto ala tierra, 1. Transformadores de puiso 2. Acopladores opticos 8.8.1 Transformadores de pulso Los transformadores de pulso tienen un embobinado primario y pueden tener uno o mas embobinados secundarios. Varios embobinados secundarios permiten senales de compuerta a tansistores conectados en scric 0 en paralclo, La figura 8-41 mucstra una disposicién de excitacién de compuerta aislada por transformador. El transformador deber& tener una muy pequefia inductancia de fuga, y el tiempo de elevacién del pulso de salida deberé ser muy pequefio. Con un pulso relativamente largo y una baja frecuencia de conmutacién, el transformador se saturara y su salida se distorsionaria, 8.8.2 Acopladores épticos Los acopladores 6pticos combinan un diodo de emisor de luz infrarroja (ILED) y un fototransistor de silicio, La sefial de entrada se aplica al ILED y Ia salida se forma del fototransistor. Los tiempos de elevacién y de abatimiento de los fototransistores son muy cortos, con valores tipicos de tiempo de activacidn oq) = 2a 5 ps y un tiempo Ue abutimiemto (om) = 300 us. Estus tiempos do activacién y de abatimiento rostringen las aplicaciones do alta frecuencia. En la figura 8.42 crmuitoge Figura 8-11 Excitacién de compuertae aisladas por transformador. ‘Sea 8-8 Aislamiento de las excitaciones de compuerta y de base. 295aparece un circuito de aislamiento de compuerta mediante un fototransistor. EI fototransistor pollfa ser un pat Darlington, Los fowuausiswores zequiercu de wna alimentacién de energia por separado y aumentando la complejidad, costo y peso de los circuitos de excitacién. Figura 8-42 Aislamiento dela compuerta por acoplador 6ptico, 8.9 MODELOS PSPICE EI modelo PSpice, que se basa en el modelo de control de carga integral de Gummel y Poon [16], aparece en la figura 8-43a, En la figura 8-43b aparece el modelo estético (ed) que se genera mediante PSpice. Si ciertos parsmetros no se especitican, PSpice supone el modeto sencitlo Ebers-Moll, tal y como se mucstra en la figura 8-43c, El enunciado modelo corrospondionto alos transistores NPN tienen la forma general MODEL GNAME NON CPI=¥1 P2=¥2 PI=V3.... PREV) ¥y Ia forma general corresponsdicnis a los wansistores PNP es HODEL ONAME PRE (PLeVL P2= 3... PREYND donde QNAME es el nombre del modelo BJT. NPN y PNP son los simbolos de tipo correspondientes a los transistores NPN y PNP, respectivamente. PI, Py. ¥ Vly V2ye. 80n ios pardmetros y sus valores, respectivamente. Los parimeirox que afectan cl comportamiento de conmutacién de un BJT en clectrénica de potencia son IS, BF, CJE, CIC, TR, TF. El simbolo para BIT es Q, y su nombre debe iniciarse con Q. La forma general es Qcnome> NC NONE NS ONANE (Cares) volue] donde NC, NB, NE y NS son los nodos del colector, base, emisor y substrato, respectivamente, El rnodo de substrato es opcional. Si no se especifica, por omisiGn se considera tierra. La corriente positiva es la corriente que fluye hacia una terminal. Esto es, traténdose de un BIT-NPN, la Corriente fluye del nodo del colector, através del v0, hasta el nodo del emisor. 236 Transistores de potencia Cap. 8@D theres loewBF y ¥ Re denier {21 mogelo Gummerroon Re trevor | 4) lloer= beep Re E oe Figura 8-43 Modelo PSpice de un BIT. Sec.6-9 Modelos PSpice 297EI modelo PSpice [16] de un MOSFET de canal n aparece en la figura 8-44a, El modelo estético (cd) que se genera mediante PSpice aparece en la figura 8-44b, El enunciado nara un MOSFET de canal tiene la forma general MODEL WANE WHOS (PL=¥1 26V2 PIAV3 ... Pha¥N> y el enunciado para un MOSFET de canal p es de la forma MODEL NA PHOS (PI-VI P2-V2 P3-V3 ... PHCYN) donde MNAME es el nombre del modelo, NMOS y PMOS son los simbolos de tipo de los MOSFET de canal n y de canal p, respectivamente. Los pardmetros que afectan el ‘comportamienio de conmutacidn de un MOSFET en elecudnica de potencia son L, W, VTO, KP, Is, CGSO, CGDO. El simbolo para un transistor de efecto de campo de silicio metal-6xido (MOSFET) es M. El nombre del MOSFET deberé empezar con M y toma la forma general ° Ro +t = Ved © G 8 + o4 fo Go-y ERs (Pu Ve P08 Vee + I Rs s {o) Modeio ened 60 Fuente (2) Modelo Sco Figura 8-44 Modelo PSpice del MOSFET de canal n 298 Transistores de potencia Cap. 8Msname> ND NG RS NB HNAME . ) : (abecvaluer] CaS@) * [pnecvalue>} (PS=) + (NRD=} (NRS=] . NRG=Cvalue>) (NKB=) donde ND, NG. NS y ND son los nodos de drenaje, compuerta, fuente y material (0 substrato), respectivamente. RESUMEN, Los transistores de potencia generalmente son dé: cuatro tipas: RIT, MOSFET, SIT ¢ IGBT. Los BIT son dispositivos controlados por corriente siendo sus parémetzos sensibles a la temperatura de la unién. Los BIT sufren por ruptura secundaria por lo que para reducir el tiempo de almacenamiento durante la desactivacién requieren de corriente inversa de base. Pero tienen un voltaje bajo de estado activo y de suturacin, Los MOSFET son dizpositives controlados por voltaje; requieren de muy poca potencia de excitacién en compnesia y sis parimetrns son menos sensihles a la temperatura de la unin. No existe problema por ruptura secundaria y durante la desactivacién no se requiere de un voltaje de Compuerta negativo, Los IGBT, que combinan las ventajas de los BJT y los MOSFET, son dispositivos controlados por voltye que tienen un bajo voltae activo simular alos BIT, Los IGBT no tienen el fenémeno de ruptura secundaria. Los SIT son dispositivos de alta potencia y de aia frecuencia; son muy adecuados para amplificadores de audio, DHF/UHF y microondas. Tienen la caracteristica normalmente activo y una alta caida en estado activo. Los transistores se pueden conectar en serie 0 en paralelo, La operacién en paralelo requiere por lo general de elementos de comparticién de corriente. La operacién en serie requiere del areamiento de pardmetros, especialmente durante la activacion y ta desacuivactén, Para mantener durante la activacién y la desactivacién la relacién de voltaje y de corriente dc los transistores, por lo general para limitardifdr y duldr, es necesario el uso de los circuitos de fren, Las sefiales de compuerta se pueden aislar del circuito de potencia mediante transformadores de pulso o acopladores Spticos. Los transformadores de pulso son sencillos, pero la inductancia de fuga deberd ser muy pequetia. Los transformadores se pueden saturar a baja frecuencia y con pulsos largos. Los acopladores opticos requieren de alimentacicn de energia por separado. REFERENCIAS 1.E. S. Oxner, Power FETs and Their Applications. 4, B. R. Pelly, “Power MOSFETs: a status review”. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1982. International Power Electronics Conference, 2.B. J. Baliga y D.Y. Chen, Power Transistors. 1983, pp. 10-32, Device Design and nplications. New York: IEEE 3. A. Ferraro, “An overview of low cust siubber Prose, 1984, technology for transistor converters". IEEE Power 3, Westinghouse Electric, Silicon Power Transistor Electronics Specialist Conference, 1982, pp. 466-477. Handbook, Pitsburg, Pa.: Westinghouse Electric 6. A'S. Sedra y K.C. Smit, Microelectronics. Nueva Corporation, 1967 York: CBS College Publishing, 1986. Resumen 299