11.
Los MESFET (transistores de efecto de campo de metal semiconductor)
Es muy similar a un JFET en la construcción y terminología. La diferencia principal entre los
MOSFET y los MESFET es que los MOSFET emplean una barrera aislante entre el contacto
metálico y el canal tipo p y por el contrario los MESFET usan barrera Schottky en la compuerta;
Las barreras Schottky son barreras establecidas mediante la depositación de un metal como el
tungsteno sobre un canal de tipo n. los MESFET generalmente se construyen en las tecnologías
de semiconductores compuestos que carecen de pasivación de alta calidad de la superficies
tales como GaAS, inP O SiC y son mas rapidos pero mas caro que JFET o
MOSFET basados en silicio.
11.2 Construcción básica de un MESFET de canal n
El MESFET de GaAs (arseniuro de galio) está conformado por:
- Un sustrato semi aislante o ligeramente dopado tipo P Encima de este semiconductor hay
otra capa conductora tipo N (canal) en la que se conectan tres terminales: los contactos
óhmicos de fuente, drenador y un contacto Schottky que actúa como puerta.
Se pueden encontrar también canales tipo P, sin embargo, son menos frecuentes ya que la
movilidad de los huecos es inferior a la de los electrones. Entre fuente y drenador se hará
circular una corriente mediante una tensión aplicada entre estos terminales.
El material que se utiliza puede ser de silicio u otras formas de semiconductor. Sin embargo el
material que se utiliza más ampliamente es GaAs arseniuro de
galio. Arseniuro de galio es normalmente elegido debido a la movilidad de electrones muy
superiores que establece que permite un funcionamiento de alta frecuencia superior a
lograrse. Los contactos de puerta se pueden hacer de una variedad de materiales incluyendo
aluminio una estructura en capas de titanio platino y oro en sí platino o tungsteno. Estos
proporcionan una elevada altura de la barrera y esto a su vez reduce la corriente
de fuga. Esto es particularmente importante para los dispositivos en modo de enriquecimiento
que requieren una unión de polarización directa. La longitud de la puerta a la proporción de la
profundidad es un importante ya que esto determina un numero de los parametros
de rendimiento. Normalmente se mantiene en alrededor de cuatro ya que hay un compromiso
entre parasitos la velocidad y los efectos de canal corto.
Las regiones de fuente y drenaje estan formados por implantación de iones.
11. 3 Curva característica
Cuando se aplica un voltaje negativo a la compuerta, atraerá portadores libres negativos
(electrones) en el canal hacia la superficie metálica y en canal se reduce la cantidad de
portadores. El resultado es una corriente de drenaje reducida, para valores crecientes de
voltaje negativo en la compuerta. Con voltajes positivos en la compuerta, más electrones
serán atraídos hacia el canal y la corriente se elevará.
11. 4 Ventajas y Desventajas de los MESFET
La ventaja clave del MESFET es la mayor movilidad de los operadores en el canal en
comparación con el MOSFET. La desventaja de la estructura MESFET es la presencia de la
compuerta de metal Schottky. Limita el voltaje de polarización directa en la compuerta al
voltaje de encendido del diodo Schottky. Este voltaje de encendido suele ser de 0,7 V para
diodos Schottky de GaAs. Por lo tanto, la tensión de umbral debe ser inferior a esta tensión de
encendido. Como resultado, es más difícil fabricar circuitos que contengan una gran cantidad
de MESFET en modo de mejora.
El uso de GaAs en lugar de MESFET de silicio proporciona dos ventajas significativas más: en
primer lugar, la sala de temperatura es más de 5 veces mayor, mientras que la velocidad de
saturación es aproximadamente el doble que en silicio. En segundo lugar, es posible fabricar
sustratos de GaAs semiaislantes (SI) que eliminan el problema de la absorción de potencia de
microondas en el sustrato debido a la absorción del portador libre.
11.5 Simbolización y configuración de polarización básica de un MESFET de canal n
12. Operación
-Modo de Empobrecimiento: Si la región de agotamiento no se extiende todo el camino hasta
el sustrato de tipo p el MESFET es un MESFET modo de empobrecimiento. Un MESFET en
modo de empobrecimiento es conductor u ON cuando no se aplica voltaje de puerta a fuente y
está en posición OFF en la aplicación de una tensión negativa de puerta a fuente lo que
aumenta la anchura de la región de agotamiento tal que se pellizca el canal.
-Modo de Enriquecimiento: La región de agotamiento es lo suficientemente amplia como para
evitar el paso de la canal sin tensión aplicada. Por tanto el MESFET-modo de enriquecimiento
es naturalmente OFF. Cuando se aplica una tensión positiva entre la puerta y la fuente la
región de agotamiento se contrae y el canal se vuelve conductor. Desafortunadamente un
voltaje positivo de puerta a fuente pone el diodo Schottky en polarización directa donde una
gran corriente puede fluir.
13. Estructura del MESFET tipo enriquecimiento
a. construcción b. símbolo
Canal: semiconductor compuesto (ArGa)
Puerta: metal Interfase puerta
canal: unión Schottky
14. Aplicaciones
-Comunicación militar
-Optoelectrónica Comercial
-Las comunicaciones por satélite.
-Como amplificador de potencia para la etapa de salida de enlaces de microondas.
-Como oscilador de potencia.
La tecnología de semiconductores MESFET proporciona alta movilidad de electrones y además
de esto el sustrato semi-aislante existen niveles más bajos de capacitancia parasita. El FET de
GaAs/MESFET tiene una serie de diferencias y ventajas en comparación
con transistores bipolares. El MESFET tiene una entrada mucho mas alto como resultado de la
unión del diodo no conductor. Además de esto también tiene un co-eficiente de temperatura
negativa que inhibe algunos de los problemas térmicos experimentados con otros transistores.
