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Laboratorio de Circuitos RC y Diodos

Este documento presenta una guía de laboratorio para la práctica número 01 de Electrónica I. El objetivo es reforzar conocimientos sobre circuitos RC y características de diodos. Se instruye a los estudiantes a analizar teóricamente y simular un circuito RC, y realizar mediciones en circuitos con diodos para analizar su comportamiento en directo e inverso. Adicionalmente, se deben calcular parámetros como resistencia de diodo y tiempos de recuperación, y responder preguntas de investigación.

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Cesar Rodriguez
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Laboratorio de Circuitos RC y Diodos

Este documento presenta una guía de laboratorio para la práctica número 01 de Electrónica I. El objetivo es reforzar conocimientos sobre circuitos RC y características de diodos. Se instruye a los estudiantes a analizar teóricamente y simular un circuito RC, y realizar mediciones en circuitos con diodos para analizar su comportamiento en directo e inverso. Adicionalmente, se deben calcular parámetros como resistencia de diodo y tiempos de recuperación, y responder preguntas de investigación.

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FECHA DE

UNIVERSIDAD PEDAGÓGICA Y TECNOLÓGICA DE COLOMBIA EMISIÓN


FACULTAD DE INGENIERÍA 2020/11/11
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA FECHA DE
ENTREGA
2020/11/27

HORA
GUÍA DE LABORATORIO VERSIÓN No. 2
INGENIERÍA ELECTRÓNICA EXTENSIÓN TUNJA 11:59 pm

Asignatura: Electrónica I Código: 8108681


Docente: E-mail:
Luis David Patarroyo [email protected]
Monitora: E-mail:
Angie Paola Rique Sabogal [email protected] - 3222690233

PRACTICA No. 01
MEDICIONES BÁSICAS, CIRCUITOS RC Y CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

1. OBJETIVOS:

A. Reforzar conocimientos de análisis de circuitos RC.


B. Desarrollar habilidad en el reconocimiento y manejo del programa de simulación ORCAD.
C. Analizar el comportamiento y operación DC y AC de los diodos.
D. Conocer las características principales de corriente y tensión de los diodos.
E. Realizar mediciones virtuales del comportamiento de diodos.

2. EQUIPOS Y MATERIALES:
Equipo de computo con el simulador ORCAD Cadence en versiones 16 o 17, con todas las librerías
incluidas.
3. PLANTEAMIENTO Y PROCEDIMIENTO:
CIRCUITO RC:
3.1 Realice el análisis teórico del circuito de la figura 1, y determine la expresión matemática del
comportamiento RC teniendo presente los valores de voltaje inicial y final tanto para carga
como descarga, así como la ecuación característica del capacitor.
3.2 Determine la constante de tiempo (τ) para el circuito cumpliendo con las condiciones de los
elementos mencionados a continuación.
3.3 Simule el circuito de la figura 1 utilizando valores de resistencias R13 y R14 del orden de KΩ,
C puede variar entre 500uF a 2200uF, tenga en cuenta que la conexión de switch debe ser
conmutable, en dado caso de no poder simular reemplace la fuente DC y El switch por una señal
cuadrada de con una amplitud de 15Vdc y una frecuencia baja.
3.4 Mediante la ventana de graficación del simulador, tome los valores correspondientes de voltaje
en la constante de tiempo τ= 1, 2, 3, 4, 5, ubique la división de tiempos y voltajes para apreciar
en toda la pantalla el ciclo de carga y descarga. Realice una tabla incluyendo tiempos y voltaje
sobre el condensador.

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FIGURA 1. Circuito RC
3.5 Realice una tabla comparativa de los valores teóricos y simulación correspondientes al circuito
de la figura 1, analice los resultados y concluya.
CIRCUITOS CON DIODOS:
Realice los siguientes circuitos en el simulador ORCAD:
3.6 Realice el circuito de la figura 2 y tome datos de la corriente y el voltaje del diodo (polarizado
en directo) 1N4007 (u otra referencia), para esto varíe la fuente de voltaje DC V1 entre 0V y
12V. Realice una tabla de medición con un mínimo de 15 datos.
3.7 Polarice el circuito de la figura 3 y realice la toma de datos de la corriente y el voltaje del diodo
(polarizado en directo) 1N4007 (u otra referencia), para esto varíe la fuente de voltaje V1 entre
0V y 12V. Realice una tabla de medición con un mínimo de 15 datos.

FIGURA 2. Polarización directa del diodo FIGURA 3. Polarización inversa del diodo
3.8 Realice la curva característica ID vs VD con los datos obtenidos en la experiencia mediante
Excel o alguna otra hoja de cálculo, comparándola con la curva característica realizada
matemáticamente de acuerdo con la función matemática de respuesta de diodo teniendo en
cuenta la corriente de saturación Is de la hoja de datos con Tk 293°k (Ver figura 4).

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3.9 Compare los resultados obtenidos para los circuitos de las figuras 2 y 3, analice y concluya.
Recuerde que en el informe se deben anexar las memorias de cálculo mediante editor de
ecuaciones.
RESISTENCIA DEL DIODO:
3.10 Sobre las gráficas obtenidas con las mediciones, realice el cálculo de la resistencia de diodo
DC RD, resistencia dinámica o en ac rac y resistencia ac promedio rav, un punto de trabajo en
la curva positiva, compare resultados y formule conclusiones.

FIGURA 4. Grafica curva característica del diodo y recta de carga.


TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSO:
3.11 Realice la simulación del circuito propuesto en la figura 5, teniendo en cuenta que la fuente
de alimentación V1 corresponde a una señal cuadrada de 5Vp y frecuencia de 1kHz, realice la
medición de voltaje de entrada y voltaje de salida en la resistencia para observar la señal
rectificada sobre la resistencia.
3.12 Determine el valor del tiempo de recuperación en inverso, tiempo de almacenamiento y
tiempo de transición, compare con los tiempos establecidos en la hoja de datos, analice y
concluya. (Ver figura 6).

FIGURA 5. Circuito rectificador de media onda FIGURA 6. Tiempos característicos del diodo

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4. INVESTIGACIÓN
A. ¿Qué es el voltaje de pico inverso en un diodo semiconductor?
B. ¿Cuál es el promedio de corriente de los diodos usados en la práctica? ¿De que dependen las
variaciones presentadas?
C. Consulte el tiempo de respuesta de conmutación para los diodos de referencias 1N4000 a
1N4007.

5. PARÁMETROS DE PRESENTACIÓN

El informe debe contener:

a) Titulo e Integrantes
b) Resumen (Descripción general del trabajo realizado y de las conclusiones obtenidas)
c) Introducción (Un texto de propia autoría redactado en un espacio no superior a media página en
donde indique la relación de los aspectos tratados en la práctica y los conceptos teóricos vistos en
clase, usar citas de fuentes bibliográficas, mínimo 3 citas realizadas según la norma de presentación
indicada)
d) Descripción de actividades realizadas (Indicar y describir actividades realizadas. No copiar texto
del procedimiento)
e) Procesamiento de información (Incluir: Datos obtenidos, tablas, graficas, desarrollos matemáticos,
simulaciones y demás)
f) Análisis de resultados (Comentarios acerca de tendencias en tablas o gráficas)
g) Conclusiones (Juicios argumentados que relacionen los resultados obtenidos y los conceptos
teóricos vistos en clase o consultados en la bibliografía)
h) Bibliografía

Para el registro del informe se debe utilizar el formato IEEE doble columna. La extensión del informe
no debe superar 6 PÁGINAS.

Fecha de entrega: 27 de Noviembre de 2020 a las 11:59 pm.

6. RECOMENDACIONES:
a. Consultar al docente o monitor cualquier duda o inquietud a acerca del desarrollo de la
práctica.
b. Instalar un simulador en versión de escritorio que contenga todos los componentes
relacionados con la electrónica y graficador de variables tales como voltaje, corriente y
potencia ejemplo ORCAD PSPICE versiones 16 o 17.

7. BIBLIOGRAFÍA

Dorf. Circuitos Eléctricos. Alfa Omega.

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Hayt, William, Kemmerly Jack; Análisis de circuitos em ingeniería. Prentice Hall


Jonhson. Electrics Circuits Analisys, Wiley
Irwin David. Análisis básico de circuitos en ingenieria.

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