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DIODOS

Este documento proporciona información sobre el diodo semiconductor, incluyendo su construcción, operación, y relación entre la corriente y la tensión. Explica cómo los diodos permiten el flujo de corriente en una dirección pero lo bloquean en la otra, y describe el movimiento de cargas en un diodo bajo polarización directa e inversa. También menciona algunos programas de simulación de circuitos electrónicos.
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DIODOS

Este documento proporciona información sobre el diodo semiconductor, incluyendo su construcción, operación, y relación entre la corriente y la tensión. Explica cómo los diodos permiten el flujo de corriente en una dirección pero lo bloquean en la otra, y describe el movimiento de cargas en un diodo bajo polarización directa e inversa. También menciona algunos programas de simulación de circuitos electrónicos.
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República Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular Para la Educación

Instituto Universitario “Antonio José de Sucre”

Sede-Caracas

Profesor: Alumno:

Edgar Borrego Yefferson Martinez 26219010

#70 Electricidad (Mantenimiento)

Caracas, 21 de Octubre del 2020


ÍNDICE

CONTENIDO PAG.

INTRODUCCIÓN 4

DIODO 5

MOVIMIENTO DE CARGA EN EL DIODO 5-6

Polarización directa del diodo 6-7

Polarización inversa del diodo 7

CONSTRUCCIÓN DE UN DIODO 8

OPERACIÓN DEL DIODO 8

RELACIÓN ENTRE LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN EN EL DIODO 9

EFECTOS DE LA TEMPERATURA EN EL DIODO 9-10

LÍNEA DE CARGA DE UN DIODO 10-11

DIODO SEMICONDUCTOR 11

CONDUCCION ELÉCTRICA EN LOS MATERIALES 11-12

CONDUCCION ELÉCTRICA EN LOS MATERIALES


SEMICONDUCTORES 12-13

MATERIALES SEMICONDUCTORES DE SILICIO Y GERMANIO 13

ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS 14

NIVELES DE ENERGÍA 15

MATERIALES EXTRÍNCECOS TIPO P Y TIPO N 15

Semiconductor tipo P 16

Semiconductor tipo N 16

2
NIVELES DE RESISTENCIA DEL DIODO SEMICONDUCTOR 17

Resistencia estática 17

Resistencia directa 17

Resistencia inversa

Resistencia de fugas en polarización inversa 17

CAPACITANCIAS DE DIFUSIÓN Y TRANSMISIÓN 18

TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSA 18

PROGRAMAS COMPUTACIONALES PARA LA SIMULACIÓN DE


CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 19

Kicad 19

Proficad 19-20

FreePCB 20

CONCLUSIÓN 21

3
INTRODUCCIÓN

El diodo tiene un papel muy importante en la tecnología moderna.


Prácticamente en cada sistema electrónico, desde el equipo de audio hasta el
computador usa diodos de una u otra forma.

El diodo puede ser descrito como un dispositivo de dos terminales, el cual


es sensible a la polaridad. Es decir la corriente en el diodo puede fluir en una
dirección solamente la cual se le conoce como la descripción ideal.

El primer diodo de vacío, basado en el fenómeno de emisión termo-iónica


emisión de electrones de un alambre metálico calentado, data de
comienzos de 1900. Alrededor de 30 años después, el diodo semiconductor
fue introducido comercialmente. El primer diodo fue probado en1905.

La tecnología de semiconductores de germanio y silicio se introdujo en los


años 30. El diodo semiconductor, algunas veces llamado diodo de estado
sólido, tiene muchas ventajas importantes sobre el diodo de vacío. El diodo de
estado sólido es mucho más pequeño, barato, y muy confiable. Actualmente
los diodos de vacío son usados en muy raras ocasiones.

4
DIODO

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la


circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido,
bloqueando el paso si la corriente circula en sentido contrario, no solo sirve
para la circulación de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste.
Esto hace que el diodo tenga dos posibles posiciones: una a favor de la
corriente (polarización directa) y otra en contra de la corriente (polarización
inversa).

MOVIMIENTO DE CARGA EN EL DIODO

En el punto de juntura o unión “p-n” de un semiconductor diodo se forma


una barrera de potencial en la que los huecos de la parte positiva, por un lado,
y los electrones de la parte negativa, por el otro, alcanzan un punto de
equilibrio, creándose alrededor de dicha unión una zona de deplexión conocida
también como zona de carga espacial, zona de agotamiento o zona de
vaciado, que impide que la corriente eléctrica fluya a través del diodo así
formado.

Cuando un diodo no se encuentra energizado, en el punto de unión o


juntura “p-n” los huecos y los electrones se encuentran en estado de
equilibrio. Por consiguiente, en ese punto lo denominamos niveles de fermi, en
el cual se emparejan o igualan a ambos lados de la unión.

5
Cuando la unión positiva-negativa “p-n” de un semiconductor diodo se
encuentra en equilibrio por no encontrarse energizado, los niveles de fermi se
igualan o emparejan a ambos lados de la unión. Bajo esas condiciones los
electrones y los huecos alcanzan un equilibrio próximo a ese punto y a su
alrededor se crea una zona de deplexión.

Para que se pueda establecer un flujo electrónico a través del diodo, será
necesario suministrarles energía a los electrones que se encuentran debajo
de la línea del nivel de fermi para que se puedan mover hacia arriba y pasar a
la banda de conducción y unirse a los huecos.

Polarización directa del diodo

Cuando un semiconductor diodo lo polarizamos de forma directa


conectándole una fuente de fuerza electromotriz o suministro eléctrico como
por ejemplo una batería, su lado “P” se vuelve más positivo, lo que ocasiona
que se cree una diferencia en altura del nivel de fermi en la parte negativa del
diodo. Esto facilita que los electrones libres en esa parte alcancen la banda de
conducción y puedan atravesar la unión o juntura “p-n” pasando a llenar los
huecos presentes al otro lado de la unión. 4

De esa forma los electrones alcanzarán la banda de conducción,


atravesarán la unión “p-n” y saltarán de un hueco a otro en la parte
positiva (P) hasta concluir finalmente su recorrido en el polo positivo de la

6
fuente de suministro eléctrico. La situación que se produce se puede
interpretar como: electrones moviéndose en un sentido y huecos moviéndose
en sentido opuesto.

Polarización inversa del diodo

Cuando el semiconductor diodo se polariza de forma inversa, el lado


positivo “P” de la unión “p-n” se vuelve negativo debido a que está conectado
al polo negativo de la batería. En esas condiciones el nivel de
fermi correspondiente a esa parte positiva crece en altura, impidiendo así que
los electrones se puedan mover a través del cristal semiconductor. Además,
la diferencia de altura del nivel de fermi en la parte positiva “P” del diodo
aumenta, mientras que en la parte negativa “N” disminuye. Por tanto, bajo
esas circunstancias los electrones presentes en la parte negativa carecerán
de la suficiente energía para poder atravesar la unión “p-n”.

7
CONSTRUCCIÓN DE UN DIODO

En la construcción del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales


semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un
material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de
partículas negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo
semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas
negativas. Cuando se aplica un voltaje de corriente directa la región iónica en
la unión se reduce y los portadores negativos en el material tipo n pueden
superar la barrera negativa restante de iones positivos y continuar su camino
hasta el potencial aplicado.

Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son:


el germanio, silicio y arseniuro de galio. En general, en silicio ha reemplazado
al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten
la operación a temperaturas más altas, y los costos de material son mucho
menores. El arseniuro de galio es particularmente útil en aplicaciones de alta
frecuencia y microondas.

OPERACIÓN DEL DIODO

Su operación es tal que deja pasar corriente en un sentido y la bloquea en


el contrario. Esta característica de su funcionamiento se utiliza para estudiar
circuitos con diodos así, como sus aplicaciones a circuitos rectificadores,
recortadores, limitadores y fuente de alimentación.

8
RELACIÓN ENTRE LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN EN EL DIODO

Sabemos que la función principal de un diodo es controlar la dirección del


flujo de corriente. La corriente que pasa por un diodo solo puede ir en un
sentido, que se llama la dirección hacia adelante, dicha corriente que trate de
fluir en sentido contrario es bloqueada.

Si el voltaje en un diodo es negativo, no puede fluir corriente y el diodo se


comporta como un circuito abierto. En esa situación, el diodo se dice que
está apagado o en polarización inversa.

Mientras el voltaje del diodo no sea negativo, el diodo se encenderá y


conducirá corriente. De esta manera actuara como un corto circuito es decir
que tendría 0 Voltios, y si estuviese conduciendo corriente se dice que
esta polarizado o encendido.

La relación corriente-voltaje de un diodo, viene dado ya que con cualquier


voltaje negativo produce cero corriente, se crea un circuito abierto, mientras
que si el voltaje es no-negativo el diodo se ve como un corto circuito.

EFECTOS DE LA TEMPERATURA EN EL DIODO

La temperatura tiene un efecto importante en la determinación delas


características operativas de los diodos. Ya que la temperatura de un
semiconductor puede generar un incremento sustancial en el número de
electrones libres en el diodo, según aumenta la temperatura un número mayor

9
de electrones absorben suficiente energía térmica como para romper la unión
covalente y contribuir así al número de portadores libres, este mayor números
de portadores aumentara el índice de conductividad y generará un menor nivel
de resistencia.

Los materiales como el germanio y el silicio en el diodo muestran una


reducción en la resistencia con el incremento de la temperatura y estos a su
vez tienen un coeficiente de temperatura negativo.

LÍNEA DE CARGA DE UN DIODO

Una línea de carga es una línea dibujada en la curva característica, un


gráfico de la corriente frente al voltaje en un dispositivo no lineal como un diodo
o transistor. Representa la restricción impuesta al voltaje y la corriente en el
dispositivo no lineal por el circuito externo. La línea de carga, generalmente
una línea recta, representa la respuesta de la parte lineal del circuito,
conectada al dispositivo no lineal en cuestión. Los puntos donde se cruzan la
curva característica y la línea de carga son los posibles puntos operativos del
circuito, en estos puntos coinciden los parámetros de corriente y voltaje de
ambas partes del circuito.

10
DIODO SEMICONDUCTOR

El diodo semiconductor es un dispositivo que permite el paso de la corriente


eléctrica en una única dirección. De forma simplificada, la curva característica
de un diodo consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de
potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de
ella como un corto circuito con muy pequeña resistencia eléctrica. Por lo
general en un diodo su banda gris representa el cátodo y la banda negra el
ánodo. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores,
ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente
continua.

CONDUCCION ELÉCTRICA EN LOS MATERIALES

En los materiales y dispositivos conductores, la propiedad principal para su


diseño es la resistividad, o su inversa, la conductividad. Otras propiedades
interesantes que completan el cuadro calificador de estos materiales se han
visto en características resistentes

11
Por otra parte, Ohm comprobó que al someter los extremos de un material
metálico a una diferencia de potencial V aparecía una corriente eléctrica I en
el interior de éste, de forma que dicha diferencia de potencial e intensidad
estaban ligadas a través de una magnitud física llamada resistencia eléctrica
R, de acuerdo a la ley que lleva su nombre:

V=R·I

La resistencia eléctrica indica una reacción del material al paso de corriente


eléctrica a través de él. Nos manifiesta una inercia u oposición a que los
electrones fluyan por efecto de un campo eléctrico.

CONDUCCION ELÉCTRICA EN LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos químicos y


compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el
seleniuro de cinc y el telurio de plomo. El incremento de la conductividad
provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se debe al
aumento del número de electrones conductores que transportan la corriente
eléctrica. En un semiconductor característico o puro como el silicio, los
electrones de valencia o electrones exteriores de un átomo están emparejados
y son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que
mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no están libres para
transportar corriente eléctrica. Para producir electrones de conducción, se

12
utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones de valencia y provoca
su liberación de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las
deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se
dice que estos huecos transportan carga positiva). Éste es el origen físico del
incremento de la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la
temperatura.

MATERIALES SEMICONDUCTORES DE SILICIO Y GERMANIO

Los semiconductores como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se),


constituyen elementos que poseen características intermedias entre los
cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa,
ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos
elementos permiten la circulación de la corriente eléctrica en un sentido, pero
no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente
alterna, detectar señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica,
funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.

Tabla de elementos semiconductores

13
ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

Un enlace covalente entre dos átomos se produce cuando estos átomos se


unen, para alcanzar el octeto estable, y comparten electrones del último nivel
excepto el hidrógeno que alcanza la estabilidad cuando tiene 2 electrones. La
diferencia de electronegatividad entre los átomos no es lo suficientemente
grande como para que se produzca una unión de tipo iónica. Para que un
enlace covalente se genere es necesario que la diferencia de
electronegatividad entre átomos sea menor a 1,7.

Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se


denomina semiconductor intrínseco.

Los más empleados históricamente son el germanio (Ge) y


el silicio (Si); siendo éste último el más empleado (por ser mucho más
abundante y poder trabajar a temperaturas mayores que el germanio).

Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita


externa (electrones de valencia), que comparte con los átomos adyacentes
formando 4 enlaces covalentes. De esta manera cada átomo posee 8
electrones en su capa más externa., formando una red cristalina, en la que la
unión entre los electrones y sus átomos es muy fuerte. Por consiguiente, en
dicha red, los electrones no se desplazan fácilmente, y el material en
circunstancias normales se comporta como un aislante.

14
NIVELES DE ENERGÍA

Los niveles de Energía son estados energéticos en donde se pueden


encontrar los electrones en estados estables o no, según el subnivel en que
se encuentran ya sea, cerca del núcleo o en las últimas capas.

La configuración electrónica es el modo en que los electrones de un átomo


se disponen alrededor del núcleo. En otras palabras, y de acuerdo con el
modelo de Bohr, la configuración electrónica nos indica en qué niveles y
subniveles de energía se encuentran los electrones de un átomo.

Los niveles de energía los llamaremos 1, 2, 3, 4, 5... Y a los subniveles s


(con 2 electrones como máximo), p (con 6 electrones como máximo), d (con
10 electrones como máximo) y f (con 14 electrones como máximo).

MATERIALES EXTRÍNCECOS TIPO P Y TIPO N

Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un


proceso de impurificación llamado dopaje, consistente en introducir átomos de
otros elementos con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor
obtenido se denominará semiconductor extrínseco. Según la impureza
llamada dopante distinguimos:

15
Semiconductor tipo P

Se emplean elementos trivalentes (3 electrones de valencia) como el Boro


(B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no aportan los 4
electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en la red
cristalina éstos átomos presentarán un defecto de electrones (para formar los
4 enlaces covalentes). De esa manera se originan huecos que aceptan el paso
de electrones que no pertenecen a la red cristalina. Así, al material tipo P
también se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).

Semiconductor tipo N

Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5 electrones


de valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el Antimonio (Sb). El
donante aporta electrones en exceso, los cuales al no encontrarse enlazados,
se moverán fácilmente por la red cristalina aumentando su conductividad. De
ese modo, el material tipo N se denomina también donador de electrones.

16
NIVELES DE RESISTENCIA DEL DIODO SEMICONDUCTOR

En un diodo semiconductor se definen tres magnitudes resistivas:

Resistencia estática: mide la oposición que presenta el diodo al paso de


la corriente continua (CC).

A partir de la ley de Ohm, la resistencia estática de un diodo se expresa en la


forma siguiente: Restática = V/I. Dentro del concepto de resistencia estática
cabe aún una diferenciación atendiendo a los dos posibles estados de
polarización del diodo.

Resistencia directa: La resistencia en polarización directa es de magnitud


reducida y puede evaluarse directamente sobre la curva característica del
diodo.

Resistencia inversa: La resistencia es de magnitud muy elevada, salvo en


el caso de superar el nivel de ruptura.

Un diodo será de mayor calidad a medida que sus resistencias estáticas


directa e inversa se aproximen a las de un diodo ideal:
Diodo ideal Rf = 0 Rr = ¥

Resistencia de fugas en polarización inversa: Es despreciable y


habitualmente no se tiene en cuenta. En algunas ocasiones toma un valor
importante, ya que la intensidad de fugas (If) puede superar en magnitud a la
corriente inversa de saturación (Is).

17
CAPACITANCIAS DE DIFUSIÓN Y TRANSMISIÓN

Es importante saber que: todo dispositivo electrónico o eléctrico es sensible


a la frecuencia. Es decir, las características terminales de cualquier dispositivo
cambian con la frecuencia. Incluso la resistencia de un resistor básico, como
el de cualquier construcción, es sensible a la frecuencia aplicada. A
frecuencias de bajas a medias se puede considerar que la mayoría de los
resistores tienen un valor fijo. No obstante, a medida que alcanzamos altas
frecuencias, los efectos pará-sitos capacitivos e inductivos empiezan a
manifestarse y afectan el nivel de impedancia total del elemento. En el diodo
los niveles de capacitancia parásita son los que tienen un mayor efecto.

TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSA

Cuando se aplica una polarización directa a una unión p-n, se observa el


incremento de los portadores minoritarios en las adyacencias de la unión
provenientes de la inyección desde el otro lado de la unión donde están en
exceso por ser mayoritarios.

Si la polarización de un circuito con un diodo polarizado en sentido


directo, pasa a ser en sentido inverso, la corriente no podrá pasar
inmediatamente al valor que corresponde a la polarización inversa. La
corriente no puede anularse a su valor de equilibrio hasta la distribución de
portadores minoritarios correspondiente a la distribución en polarización
inversa.

18
PROGRAMAS COMPUTACIONALES PARA LA SIMULACIÓN DE
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Kicad

KiCad es una herramienta gratuita multiplataforma para la creación de


diagramas electrónicos y diseños de PCB. Dispone de un gestor de proyectos,
un editor de esquemas y componentes, selector de huellas, editor de placas de
circuito, visor de archivos Gerber, creación de componentes o huellas a partir de
imágenes bitmap, calculadora PCB y un editor de formatos de página.

Proficad

Proficad es la herramienta gratuita multiplataforma para dibujar diagramas


eléctricos y circuitos de control aunque también se puede utilizar para diagramas
hidráulicos, neumáticos y otros tipos de diagramas técnicos. Su interfaz es muy
sencilla e incluye muchísimos símbolos aunque permite también crear diseños
propios funcionalidad de pago. Admite la numeración automática de símbolos,
listas de cables, de materiales y otras funcionalidades avanzadas.

Está traducido a muchos idiomas y la edición no comercial tiene limitaciones


que no admite funciones como crear la lista de materiales, netlist, lista de cables,
coordenadas modulares, editor de los bloques de títulos y algunas otras
limitaciones.

19
FreePCB

La herramienta gratuita multiplataforma FreePCB es un editor de circuitos


impresos sencillo de utilizar aunque no dispone de trazado automático de
circuitos. Permite crear hasta 16 capas de cobre, diseñar circuitos con un
máximo de 152 centímetros cuadrados, dispone de bastantes elementos
prediseñados y permite importar/exportar listas PADS-PCB, Gerber y Excellon.

20
CONCLUSIÓN

Podemos concluir que un diodo se utiliza cuando se quiere tener una


tensión de voltaje de salida casi constante e igualándola a la tensión máxima
del diodo.

Los diodos son elementos importantes en la electrónica que nos rodea hoy
en día, es por ello, que para su comprensión hay que estar al tanto de ciertos
conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento. Los diodos
son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el
propósito de resolver algún problema.

También podemos saber que el diodo solo se utiliza cuando inviertes la


polaridad del diodo al que comúnmente se utiliza ya que si se polariza como
un diodo normal se trabajaría como un diodo normalizado. También podemos
obtener la resistencia limitadora entre los mínimos y máximos, y elegir una
resistencia que se adecue en el intervalo.

21

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