INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 1

Laboratorio No. 4 Convertidor Buck.

Cristian Camilo Leon Ospina, Codigo: 20201372004, Cristian Fabian Rosas Aldana, Codigo:20201372003
Héctor Luis Segura Vargas, Codigo:20142372045

Área Electrónica y Control.

1 O BJETIVOS . 7 Tablas comparativas. 12

7.1 Convertidor Buck (Ciclo de trabajo). . . 12
• Estudiar las características del convertidor reductor
7.2 Convertidor Buck (Frecuencia de con-
Buck.
mutación). . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
• Seleccionar adecuadamente los condensadores e in-
7.3 Convertidor Buck (Resistencia de Carga). 12
ductores.
• Cumplir los requerimientos de voltaje y corriente de
8 Conclusiones. 12
salida.
• Comprender el comportamiento del convertidor en 9 Bibliografia. 13
modo continuo y discontinuo.
References 13

2 TABLA DE CONTENIDO.
3 M ARCO TEORICO.
C ONTENTS 3.1 Convertidor reductor Buck:
1 Objetivos. 1 El voltaje de salida de un convertidor reductor siempre es
menor que el voltaje de entrada. La Figura 1 muestra los
2 Tabla de contenido. 1 esquemas de un convertidor reductor. Tiene un voltaje de
entrada de DC, un transistor que funciona como interruptor,
3 Marco teorico. 1 un inductor y un capacitor que forman un ltro de pasa baja
3.1 Convertidor reductor Buck: . . . . . . . 1 para suavizar el voltaje de salida y una resistencia de carga.
3.2 Transistor Mosfet: . . . . . . . . . . . . . 2 El diodo proporciona una ruta para la corriente del inductor
cuando se abre el interruptor y tiene polarización inversa
4 Materiales o dispositivos. 3 cuando el interruptor está cerrado.

5 Procedimiento y montajes. 3

6 Calculos de diseño. 3
6.1 Convertidor reductor (ciclo de trabajo). . 3
6.2 Convertidor reductor (frecuencia de
conmutación).
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Fig. 1. Circuito convertidor Buck
6.3 Convertidor reductor (resistencia a la
carga). Cuando el interruptor está cerrado, el diodo tiene po-
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 larización inversa. El circuito equivalente se muestra en la
6.4 Convertidor Buck (Ciclo de trabajo). . . 8 Figura 2.
6.5 Convertidor Buck (Frecuencia de con-
mutación). . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
6.6 Convertidor Buck (Resistencia de Carga). 11

• Cristian Camilo Leon Ospina, Electrónica de Potencia

E-mail: [email protected]. Fig. 2. Circuito equivalente cuando el interruptor está cerrado.
• Cristian Fabian Rosas Aldana, Electrónica de Potencia
E-mail: [email protected].
• Héctor Luis Segura Vargas, Electrónica de Potencia Cuando el interruptor está abierto, el diodo está polar-
E-mail: [email protected]. izado en directo. El circuito equivalente se muestra en la
Manuscript received April 19, 2005; revised December 27, 2012. Figura 3.

0000–0000/00$00.00 © 2012 IEEE

INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 2

El voltaje de salida de un convertidor reductor se con-

trola mediante una señal modulada por ancho de pulso V o ∗ (1 − D)
∆iL = (5)
(PWM). El ciclo de trabajo es la relación entre el tiempo de Lcrit
activación y el período de conmutación que se muestra en La corriente máxima del inductor es la corriente prome-
(5). Al ajustar el ciclo de trabajo, podemos obtener el voltaje dio del inductor más la mitad de la ondulación actual,
de salida deseado, que se muestra en (3). Cuando D au- que se muestra en (3). La corriente mínima del inductor
menta, aumenta el voltaje de salida. Cuando D disminuye, es la corriente promedio del inductor menos la mitad de
el voltaje de salida disminuye. la ondulación actual, que se muestra en (3).

DT ∆iL Vo 1

Vo
 
1 (1 − D)

D= (1) Imáx = IL + = + ∗ (1 − D) ∗ T =Vo +
T 2 R 2 Lcrit R 2Lcrit
(6)

   
∆iL Vo 1 Vo 1 (1 − D)
Imin = IL + = − ∗ (1 − D) ∗ T =Vo −
2 R 2 Lcrit R 2Lcrit
(7)

3.2 Transistor Mosfet:

MOSFET. Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto
Fig. 3. Circuito equivalente cuando el interruptor está abierto. de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor
más utilizado en la industria microelectrónica. La práctica
totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están
basados en transistores MOSFET.
Fue ideado teóricamente por el alemán Julius Von Edgar
Lilienfeld en 1930, aunque debido a problemas de carácter
tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se com-
portan los electrones sobre la superficie del semiconductor
no se pudieron fabricar hasta décadas más tarde. Tambien se
Fig. 4. Ciclo útil.
llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.

Vo
D= (2)
Vi
Si la corriente del inductor es continua, el convertidor re-
ductor está funcionando en modo de conducción continua.
Si la corriente del inductor se reduce a cero, el conver-
tidor reductor está funcionando en modo discontinuo. Nos
gustaría mantener el convertidor reductor funcionando en
modo de conducción continua. Fig. 5. Estructura Transistor MOSFET.
La inductancia mínima para mantener el convertidor
reductor en modo de conducción continua es la inductancia Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de ma-
crítica. El valor de la inductancia crítica se muestra en (3). terial semiconductor dopado en el que, mediante técnicas
(1 − D) ∗ R de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto
Lcrit = (3) separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa
2f
de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
La corriente promedio del inductor es la misma que la El transistor MOSFET tiene tres estados de fun-
corriente de carga promedio en la resistencia de carga. El cionamiento:
valor de la corriente promedio del inductor se muestra en
• Estado de corte.
(3).
• Estado de corte Cuando la tensión de la puerta es
Vo idéntica a la del sustrato.
IL = Io = (4) • Estado de NO conducción.
R
La corriente del inductor de pico a pico suele ser un El MOSFET está en estado de no conducción: ninguna
criterio de diseño en el diseño de un convertidor reductor. corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique
También se le llama onda actual. La ecuación (3) muestra el una diferencia de potencial entre ambos.
valor de la ondulación actual. La ondulación de la corriente
• Conducción lineal
es inversamente proporcional a la inductancia y la frecuen-
cia de conmutación. Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS)
Para reducir la ondulación actual, podemos aumentar la o positiva (nMOS), se crea una región de deplexión en la
inductancia o la frecuencia de conmutación. región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión
INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 3

crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (elec-

trones en nMOS, huecos en pMOS) en la región de deplexión
que darán lugar a un canal de conducción. Calculamos IO si:
El transistor pasa entonces a estado de conducción,
de modo que una diferencia de potencial entre fuente y
drenador dará lugar a una corriente. El transistor se com- Vo
Io = , por lo tanto
porta como una resistencia controlada por la tensión de R
puerta.
20[V ]
Saturación: Cuando la tensión entre drenador y fuente Io = = 400[mA]
supera cierto límite, el canal de conducción bajo la puerta 50Ω
sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y
desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se inter-
rumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, Calculamos Lcrit si la frecuencia es del f = 20kHz.
pero se hace independiente de la diferencia de potencial
entre ambos terminales. (1 − D) ∗ R
Como vemos, el MOSFET posee una composición un Lcrit =
2f
poco más complicada e incluye además de las regiones n
y p, una capa de óxido metálico, de donde proviene su (1 − 0, 4) ∗ 50[Ω]
nombre. Sin embargo, la composición interna del MOSFET Lcrit = = 750[µH]
2 ∗ 20[kHz]
no es lo que nos interesa en este escrito. Nunca está de más
mencionar los conceptos teóricos, por supuesto.
Los MOSFET son sumamente utilizados en electrónica Calculamos las corrientes maximas y minimas en el
digital, disciplina en la cual han desplazado a los BJT inductor .
a través del tiempo. En un principio los transistores BJT
causaron una revolución en el mundo de la electrónica, per-
mitiendo lograr avances a pasos agigantados en compara-  
ción con los desarrollos que se daban en la época anterior al Vo 1 Vo
Imáx = + ∗ (1 − D) ∗ T , remplazamos
descubrimiento del transistor. El surgimiento del MOSFET R 2 Lcrit
fue posterior al del BJT, pero las ventajas que ofrece su uso,
especialmente en la electrónica de microcontroladores, ha
 
20[V ] 1 20[V ] 1
trazado una línea divisoria entre las aplicaciones donde se Imáx = + ∗ (1 − 0, 4) ∗
50[Ω] 2 750[µH] 20[kHz]
utiliza el BJT y aquellas donde es mejor utilizar un MOSFET.
Imáx = 800[mA]
4 M ATERIALES O DISPOSITIVOS .
• Diodos Zener de voltoajes y potencias adecuadas. 20[V ] 1

20[V ] 1

• Reostatos variables. Imin = − ∗ (1 − 0, 4) ∗
50[V ] 2 750[µH] 20kHz
• Fuente de alimentacion variable DC.
• Multímetros digitales. Imin = 0[mA]
• Resistencias.
• Las precauciones principales en esta práctica se re- Calculamos el ∆iL
fieren a la escogencia adecuada de los elementos
involucrados: Resistencias, Diodos. De igual forma, VO ∗ (1 − D)D/T
∆iL =
las precauciones con las conexiones y el uso de L
resistencias y diodos de potencia adecuada.
20 ∗ (1 − 0, 4) ∗ (0, 4/20[kHz])
∆iL =
1000[µH]
5 P ROCEDIMIENTO Y MONTAJES .
6 C ALCULOS DE DISEÑO. ∆iL = 240[mA]
6.1 Convertidor reductor (ciclo de trabajo).
Realizamos el diseño con un ciclo de trabajo D=40 por lo Variamos el ciclo de trabajo D=20 a D=80 con ingervalos de
tanto 10 por lo tanto

Vo Para un ciclo de trabajo de D=20

D=
Vi
despejamos Vo y tenemos que.
Vo
D=
Vi
V o = D ∗ V i , remplazamos
despejamos Vo y tenemos que.
V o = 0, 4 ∗ 50[V ] = 20[V ]
INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 4

V o = D ∗ V i , remplazamos V o = D ∗ V i , remplazamos
V o = 0, 2 ∗ 50[V ] = 10[V ] V o = 0, 3 ∗ 50[V ] = 15[V ]

Calculamos IO si: Calculamos IO si:

Vo Vo
Io = , por lo tanto Io = , por lo tanto
R R
10[V ] 15[V ]
Io = = 200[mA] Io = = 300[mA]
50Ω 50Ω

Calculamos Lcrit si la frecuencia es del f = 20kHz. Calculamos Lcrit si la frecuencia es del f = 20kHz.

(1 − D) ∗ R (1 − D) ∗ R
Lcrit = Lcrit =
2f 2f
(1 − 0, 2) ∗ 50[Ω] (1 − 0, 3) ∗ 50[Ω]
Lcrit = = 1000[µH] Lcrit = = 875[µH]
2 ∗ 20[kHz] 2 ∗ 20[kHz]

Calculamos las corrientes maximas y minimas en el Calculamos las corrientes maximas y minimas en el
inductor . inductor .

   
Vo 1 Vo Vo 1 Vo
Imáx = + ∗ (1 − D) ∗ T , remplazamos Imáx = + ∗ (1 − D) ∗ T , remplazamos
R 2 Lcrit R 2 Lcrit
   
10[V ] 1 10[V ] 1 15[V ] 1 15[V ] 1
Imáx = + ∗ (1 − 0, 2) ∗ Imáx = + ∗ (1 − 0, 3) ∗
50[Ω] 2 1000[µH] 20[kHz] 50[Ω] 2 875[µH] 20[kHz]

Imáx = 400[mA] Imáx = 600[mA]

   
10[V ] 1 10[V ] 1 20[V ] 1 20[V ] 1
Imin = − ∗ (1 − 0, 2) ∗ Imin = − ∗ (1 − 0, 3) ∗
50[V ] 2 1000[µH] 20kHz 50[V ] 2 750[µH] 20kHz

Imin = 0[mA] Imin = 0[mA]

Calculamos el ∆iL Calculamos el ∆iL

VO ∗ (1 − D)D/T VO ∗ (1 − D)D/T
∆iL = ∆iL =
L L
10 ∗ (1 − 0, 2) ∗ (0, 2/20[kHz]) 20 ∗ (1 − 0, 3) ∗ (0, 3/20[kHz])
∆iL = ∆iL =
1000[µH] 1000[µH]

∆iL = 80[mA] ∆iL = 210[mA]

Realizamos el diseño con un ciclo de trabajo D=30 por Realizamos el diseño con un ciclo de trabajo D=0,5 por
lo tanto lo tanto
Vo Vo
D= D=
Vi Vi
despejamos Vo y tenemos que. despejamos Vo y tenemos que.
INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 5

V o = D ∗ V i , remplazamos V o = D ∗ V i , remplazamos
V o = 0, 5 ∗ 50[V ] = 25[V ] V o = 0, 6 ∗ 50[V ] = 30[V ]

Calculamos IO si: Calculamos IO si:

Vo Vo
Io = , por lo tanto Io = , por lo tanto
R R
25[V ] 30[V ]
Io = = 500[mA] Io = = 600[mA]
50Ω 50Ω

Calculamos Lcrit si la frecuencia es del f = 20kHz. Calculamos Lcrit si la frecuencia es del f = 20kHz.

(1 − D) ∗ R (1 − D) ∗ R
Lcrit = Lcrit =
2f 2f
(1 − 0, 5) ∗ 50[Ω] (1 − 0, 6) ∗ 50[Ω]
Lcrit = = 625[µH] Lcrit = = 500[µH]
2 ∗ 20[kHz] 2 ∗ 20[kHz]

Calculamos las corrientes maximas y minimas en el Calculamos las corrientes maximas y minimas en el
inductor . inductor .

   
Vo 1 Vo Vo 1 Vo
Imáx = + ∗ (1 − D) ∗ T , remplazamos Imáx = + ∗ (1 − D) ∗ T , remplazamos
R 2 Lcrit R 2 Lcrit
   
25[V ] 1 25[V ] 1 30[V ] 1 30[V ] 1
Imáx = + ∗ (1 − 0, 5) ∗ Imáx = + ∗ (1 − 0, 6) ∗
50[Ω] 2 625[µH] 20[kHz] 50[Ω] 2 500[µH] 20[kHz]

Imáx = 1[A] Imáx = 1, 2[A]

   
20[V ] 1 20[V ] 1 30[V ] 1 30[V ] 1
Imin = − ∗ (1 − 0, 5) ∗ Imin = − ∗ (1 − 0, 6) ∗
50[V ] 2 750[µH] 20kHz 50[V ] 2 500[µH] 20kHz

Imin = 0[mA] Imin = 0[mA]

Calculamos el ∆iL Calculamos el ∆iL

VO ∗ (1 − D)D/T VO ∗ (1 − D)D/T
∆iL = ∆iL =
L L
25 ∗ (1 − 0, 5) ∗ (0, 5/20[kHz]) 30 ∗ (1 − 0, 6) ∗ (0, 6/20[kHz])
∆iL = ∆iL =
1000[µH] 1000[µH]

∆iL = 312[mA] ∆iL = 360[mA]

Realizamos el diseño con un ciclo de trabajo D=60 por Realizamos el diseño con un ciclo de trabajo D=70 por
lo tanto lo tanto
Vo Vo
D= D=
Vi Vi
despejamos Vo y tenemos que. despejamos Vo y tenemos que.
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V o = D ∗ V i , remplazamos V o = D ∗ V i , remplazamos
V o = 0, 7 ∗ 50[V ] = 35[V ]
V o = 0, 8 ∗ 50[V ] = 40[V ]

Calculamos IO si:
Calculamos IO si:

Vo
Io = , por lo tanto
R Vo
Io = , por lo tanto
35[V ] R
Io = = 700[mA]
50Ω
40[V ]
Io = = 800[mA]
50Ω
Calculamos Lcrit si la frecuencia es del f = 20kHz.

Calculamos Lcrit si la frecuencia es del f = 20kHz.

(1 − 0, 7) ∗ 50[Ω]
Lcrit =
2 ∗ 20[kHz]
(1 − 0, 4) ∗ 50[Ω]
(1 − 0, 7) ∗ 50[Ω] Lcrit =
Lcrit = = 375[µH] 2 ∗ 20[kHz]
2 ∗ 20[kHz]
(1 − 0, 8) ∗ 50[Ω]
Lcrit = = 250[µH]
Calculamos las corrientes maximas y minimas en el 2 ∗ 20[kHz]
inductor .

Calculamos las corrientes maximas y minimas en el

Vo 1 Vo
  inductor .
Imáx = + ∗ (1 − D) ∗ T , remplazamos
R 2 Lcrit
 
Vo 1 Vo
 
35[V ] 1 35[V ] 1
Imáx = + ∗ (1 − 0, 7) ∗ Imáx = + ∗ (1 − D) ∗ T , remplazamos
50[Ω] 2 375[µH] 20[kHz] R 2 Lcrit

Imáx = 1, 4[A]  
40[V ] 1 40[V ] 1
Imáx = + ∗ (1 − 0, 7) ∗
  50[Ω] 2 350[µH] 20[kHz]
35[V ] 1 35[V ] 1
Imin = − ∗ (1 − 0, 7) ∗
50[V ] 2 750[µH] 20kHz
Imáx = 1, 65[mA]
Imin = 0[mA]
Calculamos el ∆iL
 
20[V ] 1 20[V ] 1
Imin = − ∗ (1 − 0, 4) ∗
50[V ] 2 750[µH] 20kHz
VO ∗ (1 − D)D/T
∆iL =
L
Imin = 0[mA]
35 ∗ (1 − 0, 7) ∗ (0, 7/20[kHz])
∆iL =
1000[µH] Calculamos el ∆iL

∆iL = 367[mA] VO ∗ (1 − D)D/T

∆iL =
L

40 ∗ (1 − 0, 8) ∗ (0, 8/20[kHz])
Realizamos el diseño con un ciclo de trabajo D=80 por ∆iL =
lo tanto 1000[µH]

Vo
D= ∆iL = 320[mA]
Vi
despejamos Vo y tenemos que.
INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 7

6.2 Convertidor reductor (frecuencia de conmutación).

∆iL = 96[mA]
Realizamos el diseño con un ciclo de trabajo D=40 y una
frecuencia de f = 50kHz por lo tanto
Vo La ondulación aumenta al aumentar la frecuencia a si
D= mismo como la corriente maxiama del inductor.
Vi

despejamos Vo y tenemos que. 6.3 Convertidor reductor (resistencia a la carga).

Realizamos el diseño con un ciclo de trabajo D=40 y una

V o = D ∗ V i , remplazamos frecuencia de f = 20kHz y R = 10[Ω]
V o = 0, 4 ∗ 50[V ] = 20[V ] Vo
D=
Vi

despejamos Vo y tenemos que.

Calculamos IO si:

Vo V o = D ∗ V i , remplazamos
Io = , por lo tanto
R V o = 0, 4 ∗ 50[V ] = 20[V ]
20[V ]
Io = = 400[mA]
50Ω
Calculamos IO si:

Calculamos Lcrit si la frecuencia es del f = 50kHz.

Vo
Io = , por lo tanto
R
(1 − D) ∗ R
Lcrit = 20[V ]
2f Io = = 2[A]
10Ω
(1 − 0, 4) ∗ 50[Ω]
Lcrit = = 300[µH]
2 ∗ 50[kHz]
Calculamos Lcrit si la frecuencia es del f = 20kHz.

Calculamos las corrientes maximas y minimas en el

(1 − D) ∗ R
inductor . Lcrit =
2f
(1 − 0, 4) ∗ 10[Ω]
  Lcrit = = 150[µH]
Vo 1 Vo 2 ∗ 20[kHz]
Imáx = + ∗ (1 − D) ∗ T , remplazamos
R 2 Lcrit

20[V ] 1

20[V ] 1
 Calculamos las corrientes maximas y minimas en el
Imáx = + ∗ (1 − 0, 4) ∗ inductor .
50[Ω] 2 300[µH] 50[kHz]

Imáx = 800[mA]  
Vo 1 Vo
Imáx = + ∗ (1 − D) ∗ T , remplazamos
  R 2 Lcrit
20[V ] 1 20[V ] 1
Imin = − ∗ (1 − 0, 4) ∗
50[V ] 2 750[µH] 20kHz 20[V ] 1

20[V ] 1

Imáx = + ∗ (1 − 0, 4) ∗
10[Ω] 2 150[µH] 20[kHz]
Imin = 0[mA]
Calculamos el ∆iL Imáx = 4[A]

VO ∗ (1 − D)D/T
∆iL =
 
20[V ] 1 20[V ] 1
L Imin = − ∗ (1 − 0, 4) ∗
50[V ] 2 750[µH] 20kHz
20 ∗ (1 − 0, 4) ∗ (0, 4/50[kHz])
∆iL = Imin = 0[mA]
1000[µH]
INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 8

Realizamos el diseño con un ciclo de trabajo D=40 y una 6.4 Convertidor Buck (Ciclo de trabajo).
frecuencia de f = 20kHz y R = 20[Ω]
montajes para cada variación de ciclo util.
Vo
D=
Vi
despejamos Vo y tenemos que.

V o = D ∗ V i , remplazamos

V o = 0, 4 ∗ 50[V ] = 20[V ]
Fig. 6. Montaje con ciclo util del 20% a frecuencia de 20kHz

Calculamos IO si:

Vo
Io = , por lo tanto
R

20[V ]
Io = = 1[A]
20Ω Fig. 7. Montaje con ciclo util del 30% a frecuencia de 20kHz

Calculamos Lcrit si la frecuencia es del f = 20kHz.

(1 − D) ∗ R
Lcrit =
2f

(1 − 0, 4) ∗ 20[Ω]
Lcrit = = 300[µH]
2 ∗ 20[kHz]
Fig. 8. Montaje con ciclo util del 40% a frecuencia de 20kHz

Calculamos las corrientes maximas y minimas en el

inductor .

 
Vo 1 Vo
Imáx = + ∗ (1 − D) ∗ T , remplazamos
R 2 Lcrit

Fig. 9. Montaje con ciclo util del 50% a frecuencia de 20kHz

 
20[V ] 1 20[V ] 1
Imáx = + ∗ (1 − 0, 4) ∗
20[Ω] 2 300[µH] 20[kHz]

Imáx = 2[A]

 
20[V ] 1 20[V ] 1
Imin = − ∗ (1 − 0, 4) ∗
20[V ] 2 750[µH] 20kHz

Imin = 0[mA] Fig. 10. Montaje con ciclo util del 60% a frecuencia de 20kHz
INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 9

Fig. 11. Montaje con ciclo util del 70% a frecuencia de 20kHz Fig. 16. Corriente en el inductor ciclo útil del 50% a frecuencia de 20kHz

Fig. 12. Montaje con ciclo util del 80% a frecuencia de 20kHz
Fig. 17. Corriente en el inductor ciclo útil del 60% a frecuencia de 20kHz

primero procedemos a ver los resultados de la forma de

onda para la corriente que pasa por el inductor

Fig. 18. Corriente en el inductor ciclo útil del 70% a frecuencia de 20kHz

Fig. 13. Corriente en el inductor ciclo útil del 20% a frecuencia de 20kHz

Fig. 19. Corriente en el inductor ciclo útil del 80% a frecuencia de 20kHz

Fig. 14. Corriente en el inductor ciclo útil del 30% a frecuencia de 20kHz Ahora mostramos los resultados obtenidos en la corri-
ente que pasa por la carga

Fig. 15. Corriente en el inductor ciclo útil del 40% a frecuencia de 20kHz Fig. 20. corriente por la carga ciclo útil del 20% a frecuencia de 20kHz
INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 10

Fig. 21. corriente por la carga ciclo útil del 30% a frecuencia de 20kHz Fig. 26. corriente por la carga ciclo útil del 80% a frecuencia de 20kHz

por ultimo procedemos a mostrar la forma de onda

obtenida para la senal de salida

Fig. 22. corriente por la carga ciclo útil del 40% a frecuencia de 20kHz

Fig. 27. Voltaje en la carga ciclo útil del 20% a frecuencia de 20kHz

Fig. 23. corriente por la carga ciclo útil del 50% a frecuencia de 20kHz
Fig. 28. Voltaje en la carga ciclo útil del 30% a frecuencia de 20kHz

Fig. 24. corriente por la carga ciclo útil del 60% a frecuencia de 20kHz
Fig. 29. Voltaje en la carga ciclo útil del 40% a frecuencia de 20kHz

Fig. 25. corriente por la carga ciclo útil del 70% a frecuencia de 20kHz Fig. 30. Voltaje en la carga ciclo útil del 50% a frecuencia de 20kHz
INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 11

Fig. 31. Voltaje en la carga ciclo útil del 60% a frecuencia de 20kHz Fig. 36. Voltaje de salida ciclo útil del 40% a frecuencia de 50kHz

Fig. 32. Voltaje en la carga ciclo útil del 70% a frecuencia de 20kHz Fig. 37. corriente de salida ciclo útil del 40% a frecuencia de 50kHz

6.6 Convertidor Buck (Resistencia de Carga).

para la carga de 10Ω

Fig. 33. Voltaje en la carga ciclo útil del 80% a frecuencia de 20kHz

6.5 Convertidor Buck (Frecuencia de conmutación). Fig. 38. corriente en el inductor Carga de 10 ohm

Fig. 34. Ciclo útil del 40% a frecuencia de 50kHz

Fig. 39. corriente en la Carga de 10 ohm

Fig. 35. Corriente en el inductor ciclo útil del 40% a frecuencia de 50kHz Fig. 40. corriente en la Carga de 10 ohm
INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 12

7 TABLAS COMPARATIVAS .
7.1 Convertidor Buck (Ciclo de trabajo).

D Vo teorico Vo Io teorico Io Delta IL Delta IL

simulado simulado teorico simula-
cion

20 10 [V] 10,149 [V] 200 [mA] 202,98 80 [mA] 272,519

[mA] [mA]
30 15 [V] 14,858 [V] 300 [mA] 297,16 210 [mA] 290,897
Fig. 41. montaje Carga de 10 ohm [mA] [mA]
40 20 [V] 19,849 [V] 400 [mA] 396,99 240 [mA] 176,919
[mA] [mA]

para la carga de 20Ω 50 25 [V] 24,829 [V] 500 [mA] 496,59 312[mA] 44,045
[mA] [mA]
60 30 [V] 29,836 [V] 600 [mA] 596,72 360[mA] 99,472
[mA] [mA]
70 35 [V] 34,857 [V] 700 [mA] 697,14 367[mA] 75,706
[mA] [mA]
80 40 [V] 39,892 [V] 800 [mA] 797,85 320[mA] 50,444
[mA] [mA]
TABLE 1
Tabla comparativa #1

7.2 Convertidor Buck (Frecuencia de conmutación).

Fig. 42. corriente en el inductor Carga de 20 ohm
Frecuen Vo Vo Lcrit Imáx Io Io sim- Delta Delta
cia[KHz] teorico simu- teorico teorico teorico ulado IL IL
lado teorico simu-
lacion

20 20 [V] 19,849 750[u 800[mA] 400 396,99 240 176,919

[V] H] [mA] [mA] [mA] [mA]
50 20 [V] 19,836 300[u 800[mA] 400[mA] 396,73 96 47,93
[V] H] [mA] [mA] [mA]
TABLE 2
Tabla comparativa #2

7.3 Convertidor Buck (Resistencia de Carga).

Fig. 43. corriente en la Carga de 20 ohm
Resisten Vo Vo Lcrit Imáx Io Io sim- Delta Delta
cia teorico simu- teorico teorico teorico ulado IL IL
[Ohm] lado teorico simu-
lacion

10 20 [V] 19,192 150[u 4 [A] 2[A] 1,919 240 180,565

[V] H] [A] [mA] [mA]
20 20 [V] 19,192 300[u 2 [A] 1[A] 0,959 240 101,933
[V] H] [A] [mA] [mA]
TABLE 3
Tabla comparativa #3

8 C ONCLUSIONES .
Fig. 44. corriente en la Carga de 20 ohm
• Se observo que la tensión de salida no solo depende
del ciclo de trabajo, si no también del modo en el que
esté trabajando el circuito.
• El modo CCM es el que mas se utiliza dado que
según lo que se observó en los resultados de sim-
ulación en PSIM sería el que haría el circuito más
eficiente.
• A medida que se aumentaba el ciclo de trabajo la cor-
riente en la carga se estabilizaba mucho más rápido,
pero se producían más ondulaciones en la señal de
salida.
• De igual forma se observó que para un mismo ciclo
Fig. 45. montaje Carga de 20 ohm de trabajo y frecuencia, si la carga tiene un valor
INGENIERÍA ELÉCTRICA (CICLOS PROPEDÉUTICOS) 13

menor, la señal de salida se estabiliza más rápida-

mente.
• Al tener un mayor ciclo de trabajo el delta de cor-
riente en el inductor va aunmetar en los calculos
teoricos mientras que en la simulacion este tiende
a disminuir.
• La relación con repecto a la frecuencia es inversan-
mente proporciona, por lo cual a mayor frecuencia
menor sera el delta de corriente en el inductor asi
como uno menor inductancia critica.

9 B IBLIOGRAFIA .
R EFERENCES
[1] http://panamahitek.com/que-es-y-como-funciona-un-
mosfet/#:~:text=Un%20MOSFET%20es%20un%20dispositivo,la%20constituci%C3%B3n%20del%20propio%20transistor.
[2] https://www.ecured.cu/Transistor_MOSFET
[3] https://academica-e.unavarra.es/xmlui/handle/2454/9624
[4]