TALLER 3.
ANALISIS DE AMPLIFICADORES DC Y AC
CIRCUITOS ELECTRONICOS LINEALES
John Jairo Gómez, Jaime Alexander Mayorga, Enrique Cepeda
Este taller se debe realizar en los grupos organizados al final de este documento, tiene un valor del
15% de la nota teórica y debe cumplir con los siguientes requisitos: Se debe presentar en medio
magnético explicando los pasos en su solución DC y AC, presentar los esquemáticos
correspondiente, utilizar editor de ecuaciones y las gráficas correspondientes a la simulación. Cada
grupo debe sustentar el trabajo realizado al grupo del curso mediante un video o una presentación
de no más de 20 minutos, explicando con detalle la solución.
2. La figura muestra un circuito en cascodo con MOSFET de canal n. El transistor M1 está
conectado en una configuración de fuente común y M2 está conectado en una configuración de
puerta común. Determine la ganancia de voltaje, corriente y potencia lineal y logarítmica, realice
el diagrama eléctrico, y análisis DC graficando las características de operación de los transistores.
Tenga en cuenta los siguientes datos Los parámetros del transistor son Kn1 = Kn2 = 0.8 mA/V2 , VT
N1 = VT N2 = 1.2 V, and λ1 = λ2 = 0 La corriente de drenaje en reposo es ID = 0.4 mA en cada
transistor.
Para el análisis DC se tiene en cuenta el siguiente circuito equivalente:
Transistor 1 Transistor 2
La tensión de DC en la fuente de M1Y M2 es
VS1=IDRS−V VS2=VDS Q 1−V S 1
VS1=(0,4 mA)(10 K )-5 VS2=2,5V −1-5
VS1=−1V VS2=1,5V
Entonces:
R3 R 2+ R 3
VG 1= [
R 1+ R 2+ R 3 ]
( VCC ) VG 2= [
R 1+ R 2+ R 3 ]
( VCC )
54.6 K 150 K +54,6
VG 1= [
95,4 K +150 K +54,6 K
(5 ) ] VG 2= [
95,4 K +150 K +54,6 K ]
( 5)
54,6 K 204,6 K
VG 1= (5) VG 2= ( 5)
300 K 300 K
VG 1=0,91 V VG 2=3,41 V
La tensión en la fuente de M1 y M2 es:
VD 1=VDSQ1 +VS2 VD 2=VDSQ1 +VS2
VD 1=2,5 V +(−1) VD 2=2,5 V +1,5
VD 2=1,5 V VD 2=4 V
Por lo tanto, la resistencia de drenaje es:
V −VD 1 V −VD 2
RD 1= RD 2=
IDQ IDQ
5−1,5 5−4
RD 1= RD 2=
0,4 0,4
RD 1=8,75 K RD 1=2,5 K
Voltaje de saturación:
VDS 1=VD−(IDRD) VDS 2=VD−( IDRD)
VDS 1=1,5− ( 0,4 mA ) ( 8,75 K ) VDS 2=4− ( 0,4 mA ) ( 2,5 K )
VDS 1=−2 V VDS 1=3 V
cada transistor está sesgado en la región de saturación
Grafica Zona óhmica o de no Saturación
Zona óhmica o de no Saturación: Se da para valores de VDS inferiores al de saturación, es decir,
cuando VDS VGS - VT Para estos valores de tensión el canal se va estrechando de la parte del
drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat.
En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia variable
controlada por la tensión de puerta, sobre todo para valores pequeños de VDS, ya que a medida
que nos aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad
debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.
Corriente ID
1
ID= Kn ( VGS 1−Vt ) 2
2
1
ID= ( 0,8 m ) ( 5,91−10 KID−1,2 )2
2
ID=0,4 mA
Los transistores estan en saturación
Voltaje de salida VS1
ID 1=ID 2=ID
VS1=V ±+ RSID
VS1=−5+10 KID
VS1=−5+10 K (0,4 mA )
VS1=−1V
Para que veamos el valor de VS1 en la fuente de voltaje del transistor es igual al V ± RS*la
corriente ID.
Voltaje VGS 1
VGS 1=VG 1−VS1
VGS 1=0,91−(−1)
VGS 1=1,91 v
Además, podemos escribir una expresión para VG [Link] de salida
Voltaje de salida V 0
V 0=V ±( RD )( ID)
V 0=5−(2,5 K )(0,4 mA )
V 0=4 V
Encontramos el voltaje de salida.
Cálculo de la transustancia
gm1 =gm2=2 √ KnID
gm1 =gm2=2 √(0,8 m)(0,4 m)
mA
gm1 =gm2=1,13
V
Calculo la transconductancia gm1: dado que los transistores son idénticos y que tengo la misma
corriente y el mismo valor de Kn. gm1 Es igual a gm2 que es básicamente dos veces la raíz
cuadrada de [Link].
Valor de la ganancia
V0
A v=
Vi
El valor de la ganancia debe estar por encima de V i con esto podemos decir que:
A v =A v 1 A v 2=(−gm 1∗resistencia drenadora M 1)
A v2 Es la resistencia total conectada al descarge de M2 dividido por la resistencia general
conectada a la fuente de M2 que está conectada al drenaje de M1. La resistencia total
conectada a la fuente de M2 será igual a la resistencia general conectada a M1. Básicamente
estos dos términos son iguales y se cancelan.
A v =A v 1 A v 2=(−gm 1∗resistencia drenadora M 1) ( resistenciaRDfuente M 2 )
En otras palabras, El transistor M 2 actúa como seguidor de corriente y pasa esta corriente a su
terminal de drenaje.
V0
A v= =−gm 1 ID
Vi
Si no lo podemos visualizar así podemos hacer el modelo de una pequeña señal y así poder
dibujar el circuito equivalente.
Circuito equivalente
vi=vgs 1
La ganancia de voltaje de la pequeña señal es:
v o=−gm1∗vgs 1 RD=−gm2∗Vgs 2
vo
Av= =−gm 1∗RD
vi
Av=−(1,13)(2,5)
Av=−2,83
La ganancia de voltaje del circuito es la misma como una sola etapa amplificadora de fuente
común como para un amplificador de drenaje común. La adicción de un transistor de puerta
común aumenta en ancho de banda.
Calculamos la resistencia de entrada
Rin=R 2 /¿ R 3
1
Rin=
1 1
+
150 k 54,6 k
Rin=40 k
Calculamos la resistencia de salida
ROUT =RD=2.5 K
Bibliografía:
Transistores De Efecto de Campo: [Link]
El Transistor Mosfet:
[Link]
Mosfet Channel: [Link]
length-modulation/
