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Análisis de Circuitos con Transistores MOS

1) Se pide determinar el valor de resistencia Ra para que un transistor MOS permanezca en saturación dado los parámetros de fabricación Vt, Cox, M y la corriente de 9A. 2) Se pide encontrar el valor de la resistencia RD para un circuito dado Vt, Cox, μn, ID y que opere en un punto específico. Además, determinar la resistencia efectiva considerando la región de operación. 3) Se pide analizar las curvas ID-VGS de un transistor MOS para determinar el valor de Vt.

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Análisis de Circuitos con Transistores MOS

1) Se pide determinar el valor de resistencia Ra para que un transistor MOS permanezca en saturación dado los parámetros de fabricación Vt, Cox, M y la corriente de 9A. 2) Se pide encontrar el valor de la resistencia RD para un circuito dado Vt, Cox, μn, ID y que opere en un punto específico. Además, determinar la resistencia efectiva considerando la región de operación. 3) Se pide analizar las curvas ID-VGS de un transistor MOS para determinar el valor de Vt.

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Para

el circuito la determinar el valor

1 de
figura 1 de 12

haga Los

V
UD 0.7
parámetros de
fabricación

que

del MOS Vt Cox M

0.5 V 0.4
Nz
son
Un

OH O

18µm

Figura 1. Figura 2. Circuito espejo de

Figura 3. Circuito para

Transistor MOS corriente


determinar una rds efectiva

conectado como

diodo

Para

circuito la resultados
el
figura considere

2 de 2 los

del 1 Además 9 Qr idénticos

problema son

Encue tre

el valor de Ra el transistor Que


para que
perm nezca

en Ia región de saturación

3 Para el circuito de la
figura 3 el circuito debe tener
O.lv Si
Vt _IV Cox 1M determine
µ
n
D
y
la resistencia RD ID este operación
para punto de

Adicionalmente determine la Tds efectiva considere

la región de operación del circuito

4 Analizar las curvas IDI Vos del transistor Mos usado

en clase para determinar el valor de 7

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