SECRETARÍA DE EDUCACIÓN PÚBLICA

TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE VERACRUZ

“ensayo unidad 2 y 3”

TECNOLOGIA DE LOS MATERIALES

Alumno:
Cesar Osvaldo Lagunes Flores

Carrera:
Ingeniería Eléctrica

Profesor titular:
ING JESUS MORALES HERNANDEZ

H. Veracruz, Ver. Jueves 30 de abril del 2020

Introducción:
En este documento realizaremos un ensayo acerca de la unidad 2 y 3 de nuestro
programa de estudio, en el que mencionáremos varios temas acerca de la
conducción eléctrica de la unidad 2 y los semiconductores en la unidad 3.
La conducción eléctrica es el movimiento de partículas eléctricamente cargadas a
través de un medio de transmisión (conductor eléctrico). El movimiento de las
cargas constituye una corriente eléctrica. El transporte de las cargas puede ser a
consecuencia de la existencia de un campo eléctrico, o debido a un gradiente de
concentración en la densidad de carga, o sea, por difusión. Los parámetros físicos
que gobiernan este transporte dependen del material en el que se produzca.
La conducción en metales y resistencias está bien descrita por la Ley de Ohm, que
establece que la corriente es proporcional al campo eléctrico aplicado.
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior
a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la
naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el
selenio. Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro
electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos forman una red
cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los
cuatro átomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente,
algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse
del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en
electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se le
somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.
 Unidad 2

Conducción Eléctrica De Los Materiales

 2.0 Conducción eléctrica de los
materiales
La conductividad eléctrica (símbolo σ) es la medida de la capacidad de un material
o sustancia para dejar pasar la corriente eléctrica a través de él. La conductividad
depende de la estructura atómica y molecular del material. Los metales son buenos
conductores porque tienen una estructura con muchos electrones con vínculos
débiles, y esto permite su movimiento. La conductividad también depende de otros
factores físicos del propio material, y de la temperatura.

❖ Inicio de la conducción eléctrica

El físico inglés Stephen Gray (1666-1736) estudió

principalmente la conductividad eléctrica de los
cuerpos y, después de muchos experimentos, fue
el primero en 1729 en transmitir electricidad a
través de un conductor. En sus experimentos
descubrió que para que la electricidad, o los
"efluvios" o "virtud eléctrica", como él la llamó,
pudiera circular por el conductor, éste tenía que
estar aislado de tierra. Posteriormente estudió
otras formas de transmisión y, junto con los
científicos G. Wheler y J. Godfrey, clasificó los
materiales en conductores y aislantes de la
electricidad.

❖ Conductividad eléctrica en diferentes medios

Los mecanismos de conductividad difieren entre los tres estados de la materia. Por
ejemplo, en los sólidos los átomos como tal no son libres de moverse y la
conductividad se debe a los electrones. En los metales existen electrones casi libres
que se pueden mover muy libremente por todo el volumen, en cambio en los
aislantes, muchos de ellos son sólidos iónicos.
 • Conductividad en medios líquidos

La conductividad electrolítica en medios líquidos está relacionada con la presencia

de sales en disoluciones, cuya disociación genera iones positivos y negativos
capaces de transportar la energía eléctrica si se somete el líquido a un campo
eléctrico. Estos conductores iónicos se denominan electrolitos o conductores
electrolíticos.

Las determinaciones de la conductividad reciben el nombre de determinaciones

conductimétricas y tienen muchas aplicaciones como, por ejemplo:

✓ En la electrólisis, ya que el consumo

de energía eléctrica en este proceso
depende en gran medida de ella.
✓ En los estudios de laboratorio para
determinar el contenido de sales de
varias soluciones durante la
evaporación del agua (por ejemplo,
en el agua de calderas o en la
producción de leche condensada).

✓ En el estudio de las basicidades de

los ácidos, puesto que pueden ser
determinadas por mediciones de la
conductividad.
✓ Para determinar las solubilidades de
electrólitos escasamente solubles y
para hallar concentraciones de
electrólitos en soluciones por
titulación.
La base de las determinaciones de la
solubilidad es que las soluciones
saturadas de electrólitos escasamente
solubles pueden ser consideradas como
infinitamente diluidas. Midiendo la
conductividad específica de semejante
solución y calculando la conductividad
equivalente según ella, se halla la
concentración del electrólito, es decir, su
solubilidad.

Un método práctico sumamente

importante es el de la titulación
conductimétrica, o sea la determinación
de la concentración de un electrólito en solución por la medición de su conductividad
durante la titulación. Este método resulta especialmente valioso para las soluciones
turbias o fuertemente coloreadas que con frecuencia no pueden ser tituladas con el
empleo de indicadores.

La conductividad eléctrica se utiliza para determinar la salinidad (contenido de sales)

de suelos y substratos de cultivo, para lo que se disuelven en agua y se mide la
conductividad del medio líquido resultante. Suele estar referenciada a 25 °C y el
valor obtenido debe corregirse en función de la temperatura. Coexisten muchas
unidades de expresión de la conductividad para este fin, aunque las más utilizadas
son dS/m (deciSiemens por metro), mmhos/cm (milimhos por centímetro) y según
los organismos de normalización europeos mS/m (miliSiemens por metro). El
contenido de sales de un suelo o substrato también se puede expresar por la
resistividad (se solía expresar así en Francia antes de la aplicación de las normas
INEN).
 • Conductividad en medios sólidos

Según la teoría de bandas de

energía en sólidos cristalinos,
son materiales conductores
aquellos en los que las bandas
de valencia y conducción se
superponen, formándose una
«nube» de electrones libres
causante de la corriente al
someter al material a un campo
eléctrico. Estos medios
conductores se denominan
conductores eléctricos.

La Comisión Electrotécnica Internacional definió como patrón de la conductividad

eléctrica:

«Un hilo de cobre de 1 metro de longitud y un gramo de masa, que da una

resistencia de 0,15388 Ω a 20 °C» al que asignó una conductividad eléctrica
de 100 % IACS (International Annealed Copper Standard, Estándar
Internacional de cobre recocido). A toda aleación de cobre con una
conductividad mayor que 100 % IACS se le denomina de alta conductividad
(H.C. por sus siglas inglesas).
2.1 El Papel De Los Electrones

La teoría atómica moderna de la materia sostiene

que todas las sustancias están constituidas de
átomos y moléculas. Cada tomo tiene un núcleo
central cargado positivamente, rodeado de una nube
de electrones cargados negativamente.

• Carga de un tomo.
El tipo de carga contenida en un tomo depende directamente de la cantidad de partículas
de cada carga que lo compongan. Protón: Carga positiva. Neutrón: Carga neutro/No tiene
carga. Electrón: carga negativa.

• Carga de un objeto o sustancia.

De la misma manera, un cuerpo cuyos tomos contengan un exceso de electrones, está
cargado de forma negativa; de igual manera, un tomo con deficiencia de electrones, está
cargado de forma positiva. Transferencia de electrones. Un cuerpo con exceso de
electrones, al momento
de entrar en contacto
con un objeto (Como,
por ejemplo, al ser
frotado), es capaz de
transferir sus
electrones y, por lo
tanto, su carga.
Electrones libres. Un
electrón libre es aquel
que no está bien sujeto
a el núcleo de un tomo
y por tanto, puede ser
atraído y llegar a
formar parte de otro
tomo, alterando as en
la carga de est
 • Conducción.
Un material conductor es aquel que puede transferirse carga fácilmente. Esto se debe al
hecho de que contienen una gran cantidad de electrones libres. La conductividad de un
material se debe directamente a la sujeción que los electrones tengan a sus tomos.

La contraparte de los materiales conductores son los materiales aisladores. A diferencia

de los conductores, los tomos de los aisladores tienen una cantidad pequeña de electrones
libres.

Además de los conductores y de los

aisladores, existen los denominados
"semiconductores". Tal y como lo dice su
nombre, permiten una transferencia
modulada de carga de un tomo a otro,
debido a que tiene cierta cantidad de
electrones libres, pero no demasiados.
2.2 Movimiento electrónico
Toda la materia está formada por átomos, los cuales a su vez contienen neutrones,
protones y electrones. Los electrones libres son aquellos electrones en un material
que no están unidos fuertemente a los átomos o moléculas de éste y pueden
desprenderse fácilmente de la estructura.

Conducción eléctrica de los materiales Es el movimiento de partículas

eléctricamente cargadas a través de un medio de transmisión (conductor eléctrico).
El movimiento de las cargas constituye una corriente eléctrica. Los electrones libres
pueden moverse fácilmente por todo el material, y este movimiento permite la fácil
conducción de electricidad. Los átomos de los aislantes tienen a sus electrones de
la última capa mucho más fuertemente unidos a ellos.

➢ Capa De Valencia

Estructura Electrónica La
estructura electrónica de los
metales, se compone de
átomos ionizados, cuyos
electrones libres forman un
'mar' homogéneo de carga
negativa. El libre movimiento
de los electrones es la causa
de su alta conductividad
eléctrica y térmica.
➢ Estructura Electrónica De Los Elementos

Material conductor Se denomina conductor a todo material que permite el paso

continuo de una corriente eléctrica, cuando está sometido a una diferencia de
potencial eléctrico. Todos los materiales en estado sólido o líquido tienen
propiedades conductoras, pero ciertos materiales son relativamente mejores,
mientras que otros están casi totalmente desprovistos de esta propiedad.

Por ejemplo, los metales son los mejores conductores, mientras que otras
sustancias como óxidos y sales metálicas, minerales, materias fibrosas, etc., tienen
conductividad relativamente baja que, no obstante, es afectada favorablemente por
la absorción de la humedad. Hay ciertos materiales poco conductores, como el
carbón y determinadas aleaciones, que también tienen interés electrotécnico.

Propiedades Químicas De Los Metales Es característico de los metales tener

valencias positivas en la mayoría de sus compuestos. Esto significa que tienden a
ceder electrones a los átomos con los que se enlazan. Por el contrario, elementos
no metálicos como el nitrógeno, azufre y cloro tienen valencias negativas en la
mayoría de sus compuestos, y tienden a adquirir electrones.

Resistencia eléctrica La resistencia eléctrica R, de un material conductor constituye

un índice de la oposición que ofrece el paso de la corriente eléctrica. A los materiales
que presentan baja resistencia eléctrica se les llama buenos conductores eléctricos.
A su vez, a aquellos que poseen alta resistencia eléctrica se les denomina malos
conductores eléctricos.
2.3 Dependencia estructural de la resistencia

La resistencia estructural representa una resistencia del suelo contra la deformación

por una carga en el inicio de la insuficiencia de su estructura interna. Con la
disminución del coeficiente m, el suelo responde con una tendencia lineal. Si la
resistencia estructural se tiene en cuenta durante el análisis de asientos, entonces:

a) La zona de influencia se caracteriza por la profundidad debajo del fondo de la

zapata, donde el incremento de la tensión vertical σz se vuelve igual a la
resistencia estructural del suelo (se determina multiplicando la tensión geo estática
original σor por el coeficiente m):

Donde: m - Coeficiente de resistencia estructural

σor - Tensión geo estática original
b) cuando calculamos el asentamiento de una capa, el incremento de la tensión
vertical debido σz a la sobrecarga y reducido por la resistencia estructural del
suelo, viene dado por:

Donde: m - Coeficiente de resistencia estructural

σor - Tensión geo estática original
σz - Tensión incremental en la capa intermedia

Y el asentamiento s, se desprende del valor de la tensión sombreada en la figura y

viene dada por:

Donde: m - Coeficiente de resistencia estructural

σor - Tensión geo estática original
σz - Tensión incremental en la capa intermedia

Profundidad7 de la zona de influencia

basada en la teoría de resistencia estructural (Área de sobrecarga efectiva
sombreada)
 Unidad 3

Semiconductores
 3.0 Semiconductores
Los elementos de la tabla periódica y especialmente los metales cuentan con
una gran cantidad de electrones de enlace débil los cuales se identifican con
su banda de conducción. Debido a la facilidad con la que puede circular
corriente por los metales, se les considera conductores. Por otra parte, hay
materiales que tienen átomos con electrones de valencia fuertemente
enlazados y al aplicar un campo o corriente eléctrica los electrones no se
mueven fácilmente, estos materiales se llaman aislantes y por lo tanto no
conducen grandes corrientes eléctricas.

3.1 Generalidades
• Historia de los semiconductores

La historia de los semiconductores comienza en su utilización con fines

técnicos, se utilizaron como pequeños detectores diodos y se emplearon a
principios del siglo XX, en los radiorreceptores de esa época.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, realizó un
descubrimiento que se basaba en que si a ciertos cristales se le añadía una
pequeña cantidad de impurezas su conductividad eléctrica variaba cuando el
material se exponía a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al
desarrollo de las celdas fotoeléctricas o solares. En 1947 William Shockley,
investigador también de los Laboratorios Bell y Walter Houser Brittain, junto
a John Bardeen, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor
de germanio (Ge), al que denominaron “transistor” y que se convertiría en la
base del desarrollo de la electrónica moderna.
Algunos semiconductores, como el silicio (Si), el germanio (Ge) y
el selenio (Se), constituyen elementos que poseen características
intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se
consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas
condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la corriente
eléctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esta propiedad se
utiliza para rectificar corriente alterna, detectar señales de radio, amplificar
señales de corriente eléctrica, funcionar como interruptores o compuertas
utilizadas en Electrónica Digital, entre otras. La mayor o menor conductividad
eléctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en
gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida
que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente también
aumenta, disminuyendo la. Todo lo contrario, ocurre con los elementos
semiconductores, pues mientras su fila 1, celda 2temperatura aumenta, la
conductividad también aumenta.

Podemos decir que la conductividad de un elemento semiconductor se puede

variar aplicando diferentes métodos como:

• Elevación de su temperatura Introducción de impurezas (dopaje)

dentro de su estructura cristalina Incrementando la iluminación.
 ➢ ¿QUÉ SON LOS SEMICONDUCTORES?
Como mencionamos anteriormente,
existen materiales conductores y
aislantes, aunque también podemos
encontrar materiales semiconductores
que tienen propiedades intermedias
para conducir o no la corriente
eléctrica y los encontramos en los
elementos del grupo IV de la tabla
periódica. Los semiconductores son
elementos químicos que permiten el flujo de los electrones, pero con
capacidad de conducción inferior a la de un conductor metálico y superior a
la de un material aislante.
El semiconductor más utilizado es el silicio, en la práctica comúnmente para
aprender de diodos semiconductores se emplean diodos de Silicio, otros
materiales semiconductores empleados son el Germanio y el Selenio.
Se debe tener en cuenta que el Silicio y Germanio son semiconductores con
características para portar corriente, esto dependen de la temperatura o la
cantidad de luz que incide sobre ellos.

➢ COMPORTAMIENTO DE LOS SEMICONDUCTORES

En un cristal semiconductor, un electrón de valencia puede saltar a la banda de
conducción dejando un espacio vacío en la banda de valencia al cual se le denomina
hueco. Permitiendo que un electrón de otro átomo cercano se pueda mover al
hueco, dejando otro hueco y así sucesivamente creando una cadena con llenado y
vacío de huecos, como resultado se obtiene una corriente que se puede considerar
como el movimiento de huecos en una dirección o de electrones en la otra.
 ➢ Tipos de semiconductor
Se pueden clasificar en dos tipos:

• Semiconductores intrínsecos: son los que poseen una conductividad eléctrica

fácilmente controlable y, al combinarlos de forma correcta, pueden actuar como
interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento.
• Semiconductores extrínsecos: se forman al agregar a un semiconductor
intrínseco sustancias dopantes o impurezas, su conductividad dependerá de la
concentración de esos átomos dopantes.

Al añadir impurezas a los semiconductores provocamos que estos tengan una mejor
conductividad eléctrica. Este proceso se conoce como dopado, se puede realizar de
dos formas:
• Impurezas pentavalentes: Son elementos que podemos encontrar en la
tabla periódica cuyos átomos cuentan con cinco electrones de valencia en su
orbital exterior. Entre estos elementos podemos encontrar el Fósforo,
Antimonio y Arsénico.
• Impurezas trivalentes: Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones
de valencia en su orbital exterior. Podemos encontrar entre ellos el Boro,
Galio e indio.
Cuando un elemento entra a la red cristalina del Silicio que tiene cinco electrones
se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al
equilibrio y por lo tanto quedaría un quinto electrón que permite al elemento ser
mucho mejor conductor. Un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se
dice que es de tipo N.
Si en la red cristalina de Silicio se introduce una impureza trivalente se forman tres
enlaces covalentes con tres átomos de Silicio vecinos, quedando un cuarto átomo
de Silicio con un electrón sin enlazar, provocando así un hueco en la red cristalina.
Un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.

➢ UNIÓN PN
Al introducir una impureza tipo P por un lado e impureza tipo N por otro lado en un
material semiconductor se obtiene una unión PN. En la región N se crean iones
positivos y en la región P se crean iones negativos. Está distribución de cargas en
la unión establece una barrera de potencial que repele los huecos de la región P y
los electrones de la región N alejándolos entre sí.
Para el caso de Unión PN existen dos formas de polarización:
• Unión PN polarizada en directo.
• Unión PN polarizada en inverso.
 ➢ Elementos Semiconductores

Número atómico Nombre del elemento Pertenece a:

48 Cd (Cadmio) Metales

5 B (Boro) No metales

13 Al (Aluminio) Metales

31 Ga (Galio) Metales

49 In (Indio) Metales

14 Si (Silicio) Metaloides

32 Ge (Germanio) Metaloides

15 P (Fósforo) No metales

33 As (Arsénico) Metaloides

51 Sb (Antimonio) Metaloides
 ➢ Aplicación de los semiconductores
Actualmente se han desarrollado muchos dispositivos electrónicos, haciendo uso
de sus propiedades de transporte, algunos de estos semiconductores son;

• Termistores: Su conductividad depende de la temperatura que alcance.

• Transductores de presión: Cuando aplicamos presión a este tipo de
semiconductor, sus átomos se cierran, el gap de energía se estrecha y esto
conlleva a que su conductividad aumente considerablemente.
• Rectificadores (dispositivos de unión del tipo p-n): se producen uniendo los
semiconductores del tipo n y p, formando una unión del tipo p-n, cuándo ocurre
esto los electrones se concentran en la unión del tipo n y los huecos en la unión
p, este desequilibrio electrónico crea un voltaje mediante la unión.
• Transistores de unión bipolar: este transistor se utiliza como interruptor o
amplificador, por lo general se utiliza en unidades de procesamiento central de
las computadoras por la eficiencia en dar una respuesta rápida a la conmutación.
• Transistores de efecto de campo: son utilizados frecuentemente para
almacenar información en la memoria de los ordenadores. El transistor de
efecto de campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de
unión bipolar.

3.2 Enlaces y conductividad

❖ Conductividad en semiconductores.

El interés del dopado es establecer un mejor control de la conductividad con la

temperatura, de manera que permita el diseño de dispositivos electrónicos en los
que se puedan mantener las señales eléctricas en un margen de temperaturas
aceptables para los equipos electrónicos. La Ingeniería Electrónica se sirve de los
semiconductores intrínsecos, convirtiéndoles en extrínsecos por dopado con
impurezas, los cuales son utilizados como componentes sencillos: diodos,
transistores, varistores, células fotovoltaicas, células fotosensibles, emisores-
receptores láser o circuitos integrados.
Los parámetros que influyen en la capacidad conductora de los
semiconductores extrínsecos comprobaremos que la temperatura es importante,
pero está matizada por la concentración de agente dopante.

Extrínseco, por el cual existe una concentración de portadores de carga libre

mayoritarios proporcionado por las impurezas al ionizarse. Este mecanismo es
propio de temperaturas bajas y ambientales.
Intrínseco, en el que, por efectos de agitación térmica, se incrementa la
cantidad de nuevos pares electrón-hueco. Este responde a mayores
temperaturas.
Por analogía con lo desarrollado en cuestiones anteriores, la conductividad total
será la suma de las contribuciones intrínsecas y extrínsecas, ya que los portadores
de carga libre pueden provenir de la ionización de lo dopantes o los propios átomos
del semiconductor. La conductividad total será:

En la que los subíndices I y E hacen referencia a los mecanismos intrínsecos y

extrínseco. Antes debemos tener en cuenta que el material se encuentra en
equilibrio térmico y también su población de portadores de carga libre. La
neutralidad de la carga en un semiconductor en equilibrio térmico viene dada por la
relación:

En la que ND, NA son las concentraciones de impurezas donantes y aceptoras

respectivamente, de manera que cuando se ionizan actúan de centros de carga fija,
mientras que n y p representan las concentraciones de portadores de carga libre.
La otra ecuación de equilibrio es la de acción de masas.
Para semiconductores de tipo N, los electrones son el portador mayoritario, los
huecos son minoritarios y NA es cero. En los de tipo P, la situación es la contraria:
p mayoritarios, n minoritarios y ND nulo. Otra simplificación aplicable a temperaturas
bajas y medias es despreciar la concentración de portadores minoritarios de carga
libre frente a la concentración de impurezas dopantes. Así pues, tendríamos
resumidos en la tabla 8.8, las expresiones anteriores.

Partiendo de los conceptos y aproximaciones anteriores, se puede llegar a

demostrar las correlaciones entre los mecanismos de conducción intrínseco y
extrínseco. Así tendremos que las componentes de la conductividad vendrán dadas
por:
 ❖ Semiconductores N

En la que el primer sumando corresponde al mecanismo extrínseco y el

segundo al intrínseco. ED es la energía de los niveles introducidos por las
impurezas dopantes donantes en las cercanías de la banda de conducción.
Haciendo Ed = EC - ED, y agrupando los parámetros no exponenciales de cada
sumando bajo el símbolo s0E o s0I, según se refiera al mecanismo extrínseco o
intrínseco, tendremos la ecuación anterior simplificada:

❖ Semiconductores P

En la que el primer término corresponde al mecanismo extrínseco y el segundo al

intrínseco. EA es la energía de los niveles introducidos por las impurezas dopantes
aceptoras en las cercanías de la banda de valencia. Haciendo Ea = EA - EV, y
agrupando los parámetros no exponenciales de cada sumando bajo el
símbolo s0E o s0I, según se refiera al mecanismo extrínseco o intrínseco, la
expresión anterior quedaría simplificada por la ecuación:

Se ha observado que, en el dominio de las bajas temperaturas,

inferiores a la temperatura de ionización, la componente intrínseca de la
conductividad es despreciable frente a la extrínseca, con lo que las
ecuaciones 8.45 y 8.46 pueden expresarse de la forma:

(N) ó

(P)
➢ Conclusiones de la conductividad
1. Los semiconductores extrínsecos están ligeramente impurificados con
elementos químicos disueltos en su microestructura cristalina. Los dopantes
poseen una capa de valencia con un electrón de más o de menos que la de
los átomos del semiconductor.
2.
Los dopantes son de dos tipos: donantes y aceptores. Los primeros
suministran electrones como portadores de carga libre, mientras los
segundos proporcionan huecos como portadores de carga libre.
3.
Las impurezas introducen niveles de energía en el intervalo de energía
prohibida. Los donantes lo hacen próximo al nivel inferior de la banda de
conducción. Los aceptores muy próximos al nivel superior de la banda de
valencia.
4.
La ionización de las impurezas donantes introduce electrones en la banda de
conducción, quedando éstas como portadores de carga fija positiva. La
ionización de impurezas aceptoras, introduce huecos en la banda de
valencia, convirtiéndose ellas en portadores de carga fija negativa.
5. El mecanismo de conducción en los semiconductores extrínsecos muestra
dos contribuciones: extrínseco e intrínseco. El mecanismo extrínseco es
debido a un mayoritario suministro de portadores de carga libre por ionización
de las impurezas. El intrínseco es debido a la generación térmica de pares
electrón-hueco.
6.
El mecanismo extrínseco es importante a temperaturas bajas y superiores a
la ambiental. El mecanismo intrínseco toma importancia a temperaturas
altas.
 ❖ Enlaces en semiconductores.

❖ SEMICONDUCTOR INTRINSECO
En un cristal de Silicio o Germanio mediante enlaces covalentes entre sus átomos,
se forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono.
Cada átomo de silicio establece cuatro enlaces covalentes ordinarios tipo I o los
llamados enlaces covalentes tipo mixto-mixto, enlace originado entre el par electrón-
hueco de un silicio, con el otro par electrón-hueco de
otro silicio vecino.
Estos huecos introducidos en la nueva regla del
octeto, que se aparean con el electrón, son
partículas permanentes que para existir no
dependen de la temperatura.
En la siguiente figura los átomos de silicio se les
describen con colores distintos, en busca de
claridad, pero todos son idénticos.

Si representa al átomo de silicio y cada uno de ellos tiene a 4 electrones de valencia

identificados por 4 círculos pequeños y rellenos, cada átomo de silicio tiene a 4
huecos representados por 4 círculos pequeños y vacíos. Cada átomo tiene 4
enlaces covalentes que están representados por dos barras que unen a los átomos.
En la estructura íntima de un cristal de silicio, el número que hay de electrones de
valencia, es idéntico al número de estas hueco-partículas, pero poseen cargas
eléctricas contrarias.
Reemplazando al silicio central Si de color azul en la anterior
figura No.1, si lo reemplazamos por un átomo del grupo del
nitrógeno.
El grupo del nitrógeno tiene a 5 electrones de valencia y con 3
hueco-partículas y tienen la siguiente configuración de valencia.
Este grupo tiene a un par de electrones libres y además la carga
eléctrica de +3.

N figura al átomo de nitrógeno que tiene a 5 electrones de valencia representados

por 5 pequeños círculos rellenos de color azul a su alrededor y los 3 huecos que
son 3 círculos pequeños y vacíos. La carga eléctrica del átomo es +3. El grupo del
nitrógeno tiene a un par de electrones libres que configuran a un enlace de 3
electrones. Figura No.2.
 • semiconductor tipo n5 con un solo enlace de tres electrones
Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del
nitrógeno que lo vamos a identificar como un dopaje tipo
N5 donde es N, porque es un dopaje que permite la aparición
de electrones adicionales asociados al dopaje y 5, porque el
átomo dopante donante es del grupo del nitrógeno donde
tienen todos a 5 electrones de valencia.

N es la representación del átomo central de color azul que es el átomo dopante tipo
N con 5 electrones de valencia identificados por 5 círculos pequeños rellenos de
azul y con 3 huecos representados por círculos pequeños vacíos.
Ese átomo dopante tipo N5 establece en el cristal de silicio a 3 enlaces covalentes
ordinarios tipo I o lo que es lo mismo, tres enlaces covalentes tipo mixto-mixto.
Le quedan dos electrones que persisten apareados para configurar a un cuarto
enlace que es un enlace covalente con tres electrones y un hueco.
Ese enlace lo hace el átomo dopante en la figura anterior No.3 con el silicio de color
purpura ubicado en la parte inferior del átomo dador.
• semiconductor tipo n6 con solo dos enlaces de tres electrones.
Comenzamos describiendo a un átomo del grupo
del oxígeno que tienen a 6 electrones de valencia y dos
huecos.
Oxi figura al átomo de oxígeno que tiene 6 electrones de
valencia representados por 6 pequeños círculos rellenos
de color azul a su alrededor y los 2 huecos que son 2
círculos pequeños y vacíos. La carga eléctrica es +2. El
grupo del oxígeno tiene a dos pares de electrones libres
que configuran a 2 enlaces de 3 electrones.
Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del Oxígeno que lo vamos a
identificar como un dopaje tipo N6 donde es N, porque es un dopaje que permite la
aparición de electrones adicionales asociados al
dopaje y 6, porque el átomo dopante donante es del
grupo del oxígeno donde tienen todos a 6 electrones
de valencia.
Oxi es la representación del átomo central dopante
y de color azul como donante tipo N con 6
electrones de valencia identificados por 6 círculos
pequeños rellenos de azul y con 2 huecos
representados por círculos pequeños y vacíos.
 • semiconductor tipo n7 con tres enlaces de tres electrones.
Comenzamos describiendo la valencia de un
átomo del grupo del flúor que tienen a 7 electrones
de valencia y un solo hueco-partícula apareado con
uno de los electrones.

Flúor figura al grupo del átomo del flúor que tienen

a 7 electrones de valencia representados por 7
pequeños círculos rellenos de color azul a su
alrededor y un solo hueco que es un círculo
pequeño vacío apareado a uno de los electrones.
La carga eléctrica del átomo es +1. El grupo del
flúor tiene a 3 pares de electrones libres.
Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del Flúor que lo vamos a
identificar como un dopaje tipo N7 donde es N, porque es un dopaje que permite
la aparición de electrones adicionales asociados al dopaje y 7, porque el átomo
dopante donante es del grupo del flúor donde tienen todos a 7 electrones de
valencia.

Flúor denota al átomo central de color azul que

es el átomo dopante tipo N con 7 electrones de
valencia identificados por 7 círculos pequeños
rellenos de azul y con un solo hueco
representado por círculos pequeños vacíos. El
grupo del flúor tiene a 3 pares de electrones
libres que configuran a los 3 enlaces de 3
electrones.

• semiconductor tipo p3 con un solo enlace de un electrón

Comenzamos describiendo la valencia de un átomo del grupo del Boro que tienen
a 3 electrones de valencia y cinco hueco-partículas.

• semiconductor tipo p2 con dos enlaces de un electrón.

Comenzamos describiendo la valencia de un átomo del grupo del Berilio y algunos
elementos de transición que tienen a 2 electrones de valencia y seis huecos.
Boro figura al grupo del átomo de boro que tiene a 3 electrones de valencia
representados por 3 pequeños círculos rellenos de color azul a su alrededor y los 5
huecos que son 5 círculos pequeños y vacíos. La carga eléctrica del átomo es +5.
El grupo del boro tiene a un par de huecos libres que configuran al enlace de un
electrón.
Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del
grupo del Boro que lo vamos a identificar como
un dopaje tipo P3 donde es P, porque es un
dopaje que permite la aparición de hueco-
partículas adicionales asociadas al dopaje y 3,
porque el átomo dopante donante de huecos es
del grupo del Boro donde solo tienen todos a 3
electrones de valencia.

Boro denota al átomo central de color azul que es el átomo dopante tipo N con 3
electrones de valencia identificados por 3 círculos pequeños rellenos de azul y con
5 huecos representados por 5 círculos pequeños vacíos. El átomo de boro tiene a
un par de huecos libres usados para un enlace de un electrón.
Berilio figura al grupo del átomo de berilio que tiene a 2 electrones de valencia
representados por 2 pequeños círculos rellenos de color azul a su alrededor y los 6
huecos que son 6 círculos pequeños y vacíos. La carga eléctrica del átomo es +6.
El grupo del berilio tiene a dos pares de huecos libres que configuran a los dos
enlaces de un electrón.
Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del
grupo del Berilio que lo vamos a identificar como
un dopaje tipo P2 donde es P, porque es un
dopaje que permite la aparición de hueco-
partículas adicionales asociadas al dopaje y 3,
porque el átomo dopante donante de huecos es del
grupo del Berilio donde solo tienen todos a 2
electrones de valencia.
Beri denota al grupo del átomo del berilio central de
color azul que es el átomo dopante tipo N con 2 electrones de valencia identificados
por 2 círculos pequeños rellenos de azul y con 5 huecos representados por 5
círculos pequeños vacíos. El berilio tiene a dos pares de hueco-partículas libres.
Figura No.11.
 • semiconductor tipo p1 con tres enlaces de un electrón.
Comenzamos describiendo la valencia de un
átomo del grupo del Litio y algunos elementos
de transición que tienen a un solo electrón de
valencia y siete huecos.

Litio figura al grupo del átomo de litio y algunos

elementos de transición que tienen a un solo
electrón de valencia representados por un
pequeño círculo relleno de color azul a su
alrededor y los 7 huecos que son 7 círculos
pequeños y vacíos. La carga eléctrica del átomo es +7. El grupo del litio tiene a tres
pares de hueco-partículas libres que son los que configuran a 3 enlaces de un
electrón.
Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del Litio que lo vamos a
identificar como un dopaje tipo P1 donde es P, porque es un dopaje que permite la
aparición de hueco-partículas adicionales
asociadas al dopaje y 1, porque el átomo dopante
donante de hueco-partículas es del grupo del Litio
y algunos elementos de transición donde solo
tienen todos a un solo electrón de valencia.

Litio figura al átomo central de color azul que es el

átomo dopante tipo P con un electrón de valencia
identificado por un círculo pequeño relleno de azul
y con 7 huecos representados por 7 círculos
pequeños vacíos. El litio tiene a 3 pares de hueco partículas libres.
3.3 Semiconductores de potencia
Semiconductores de potencia. Dispositivos construidos con el SiC (carburo de
silicio), el GaN (nitruro de galio) y el diamante, que han arraigado firmemente en
aplicaciones de alta tensión y alta intensidad para controlar potencias de salida de
entre un megavatio y varios gigavatios.

❖ Antecedentes

La introducción de la tecnología de transmutación de neutrones en los años setenta

del pasado siglo hizo posible la fabricación de
dispositivos semiconductores de potencia con
tensiones de bloqueo de más de 1.000 V. Sólo
esta técnica permite producir silicio con la
homogeneidad de dopado requerida, en esta
categoría de tensiones el tiristor era el único
dispositivo cuya tecnología se dominaba
correctamente.

Pero sus aplicaciones eran muy limitadas, ya

que este dispositivo no permitía el corte
de Corriente alterna cuando el usuario lo
necesitaba. En los años ochenta y noventa se
unieron al tiristor varios dispositivos con
capacidad de corte: el tiristor de corte de puerta
o GTO (Gate Turn-Off Thyristor) y,
posteriormente, El Transistor Bipolar con puerta
aislada o IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor) y el tiristor conmutado con puerta
integrada o IGCT (Integrated Gate Commutated
Thyristor).

Durante las últimas décadas los semiconductores de potencia han revolucionado

las aplicaciones con interruptores de potencia de silicio, convirtiéndolos en
dispositivos muy eficientes, fiables y de cómoda aplicaciones en el manejo de alta
tensión y alta intensidad, que está en el orden de los gigavatios. La más avanzada
tecnología de transmisión de energía eléctrica y los sectores de estabilización de
redes, no serían posibles sin la existencia de soluciones basadas en componentes
semiconductores de potencia.

Dado que la eficiencia y fiabilidad de los dispositivos semiconductores depende

estrechamente de las condiciones de servicio y del diseño físico del sistema
(eléctrico, térmico, mecánico).
 ❖ Objetivos del diseño del IGBT y del IGCT
El objetivo común del diseño de
interruptores para semiconductores de
potencia de alta tensión (cuyos tipos
más conocidos son el IGBT y el IGCT)
es optimizar la combinación de la
potencia en estado de conducción y
las pérdidas en corte. En términos
prácticos, esto significa que el
semiconductor debe tener la mínima
caída de tensión posible en la fase de
conducción (es decir, debe crearse un plasma denso) sin que se originen pérdidas
excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de carga.

El dopado del cuerpo de silicio de los semiconductores de potencia, es decir, la

conductividad del sustrato, ha de reducirse continuamente y aumenta la tensión de
ruptura buscada. En consecuencia, componentes que en estado activo pueden
confiar en la conductividad de su substrato (los componentes unipolares o de
portadores mayoritarios, como el MOSFET de potencia y el diodo Schottky),
presentan capacidades de bloqueo superiores a 2001.000 V en estado de
conducción, demasiado altas
para funcionar
económicamente (el límite
depende del tipo de
componente y de la
aplicación).
Consecuentemente, los
semiconductores de potencia
de silicio de más de 600 V se
suelen diseñar como
dispositivos modulados por
conductividad (plasma). El
interior de un dispositivo de
este tipo está saturado con
un gran número de portadores de cargas positivas y negativas.

Durante el corte, el componente recupera su capacidad de bloqueo creando un

campo eléctrico desde la unión pn en el lado del cátodo hasta la zona n. La tensión
de recuperación cubre el plasma desde el cátodo hasta el ánodo. Los portadores de
carga cerca del cátodo son suprimidos a una baja tensión y, por tanto, generan bajas
pérdidas en corte, mientras que los portadores próximos al ánodo fluyen fuera del
dispositivo a una tensión alta, originando altas pérdidas.
 ❖ Ventajas

En inversores de fuente de tensión sin limitación di/dt externa (como los circuitos
típicos IGBT), dicha limitación ha de tener lugar mediante control del propio
dispositivo de conmutación, lo que causa pérdidas sustanciales de conexión. En
inversores con altas tensiones, la combinación de las pérdidas de conexión del
interruptor y las pérdidas de recuperación del diodo constituyen entre el 40 y 60 por
ciento de las pérdidas totales del inversor, dependiendo de la frecuencia de
conmutación. Pérdidas de conexión notablemente menores tienen lugar en un
interruptor de silicio utilizado con un limitador di/dt pasivo, liberando al dispositivo
de carga térmica y, en consecuencia, permitiendo en principio una mayor potencia
de salida para él inversor. Sin embargo, debe señalarse que a pesar de todo se
producen pérdidas, dado que se transfieren al circuito de circulación libre del
limitador de di/dt.
La segunda ventaja es que, como resultado de la limitación di/dt pasiva, la
intensidad sólo puede aumentar con relativa lentitud cuando se produce una avería
(por ejemplo, un cortocircuito en el puente inversor o en la carga).

Existen dos estrategias efectivas para afrontar tales sucesos:

a) Si la avería se detecta a tiempo, es posible hacer una desconexión normal;
b) La energía almacenada en el enlace de C se puede descargar activando
todos los interruptores y dispersarla en todos los semiconductores (se puede
dimensionar la inductancia L para mantener la intensidad de cortocircuito
dentro de límites de seguros).
Bibliografías:
• [Link]
d07/01d56994e30f40632/[Link]
• [Link]
• [Link]
d07/01d56994e30f40632/[Link]
• [Link]
• [Link]
ores/
• [Link]
m
• [Link]
• [Link]
• [Link]
• [Link]
• [Link]
F35S3CVPC8GNY
• [Link]
• [Link]
• [Link]
• [Link]
conduccion