UNIVERSIDAD
NACIONAL MAYOR DE
SAN MARCOS
(Universidad del Perú, Decana de América)
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA
Laboratorio N°7
Profesor: JORGE ELIAS MOSCOSO SANCHEZ
Curso: Laboratorio de Sistemas Digitales
Horario: miércoles 2:00pm-04:00pm
Tema: Memorias semiconductoras
Alumnos: grupo-4
• Silva Centeno Frank Gabriel 18190196
Guardia López Samuel 16190161
Dipaz Urcuhuaranga Bryan 18190134
Ascencio Chávez Hendrick 18190175
Arroyo Uribe Jhilmar 18190189
Objetivos:
Con este laboratorio se persiguen varios objetivos:
1. Aprender a escribir y a leer de una memoria RAM.
2. Aprender a grabar una memoria EPROM utilizando un grabador de memorias
3. Realizar la conexión de memorias semiconductoras del tipo ROM Y RAM.
4. Conexión de una Matriz de punto
I.- INTRODUCCIÓN
Una ventaja importante de los sistemas digitales sobre los analógicos es la
capacidad de almacenar fácilmente grandes cantidades de información por
períodos cortos o largos. Esta capacidad de memoria es la que hace que los
sistemas digitales sean tan versátiles y adaptables a muchas situaciones. El tipo de
memoria a ser utilizado en esta práctica son la memoria semiconductora: RAM
Y ROM.
II.- PRE-LABORATORIO
1.- Investigue, analice y realice un resumen sobre los siguientes aspectos:
Memorias. Memorias semiconductoras: ROM, RAM, EPROM, EEPROM,
DRAM. Características de las memorias 2708, 2716, 2732, 6116 o 6216 y 6132
o 6232.
UNIDAD DE MEMORIA
Una unidad de memoria es un conjunto de celdas de almacenamiento junto con los
circuitos asociados que se necesitan para ingresar y sacar la información de
almacenamiento. La memoria almacena información binaria en grupos de bits que se
denominan palabras. Una palabra en la memoria es una entidad de bits que se introducen o
se sacan del almacenamiento como una unidad. Una palabra de memoria es un grupo de
números 1 y 0 que puede representar un número, un código de instrucción, uno o mas
caracteres alfanuméricos o cualquier otra información en código binario.
Tipos de unidades de memoria
Memorias ROM
Como su nombre lo indica, una memoria de sólo lectura (ROM) es una unidad de memoria que
sólo ejecuta la operación de lectura; no tiene la posibilidad de escritura. Esto implica que la
información binaria almacenada en una ROM se hace permanente durante la producción del
hardware de la unidad y no puede alterarse escribiendo diferentes palabras en ella. Una ROM
m x n es un arreglo de celdas binarias organizadas en m palabras de n bits cada una. Una ROM
tiene k líneas de entrada de dirección para seleccionar una de 2k = m palabras de memoria, y n
líneas de salida, una para cada bit de la palabra. En la figura se muestra una ROM de k=14 Y
n=8.
Es fácil observar que con una ROM se puede implementar cualquier función lógica de k
variables de entrada y n salidas. Basta con especificar el "contenido" de la ROM de manera que
los n bits de cada palabra (posición del array) correspondan al valor de la función en el punto
(que coincide con el índice del array).
MEMORIAS EPROM
Una EPROM es una ROM que puede ser borrada. El mecanismo de borrado es
totalmente distinto al de programación e implica un proceso de exposición del circuito a luz
ultravioleta por varios minutos. La gran ventaja es que puede reutilizar las EPROMs
muchas veces borrando su contenido y grabando uno nuevo.
Para ello las EPROM disponen de una ventana transparente en el encapsulado
cerámico o plástico del circuito integrado.
MEMORIAS EEPROM
EEPROM Las EPROM si bien solucionan el problema de la reusabilidad de este tipo de
memorias, todavía tienen el inconveniente que este proceso es sumamente lento, complejo y
requiere retirar la EPROM del sistema para realizar el borrado. Es así que surgieron las
EEPROM (Electrical EPROM), o sea una EPROM cuyo proceso de borrado se hace
eléctricamente y puede efectuarse sin retirar el circuito integrado del sistema. Posee otra
diferencia importante con la EPROM: una EEPROM normalmente tiene la capacidad de borrar
cada bit en forma individual (también hay implementaciones que borran una palabra completa
en cada operación de borrado).
Dynamic RAM
DRAM (Dynamic Random Access Memory o Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio) es un tipo
de tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga
progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto tiempo,
revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco. En oposición a este concepto surge el de
memoria SRAM (RAM estática), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada en
semiconductores que, mientras siga alimentada, no necesita refresco.
Se usa principalmente como módulos de memoria principal RAM de ordenadores y otros
dispositivos. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran
densidad de posiciones y que funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican
integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por
segundo.
Características de las siguientes memorias
2708, 2716, 2732, 6116 o 6216 y 6132 o 6232
Memoria EPROM 2708
• Organización 1024 X 8
• Todas las entradas y salidas totalmente compatibles con TTL
• Funcionamiento estático (sin relojes)
• Salidas de 3 estados para OR-Ties
• Tecnología Silicon-Gate de canal N
• Salida de 8 bits para uso en sistemas basados en microprocesadores
Memoria EPROM 2716
• 2048 x 8 ORGANIZACIÓN
• 525 mW máx. De POTENCIA ACTIVA, 132 mW máx.
• VOLTAJE DE SUMINISTRO ÚNICO DE 5 V
• ESTÁTICO: NO SE REQUIEREN RELOJES
• ENTRADAS Y SALIDAS COMPATIBLES CON TTL
• DURANTE LA LECTURA Y EL PROGRAMA
• MODOS:
RANGO DE TEMPERATURA EXTENDIDO
VOLTAJE DE PROGRAMACIÓN: 25V
Memoria RAM 6116
Organización de la memoria: 2048 X 8
• Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
• Baja potencia en estado inactivo: 10 uW
• Baja potencia en estado activo: 160 mW
• RAM completamente estática: No requiere reloj para su funcionamiento
• Temperatura de operación: 0.75 grados centígrados
• Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centígrados.
• Potencia de disipación: 1 Watts
• Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnología TTL
