ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL
DISPOSITIVOS ELÉCTRÓNICOS
NOMBRE: Ma. Teresa Calderón J.
CURSO: GR1
FECHA: 2010-09-16
1. EFECTO ZENER Y EFECTO AVALANCHA
Al aplicar una tensión inversa pequeña a un diodo, circula una corriente cuyo valor
es muy pequeño y que está formada por huecos y electrones generados térmicamente.
Sin embargo al aumentar hasta cierto valor la tensión inversa, se produce una ruptura
espontánea de los enlaces covalentes de los átomos próximos a la unión P-N.
La ruptura de dichos enlaces genera pares electrón-hueco y se produce así un
aumento notable de la corriente. Esta acción es el efecto Zener (diodos muy dopados)
propiamente dicho. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
La tensión a la que se produce dicho efecto, depende del grado de dopado del
silicio. Sin embargo, a menudo se obtiene un aumento brusco de la corriente inversa por
medio de un efecto de avalancha y por debajo del nivel de la tensión inversa que
corresponde al efecto Zener.
Al aumentar la tensión inversa aumenta la velocidad de los portadores. Dicha
velocidad puede ser suficiente para provocar la ionización si los átomos chocan con las
moléculas del semiconductor con suficiente energía.
Los portadores de carga resultantes de la ionización por colisión toman parte en
nuevas colisiones y produce a su vez nuevos portadores y por consiguiente, de la
corriente.
El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este
fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6 V y esto es lo que
constituye el efecto avalancha (diodos poco dopados).
Sea cual sea el mecanismo que produzca la ruptura, se produce en un nivel bien
definido y estable, prácticamente constante. Procurando no sobrepasar la temperatura de
unión máxima admisible, la ruptura es reversible y no destructiva, o sea regresa a su
estado de bloqueo al descender la tensión inversa. Esto diferencia este diodo del diodo
rectificador ya que este último al llegar a la tensión Zener se destruye.
2. EFECTOS DE LA TEMPERATURA SOBRE LA CURVA CARACTERÍSTICA
DEL DIODO SEMICONDUCTOR.-
La temperatura puede tener un grave efecto sobre las características de un diodo
semiconductor de silicio. Algunas de las consecuencias son:
La corriente de saturación inversa I, será casi igual al doble en magnitud por
cada 10 ºC de incremento en la temperatura.
Es frecuente que un diodo de Ge con un Is de 1 o 2 uA a 25 ºC tenga una corriente de
fuga de 100 uA a una temperatura de 100 ºC. Los niveles de corriente de esta magnitud
en la región de polarización inversa van a cuestionar la condición deseada de circuito
abierto en la región de polarización inversa. Los valores típicos de Is, para el Si son
mucho menores que para el Ge para unas condiciones similares de potencia y corriente.
El resultado es que aún a mayor temperatura, los niveles de Is para los diodos de Si
no alcanzan los mismos altos niveles que para el Ge, una razón importante para que los
elementos de Si tengan mayor desarrollo y utilización.
Los niveles de Is aumentan a mayor temperatura con niveles menores de voltaje
umbral. Mientras la temperatura mejora las características en polarización directa, en
realidad se convierten en características más “ideales”, pero analizando se ve que las
temperaturas más allá del rango de operación normal pueden tener efectos perjudiciales
en los niveles de potencia y corriente máximas del diodo.
En la región de polarización inversa el voltaje de ruptura se incrementa con la
temperatura, pero a la vez se incrementa perjudicialmente la corriente de saturación.
3. VOLTAJE DE RUPTURA REVERSO.-
Tensión inversa de ruptura: la tensión inversa de ruptura es la máxima tensión en
sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en conducción; esta tensión para
un diodo rectificador es destructiva, por ello cuando se diseña un circuito siempre se
utiliza un factor de seguridad que no está determinado, sino que depende del diseñador,
así por ejemplo, si la hoja de características de un diodo expresa un valor para la tensión
inversa de ruptura de 80 V, un diseñador muy conservador puede utilizar un factor de
seguridad de 2. El diodo no soportará, en ningún caso, tensiones inversas superiores a
40 V.
En otras palabras, s un parámetro de los diodos que definen el máximo voltaje inverso
que se puede aplicar sin que se cause un incremento exponencial de la corriente al
diodo. Esta característica se puede utilizar para hacer reguladores de tensión, como es el
caso del Diodo Zener, un diodo mucho dopado que explota la característica de la
tensión de ruptura: cuando la tensión en polarización inversa consigue el valor de la
tensión de ruptura, el mismo campo eléctrico de la unión p-n es capaz de arrancar
electrones de la banda de valencia permitiendo la conducción casi sin variación de la
tensión.
En conclusión se puede decir que la tensión de ruptura de un diodo es la mínima
tensión necesaria en polarización inversa para hacer que el diodo conduzca en sentido
inverso. O bien que voltaje de ruptura inverso es equivalente al voltaje Zener o a la
región de avalancha del diodo semiconductor.
BIBLIOGRAFÍA
http://thales.cica.es/rd/Recursos/rd98/TecInfo/08/ZENER.html
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Electrónica: Teoría de Circuitos. Sexta edición. Robert L. Boylestad. Louis
Nashelsky.
