ELECTRICIDAD Y

ELECTRÓNICA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

ASIGNATURA: ELECTRONICA APLICADA A LA AUTOMATIZACIÓN

NOMBRE DEL DOCENTE: SEBASTIAN ANDRÉS ROJAS OVALLE

NOMBRE DEL ALUMNO: IVANIA LISSETTE APAZ PUÑA

Fecha de entrega: 21/09/2020

 TABLA DE CONTENIDO
Pág.

1. INTRODUCCIÓN............................................................................................................... 6
2. OBJETIVOS ...................................................................................................................... 7
3. DESAROLLO .................................................................................................................... 8
3.1. Diodo Zener....................................................................................................................... 8
3.1.1. Descripción ................................................................................................................ 8
3.1.2. Curva de trabajo......................................................................................................... 8
3.1.4. Funcionamiento.......................................................................................................... 9
3.1.5. Ejemplo de aplicación ................................................................................................ 9
3.2. Diodo Schottky .................................................................................................................. 9
3.2.1. Descripción ................................................................................................................ 9
3.2.2. Curva de trabajo....................................................................................................... 10
3.2.3. Funcionamiento........................................................................................................ 10
3.2.4. Ejemplo de aplicación .............................................................................................. 11
3.3. Condensador ................................................................................................................... 12
3.3.1. Descripción .............................................................................................................. 12
3.3.2. Curva de carga y descarga de Voltaje e intensidad. ................................................. 12
3.3.3. Circuito básico.......................................................................................................... 13
3.3.4. Funcionamiento........................................................................................................ 13
3.3.5. Ejemplo de aplicación en DC y AC ........................................................................... 14
3.4. Potenciómetro Logarítmico .............................................................................................. 14
3.4.1. Descripción .............................................................................................................. 14
3.4.2. Circuito básico.......................................................................................................... 15
3.4.3. Funcionamiento........................................................................................................ 15
3.4.4. Ejemplo de aplicación .............................................................................................. 15
3.5. Potenciómetro lineal ........................................................................................................ 17
3.5.1. Descripción .............................................................................................................. 17
3.6. Foto diodo ....................................................................................................................... 17
3.6.1. Descripción .............................................................................................................. 17
3.6.3. Circuito básico.......................................................................................................... 18
3.6.4. Funcionamiento........................................................................................................ 18
3.6.5. Ejemplo de aplicación .............................................................................................. 19

INFORME (ABP)
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3.7. Foto transistor ................................................................................................................. 20
3.7.1. Descripción .............................................................................................................. 20
3.7.2. Circuito básico.......................................................................................................... 21
3.7.3. Ejemplo de aplicación .............................................................................................. 21
3.8. Relé de estado solido ...................................................................................................... 21
3.8.1. Descripción .............................................................................................................. 21
3.8.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano. ........................... 22
3.8.3. Funcionamiento........................................................................................................ 22
3.8.4. Ejemplo de aplicación .............................................................................................. 23
3.9. Relé convencional ........................................................................................................... 23
3.9.1. Descripción .............................................................................................................. 23
3.9.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano. ........................... 24
3.9.3. Circuito básico.......................................................................................................... 25
3.9.4. Funcionamiento........................................................................................................ 26
3.9.5. Comparación versus relé de estado solido ............................................................... 26
3.10. Amplificador Operacional: descripción, A.O Ideal versus A.O real............................ 27
3.10.1. Diferencias entre un amplificador operacional ideal frente a real .......................... 27
3.11. Simbología del componente según estándar europeo/americano. ........................... 28
3.12. Transistor BJT .......................................................................................................... 28
3.12.1. Descripción ........................................................................................................... 28
3.12.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano. ........................ 29
3.12.3. Circuitos de polarización ....................................................................................... 29
3.12.4. Funcionamiento .................................................................................................... 29
3.12.5. Curva de trabajo ................................................................................................... 30
3.12.6. Ejemplo de aplicación ........................................................................................... 31
3.13. Transistor JFET........................................................................................................ 31
3.13.1. Descripción ........................................................................................................... 31
3.13.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano. ........................ 32
3.13.3. Funcionamiento .................................................................................................... 33
3.13.4. Curva de trabajo ................................................................................................... 34
3.13.5. Ejemplo de aplicación ........................................................................................... 34
3.14. Transistor MOSFET ................................................................................................. 34
3.14.1. Descripción ........................................................................................................... 34

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3.14.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano. ........................ 36
3.14.3. Circuitos de polarización ....................................................................................... 37
3.14.4. Funcionamiento .................................................................................................... 37
3.14.5. Comparación MOSFET versus BJT ...................................................................... 38
3.14.6. Ejemplo de aplicación ........................................................................................... 38
3.15. Fotorresistencia........................................................................................................ 39
3.15.1. Descripción ........................................................................................................... 39
3.15.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano. ........................ 39
3.15.3. Circuito básico ...................................................................................................... 39
3.15.4. Funcionamiento .................................................................................................... 39
3.15.5. Ejemplo de aplicación ........................................................................................... 40
3.16. SCR ......................................................................................................................... 41
3.16.1. Descripción ........................................................................................................... 41
3.16.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano. ........................ 41
3.16.3. Circuito básico y ejemplo de funcionamiento ........................................................ 42
3.16.4. Funcionamiento .................................................................................................... 42
3.17. TRIAC ...................................................................................................................... 43
3.17.1. Descripción ........................................................................................................... 43
3.17.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano. ........................ 44
3.17.3. Circuito básico ......................................................... Error! Bookmark not defined.
3.17.4. Funcionamiento .................................................................................................... 44
3.17.5. Ejemplo de aplicación ........................................................................................... 44
3.18. Electrónica digital ..................................................................................................... 45
3.18.1. Tabla de verdad y compuertas lógicas.................................................................. 45
3.18.2. COMPUERTA SI (BUFFER) ................................................................................. 45
3.18.3. COMPUERTA NOT .............................................................................................. 45
3.18.4. COMPUERTA AND .............................................................................................. 46
3.18.5. COMPUERTA OR ................................................................................................ 46
3.18.6. COMPUERTA XOR (dos entradas) .................................................................... 46
3.18.7. COMPUERTA XOR (DE TRES ENTRADAS) ..................................................... 47
3.18.8. Sistemas combinacionales ................................................................................... 48
3.18.9. Lógicos ................................................................................................................. 48
3.18.10. Aritméticos ............................................................................................................ 48

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3.18.11. Aritméticos y lógicos ............................................................................................. 48
3.19. Decodificador ........................................................................................................... 49
3.19.1. Descripción ........................................................................................................... 49
3.20.1. Ejemplo de aplicación ........................................................................................... 50
3.21. Codificador ............................................................................................................... 50
3.21.1. Descripción ........................................................................................................... 50
3.21.2. Circuito básico ...................................................................................................... 51
3.21.3. Funcionamiento y ejemplo de aplicación .............................................................. 51
4. ACTIVIDADES PRÁCTICAS …………………………………………………….………………54

5. CONCLUSIONES ............................................................................................................ 56
6. REFERENCIAS ............................................................................................................... 57

INFORME (ABP)
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1. INTRODUCCIÓN

Los componentes electrónicos han cambiado la forma en que vivimos y la forma en que
usamos la tecnología desde que se introdujeron por primera vez en los productos. Estos
componentes se utilizan en casi todas las industrias, desde bienes de consumo hasta
equipos militares. Desde usar su aspiradora hasta volar un helicóptero militar, los
componentes electrónicos son vitales para el desempeño de miles de productos. Un
componente se define como un elemento básico en electrónica que tiene cables
(terminales) que le permiten conectarse a otros componentes para formar dispositivos
funcionales dependiendo de la aplicación prevista. Una placa de circuito se conoce como
una colección completa de componentes. Muchos productos tendrán instalada una placa
de circuito que, en términos simples, actúa como el equivalente de un cerebro para un
producto en particular. Esta comparación realmente resalta cuán importante puede ser
un componente electrónico para un producto, debido a esto el presente informe busca
resaltar las características de los principales componentes electrónicos usados en la
industria.

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2. OBJETIVOS

El presente informe tiene los siguientes objetivos:

 Presentar de forma clara y concisa el estado actual de la tecnología de

componentes electrónicos relevantes para la automatización
 Describir ejemplos de aplicación en el ámbito industrial de los diferentes
componentes electrónicos
 Mostrar los circuitos básicos donde se muestren el tipo de conexión del elemento
y sus funciones
 Analizar las principales variables involucradas en su funcionamiento.

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3. DESAROLLO
3.1. Diodo Zener
3.1.1. Descripción

Un diodo Zener es un tipo de diodo de silicio que se ha construido para que funciones en
la zona de ruptura, es decir que permite que la corriente fluya en la dirección inversa (del
cátodo al ánodo) cuando el voltaje a través de sus terminales excede el voltaje de Zener,
una característica del dispositivo. Su símbolo es como el de un diodo normal, pero tiene
dos terminales a los lados.

3.1.2. Curva de trabajo

Figura 1. Curva de un diodo Zener

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

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3.1.3. Circuito básico

Figura 2. Circuito básico de un diodo Zener

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)
3.1.4. Funcionamiento

Los diodos Zener tienen una unión p-n altamente dopada. A diferencia de los diodos
normales que no están diseñados para operar en la región de ruptura, los diodos Zener
funcionan de manera confiable en esta región. En conclusión, el diodo Zener debe ser
polarizado inversamente para que adopte su característica de regulador de tensión. A
este efecto se le conoce como el efecto Zener, este efecto se debe al fenómeno de túnel
cuántico de electrones causado por un campo eléctrico de alta intensidad. Se deberá
tener presente que, el diodo Zener al igual que cualquier dispositivo electrónico, tiene
limitaciones y una de ellas es la disipación de potencia. Si no se toman en consideración
sus parámetros, el componente se quema.

3.1.5. Ejemplo de aplicación

Se utilizan para proporcionar voltajes de referencia para circuitos, especialmente fuentes

de alimentación estabilizadas. También se utilizan para proteger los circuitos contra
sobretensiones, especialmente descargas electrostáticas (ESD).

3.2. Diodo Schottky

3.2.1. Descripción

El diodo Schottky también conocido como diodo barrera Schottky o diodo portador en
caliente, es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un
metal. Tiene una baja caída de voltaje directo y una acción de conmutación muy rápida.

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Cuando se aplica suficiente tensión directa, fluye una corriente en la dirección directa. Un
diodo de silicio tiene un voltaje directo típico de 600–700 mV, mientras que el voltaje
directo de Schottky es de 150–450 mV. Este requisito de voltaje directo más bajo permite
velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema.

3.2.2. Curva de trabajo

Figura 3. Curva de operación diodo Schottky

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)
3.2.3. Funcionamiento

Se forma una unión metal-semiconductor entre un metal y un semiconductor, creando

una barrera Schottky (en lugar de una unión semiconductor-semiconductor como en los
diodos convencionales). Los metales típicos utilizados son molibdeno, platino, cromo o
tungsteno, y ciertos siliciuros (por ejemplo, siliciuro de paladio y siliciuro de platino),
mientras que el semiconductor sería típicamente silicio de tipo n. El lado metálico actúa
como el ánodo, y el semiconductor de tipo n actúa como el cátodo del diodo; lo que
significa que la corriente convencional puede fluir desde el lado del metal hacia el lado
del semiconductor, pero no en la dirección opuesta. Esta barrera de Schottky da como
resultado una conmutación muy rápida y una baja caída de voltaje directo.

La elección de la combinación del metal y el semiconductor determina el voltaje directo

del diodo. Los semiconductores de tipo n y p pueden desarrollar barreras de Schottky.

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Sin embargo, el tipo p típicamente tiene un voltaje directo mucho más bajo. A medida que
la corriente de fuga inversa aumenta drásticamente al disminuir el voltaje directo, no
puede ser demasiado baja, por lo que el rango generalmente empleado es de
aproximadamente 0.5-0.7 V, y los semiconductores de tipo p se emplean muy raramente.
El siliciuro de titanio y otros siliciuros refractarios, que son capaces de soportar las
temperaturas necesarias para el recocido de fuente / drenaje en los procesos CMOS,
generalmente tienen un voltaje directo demasiado bajo para ser útil, por lo que los
procesos que usan estos siliciuros, por lo tanto, generalmente no ofrecen diodos
Schottky.

3.2.4. Ejemplo de aplicación

Figura 4. Ejemplo de aplicación diodo Schottky

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

El diodo convencional consume 0.7V, dejando solo 1.3V para alimentar la carga. Con su
menor caída de voltaje directo, el diodo Schottky consume solo 0.3V, dejando 1.7V para
alimentar la carga. Si nuestra carga requiriera 1.5V, entonces solo el diodo Schottky
estaría listo para el trabajo. Otras ventajas de usar un diodo Schottky sobre un diodo
regular incluyen:

 Tiempo de conmutación más rápido. La pequeña cantidad de carga almacenada

dentro de un diodo Schottky lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de
alta velocidad.
 Menos ruido. El diodo Schottky producirá menos ruido no deseado que el diodo de
unión p-n típico.
 Mejor presentación. El diodo Schottky consumirá menos energía y puede cumplir
fácilmente los requisitos de aplicación de bajo voltaje.

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 3.3. Condensador
3.3.1. Descripción

Un condensador es un dispositivo que almacena energía eléctrica en un campo eléctrico.

Es un componente electrónico pasivo con dos terminales. El efecto de un condensador
se conoce como capacitancia. Si bien existe cierta capacitancia entre dos conductores
eléctricos cercanos en un circuito, un capacitor es un componente diseñado para agregar
capacitancia a un circuito. El condensador se conocía originalmente como un
condensador o condensador. El nombre original todavía se usa ampliamente en muchos
idiomas, pero no comúnmente en inglés.

Cuando se aplica un potencial eléctrico, un voltaje, a través de los terminales de un

condensador, por ejemplo, cuando un condensador está conectado a través de una
batería, se desarrolla un campo eléctrico a través del dieléctrico, causando una carga
positiva neta que se acumula en una placa y una carga negativa neta, para recoger en el
otro plato. Ninguna corriente fluye realmente a través del dieléctrico. Sin embargo, hay
un flujo de carga a través del circuito fuente. Si la condición se mantiene lo suficiente, la
corriente a través del circuito fuente cesa. Si se aplica un voltaje variable en el tiempo a
través de los cables del condensador, la fuente experimenta una corriente continua
debido a los ciclos de carga y descarga del condensador.

3.3.2. Curva de carga y descarga de Voltaje e intensidad.

Figura 5. Curva de operación de un condensador

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

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3.3.3. Circuito básico

Figura 6. Circuito de aplicación condensador

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.3.4. Funcionamiento

Un condensador consta de dos conductores separados por una región no conductora. La

región no conductora puede ser un vacío o un material aislante eléctrico conocido como
dieléctrico. Ejemplos de medios dieléctricos son vidrio, aire, papel, plástico, cerámica e
incluso una región de agotamiento de semiconductores químicamente idéntica a los
conductores. De acuerdo con la ley de Coulomb, una carga sobre un conductor ejercerá
una fuerza sobre los portadores de carga dentro del otro conductor, atrayendo carga de
polaridad opuesta y repeliéndose como cargas de polaridad, por lo que se inducirá una
carga de polaridad opuesta en la superficie del otro conductor. Los conductores
mantienen cargas iguales y opuestas en sus superficies enfrentadas, y el dieléctrico
desarrolla un campo eléctrico.

Un condensador ideal se caracteriza por una capacitancia constante C, en faradios en el

sistema de unidades SI, definida como la relación de la carga positiva o negativa Q en
cada conductor con el voltaje V entre ellos. Una capacitancia de un faradio (F) significa
que un coulomb de carga en cada conductor causa un voltaje de un voltio a través del
dispositivo. Debido a que los conductores (o placas) están muy juntos, las cargas
opuestas en los conductores se atraen entre sí debido a sus campos eléctricos, lo que
permite que el capacitor almacene más carga para un voltaje dado que cuando los
conductores están separados, produciendo una mayor capacidad.

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3.3.5. Ejemplo de aplicación en DC y AC

En corriente continua: Al conectar un condensador en serie con una resistencia a una

fuente de tensión eléctrica (o comúnmente, fuente de alimentación), la corriente empieza
a circular por ambos. El condensador va acumulando carga entre sus placas. Cuando el
condensador se encuentra totalmente cargado, deja de circular corriente por el circuito.
Si se quita la fuente y se coloca el condensador y la resistencia en paralelo, las cargas
empiezan a fluir de una de las placas del condensador a la otra a través de la resistencia,
hasta que la carga o energía almacenada en el condensador es nula. En este caso, la
corriente circulará en sentido contrario al que circulaba mientras el condensador se
estaba cargando.

En corriente alterna: En CA, un condensador ideal ofrece una resistencia al paso de la

electricidad que recibe el nombre de reactancia capacitiva, XC, cuyo valor viene dado por
la inversa del producto de la frecuencia natural (ω=2 π f) por la capacidad del
condensador.

3.4. Potenciómetro Logarítmico

3.4.1. Descripción

Un potenciómetro es una resistencia de tres terminales con un contacto deslizante o

giratorio que forma un divisor de voltaje ajustable. Si solo se usan dos terminales, un
extremo y el limpiador, actúa como una resistencia variable o reóstato. El instrumento de
medición llamado potenciómetro es esencialmente un divisor de voltaje utilizado para
medir el potencial eléctrico (voltaje); El componente es una implementación del mismo
principio, de ahí su nombre.

Los potenciómetros se usan comúnmente para controlar dispositivos eléctricos tales

como controles de volumen en equipos de audio. Los potenciómetros operados por un
mecanismo pueden usarse como transductores de posición, por ejemplo, en un joystick.
Los potenciómetros rara vez se usan para controlar directamente una potencia
significativa (más de un vatio), ya que la potencia disipada en el potenciómetro sería
comparable a la potencia en la carga controlada.

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3.4.2. Circuito básico

Figura 7. Circuito de aplicación del potenciómetro

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.4.3. Funcionamiento

Un potenciómetro logarítmico es un potenciómetro que tiene un sesgo incorporado en el

elemento resistivo. Básicamente, esto significa que la posición central del potenciómetro
no es la mitad del valor total del potenciómetro. El elemento resistivo está diseñado para
seguir un cono logarítmico, también conocido como exponente matemático o perfil
"cuadrado". Un potenciómetro cónico logarítmico está construido con un elemento
resistivo que "se estrecha" de un extremo al otro, o está hecho de un material cuya
resistividad varía de un extremo al otro. Esto da como resultado un dispositivo donde el
voltaje de salida es una función logarítmica de la posición del control deslizante. Los
potenciómetros cónicos logarítmicos a menudo se usan para el volumen o el nivel de
señal en los sistemas de audio, ya que la percepción humana del volumen de audio es
logarítmica.

3.4.4. Ejemplo de aplicación

Los potenciómetros rara vez se usan para controlar directamente cantidades

significativas de energía (más de un vatio más o menos). En su lugar, se utilizan para
ajustar el nivel de señales analógicas (por ejemplo, controles de volumen en equipos de
audio) y como entradas de control para circuitos electrónicos. Por ejemplo, un atenuador

INFORME (ABP)
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de luz utiliza un potenciómetro para controlar la conmutación de un TRIAC e
indirectamente para controlar el brillo de las lámparas.

Los potenciómetros pre-ajustados se utilizan ampliamente en la electrónica donde se

deben realizar ajustes durante la fabricación o el servicio.

 Control de audio: Los potenciómetros de baja potencia, tanto lineales como

rotativos, se utilizan para controlar equipos de audio, cambiar el volumen, la
atenuación de frecuencia y otras características de las señales de audio.
 Televisión: Los potenciómetros se usaban anteriormente para controlar el brillo de
la imagen, el contraste y la respuesta de color. A menudo se usaba un
potenciómetro para ajustar la "retención vertical", que afectaba la sincronización
entre el circuito de barrido interno del receptor (a veces un multivibrador) y la señal
de imagen recibida, junto con otras cosas como el desplazamiento de la portadora
de audio y video, la frecuencia de sintonía (para el empuje -conjunto de botones)
y así sucesivamente.
 Control de movimiento: Los potenciómetros se pueden usar como dispositivos de
retroalimentación de posición para crear un control de "circuito cerrado", como en
un servomecanismo. Este método de control de movimiento utilizado en el motor
de CC es el método más simple para medir el ángulo, la velocidad y el
desplazamiento.
 Transductores: Los potenciómetros también se usan ampliamente como parte de
los transductores de desplazamiento debido a la simplicidad de la construcción y
porque pueden dar una gran señal de salida.
 Para el cálculo: En las computadoras analógicas, los potenciómetros de alta
precisión se utilizan para escalar resultados intermedios por factores constantes
deseados, o para establecer condiciones iniciales para un cálculo. Se puede
utilizar un potenciómetro accionado por motor como generador de funciones,
utilizando una tarjeta de resistencia no lineal para proporcionar aproximaciones a
las funciones trigonométricas. Por ejemplo, la rotación del eje podría representar
un ángulo, y la relación de división de voltaje puede hacerse proporcional al coseno
del ángulo.

INFORME (ABP)
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 3.5. Potenciómetro lineal
3.5.1. Descripción

Un potenciómetro cónico lineal (lineal describe la característica eléctrica del dispositivo,

no la geometría del elemento resistivo) tiene un elemento resistivo de sección transversal
constante, lo que resulta en un dispositivo donde la resistencia entre el contacto
(limpiador) y un terminal es proporcional a la distancia entre ellos. Los potenciómetros
cónicos lineales se usan cuando la relación de división del potenciómetro debe ser
proporcional al ángulo de rotación del eje (o posición del deslizador), por ejemplo,
controles utilizados para ajustar el centrado de la pantalla en un osciloscopio de rayos
catódicos analógico. Los potenciómetros de precisión tienen una relación precisa entre
la resistencia y la posición del deslizador.

3.6. Foto diodo

3.6.1. Descripción

Un fotodiodo es un dispositivo semiconductor que convierte la luz en corriente eléctrica.

La corriente se genera cuando los fotones son absorbidos en el fotodiodo. Los fotodiodos
pueden contener filtros ópticos, lentes incorporados y pueden tener superficies grandes
o pequeñas, generalmente tienen un tiempo de respuesta más lento a medida que
aumenta su área de superficie. La célula solar común y tradicional utilizada para generar
energía solar eléctrica es un fotodiodo de gran área.

Los fotodiodos son similares a los diodos semiconductores normales, excepto que
pueden estar expuestos (para detectar rayos UV o rayos X al vacío) o empacados con
una ventana o conexión de fibra óptica para permitir que la luz llegue a la parte sensible
del dispositivo. Un fotodiodo está diseñado para operar en polarización inversa.

INFORME (ABP)
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3.6.2. Curva de trabajo

Figura 8. Curva de trabajo de un fotodiodo

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.6.3. Circuito básico

Figura 9. Circuito de aplicación fotodiodo

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.6.4. Funcionamiento

Un fotodiodo es una unión PN, cuando un fotón de suficiente energía golpea el diodo,
crea un par electrón-agujero. Este mecanismo también se conoce como efecto
fotoeléctrico interno. Si la absorción ocurre en la región de agotamiento de la unión, o una
distancia de difusión lejos de ella, estos portadores son barridos de la unión por el campo
eléctrico incorporado de la región de agotamiento. Así, los agujeros se mueven hacia el

INFORME (ABP)
18
ánodo, y los electrones hacia el cátodo, y se produce una fotocorriente. La corriente total
a través del fotodiodo es la suma de la corriente oscura (corriente que se genera en
ausencia de luz) y la fotocorriente, por lo que la corriente oscura debe minimizarse para
maximizar la sensibilidad del dispositivo.

3.6.5. Ejemplo de aplicación

Los fotodiodos PN se utilizan en aplicaciones similares a otros fotodetectores, como

fotoconductores, dispositivos acoplados a carga y tubos fotomultiplicadores. Se pueden
usar para generar una salida que depende de la iluminación (analógica; para medición y
similares), o para cambiar el estado de los circuitos (digital; ya sea para control y
conmutación, o procesamiento de señal digital).

Los fotodiodos se utilizan en dispositivos electrónicos de consumo como reproductores

de discos compactos, detectores de humo, dispositivos médicos y los receptores para
dispositivos de control remoto por infrarrojos utilizados para controlar equipos desde
televisores hasta aires acondicionados. Para muchas aplicaciones, se pueden utilizar
fotodiodos o fotoconductores. Se puede usar cualquier tipo de fotosensor para medir la
luz, como en los medidores de luz de la cámara, o para responder a los niveles de luz,
como para encender el alumbrado público después del anochecer. Se pueden usar
fotosensores de todo tipo para responder a la luz incidente o a una fuente de luz que sea
parte del mismo circuito o sistema. Un fotodiodo a menudo se combina en un solo
componente con un emisor de luz, generalmente un diodo emisor de luz (LED), ya sea
para detectar la presencia de una obstrucción mecánica al haz (interruptor óptico
ranurado) o para acoplar dos digitales o analógicos. circuitos mientras se mantiene un
aislamiento eléctrico extremadamente alto entre ellos, a menudo por seguridad
(optoacoplador). La combinación de LED y fotodiodo también se utiliza en muchos
sistemas de sensores para caracterizar diferentes tipos de productos en función de su
absorbancia óptica.

Los fotodiodos a menudo se usan para medir con precisión la intensidad de la luz en la
ciencia y la industria. Generalmente tienen una respuesta más lineal que los
fotoconductores. También se usan ampliamente en diversas aplicaciones médicas, como

INFORME (ABP)
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detectores para tomografía computarizada (junto con centelleadores), instrumentos para
analizar muestras (inmunoensayo) y oxímetros de pulso. En cambio, si se necesita una
alta sensibilidad, se utilizan fotodiodos de avalancha, dispositivos intensificados con
carga acoplada o tubos fotomultiplicadores para aplicaciones como astronomía,
espectroscopía, equipos de visión nocturna y detección de alcance con láser.

3.7. Foto transistor

3.7.1. Descripción

El fototransistor es un dispositivo sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz

incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el
transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por
el efecto de ganancia propio del transistor. Un fototransistor es igual a un transistor
común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:

 Como transistor normal con la corriente de base LB (modo común).

 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. LP (modo de iluminación).

Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se utiliza

principalmente con el pin de la base sin conectar. En el mercado se encuentran
fototransistores tanto con conexión de base como sin ella y tanto en cápsulas plásticas
como metálicas provistas de una lente.

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc. Para
comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. También
se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor
de proximidad. Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a
un transistor común un fotodiodo, conectando en el colector del transistor el cátodo del
fotodiodo y el ánodo a la base.

INFORME (ABP)
20
3.7.2. Circuito básico

Figura 10. Circuito de aplicación fototransistor

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.7.3. Ejemplo de aplicación

Algunos de los principales usos del fototransistor son:

 Usados en los lectores de CD, recuperando la información grabada en el surco del

Cd transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en impulsos eléctricos
para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
 Usados en fibra óptica para la recepción de datos

3.8. Relé de estado solido

3.8.1. Descripción

Un relé de estado sólido (SSR) es un dispositivo de conmutación electrónica que se

enciende o apaga cuando se aplica un pequeño voltaje externo a través de sus terminales
de control. Los SSR consisten en un sensor que responde a una entrada apropiada (señal
de control), un dispositivo de conmutación electrónica de estado sólido que conmuta la
alimentación a los circuitos de carga y un mecanismo de acoplamiento para permitir que
la señal de control active este interruptor sin piezas mecánicas. El relé puede estar
diseñado para conmutar CA o CC a la carga. Cumple la misma función que un relé
electromecánico, pero no tiene partes móviles.

Los relés de estado sólido empaquetados utilizan dispositivos semiconductores de

potencia, como tiristores y transistores, para conmutar corrientes de hasta alrededor de

INFORME (ABP)
21
cien amperios. Los relés de estado sólido tienen velocidades de conmutación rápidas en
comparación con los relés electromecánicos y no tienen contactos físicos que desgastar.
La aplicación de relés de estado sólido debe tener en cuenta su menor capacidad para
resistir sobrecargas momentáneas, en comparación con los contactos electromecánicos,
y su mayor resistencia de estado "activado". A diferencia de un relé electromecánico, un
relé de estado sólido proporciona solo disposiciones de conmutación limitadas
(conmutación SPST).

3.8.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano.

Figura 11. Simbología de un relé de estado sólido SSR

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.8.3. Funcionamiento

Un SSR basado en un único MOSFET, o múltiples MOSFET en una matriz en paralelo,

puede funcionar bien para cargas de CC. Los MOSFET tienen un diodo de sustrato
inherente que conduce en la dirección inversa, por lo que un solo MOSFET no puede
bloquear la corriente en ambas direcciones. Para la operación de CA (bidireccional), dos
MOSFET están dispuestos consecutivamente con sus pines de fuente unidos. Sus
pasadores de drenaje están conectados a ambos lados de la salida. Los diodos del
sustrato se polarizan alternativamente para bloquear la corriente cuando el relé está
apagado. Cuando el relé está activado, la fuente común siempre está en el nivel de señal
instantánea y ambas puertas tienen una polarización positiva con respecto a la fuente por
el fotodiodo. Es común proporcionar acceso a la fuente común para que se puedan
conectar múltiples MOSFET en paralelo si se cambia una carga de CC. Por lo general,
se proporciona una red para acelerar el apagado del MOSFET cuando se elimina la
entrada de control.

INFORME (ABP)
22
3.8.4. Ejemplo de aplicación

La aplicación de los relés de estado sólido sobre los equipos electromecánicos es

especialmente útil cuando se requieren las siguientes características:

 Menor tamaño, permitiendo elementos más compactos y automatizables.

 Menor tensión de trabajo, se activan desde 1,5V o menos.
 Funcionamiento totalmente silencioso.
 Los SSR son más rápidos que los relés electromecánicos; su tiempo de conmutación
depende del tiempo requerido para encender el LED de control, del orden de
microsegundos a milisegundos.
 Vida útil más larga, incluso si se activa muchas veces, ya que no hay partes
mecánicas que se desgasten o contactos que se deterioren a altos amperajes.
 La resistencia de salida se mantiene constante independientemente del uso.
 Limpieza de conexión, no hay rebote en la conmutación de los contactos.
 Sin chispas, no se producen arcos eléctricos, lo que permite ser usados en ambientes
explosivos donde es crítico que no se produzcan chispas en la conexión.
 Mucho menos sensible al almacenaje y ambiente operativo, como los golpes,
vibraciones, humedad, y campos magnéticos externos.
 No produce ondas electromagnéticas que puedan producir interferencias en otros
equipos.

3.9. Relé convencional

3.9.1. Descripción

Un relé es un interruptor accionado eléctricamente. Consiste en un conjunto de terminales

de entrada para una o varias señales de control, y un conjunto de terminales de contacto
operativos. El conmutador puede tener cualquier número de contactos en múltiples
formas de contacto, como hacer contactos, romper contactos o combinaciones de estos.

Los relés se utilizan donde es necesario controlar un circuito mediante una señal
independiente de baja potencia, o donde varios circuitos deben controlarse mediante una
señal. Los relés se utilizaron por primera vez en circuitos de telégrafo de larga distancia

INFORME (ABP)
23
como repetidores de señal: refrescan la señal que entra desde un circuito transmitiéndola
a otro circuito. Los relés se utilizaron ampliamente en centrales telefónicas y
computadoras tempranas para realizar operaciones lógicas.

La forma tradicional de un relé utiliza un electroimán para cerrar o abrir los contactos. Los
relés de enclavamiento requieren solo un pulso de potencia de control para operar el
interruptor de manera persistente. Otro pulso aplicado a un segundo conjunto de
terminales de control, o un pulso con polaridad opuesta, restablece el interruptor,
mientras que los pulsos repetidos del mismo tipo no tienen efectos. Los relés de
enclavamiento magnéticos son útiles en aplicaciones cuando la energía interrumpida no
debe afectar los circuitos que controla el relé.

3.9.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano.

La Asociación Nacional de Fabricantes de Relé y su sucesor, la Asociación de la Industria

de Relé e Interruptor, definen 23 formas distintas de contacto eléctrico que se encuentran
en los relés e interruptores. De estos, se encuentran comúnmente los siguientes:

 Los relés SPST-NO (unipolar de un solo tiro, normalmente abiertos) tienen un solo
contacto de Forma A o hacen contacto. Estos tienen dos terminales que se pueden
conectar o desconectar. Incluyendo dos para la bobina, dicho relé tiene cuatro
terminales en total.
 Los relés SPST-NC (unipolar de un solo tiro, normalmente cerrados) tienen un solo
contacto de forma B o de ruptura. Al igual que con un relé SPST-NO, dicho relé
tiene cuatro terminales en total.
 Los relés SPDT (Single-Pole Double-Throw) tienen un solo conjunto de Forma C,
se rompen antes de hacer o transferir contactos. Es decir, una terminal común se
conecta a cualquiera de las otras dos, sin conectarse nunca a ambas al mismo
tiempo. Incluyendo dos para la bobina, dicho relé tiene un total de cinco terminales.
 DPST: los relés de un solo polo de doble polo son equivalentes a un par de
interruptores o relés SPST accionados por una sola bobina. Incluyendo dos para
la bobina, dicho relé tiene un total de seis terminales. Los polos pueden ser Forma

INFORME (ABP)
24
 A o Forma B (o uno de cada uno; las designaciones NO y NC deben usarse para
resolver la ambigüedad).
 DPDT: los relés de doble polo y tiro tienen dos juegos de contactos de forma C.
Son equivalentes a dos interruptores SPDT o relés accionados por una sola
bobina. Tal relé tiene ocho terminales, incluida la bobina.
 Forma D - hacer antes del descanso
 Forma E - combinación de D y B

Figura 12. Simbología de un relé convencional

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.9.3. Circuito básico

INFORME (ABP)
25
 Figura 13. Circuito básico de conexión de un relé convencional
Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.9.4. Funcionamiento

El electroimán hace girar la armadura verticalmente al ser alimentada, cerrando los

contactos dependiendo de si es N.A o N.C (con normalidad abierto o normalmente
cerrado). Si se le aplica un voltaje a la bobina se genera un campo magnético, que
provoca que los contactos hagan una conexión. Estos contactos pueden ser
considerados como el interruptor, que permite que la corriente fluya entre los dos puntos
que cerraron el circuito.

3.9.5. Comparación versus relé de estado solido

El relé de estado sólido a diferencia del relé electromecánico es usado generalmente para
aplicaciones donde se presenta un uso continuo de los contactos del relé que en
comparación con un relé convencional generaría un serio desgaste mecánico, además
de poder conmutar altos amperajes que en el caso del relé electromecánico destruirían
en poco tiempo los contactos. Estos relés permiten una velocidad de conmutación muy
superior a la de los relés electromecánicos.

INFORME (ABP)
26
 3.10. Amplificador Operacional: descripción, A.O Ideal versus A.O real

Un amplificador operacional (a menudo amplificador operacional u op amp) es un

amplificador de voltaje electrónico de alta ganancia acoplado a CC con una entrada
diferencial y, por lo general, una salida de un solo extremo. En esta configuración, un
amplificador operacional produce un potencial de salida (relativo a la tierra del circuito)
que es típicamente cientos de miles de veces mayor que la diferencia de potencial entre
sus terminales de entrada. Los amplificadores operacionales tuvieron su origen en
computadoras analógicas, donde se usaron para realizar operaciones matemáticas en
muchos circuitos lineales, no lineales y dependientes de la frecuencia.

La popularidad del amplificador operacional como bloque de construcción en los circuitos

analógicos se debe a su versatilidad. Al usar retroalimentación negativa, las
características de un circuito de amplificador operacional, su ganancia, impedancia de
entrada y salida, ancho de banda, etc. están determinadas por componentes externos y
tienen poca dependencia de los coeficientes de temperatura o tolerancia de ingeniería en
el amplificador operacional.

3.10.1. Diferencias entre un amplificador operacional ideal frente a real

Amplificadores operacionales ideales: Un amplificador operacional ideal

generalmente se considera que tiene las siguientes características:

 Ganancia infinita de bucle abierto G = vout / vin

 Impedancia de entrada infinita Rin, y así corriente de entrada cero
 Voltaje de compensación de entrada cero
 Rango de voltaje de salida infinito
 Ancho de banda infinito con desplazamiento de fase cero y velocidad de respuesta
infinita
 Impedancia de salida cero Rout
 Cero ruidos
 Relación de rechazo de modo común (CMRR) infinita
 Relación de rechazo de fuente de alimentación infinita.

INFORME (ABP)
27
 En un circuito cerrado, la salida intenta hacer lo que sea necesario para que la
diferencia de voltaje entre las entradas sea cero.
 Las entradas no consumen corriente.

Ninguno de estos ideales puede realizarse perfectamente. Un amplificador operacional

real puede modelarse con parámetros no infinitos o distintos de cero utilizando
resistencias y condensadores equivalentes en el modelo de amplificador operacional. El
diseñador puede incluir estos efectos en el rendimiento general del circuito final. Algunos
parámetros pueden tener un efecto insignificante en el diseño final, mientras que otros
representan limitaciones reales del rendimiento final que deben evaluarse.

3.11. Simbología del componente según estándar europeo/americano.

Figura 13. Simbología de un amplificador operacional

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.12. Transistor BJT

3.12.1. Descripción

Un transistor de unión bipolar (transistor bipolar o BJT) es un tipo de transistor que utiliza
electrones y agujeros como portadores de carga. Los transistores unipolares, como los
transistores de efecto de campo, solo usan un tipo de portador de carga. Los BJT usan
dos uniones entre dos tipos de semiconductores, tipo n y tipo p. Los BJT se fabrican en
dos tipos: NPN y PNP, y están disponibles como componentes individuales o fabricados
en circuitos integrados, a menudo en grandes cantidades.

INFORME (ABP)
28
3.12.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano.

Figura 14. Simbología de un transistor BJT

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.12.3. Circuitos de polarización

Figura 15. Circuitos de polarización

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

Los circuitos de polarización de BJT más estudiados son: a) Polarización Fija, b)

Polarización en Emisor, c) Polarización por Divisor de Voltaje, d) Polarización por
Realimentación de colector, y e) Polarización por realimentación de colector y de emisor.

3.12.4. Funcionamiento

El flujo de carga en un BJT se debe a la difusión de portadores de carga a través de una

unión entre dos regiones de diferentes concentraciones de carga. Las regiones de un
BJT se denominan emisor, base y colector. Un transistor discreto tiene tres cables para
conectarse a estas regiones. Por lo general, la región del emisor está muy dopada en
comparación con las otras dos capas, y el colector está dopado mucho más ligero que la
base (el dopaje del colector suele ser diez veces más ligero que el dopado base). Por
diseño, la mayor parte de la corriente del colector BJT se debe al flujo de portadores de
carga (electrones u orificios) inyectados desde un emisor fuertemente dopado en la base

INFORME (ABP)
29
donde son portadores minoritarios que se difunden hacia el colector, por lo que los BJT
se clasifican como dispositivos portadores minoritarios.

En la operación típica, la unión base-emisor está polarizada hacia adelante, lo que

significa que el lado dopado p de la unión tiene un potencial más positivo que el lado
dopado n, y la unión base-colector está polarizada inversamente. Cuando se aplica
polarización directa a la unión base-emisor, se altera el equilibrio entre los portadores
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región de agotamiento del
emisor n-dopado. Esto permite que los electrones excitados térmicamente se inyecten
desde el emisor en la región base. Estos electrones se difunden a través de la base desde
la región de alta concentración cerca del emisor hacia la región de baja concentración
cerca del colector. Los electrones en la base se llaman portadores minoritarios porque la
base es dopada tipo p, lo que hace que los agujeros sean el portador mayoritario en la
base.

Para minimizar la fracción de portadores que se recombinan antes de llegar a la unión

base-colector, la región base del transistor debe ser lo suficientemente delgada como
para que los portadores puedan difundirse a través de ella en mucho menos tiempo que
la vida útil del portador minoritario del semiconductor. Tener una base ligeramente
dopada asegura que las tasas de recombinación sean bajas. En particular, el grosor de
la base debe ser mucho menor que la longitud de difusión de los electrones. La unión de
la base del colector tiene una polarización inversa, por lo que se produce una inyección
de electrones insignificante desde el colector a la base, pero los portadores que se
inyectan en la base y se difunden para alcanzar la región de agotamiento de la base del
colector son arrastrados hacia el colector por el campo eléctrico. En la región de
agotamiento La delgada base compartida y el dopaje asimétrico del colector-emisor son
los que diferencian un transistor bipolar de dos diodos separados y polarizados
opuestamente conectados en serie.

3.12.5. Curva de trabajo

INFORME (ABP)
30
 Figura 16. Curva de trabajo de un transistor BJT
Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.12.6. Ejemplo de aplicación

Figura 17. Aplicación de un transistor BJT Amplificación de una señal a través de un

transistor BJT
Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.13. Transistor JFET

3.13.1. Descripción

El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es uno de los tipos más simples de
transistor de efecto de campo. Los JFET son dispositivos semiconductores de tres

INFORME (ABP)
31
terminales que pueden usarse como interruptores controlados electrónicamente,
amplificadores o resistencias controladas por voltaje.

A diferencia de los transistores bipolares, los JFET están controlados exclusivamente por
voltaje ya que no necesitan una corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través
de un canal semiconductor entre la fuente y los terminales de drenaje. Al aplicar un voltaje
de polarización inversa a un terminal de puerta, el canal se "pellizca", de modo que la
corriente eléctrica se impide o se apaga por completo. Un JFET generalmente está
encendido cuando no hay voltaje entre su puerta y los terminales de la fuente. Si se aplica
una diferencia de potencial de la polaridad adecuada entre sus terminales de puerta y
fuente, el JFET será más resistente al flujo de corriente, lo que significa que fluiría menos
corriente en el canal entre la fuente y los terminales de drenaje. Los JFET a veces se
denominan dispositivos de modo de agotamiento ya que se basan en el principio de una
región de agotamiento que carece de portadores de carga mayoritarios; y la región de
agotamiento tiene que estar cerrada para permitir que fluya la corriente.

Los JFET pueden tener un canal tipo n o tipo p. En el tipo n, si el voltaje aplicado a la
puerta es menor que el aplicado a la fuente, la corriente se reducirá (de manera similar
en el tipo p, si el voltaje aplicado a la puerta es mayor que el aplicado a la fuente) Un
JFET tiene una gran impedancia de entrada (a veces del orden de 1010 ohmios), lo que
significa que tiene un efecto insignificante en los componentes o circuitos externos
conectados a su puerta.

3.13.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano.

Figura 18. Simbología de un transistor JFET

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.13.2.1. Circuitos de polarización

INFORME (ABP)
32
 Figura 19. Circuitos de polarización de un transistor JFET
Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.13.3. Funcionamiento

La operación JFET se puede comparar con la de una manguera de jardín. El flujo de agua
a través de una manguera se puede controlar apretándolo para reducir la sección
transversal y el flujo de carga eléctrica a través de un JFET se controla al restringir el
canal de transporte de corriente. La corriente también depende del campo eléctrico entre
la fuente y el drenaje (análogo a la diferencia de presión en cada extremo de la
manguera). Esta dependencia de corriente no está respaldada por las características que
se muestran en el diagrama de arriba de cierto voltaje aplicado. Esta es la región de
saturación, y el JFET normalmente funciona en esta región de corriente constante donde
la corriente del dispositivo no se ve afectada por el voltaje de la fuente de drenaje. El
JFET comparte esta característica de corriente constante con transistores de unión y con
tetrodos y pentodos de tubo termiónico (válvula).

La constricción del canal conductor se logra usando el efecto de campo: se aplica un

voltaje entre la puerta y la fuente para polarizar inversamente la unión PN de la fuente de
la puerta, ampliando así la capa de agotamiento de esta unión (ver figura superior),
invadiendo la conduciendo el canal y restringiendo su área de sección transversal. La
capa de agotamiento se llama así porque está agotada de los operadores móviles y, por
lo tanto, no es eléctricamente conductora para fines prácticos.

INFORME (ABP)
33
Cuando la capa de agotamiento se extiende por el ancho del canal de conducción, se
logra el pinzamiento y se detiene la conducción de drenaje a la fuente. Para apagar un
dispositivo de canal n se requiere un voltaje negativo de fuente de puerta (VGS). Por el
contrario, apagar un dispositivo de canal p requiere VGS positivo. En funcionamiento
normal, el campo eléctrico desarrollado por la compuerta bloquea en cierta medida la
conducción de la fuente de drenaje.

3.13.4. Curva de trabajo

Figura 20. Curva de trabajo de un transistor JFET

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.13.5. Ejemplo de aplicación

El transistor de efecto de campo de unión (JFET) se utiliza como:

 fuente de corriente constante.

 un amplificador buffer.
 un interruptor electrónico.
 oscilador de cambio de fase.
 amplificador de banda ancha de alta impedancia.
 resistencia variable de voltaje (VVR) o resistencia de desarrollo de voltaje (VDR).
3.14. Transistor MOSFET
3.14.1. Descripción

INFORME (ABP)
34
El transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET, MOS-FET o
MOS FET), también conocido como el transistor de metal-óxido-silicio (transistor MOS o
MOS), es un tipo de efecto de campo Transistor fabricado por la oxidación controlada de
un semiconductor, típicamente silicio. Tiene una puerta cubierta, cuyo voltaje determina
la conductividad del dispositivo. Esta capacidad de cambiar la conductividad con la
cantidad de voltaje aplicado se puede usar para amplificar o cambiar señales
electrónicas.

El MOSFET es, con mucho, el dispositivo semiconductor más común en circuitos digitales
y analógicos. Fue el primer transistor realmente compacto que podía miniaturizarse y
producirse en masa para una amplia gama de usos, revolucionando la industria
electrónica y, a su vez, la economía mundial, ya que fue fundamental para la revolución
informática, la revolución digital, la revolución de la información, la era del silicio y edad
de información.

Una ventaja clave de un MOSFET es que casi no requiere corriente de entrada para
controlar la corriente de carga, en comparación con los transistores de unión bipolar
(BJT). En un modo de mejora MOSFET, el voltaje aplicado al terminal de puerta puede
aumentar la conductividad desde el estado "normalmente apagado". En un modo
MOSFET de agotamiento, el voltaje aplicado en la puerta puede reducir la conductividad
desde el estado "normalmente encendido". Los MOSFET también son capaces de una
gran escalabilidad (ley de Moore y escala de Dennard), con miniaturización creciente, y
pueden reducirse fácilmente a dimensiones más pequeñas. También consumen mucha
menos energía y permiten una mayor densidad que los transistores bipolares. El
MOSFET también es más barato y tiene pasos de procesamiento relativamente simples,
lo que resulta en un alto rendimiento de fabricación.

El nombre "metal-óxido-semiconductor" (MOS) generalmente se refiere a una puerta de

metal, aislamiento de óxido y semiconductor (típicamente silicio). Sin embargo, el "metal"
en el nombre MOSFET a veces es un nombre inapropiado, porque el material de la puerta
también puede ser una capa de polisilicio (silicio policristalino). Junto con el óxido,
también se pueden usar diferentes materiales dieléctricos con el objetivo de obtener
canales fuertes con voltajes aplicados más pequeños. El condensador MOS también es

INFORME (ABP)
35
parte de la estructura MOSFET. Dado que los MOSFET se pueden hacer con
semiconductores tipo p o tipo n (lógica PMOS o NMOS, respectivamente), se pueden
usar pares complementarios de transistores MOS para hacer circuitos de conmutación
con muy bajo consumo de energía, en forma de MOS complementario (CMOS) lógica.

3.14.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano.

Se utiliza una variedad de símbolos para el MOSFET. El diseño básico es generalmente

una línea para el canal con la fuente y el drenaje que lo deja en ángulo recto y luego se
dobla en ángulo recto en la misma dirección que el canal. Algunas veces se utilizan tres
segmentos de línea para el modo de mejora y una línea continua para el modo de
reducción (ver modos de reducción y mejora). Se dibuja otra línea paralela al canal para
la puerta.

La conexión de masa o cuerpo, si se muestra, se muestra conectada a la parte posterior

del canal con una flecha que indica pMOS o nMOS. Las flechas siempre apuntan de P a
N, por lo que un NMOS (canal N en el pozo P o sustrato P) tiene la flecha apuntando
hacia adentro (desde el volumen al canal). Si el volumen está conectado a la fuente (como
suele ser el caso con los dispositivos discretos), a veces está en ángulo para encontrarse
con la fuente que sale del transistor. Si no se muestra el volumen (como suele ser el caso
en el diseño de circuitos integrados, ya que generalmente son voluminosos comunes) a
veces se usa un símbolo de inversión para indicar PMOS, alternativamente, se puede
usar una flecha en la fuente de la misma manera que para los transistores bipolares (fuera
para nMOS, dentro para pMOS).

Comparación de los símbolos MOSFET en modo de mejora y en modo de agotamiento,

junto con los símbolos JFET. La orientación de los símbolos (más significativamente la
posición de la fuente en relación con el drenaje) es tal que aparecen más voltajes
positivos en la página que menos voltajes positivos, lo que implica que la corriente fluye
"hacia abajo" en la página:

INFORME (ABP)
36
 Figura 21. Comparación entre de la simbología de los distintos tipos de transistores
Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.14.3. Circuitos de polarización

Figura 22. Circuito de trabajo de un transistor MOSFET

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.14.4. Funcionamiento

La estructura tradicional de metal-óxido-semiconductor (MOS) se obtiene haciendo

crecer una capa de dióxido de silicio (SiO) encima de un sustrato de silicio, comúnmente
por oxidación térmica y depositando una capa de metal o silicio policristalino (este último
se usa comúnmente). Como el dióxido de silicio es un material dieléctrico, su estructura
es equivalente a un condensador plano, con uno de los electrodos reemplazado por un
semiconductor.

INFORME (ABP)
37
Convencionalmente, el voltaje de la puerta al cual la densidad de volumen de los
electrones en la capa de inversión es la misma que la densidad de volumen de los
agujeros en el cuerpo se llama voltaje de umbral. Cuando el voltaje entre la puerta del
transistor y la fuente (VGS) excede el voltaje umbral (Vth), la diferencia se conoce como
voltaje de sobremarcha.

Esta estructura con cuerpo de tipo p es la base del MOSFET de tipo n, que requiere la
adición de fuentes de origen y regiones de drenaje de tipo n.

3.14.5. Comparación MOSFET versus BJT

 El BJT es un transistor de unión bipolar, mientras que MOSFET es un transistor de
efecto de campo de semiconductor de óxido metálico.
 Un BJT tiene tres terminales, a saber, base, emisor y colector, mientras que un
MOSFET tiene tres terminales, a saber, fuente, drenaje y compuerta.
 Los BJT se usan para aplicaciones de baja corriente, mientras que MOSFET se usa
para aplicaciones de alta potencia.
 Hoy en día, en los circuitos analógicos y digitales, los MOSFET son tratados para ser
utilizados más comúnmente que los BJTS.
 El funcionamiento de BJT depende de la corriente en el terminal base y el
funcionamiento del MOSFET depende del voltaje en el electrodo
 El BJT es un dispositivo controlado por corriente y MOSFET es un dispositivo
controlado por voltaje.
 Los MOSFET se utilizan más que los BJT en la mayoría de las aplicaciones.
 La estructura del MOSFET es más compleja que BJT
3.14.6. Ejemplo de aplicación

Los MOSFET permiten circuitos integrados (CI) de alta densidad, como chips de memoria
y microprocesadores, y son los dispositivos de alimentación más comunes. Los MOSFET
se utilizan para muchas aplicaciones, como amplificadores de audio, automotores,
biosensores, cámaras, calculadoras, computadoras, electrónica de consumo, pantallas,
entretenimiento doméstico, equipos industriales, Internet, iluminación LED, dispositivos
móviles, instrumentos musicales, electrónica de potencia, fuentes de alimentación. ,
Impresoras 3D, amplificadores de RF, satélites, naves espaciales, telecomunicaciones,

INFORME (ABP)
38
televisión, videojuegos, relojes, redes inalámbricas y rayos X, entre otros usos. Se
considera que el MOSFET es posiblemente la invención más importante en electrónica.

3.15. Fotorresistencia
3.15.1. Descripción

Un fotorresistor (o resistencia dependiente de la luz, LDR o célula fotoconductora) es una

resistencia variable controlada por la luz. La resistencia de un fotorresistor disminuye al
aumentar la intensidad de la luz incidente; en otras palabras, exhibe fotoconductividad.
Se puede aplicar una fotorresistencia en circuitos detectores sensibles a la luz y en
circuitos de conmutación activados por luz y por oscuridad.

3.15.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano.

Figura 23. Símbolo según estándar de un fotorresistor

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

3.15.3. Circuito básico

Figura 24. Circuito de trabajo de un fotorresistor

Fuente: (Mehta & Mehta, 2017)

En el presente un circuito se tiene un LED que varía en intensidad mediante un

fotorresistor.

3.15.4. Funcionamiento

INFORME (ABP)
39
Un fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia. En la oscuridad, un
fotorresistor puede tener una resistencia tan alta como varios megaohmios (MΩ),
mientras que, en la luz, un fotorresistor puede tener una resistencia tan baja como unos
pocos cientos de ohmios. Si la luz incidente en un fotorresistor excede una cierta
frecuencia, los fotones absorbidos por el semiconductor dan a los electrones unidos
suficiente energía para saltar a la banda de conducción. Los electrones libres resultantes
conducen electricidad, disminuyendo así la resistencia. El rango de resistencia y la
sensibilidad de un fotorresistor pueden diferir sustancialmente entre dispositivos
diferentes. Además, los fotorresistores únicos pueden reaccionar de manera
sustancialmente diferente a los fotones dentro de ciertas bandas de longitud de onda.

Un dispositivo fotoeléctrico puede ser intrínseco o extrínseco. Un semiconductor

intrínseco tiene sus propios portadores de carga y no es un semiconductor eficiente, por
ejemplo, silicio. En los dispositivos intrínsecos, los únicos electrones disponibles están
en la banda de valencia y, por lo tanto, el fotón debe tener suficiente energía para excitar
al electrón en todo el intervalo de banda. Los dispositivos extrínsecos tienen impurezas,
también llamadas dopantes, cuya energía del estado fundamental está más cerca de la
banda de conducción; Como los electrones no tienen que saltar tanto, los fotones de
menor energía (es decir, longitudes de onda más largas y frecuencias más bajas) son
suficientes para activar el dispositivo. Si una muestra de silicio tiene algunos de sus
átomos reemplazados por átomos de fósforo (impurezas), habrá electrones adicionales
disponibles para la conducción. Este es un ejemplo de un semiconductor extrínseco.

3.15.5. Ejemplo de aplicación

Los fotorresistores vienen en muchos tipos. Se pueden encontrar celdas económicas de

sulfuro de cadmio en muchos artículos de consumo, como medidores de luz de cámara,
radios de reloj, dispositivos de alarma (como el detector de un haz de luz), luces
nocturnas, relojes para exteriores, farolas y montantes solares, etc. Los fotorresistores se
pueden colocar en farolas para controlar cuándo la luz está encendida. La luz ambiental
que cae sobre la fotorresistencia hace que la luz de la calle se apague. Por lo tanto, se
ahorra energía al garantizar que la luz solo esté encendida durante las horas de
oscuridad.

INFORME (ABP)
40
También se usan en algunos compresores dinámicos junto con una pequeña lámpara
incandescente o de neón, o un diodo emisor de luz para controlar la reducción de
ganancia. Se puede encontrar un uso común de esta aplicación en muchos
amplificadores de guitarra que incorporan un efecto de trémolo integrado, ya que los
patrones de luz oscilante controlan el nivel de señal que atraviesa el circuito del
amplificador.

El uso de fotorresistores CdS y CdSe está severamente restringido en Europa debido a

la prohibición de RoHS al cadmio. Las LDR (resistencias dependientes de la luz) de
sulfuro de plomo (PbS) y antimonuro de indio (InSb) se utilizan para la región espectral
de infrarrojo medio. Ge: los fotoconductores de Cu se encuentran entre los mejores
detectores de infrarrojo lejano disponibles y se utilizan para astronomía.

3.16. SCR
3.16.1. Descripción

Un rectificador controlado por silicio o un rectificador controlado por semiconductores es

un dispositivo de control de corriente de estado sólido de cuatro capas. Algunas fuentes
definen rectificadores y tiristores controlados por silicio como sinónimos, otras fuentes
definen rectificadores controlados por silicio como un subconjunto apropiado del conjunto
de tiristores, que son dispositivos con al menos cuatro capas de material alternativo de
tipo n y p. Los SCR son dispositivos unidireccionales (es decir, pueden conducir la
corriente solo en una dirección) en oposición a los TRIAC, que son bidireccionales (es
decir, los portadores de carga pueden fluir a través de ellos en cualquier dirección). Los
SCR pueden activarse normalmente solo por corrientes que entran en la puerta en lugar
de los TRIAC, que pueden activarse normalmente por una corriente positiva o negativa
aplicada a su electrodo de puerta.

3.16.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano.

INFORME (ABP)
41
3.16.3. Circuito básico y ejemplo de funcionamiento

Este simple circuito de encendido de SCR de "encendido y apagado" utiliza el SCR como
interruptor para controlar una lámpara, pero también podría usarse como un circuito de
control de encendido y apagado para un motor, calentador o alguna otra carga de CC. El
SCR está polarizado hacia adelante y se activa en la conducción al cerrar brevemente el
botón pulsador "ENCENDIDO" normalmente abierto, S1 que conecta el terminal de la
puerta al suministro de CC a través de la resistencia de la puerta, RG permitiendo así que
la corriente fluya hacia la puerta. Si el valor de RG se establece demasiado alto con
respecto a la tensión de alimentación, es posible que el SCR no se active.

Una vez que el circuito se ha puesto en "ENCENDIDO", se autobloquea y permanece

"ENCENDIDO" incluso cuando se suelta el botón, siempre que la corriente de carga sea
mayor que la corriente de enganche de los SCR.

3.16.4. Funcionamiento

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la encargada
de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como

INFORME (ABP)
42
un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido.
Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción y
en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. Trabajando
en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en
corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el
circuito.

El pulso de conmutación ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo si se

está trabajando en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o adelante el
pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga.
Una vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará
conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de
mantenimiento (en la práctica, cuando la onda senoidal cruza por cero)

Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un tiristor,
éste puede dispararse y entrar en conducción aun sin corriente de puerta. Por ello se da
como característica la tasa máxima de subida de tensión que permite mantener
bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parásito existente entre
la puerta y el ánodo.

Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del control,

especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como interruptor de
tipo electrónico.

3.17. TRIAC
3.17.1. Descripción

TRIAC, o triodo para corriente alterna, es una marca comercial genérica para un
componente electrónico de tres terminales que conduce corriente en cualquier dirección
cuando se dispara. Su nombre formal es tiristor triodo bidireccional o tiristor triodo

INFORME (ABP)
43
bilateral. Un tiristor es análogo a un relé porque una corriente inducida por un voltaje
pequeño puede controlar un voltaje y una corriente mucho más grandes

Los TRIAC son un subconjunto de tiristores y están relacionados con los rectificadores
controlados por silicio (SCR). Los TRIAC difieren de los SCR en que permiten el flujo de
corriente en ambas direcciones, mientras que un SCR solo puede conducir corriente en
una sola dirección. La mayoría de los TRIAC se pueden activar aplicando un voltaje
positivo o negativo a la puerta (un SCR requiere un voltaje positivo). Una vez activados,
los SCR y TRIAC continúan conduciéndose, incluso si la corriente de la puerta cesa,
hasta que la corriente principal cae por debajo de un cierto nivel llamado corriente de
retención.

3.17.2. Simbología del componente según estándar europeo/americano.

3.17.3. Funcionamiento

La bidireccionalidad de TRIAC los convierte en conmutadores convenientes para

corriente alterna (CA). Además, la aplicación de un disparador en un ángulo de fase
controlado de la CA en el circuito principal permite controlar la corriente promedio que
fluye hacia una carga (control de fase). Esto se usa comúnmente para controlar la
velocidad de un motor universal, atenuar lámparas y controlar calentadores eléctricos.

3.17.4. Ejemplo de aplicación

Los TRIAC de baja potencia se utilizan en muchas aplicaciones, como reguladores de

luz, controles de velocidad para ventiladores y otros motores eléctricos, y en los

INFORME (ABP)
44
modernos circuitos de control computarizados de muchos electrodomésticos pequeños y
grandes.

Cuando los microcontroladores activan los TRIAC de tensión de red, con frecuencia se
utilizan optoaisladores; por ejemplo, los optotriacos se pueden usar para controlar la
corriente de la puerta. Alternativamente, donde la seguridad lo permite y no es necesario
el aislamiento eléctrico del controlador, uno de los rieles de alimentación del
microcontrolador puede estar conectado a una de las fuentes de alimentación. En estas
situaciones, es normal conectar el terminal neutro al riel positivo de la fuente de
alimentación del microcontrolador, junto con A1 del triac, con A2 conectado a la corriente.
La puerta del TRIAC se puede conectar a través de un transistor optoaislado y, a veces,
una resistencia al microcontrolador, de modo que al reducir el voltaje al cero lógico del
microcontrolador, se obtiene suficiente corriente a través de la puerta del TRIAC para
activarlo. Esto asegura que el TRIAC se active en los cuadrantes II y III y evita el
cuadrante IV donde los TRIAC son típicamente insensibles.

3.18. Electrónica digital

3.18.1. Tabla de verdad y compuertas lógicas
3.18.2. COMPUERTA SI (BUFFER)

Esta compuerta parece no tener mucho sentido, ya que muestra a la salida el mismo valor
que en la entrada, pero en realidad tiene mucho sentido a la hora de realizar adaptaciones
de corriente de diferentes etapas de un circuito.

3.18.3. COMPUERTA NOT

Todo lo que ingresa por la entrada, a la salida entrega lo opuesto, si ingresa un estado
alto “1” a la salida se verá un estado bajo “0” por ejemplo, tiene una sola entrada.

INFORME (ABP)
45
3.18.4. COMPUERTA AND

Para que una compuerta AND entregue un uno a la salida, todas las entradas deben
también estar en uno, basta con que alguna con lo esté para que en la salida se vea un
cero, “Si condición uno Y condición dos Y condición tres se cumplen, entonces la salida
será verdadera.”

3.18.5. COMPUERTA OR

Esta compuerta es diferente a la AND, basta con que una de las entradas este en estado
alto para que automáticamente la salida pase a estar en estado alto, “Si condición
uno O condición dos O condición tres entonces la salida será verdadera”. En términos
simbólicos a la operación se la conoce con el símbolo +.

3.18.6. COMPUERTA XOR (dos entradas)

INFORME (ABP)
46
Este tipo de compuertas son una derivación de las compuertas básicas que comentamos
al comienzo, tienen una condición de salida no tan transparente como los casos
anteriores, pero son muy utilizadas en el mundo de la electrónica digital.

Para un sistema de dos entradas la ecuación característica es la siguiente.

Como se puede ver, la salida deja de ser tan intuitiva con en los casos anteriores, de
manera que es necesario diagramar la tabla de verdad para calcular correctamente el
resultado.

Como dato nemotécnico, para una compuerta XOR de dos entradas podemos decir que
a la salida va un uno si las dos entradas son distintas.

3.18.7. COMPUERTA XOR (DE TRES ENTRADAS)

Funciona de la misma manera que la de dos entradas, solo que es más largo el cálculo,
puesto que primero tenemos que hacer el cálculo con dos entradas y luego sumarle la
tercera, esta operatoria aplica para una compuerta XOR de cualquier cantidad de
entradas, solo es necesario estar atento en el cálculo y listo.

Como dato nemotécnico, para una compuerta XOR de tres entradas podemos decir que
la salida será un uno si la cantidad de unos en la entrada es impar.

INFORME (ABP)
47
3.18.8. Sistemas combinacionales

Se denomina sistema o lógica combinacionales a todo sistema digital en el que sus

salidas son función exclusiva del valor de sus entradas en un momento dado, sin que
intervengan en ningún caso estados anteriores de las entradas o de las salidas. Las
funciones booleanas –compuestas por operadores OR, AND, NAND, XOR– se pueden
representar íntegramente mediante una tabla de la verdad. Por tanto, carecen de
memoria y de retroalimentación.

En electrónica digital la lógica combinacional está formada por ecuaciones simples a

partir de las operaciones básicas del álgebra de Boole. Entre los circuitos
combinacionales clásicos tenemos:

3.18.9. Lógicos
 Generador/Detector de paridad
 Multiplexor y Demultiplexor
 Codificador y Decodificador
 Conversor de código
 Comparador
3.18.10. Aritméticos
 Sumador
3.18.11. Aritméticos y lógicos
 Unidad aritmeticológica

INFORME (ABP)
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Estos circuitos están compuestos únicamente por puertas lógicas interconectadas entre
sí, sin ningún biestable o celda de memoria.

3.19. Decodificador
3.19.1. Descripción

Un decodificador o descodificador es un circuito combinacional, cuya función es inversa

a la del codificador, es decir, convierte un código binario de entrada (natural, BCD, etc.)
de N bits de entrada y M líneas de salida (N puede ser cualquier entero y M es un entero
menor o igual a 2N), tales que cada línea de salida será activada para una sola de las
combinaciones posibles de entrada. Normalmente, estos circuitos suelen encontrarse
como decodificador / demultiplexor. Esto es debido a que un demultiplexor puede
comportarse como un decodificador.

3.20. Circuito básico

Si por ejemplo se tiene un decodificador de 2 entradas con 22=4 salidas, su

funcionamiento sería el que se indica en la siguiente tabla, donde se ha considerado que
las salidas se activen con un "uno" lógico:

INFORME (ABP)
49
3.20.1. Ejemplo de aplicación

Su función principal es la de direccionar espacios de memoria. Un decodificador de N

entradas es capaz de direccionar 2N espacios de memoria. Para poder direccionar 1Kib
de memoria se necesitarían 10 bits, ya que la cantidad de salidas seria 210, igual a 1024

3.21. Codificador
3.21.1. Descripción

Un codificador es un circuito combinacional con 2N entradas y N salidas, cuya misión es

presentar en la salida el código binario correspondiente a la entrada activada. Existen
dos tipos fundamentales de codificadores: codificadores sin prioridad y codificadores con
prioridad. En el caso de codificadores sin prioridad, puede darse el caso de salidas cuya
entrada no pueda ser conocida: por ejemplo, la salida 0 podría indicar que no hay ninguna
entrada activada o que se ha activado la entrada número 0. Además, ciertas entradas
pueden hacer que en la salida se presente la suma lógica de dichas entradas,
ocasionando mayor confusión. Por ello, este tipo de codificadores es usado únicamente
cuando el rango de datos de entrada está correctamente acotado y su funcionamiento
garantizado.

Para evitar los problemas anteriormente comentados, se diseñan los codificadores con
prioridad. En estos sistemas, cuando existe más de una señal activa, la salida codifica la
de mayor prioridad (generalmente correspondiente al valor decimal más alto).
Adicionalmente, se codifican dos salidas más: una indica que ninguna entrada está

INFORME (ABP)
50
activa, y la otra que alguna entrada está activa. Esta medida permite discernir entre los
supuestos de que el circuito estuviera deshabilitado por la no activación de la señal de
capacitación, que el circuito no tuviera ninguna entrada activa, o que la entrada número
0 estuviera activada.

También entendemos como codificador (códec), un esquema que regula una serie de
transformaciones sobre una señal o información. Estos pueden transformar una señal a
una forma codificada usada para la transmisión o cifrado o bien obtener la señal
adecuada para la visualización o edición (no necesariamente la forma original) a partir de
la forma codificada. En este caso, los codificadores son utilizados en archivos multimedia
para comprimir audio, imagen o vídeo, ya que la forma original de este tipo de archivos
es demasiado grande para ser procesada y transmitida por los sistemas de comunicación
disponible actualmente. Se utilizan también en la compresión de datos para obtener un
tamaño de archivo menor. Según esta nueva definición, podemos dividir los codificadores
en códecs sin pérdidas y códecs con pérdidas, según si la información que se recupera
coincide exactamente con la original o es una aproximación.

3.21.2. Circuito básico

Figura. Diagrama de circuito de nivel de puerta de un codificador de línea de 4 a 2 de

un solo bit

3.21.3. Funcionamiento y ejemplo de aplicación

Por ejemplo, un codificador simple de 4 a 2 toma 4 bits de entrada y produce 2 bits de

salida. El ejemplo de nivel de puerta ilustrado implementa el codificador simple definido
por la tabla de verdad, pero debe entenderse que para todas las combinaciones de
entrada no explícitamente definidas (es decir, entradas que contienen 0, 2, 3 o 4 bits
altos) las salidas se tratan como no le importa

INFORME (ABP)
51
4. ACTIVIDADES PRÁCTICAS

Construir los siguientes circuitos (2), simular el funcionamiento del diodo en polarización
directa e inversa anexando imágenes de su operación y resultados y realizar las
mediciones para completar la tabla 1 y tabla 2. Deben considerar un led azul de 20 mA y
3,2V, para determinar su resistencia con cada fuente de tensión.

Figura 1. Diodo en polarización directa.

Fuente: Elaboración Propia (2020)

Tabla 1: Mediciones Diodo en polarización directa.

INFORME (ABP)
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 V1 D1 (V) D1 (I) R1 (Ω) LED (V) LED (I)

5V 0.75 V 0.06 A 26.1 Ω 2.52 V 0.06 A

10V 0.8 V 0.22 A 26.1 Ω 3.35 V 0.22 A
15V 0.81 V 0.38 A 26.1 Ω 4.16 V 0.38 A
Fuente: Elaboración Propia (2020).

Figura 2. Diodo en polarización inversa

Fuente: Elaboración Propia (2020)

Tabla 2: Mediciones Diodo en polarización inversa

V1 D1 (V) D1 (I) R1 (Ω) LED (V) LED (I)

5V 3.75 V 0.0 A 26.1 Ω 1..25 V 0.0 A

10V 8.18 V 0.0 A 26.1 Ω 1.81 V 0.0 A
15V 13.2 V 0.0 A 26.1 Ω 1.84 V 0.0 A
Fuente: Elaboración Propia (2020)

Construir los siguientes circuitos (3), simular el funcionamiento anexando imágenes de

su operación y resultados, además completar las tablas respectivas con las
combinaciones posibles (tabla 3 y 4).

INFORME (ABP)
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 Figura 3. Compuerta lógica 1.
Fuente: Elaboración Propia (2020)

Tabla 3: Tabla de verdad Compuerta lógica 1.

TIPO DE COMPUERTA: AND
A B SALIDA, OPERACIÓN :
1 1 1
0 0 0
0 1 0
1 0 0
Fuente: Elaboración Propia (2020)

Figura 4. Compuerta lógica 2.

Fuente: Elaboración Propia (2020)

INFORME (ABP)
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 Tabla 4: Tabla de verdad Compuerta lógica 2.
TIPO DE COMPUERTA: OR
A B SALIDA, OPERACIÓN :
1 1 1
0 0 0
0 1 1
1 0 1
Fuente: Elaboración Propia (2020)

Figura 5. Circuito eléctrico de compuertas lógicas.

Fuente: Elaboración Propia (2020)

Al ser una compuerta AND y una OR en paralelo, el comportamiento de uno de los

dispositivos no afecta al otro, así cuando los switches permiten valores de 5V son
tomados como 1 por las compuertas lógicas, en cambio cuando están conectados a tierra
son tomados como 0 logico. El led rojo de la compuerta AND solo encenderá cuando
ambos terminales tengan 5V, y el led azul de la compuerta OR encenderá en todos los
casos excepto cuando ambos valores sean 0V.

INFORME (ABP)
55
 5. CONCLUSIONES

A través de la elaboración del presente informe se obtuvieron las siguientes conclusiones:

 Se presentó de forma clara y concisa el estado actual de la tecnología de

componentes electrónicos relevantes para la automatización
 Se describieron ejemplos de aplicación en el ámbito industrial de los diferentes
componentes electrónicos
 Se mostraron los circuitos básicos donde se muestren el tipo de conexión del
elemento y sus funciones
 Se analizó cada una de las principales variables involucradas en el funcionamiento
de los dispositivos electrónicos.
 Finalmente se simulo el comportamiento de los componentes electrónicos y
digitales en el programa Proteus, lo cual permitió entender de mejor forma su
comportamiento e interacción entre ellos.

INFORME (ABP)
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6. REFERENCIAS

Lucas, J. (2018). LIVE SCIENCE. Recuperado el 2020 de 07 de 27, de Componentes

electronicos: livescience.com/38059-magnetism.html

Martin Blas, T. (2019). Magnetismo. Recuperado el 2020 de 07 de 26, de Electronica:

http://www2.montes.upm.es/dptos/digfa/cfisica/magnet/induccion.html

Mehta, V. K., & Mehta, R. (2017). Principles of electronics. New Delhi: Chand Company.

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