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Configuración de Emisor Común en Transistores

La configuración en emisor común es la configuración más comúnmente utilizada en electrónica, tanto para transistores NPN como PNP. En esta configuración, el emisor sirve como referencia común para la base y el colector. Esto significa que es necesario analizar tanto el circuito de entrada formado por la base y el emisor, como el circuito de salida formado por el colector y el emisor. La configuración en emisor común se utiliza principalmente para amplificar voltaje, corriente o potencia.

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Configuración de Emisor Común en Transistores

La configuración en emisor común es la configuración más comúnmente utilizada en electrónica, tanto para transistores NPN como PNP. En esta configuración, el emisor sirve como referencia común para la base y el colector. Esto significa que es necesario analizar tanto el circuito de entrada formado por la base y el emisor, como el circuito de salida formado por el colector y el emisor. La configuración en emisor común se utiliza principalmente para amplificar voltaje, corriente o potencia.

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Configuración en Emisor

Común
Configuración en Emisor Común

Es la configuración que se utiliza con mayor


frecuencia dentro de la electrónica, tanto en
transistores NPN como transistores PNP.

El nombre de emisor común, esta dado por qué el


emisor del transistores es común, o sirve de
referencia para las terminales de entrada y salida.
Es decir es común a la base y al colector.
Configuración en Emisor Común
Es por esto que es necesario ver el
comportamiento tanto del circuito de entrada
formado por la base y el emisor. Y el circuito de
salida formado por el colector y el emisor.
Dirección de las Intensidades

Dirección de las Intensidades para un transistor


NPN en configuración de base común

Como se puede ver tanto


la corriente de base ingresa
junto a la corriente de colector
saliendo por el emisor.
Dirección de las Intensidades

Dirección de las Intensidades para un transistor


PNP en configuración de base común

Como se puede ver en este


caso la corriente de emisor es la
que ingresa y las que salen es la
corriente de base y la corriente
de colector.
Graficas de Operación
Grafica de las características de operación (Corte, Saturación y
Región Activa.)
Graficas de Operación
Grafica de las características de base
Configuración en Emisor Común
De las graficas anteriores podemos observar que las corrientes
de emisor, colector y emisor muestran una dirección de
conducción convencional. Por lo tanto es valido decir que las
siguientes expresiones siguen siendo validas:
Configuración en Emisor Común
Hay que considerar lo siguiente:

En la región activa de un amplificador en emisor común,


la unión base-emisor se polariza en directa en tanto que
la unión colector base se encuentra en inversa.

Si bien estas siguen siendo las mismas condiciones para la


región activa que para una configuración en base común
la región activa de la configuración en emisor común se
emplea para amplificar voltaje, corriente o potencia.
Configuración en Emisor Común
La región de corte para esta configuración no esta
bien definida como para la configuración de base
común, por diferencias en las características del
colector. Por lo que da paso a las siguientes
ecuaciones.
Configuración en Emisor Común
Si para la ultima ecuación analizamos cuando la
corriente de base sea igual a 0A, y sustituimos alpha
por el valor típico de 0.996 obtenemos una corriente
de colector igual a lo siguiente
Configuración en Emisor Común
Como el transistor al ser un dispositivo controlado por la
corriente de base,tenemos que considerar lo siguiente:

Para propósitos de amplificación lineal, Ic=Iceo define el


corte para la configuración en emisor común.

Es decir hay que evitar la región de corte para obtener


una señal de salida no distorsionada.
Configuración en Emisor Común
Cuando el transistor se emplea como interruptor en
circuitos de conmutación, este solamente tendrá dos
puntos de operación: Saturación y Corte.

La condición de corte idealmente se dará cuando


Ic= 0mA para un voltaje colector emisor seleccionado
.Para efector de conmutación el corte se da a Ib=0mA
para transistores de silicio y para los transistores de
germanio cuando Ic=Icbo.

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