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Estructura y Doping del Silicio

El documento describe la estructura cristalina del silicio y cómo se forma. Explica cómo el dopado con impurezas de diferentes valencias crea zonas p y n. También describe cómo se forma la barrera de potencial de 0.7 V en un diodo y cómo la polarización directa rompe el equilibrio haciendo subir los niveles de energía de la zona n.

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Estructura y Doping del Silicio

El documento describe la estructura cristalina del silicio y cómo se forma. Explica cómo el dopado con impurezas de diferentes valencias crea zonas p y n. También describe cómo se forma la barrera de potencial de 0.7 V en un diodo y cómo la polarización directa rompe el equilibrio haciendo subir los niveles de energía de la zona n.

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MODELO

ESTRUCTURAL DEL
SILICIO
ANDRES GARCIA CRUZ
SANCHEZ VELAZQUEZ JESUS JAVIER
SILICIO
AL COMBINARSE LOS ÁTOMOS DE SILICIO
PARA FORMAR UN SÓLIDO, LO HACEN
FORMANDO UNA ESTRUCTURA ORDENADA
LLAMADA CRISTAL.

página 3
El aumento de la temperatura hace que los átomos en un
cristal de silicio vibren dentro de él, a mayor temperatura
mayor será la vibración. Con lo que un electrón se puede
liberar de su órbita, lo que deja un hueco, que a su vez
atraerá otro electrón, etc...

página 4
SEGÚN UN CONVENIO AMPLIAMENTE ACEPTADO TOMAREMOS LA
DIRECCIÓN DE LA CORRIENTE COMO CONTRARIA A LA DIRECCIÓN DE
LOS ELECTRONES LIBRES.

página 5
DOPADO DE UN
SEMICONDUCTOR
IMPUREZAS DE VALENCIA 5 (ARSÉNICO,
ANTIMONIO, FÓSFORO). TENEMOS UN CRISTAL
DE SILICIO DOPADO CON ÁTOMOS DE VALENCIA
5.
IMPUREZAS DE VALENCIA 3 (ALUMINIO, BORO,
GALIO). TENEMOS UN CRISTAL DE SILICIO
DOPADO CON ÁTOMOS DE VALENCIA 3.
Para poder comprender como funcionan los
dispositivos semiconductores, es necesario conocer
el modo en que los niveles de energía controlan la
acción de una unión pn. Ahora se verá como se
forma la barrera de potencial de 0.7 V en el diodo.
LA BARRERA
DE ENERGÍA
Equilibrio
• Al llegar a 0.7 V las bandas se han desplazado. Han
subido hasta que el nivel inferior de p este al mismo
nivel que el nivel superior de n.

página 10
• Y se mantendrán en esa posición a no ser que se
rompa el equilibrio. En este equilibrio no puede
difundirse ningún electrón, no hay difusión ni
recombinación si no se rompe el equilibrio. Veamos
porque se han desplazado: Los átomos de valencia +3
tienen en la última órbita 7 electrones y 1 hueco. Las
órbitas se ensanchan por el hueco y esto hace que
aumenten los radios de la BV y BC. Aumenta radio lo
que implica que aumenta la energía, hasta llegar a la
situación antes explicada.

página 11
POLARIZACIÓN
DIRECTA
AHORA ROMPEREMOS EL EQUILIBRIO
PONIENDO UNA PILA. LA PILA ES UNA
"ENERGÍA EXTERNA" QUE HACE SUBIR LOS
NIVELES DE LA ZONA N.

página 12
• La pila es una "Energía Externa" que hace subir los
niveles de la zona n. Esta pila en directa elevará el
nivel de energía de la zona n.

página 13
Entonces pasan los electrones, se recombinan, etc...Ahora la pila les obliga. El electrón cruza laW y va pegando
saltos de hueco en hueco formando una malla cerrada.

página 14

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