TECNOLOGIAS DIGITALES
Jessica Marcela Cardona Reinoso
Elizabeth Villamil Villamil.
jemacare88@[Link]
elvivi@[Link]
En las tecnologías digitales, encontramos la TTL (lógica de transistor a transistor), la RTL (lógica de transistor a
resistencia), y por ultimo, la tecnología CMOS, que es la mas rápida y la que consume menos potencia que las otras
familias MOS.
1. INTRODUCCION
En el presente trabajo, encontraremos el significado, pequeña corriente de fuga (Iih). Un voltaje de entrada
las aplicaciones, los voltajes de entrada y salida, de bajo polariza directamente (enciende) la unión y con
cada tecnología, como lo son la TTL, la RTL, y la esto retorna a tierra una corriente relativamente
CMOS, además las características esenciales que cada grande (Iil) a través de la fuente de señal.
una de ellas posee.
También, los diagramas correspondientes, a cada uno
de ellos.
2. TECNOLOGIA TTL (LOGIC-
TRANSISTORS-TRANSISTORS).
En este momento, la familia lógica de transistor a
transistor (TTL) todavía disfruta de un extenso uso en
aplicaciones que requieren de dispositivos SSI y MSI.
El circuito lógico TTL básico es la compuerta NAND.
Fig.1. Compuerta NAND en colector abierta utilizada
Todos los circuitos TTL tienen una estructura para alimentar un LED.
semejante a la compuerta NAND básica.
La entrada de cualquier tipo TTL será el cátodo; de
este modo, un voltaje de entrada alto polariza
inversamente (apaga) la unión y solo circulara una
Tabla 1. Niveles de voltaje, tecnología TTL *La velocidad de trasmisión entre los estados lógicos
es su mejor baza, ciertamente esta característica le
hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo.
MÍNIMO TIPICO MÁXIMO Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones
Vol 0.1 0.4 de TTL.
Voh 2.4 3.4
Vil 0.8 Con el avance que ha experimentado la tecnología de
fabricación desde su introducción se han puesto en el
Vih 2.0
mercado familias mejoradas basadas en la tecnología
bipolar.
ve un rango muy estrecho debido a esto, los niveles
V V min V min 400mV
lógicos vienen definidos por el rango de tensión
nh oh ih comprendida entre 0,2 V y 0,8 V para el estado L
(1) (bajo) y los 2.4 V y VCC para el estado H (alto).
La tabla proporciona los niveles de voltaje de entrada
y salida para la serie 74 estándar. Los valores
mínimos y máximos que se muestran, son para las TTL de bajo consumo (54L/74L), esta familia se
peores circunstancias de fuente de alimentación, distingue por su bajo consumo de potencia. Ello se
temperatura y condiciones de carga. La inspección de consigue aumentando significativamente los valores
la tabla revela una salida 0 lógica máxima garantizada de las resistencias de polarización de los diferentes
Vol=0.4 V, que es 400 mV menor que el voltaje 0 transistores, con lo que se disminuye la corriente que
lógico que se necesita en la entrada Vil=0.8 V. Esto circula por el sistema y con ello la potencia disipada.
significa que el margen de ruido dc en estado bajo Si la potencia disipada en una puerta típica de la
garantizado es 400 mV es decir: familia 54/74 es de 10 mW la de la puerta equivalente
en la versión 54L/74L es de 1 mW.
V V max V max 400mV
nl il ol El ahorro de potencia se paga con una pérdida en la
(2) velocidad: de los 10 nsg de tiempo de retardo típico
en la familia original se pasa a unos 33 nsg de retardo
Los voltajes nominales máximos absolutos más allá en esta familia.
de los cuales la vida útil del circuito integrado puede
deteriorarse. Los voltajes aplicados a cualquier TTL Schottky (54S/74S). Esta serie proporciona unos
entrada de los circuitos integrados de la serie 74 tiempos de conmutación menor, gracias a la
nunca deben exceder de +5.5 V. Un voltaje mayor incorporación de diodos Schottky que evitan que los
que +5.5 V aplicado a un emisor de entrada puede transistores entren en saturación, disminuyendo el
ocasionar una ruptura. tiempo que tarda el transistor en entrar y salir de la
conducción. El retardo típico es de 3 nsg. Y la
Existe también un límite sobre el máximo voltaje disipación de potencia de 19 mW.
negativo que se puede aplicar a una entrada TTL, este
limite es de -0.5 V, es ocasionado por el hecho de que
TTL Schottky de bajo consumo (54LS/74LS). Esta
muchos circuitos TTL emplean diodos de protección
familia proporciona un compromiso entre velocidad y
en paralelo en cada entrada.
baja disipación de potencia utilizando altos valores de
resistencias y transistores de tipo Schottky. La
Las características de la tecnología utilizada, en la disipación de potencia típica de una puerta es de 2
familia TTL, condiciona los parámetros que se mW y el retardo de propagación de 10 nsg.
describen en sus hojas de características según el
fabricante:
Schottky avanzada y Shottky de bajo consumo
avanzada (AS/ALS). Estas tecnologías suponen
* Su tensión de alimentación característica se halla versiones avanzadas de las series S y LS. La
comprendida entre los 4,75 V y los 5,25 V como se disipación de potencia estática típica es de 8,5 mW
para l serie AS y 1 mW para la serie ALS. Los En este caso el primer transistor está en corte (no
tiempos de retardo de propagación típicos son de 1,5 conduce) y la corriente que pasa por la resistencia de
nsg para AS y 4 nsg para ALS. Existe una versión AS que está conectada a la entrada del segundo transistor,
que se denomina F o FAST (rápida). pasa por la resistencia conectada al colector del
primer transistor (ver gráfico anterior).
3. TECNOLOGIA RTL (RESISTOR
TRANSISTOR LOGIC). Donde:
V+ = "1" lógico = 3.6 V.
La forma más sencilla de obtener una compuerta 0.7 voltios = tensión base emisor de un transistor en
NOT o inversora con esta tecnología es con el conducción
siguiente circuito donde la resistencia de entrada tiene R1 = 470 = resistencia conectada a la base
un valor de 470 ohmios (resistencia en la base) y la R2 = 640 = resistencia conectada al colector
resistencia de salida de 640 ohmios (resistencia en el
colector). Compuerta NOR RTL Si se desea implementar una
compuerta NOR, el diagrama sería como se muestra
en el siguiente gráfico.
Fig.3. Compuerta NOR en tecnología RTL.
En este caso cada entrada tiene una resistencia de 470
ohmios y un transistor. Al final todos los colectores
de los transistores se conectan en punto común y
comparten una sola resistencia de 640 ohmios.
Fig. 2. Conexión, tecnología RTL.
Se asume que este tipo de compuertas se Compuerta NAND (No Y) RTL Se utiliza una
interconectan entre ellas, siendo natural que una resistencia y un transistor para cada una de las
salida de una compuerta RTL se conecte a una entradas de esta compuerta como se muestra en la
entrada de una compuerta RTL. Siendo este el caso, figura. En este caso (y tomando en cuenta que la
es normal que la corriente que ingresa por la base del tensión colector – emisor de un transistor saturado es
transistor, pase por la resistencia de 640 y la de 470 de aproximadamente 0.3 voltios), la tensión de salida
ohmios. en nivel bajo sería de 0.6 voltios.
Cuando a la entrada hay un 1 lógico (3.6 voltios en la
tecnología RTL), la corriente de base será:
Ib = (+V - Vbe) / (R2a + R1b) =
Ib = (3.6 – 0.7) / (640 + 470) = 2.612 mA. (3)
fantasma que más afecta el uso comercial de estos
integrados.
Diversos estudios afirman que dicho planteamiento
no es más que un mito ya que deben darse muchos
factores tanto ambientales, físicos aparte de lo
eléctrico para dañarlos.
Dentro de las ventajas mayores que tienen los CMOS
destacan las siguientes dos:
Fig.4. Compuerta NAND, en tecnología RTL
* Funcionan con tensiones desde los 3 V hasta los 15
Hay que recordar que si este nivel de tensión (0.6 V por ende no necesitan una fuente de voltaje
voltios) va ha servir de entrada a otro circuito RTL, dedicada para ellos.
faltaría muy poco para que esta señal ("0" lógico)
haga conducir el transistor de entrada (0.7 voltios en * Se ha demostrado que un CMOS determinado tiene
la unión base-emisor) de la siguiente compuerta, muchas más aplicaciones (o dichas aplicaciones
interpretándose erróneamente esta entrada como un trabajan mejor en CMOS) que en un TTL.
"1" lógico.
La lógica CMOS ha emprendido un crecimiento
La situación anterior se presenta con una compuerta constante en el área de la MSI, principalmente a
de 2 entradas. Si se implementara una compuerta con expensas de la TTL, con la que compite directamente.
3 entradas, la salida "0" lógico sería de 0.9 voltios y
no se podría interpretar como nivel bajo por la El proceso de fabricación de CMOS es mas simple
compuerta que sigue (problema, pues pondría en que el TTL y tiene una mayor densidad de
conducción el transistor cuando no debería hacerlo). integración, lo que permite que se tenga mas circuitos
en una área determinada de substrato y reduce el
Este es uno de los problemas con las compuertas RTL costo por función. Los CMOS utilizan solamente una
y se hace más notorio con el aumento de la frecuencia fracción de la potencia que se necesita aun para la
de operación. serie TTL. Aunque por lo general la familia CMOS es
más lenta que la familia TTL.
4. TECNOLOGIA CMOS (COMPLEMENTARY
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR). Cuando las salidas CMOS manejan solo entradas
CMOS, los niveles de voltaje de la salida pueden
Es una tecnología utilizada para crear compuertas estar muy cercanos a 0V para el estado bajo y a
lógicas. Consiste básicamente en dos transistores, +Vdd, para el estado alto. Lo anterior es el resultado
uno PFET y otro NFET. De esta configuración resulta directo de la alta resistencia de entrada de los
el nombre. dispositivos CMOS, que extrae muy poca corriente de
la salida CMOS a la que esta conectada.
Los chips CMOS consumen menos potencia que
aquellos que usan otro tipo de transistor. Tienen Los requerimientos de voltaje en la entrada para los
especial atractivo para emplearlo en componentes que dos estados lógicos se expresa como un porcentaje del
funcionen con baterías, como los ordenadores voltaje de alimentación. Vil (máx.) esta especificado
portátiles. Los ordenadores de sobremesa también como el 30% de Vdd, y Vih (min.) como el 70% de
contienen dispositivos de memoria CMOS de bajo Vdd.
consumo de potencia para almacenar la fecha, hora y
configuraciones (BIOS). Cuando un CI CMOS funciona con Vdd=5V, aceptara
cualquier voltaje de entrada menor que Vil
Existen diversos tipos de pros y contras contra estos (máx.)=1.5V como bajo, y cualquier voltaje de
circuitos, siendo el problema del daño estático el entrada menor que Vih (min.)=3.5V como alto.
Vol (máx.) = 0V, Voh (min.)= Vdd, Vil (máx.)=30%
Vdd, Vih (min.) = 70% Vdd.
5. CONCLUSIONES
Del anterior trabajo se puede concluir que:
I. La tecnología ha sido siempre un medio importante
para crear entornos físicos y humanos nuevos, en
donde logramos una interacción directa con la
ciencia, como es en caso de las tecnologías, vistas
anteriormente, puesto que mediante ellas, logramos
crear dispositivos, que nos permiten realizar tareas, de
una manera más fácil y practica.
II. Para el buen funcionamiento de los dispositivos,
con los que vamos a trabajar, sin importar la
tecnología que estamos usando, es de vital
importancia, conocer los voltajes que ellos manejan,
para lograr un uso adecuado de estos dispositivos, y
una excelente interacción entre ellos.
III. Dependiendo de la tecnología, así mismo va a
variar, los voltajes aplicados, y los entregados por el
dispositivo, además, su estructura interna y la
velocidad con la que trabajan, también es diferente,
haciendo de cada tecnología, un medio útil para
trabajar dependiendo del campo en que sea necesario.
REFERENCIAS
Tokheim, Roger L. Principios Digitales Mc Graw
Hill.
[Link]í[Link]
