EXPERIENCIA 1: CURVA CARACTERÍSTICA DE DIODOS

I. OBJETIVOS GENERALES:

Al finalizar el experimento el estudiante estará en la capacidad de describir en

términos de sus características eléctricas el funcionamiento de os diodos de silicio,
germano, diodos Zener y los diodos emisores de luz (leds). Estará también capacitado
para establecer las diferencias entre todos ellos.

II. OBJETIVOS ESPECIFICOS:

1. Comprobar el estado de diodos de silicio y germanio utilizando multímetros

digitales.
2. Utilizar diferentes métodos para obtener la curva característica de diodos.

III. CUESTIONARIO RESPECTIVO:

1. En varios laboratorios del presente curso deberán aislarse las tierras entre
generadores, fuentes y el osciloscopio. Investigue porque este aislamiento es
necesario. ¿Qué ocurre al circuito de la figura 2 si no se aíslan las tierras?

Respuesta: En el sistema de red, el potencial de referencia es la tierra física,

considerada 0 Voltios: la referencia está enterrada en el terreno mismo.
Garantiza que toda superficie metálica que puede entrar en contacto con
personas o animales esté al potencial de tierra. De lo contrario el cuerpo o la
entrada de blindaje de la entrada del osciloscopio puede establecer un contacto
a tierra de un polo de la red, que haga saltar los interruptores diferenciales, y
quizá fundir algún fusible interno o peor, destruir algún semiconductor delicado.

2. Investigue el comportamiento de un diodo ideal, el funcionamiento de un diodo

de unión pn, y el origen de las curvas características de los últimos ¿Qué
significa que un diodo este polarizado en forma directa o inversa?

Respuesta: Un diodo ideal conducirá corriente en la dirección que define la

flecha en el símbolo, y actuará como un circuito abierto en cualquier intento por
establecer corriente en dirección opuesta.

FiguraNº[Link] de la corriente en el diodo.

 Figura Nº2.
Grafica del comportamiento del diodo ideal.

Diodo pn : Es un dispositivo electrónico semiconductor, generalmente construido

de Silicio dopado, de una  juntura PN (formada por unión de una región P y cátodo K
asociado a la región N . Su más importante característica es la unidireccionalidad que
adquiere la corriente a través de él, gracias a la baja resistencia que opone cuando el
diodo está directamente polarizado y a la altísima resistencia que opone cuando está
inversamente polarizado, lo cual es la base de su principal aplicación: la rectificación
de corrientes alternas.
 FiguraNº[Link] del comportamiento del diodo pn.

Si la corriente entra en el diodo por la parte del cristal P (triangulo) deja pasar la
corriente. Se dice que el diodo esta polarizado directamente o tiene polarización
directa. Como vemos en el siguiente circuito pasa corriente por lo tanto se prende el
led.

FiguraNº[Link] directa

Si la corriente entra en el diodo por la parte del cristal N (línea), no deja pasar
corriente. Se dice que es polarización inversa. Como vemos en el siguiente
circuito no pasa corriente por lo tanto no se prende el led.

FiguraNº[Link] inversa

3. Investigue qué función matemática describe el comportamiento de un diodo de

unión pn y como es afectado por la temperatura.

El modelo matemático más empleado es el de Shockley, que permite aproximar el

comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que liga
la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:
 Figura Nº 6 Ecuación del diodo PN

Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.

IS es la corriente de saturación (aproximadamente  )

n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

El Voltaje térmico VT es aproximadamente 25.85mV en 300K, una temperatura

cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulación de
circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura

absoluta de la unión pn, y q es la magnitud de la carga de un electrón (la carga
elemental).

4. investigue qué diferencia hay entre el comportamiento de diodos de germanio y

de silicio

DIODO GERMANIO DIODO SILICIO

Los diodos de germanio se utilizan mejor Los diodos de silicio son excelentes diodos
en circuitos eléctricos de baja potencia. de propósito general y se pueden utilizar
Las polarizaciones de voltaje más bajas en casi todos los circuitos eléctricos que
resultan en pérdidas de potencia más requieran de un diodo. Los diodos de
pequeñas, lo que permite que el circuito silicio son más duraderos que los diodos
sea más eficiente eléctricamente. Los de germanio y son mucho más fáciles de
diodos de germanio también son obtener. Mientras que los diodos de
apropiados para circuitos de precisión, en germanio son apropiados para circuitos de
donde las fluctuaciones de tensión deben precisión, a menos que exista un requisito
mantenerse a un mínimo. Sin embargo, los específico para un diodo de germanio, por
diodos de germanio se dañan más lo general es preferible utilizar diodos de
fácilmente que los diodos de silicio. silicio cuando se fabrique un circuito.
El de Germanio la caída de voltaje es de La caída de voltaje en un Diodo de Silicio
0.3 voltios (en conducción.)  es 0.7 voltios (en conducción) 

5. Investigue el comportamiento y funcionamiento de los diodos emisores de luz

(LED).

DIODO LED:
Los diodos LEDs son considerados dispositivos o elementos SSL (Solid State Lighting –
Iluminación de estado sólido) y como cualquier otro tipo de semiconductor poseen también
una construcción sólida o robusta. Además, su interior no contiene ningún tipo de gas, ni
posee elementos frágiles como filamento o ampolla de cristal que se pueda romper, a
diferencia de otros tipos de lámparas empleadas para iluminación en general como son, por
ejemplo, las incandescentes, fluorescentes, CFL o las halógenas. Los diodos LEDs tampoco
contienen mercurio (Hg) ni otros materiales tóxicos que puedan contaminar el medio
ambiente.

FUNCIONAMIENTO DEL LED

La estructura del chip de los diodos LED, al contrario de lo que ocurre con los diodos
comunes, no emplea cristales de silicio (Si) como elemento semiconductor, sino una
combinación de otros tipos de materiales, igualmente semiconductores, pero que poseen la
propiedad de emitir fotones de luz de diferentes colores cuando lo recorre una eléctrica. Un
diodo LED emisor de luz roja, por ejemplo, emplea un chip compuesto por arseniuro de galio
y aluminio (GaAlAs), mientras que para emitir luz azul utiliza un chip de nitruro de galio (GaN).
Todas las combinaciones empleadas
en la fabricación del chip de un diodo LED,
poseen también dos polaridades o regiones
diferentes: una negativa “N”
correspondiente al cátodo y otra positiva
“P” correspondiente al ánodo,
al igual que ocurre con los diodos
comunes de silicio (Si).Para crear un
diodo LED se unen también dos regiones
“N” y “P”, como si de un diodo común se tratara. En el punto de unión o juntura de esas dos
regiones se forma, igualmente, una barrera de potencial, cuya función es impedir el paso de
los electrones desde la región negativa “N” hacia la positiva “P” cuando no se encuentran
debidamente polarizados y los electrones no poseen la suficiente energía para poder
atravesarla. Cuando aplicamos a los extremos del LED una tensión o voltaje que permita
polarizarlo directamente, los electrones provenientes de la fuente de suministro de corriente
directa (C.D.) comienzan a fluir a través del diodo. Bajo esas condiciones, cada vez que un
electrón en exceso con carga negativa (–) presente en la región “N” adquiere la suficiente
energía como para poder vencer la resistencia que le ofrece la barrera de potencial, la
atraviesa y se combina con un hueco positivo en exceso en la región “P”. En el mismo instante
que ocurre esa combinación, la energía en exceso que adquirió dicho electrón para poder
atravesar la barrera de potencial, se transforma en energía electromagnética, que libera, en
ese preciso momento, en forma de fotón de luz.

Figura N.º 6. Diodo emisor de luz con la unión polarizada en sentido directo

6. Investigue el comportamiento y funcionamiento del diodo Zener y el origen de

su curva característica.

El diodo Zener basa su funcionamiento en el efecto Zener, de ahí su nombre.

Recordaremos que, en polarización inversa y alcanzada esta zona, a pequeños
aumentos de tensión corresponden grandes aumentos de corriente. Este
componente es capaz de trabajar en dicha región cuando las condiciones de
polarización lo determinen y una vez hayan desaparecido éstas, recupera sus
propiedades como diodo normal, no llegando por este fenómeno a su
destrucción salvo que se alcance la corriente máxima de Zener Imáx indicada
por el fabricante. Lógicamente la geometría de construcción es diferente al
resto de los diodos, estribando su principal diferencia en la delgadez de la zona
de unión entre los materiales tipo P y tipo N, así como de la densidad de
dopado de los cristales básicos.

Figura N.º 7. Símbolo del diodo Zener

Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequeña corriente circula

por él, llamada corriente de saturación IS, esta corriente permanece
relativamente constante mientras aumentamos la tensión inversa hasta que
el valor de ésta alcanza VZ, llamada tensión Zener (que no es la tensión de
 ruptura Zener), para la cual el diodo entra en la región de colapso. La corriente
empieza a incrementarse rápidamente por el efecto avalancha. En esta región
pequeños cambios de tensión producen grandes cambios de corriente. El diodo
Zener mantiene la tensión prácticamente constante entre sus extremos para un
amplio rango de corriente inversa. Obviamente, hay un drástico cambio de
la resistencia efectiva de la unión PN.

Figura N. º 8. Comportamiento del diodo Zener en directa e inversa

7. Busque los datos del fabricante de los diodos empleados en este experimento

Parámetros 1N4001 HLMPM200 1N5818

Tipo de diodo Rectificador LED rojo [Link]
Voltaje en directo 1.1V 1.7V 500MV
Corriente en directa máxima 1A 5 A 15Ma. 1A.
Voltaje de ruptura 50V 5v 30v
Corriente de saturación 30ª. ------ 500A
Disipación de potencia 30W. 135mW --------
Niveles de capacitancia 15Pf 20pF 110pF
Rango de temperatura de -55 a175 ºC 55 a 100 ºC -65 a 125 ºC
operación
Tiempo de recuperación 500nS 90nS <50nS

8. Investigue como funciona un multímetro digital en su escala de medición de

diodos.

Para la medición de diodos en un multímetro digital, se coloca el selector para

medir resistencias (ohmios / ohms), sin importar de momento la escala. Se realizan
las dos pruebas siguientes:
 Se coloca el cable de color rojo en el ánodo de diodo (el lado de diodo que no tiene
la franja) y el cable de color negro en el cátodo (este lado tiene la franja).
 El propósito es que el multímetro inyecte una corriente continua en el diodo (este
es el proceso que se hace cuando se miden resistores).
 Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando está polarizado en
directo, funciona bien y circula corriente a través de él (como debe de ser).
 Si esta resistencia es muy alta, puede ser una indicación de que el diodo esté
"abierto" y deba que ser reemplazado.
 Se coloca el cable de color rojo en el cátodo y el cable negro en el ánodo del diodo.
 En este caso como en anterior el propósito es hacer circular corriente a través
del diodo, pero ahora en sentido opuesto a la flecha de éste.
 Si la resistencia leída es muy alta, esto nos indica que el diodo se comporta como se
esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce corriente.
 Si esta resistencia es muy baja puede ser una indicación de que el diodo está en
"corto" y deba ser remplazado.

IV. EQUIPOS Y COMPONENTES:

 Fuente de voltaje V DC y fuente de voltaje V AC .

 Generador de funciones
 Oscilador de rayos catódicos orc
 Multímetro digital.
 Aislador de tierras
 Regleta digital
 Placa universal
 Resistencia de 1k
 Diodo de silicio 1N4001,ECG116)
 1 DIODO DE GERMANIO (ECG109)
 1 LED ROJO, VERDE O AMARILLO
 1 DIODO ZENER DE 3V O D 2.7V

V. PROCEDIEMIENTO:

1. PRUEBA DE DIODOS

 TABLA 1 :

PRUEBA 1.5v SILICIO GERMANIO ZENER LED

POLARIZACIO Vd=0.61v Vd = 0.31v Vd = 0.29v Vd= 1.5v
N DIRECTA (Conductor) (conductor) (Conductor)
POLARIZACIO 0 0 Para V=(4.5v 0
N INVERSA (Aislante) (aislante -5v)
Vd=-2.36v
 Figura 1. Circuito medición 1
 TABLA 2:

Vr (R) 0 0.05 0.1 0.15 0.3 0.5 1.2 2.5 5

E(V) -5 0.555 0.65 0.69 0.88 1.1 1.85 3.17 5.7

Vd(V) -5 0.5 0.53 0.544 0.573 0.59 0.62 0.65 0.68
Id(mA 0 0.05 0.12 0.15 0.31 0.51 1.23 2.52 5.02
)

2.
 FIGURA 2 . MEDICION CON OSCILOSCOPIO

FIGURA 3 . CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO SILICIO

 FIGURA 4 . CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO GERMANIO

FIGURA 5. CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO ZENER

IV. EVALUACION
1. Analice los datos de la Tabla 1. ¿Cómo se determina si los diodos funcionan?
2. Con los datos obtenidos en la tabla 2 construya la gráfica VD vs ID compare con la gráfica
para el mismo diodo obtenido en el paso 4 del procedimiento.
3. Explique las diferencias y similitudes en las curvas características de los diodos de silicio y
germanio

La diferencia se centra en que el diodo de silicio trabaja como máximo con 0.7V a lo largo
del circuito mientras que el germanio trabaja con 0.3V y el orden de la caída avalancha que
sufre la corriente para cada diodo es inversamente proporcional.

4. ¿Cómo se puede explicar la ausencia de corriente inversa en ambos diodos?

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al

efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a
ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA)
denominada corriente inversa de saturación. Además, existe también una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica,
conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie,
los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los
cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los
átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos
en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de
ellos.

No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial

de fuga es despreciable.

5. Investigue que es la resistencia estática RD de un diodo. ¿Cómo se puede calcular?

La resistencia estática R de un diodo se define como la relación entre la tensión y la
corriente V/I. En un punto cualquiera de la característica tensión-corriente del diodo, la
 resistencia R  es igual a la inversa de la pendiente de la línea que une el punto
funcionamiento con el origen. La resistencia estática varía extraordinariamente
con V e l y no es útil su empleo como parámetro.
Si la carga correspondiente al punto I se aplica de nuevo, el material se deformará
elásticamente en valor Єe. Por tanto, en el punto I la deformación unitaria total
consiste en las dos componentes Єp y Єe y estб dada por la ecuación

Є= Єp + Єe

Este material puede ser descargado y recargado cualquier número de veces desde
el punto I y hasta éste. Por lo tanto,

Єe= σi/E

El labrado en frío de un material produce un nuevo conjunto de valores para las

resistencias, como puede verse en los diagramas esfuerzo – deformación. Si el
punto I está a la izquierda del punto U, es decir; si Pi<Pu, entonces la nueva
resistencia cedente o de fluencia es:

S´y = Pi/A´i = σoЄmi Pi<=Pu

Debido al área reducida, es decir, debido a A´i<Ao, la resistencia última también

cambia y es:

S´u= Pu/A´i

Puesto que Pu= Su Ao, se halla, con la ecuación :

S´u = SuAo/Ao(1-w) = Su/(1-W) Єi<=Єu

Lo cual es válido cuando el punto I está a la izquierda del punto

6. Utilizando los resultados de los puntos 4 y 5 calcule la resistencia estática RD en

polarización directa para los diodos de silicio y germanio, y en polarización inversa
para los diodos Zener en los puntos de operación indicados en la Tabla 3.

Id (mA) Si(Ohm) Ge(Ohm) Zener(ohm)

0.3 1848.40 676.47 900
1 666.16 359.22 300
4 166.25 158.02 86.63
9.0 77.01 103.87 44.44
7. Investigue que es la resistencia dinámica rDde un diodo y como se calcula.

Tanto la resistencia en directa como en inversa dependen en los diodos de la corriente que se
encuentra circulando por los mismos ya que su característica no es lineal, sino que son función
de su curva característica. Por otro lado, en polaridad inversa como se trata de un diodo si
hablamos en forma ideal se comporta como un circuito abierto, razón por la cual tu suposición
de que es menor a 1 Ohm es incorrecta.  

8.

Calcule el valor de la resistencia dinámica rD para los valores de corriente 2mA y 9mA
en polarización directa para los diodos de silicio y germanio, y en polarización
inversa para el diodo Zener.
9. ¿Cómo afecta la temperatura externa el funcionamiento de los diodos? ¿Cómo se
desplaza la curva característica de un diodo ante un aumento de temperatura?

Aumenta la conductividad al producirse espontáneamente pares electrón-hueco. 

Los electrones de la banda de valencia al aumentar la temperatura pueden adquirir
la energía suficiente para saltar a la banda de conducción. 
Al existir mayor número de electrones/huecos, aumenta la capacidad para
transmitir una corriente eléctrica.

V. CONCLUSIONES:

 En este laboratorio aprendimos el comportamiento de los semiconductores, su

aplicación como rectificadores, para el cambio de corriente alterna a continua pude
conocer cómo se emplea los diodos de unión para rectificar la corriente, como se da el
proceso para librar de impurezas a la corriente y de que también necesito filtros como
lo son los condensadores

 La corriente es un factor muy importante al momento de analizar el

funcionamiento de un diodo.

 Dependiendo de las condiciones del circuito el diodo puede trabajar

simplemente como un interruptor abierto o cerrado.
 Comprobamos la función del diodo de juntura estudiada al contrastar los
resultados de la práctica de laboratorio y los resultados a partir de definiciones
teóricas

VI. BIBLIOGRAFÍA:
 Dispositivos electrónicos – Floy,Thomas L./ octava edición
 [Link]
[Link]
 [Link]
 Guía de laboratorio de dispositivos electrónicos.