SERGIO ALEJANDRO SEGALES ESCALANTE UNIVALLE LA PAZ
UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE
FACULTAD DE INFORMATICA Y ELECTRONICA
INGENIERIA TELECOMUNICACIONES
UNIVALLE - LA PAZ
ELECTRONICA I
“INFORME DE LABORATORIO 4”
RELACION VCE – ic EN EL
TRANSISTOR
Grupo “A”
Estudiante:
Segales Escalante
Sergio Alejandro
Docente:
Ivan Cespedes Montaño
La Paz 23 de septiembre del 2020
Gestión 2 – 2020
SERGIO ALEJANDRO SEGALES ESCALANTE UNIVALLE LA PAZ
1.- OBJETIVOS
•Estudiar el funcionamiento de un transistor mediante la construcción de una familia de curvas en
la salida para valores específicos en la corriente de entrada.
•Deber conocer la teoría de funcionamiento del transistor BJT, las diferentes configuraciones
básicas de polarización.
2.- MARCO TEORICO
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la
base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base,
porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo
simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de
funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. La falta de simetría es
principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. La unión colector-base
está polarizada en inversa durante la operación normal. Pequeños cambios en la tensión aplicada
entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector
cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de
entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensión, pero
son caracterizados más simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por
amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
• ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
Se diferencian tres estados de funcionamiento, que dependen de las características dinámicas del
circuito en el que va conectado. Estas características son:
1. Saturación: El transistor permite el paso de corriente desde el colector al emisor.
De todas formas, esta corriente no puede ser demasiado elevada, ya que la propia
corriente calienta al transistor por efecto Joule y si se calienta excesivamente, puede
estropearse de forma permanente. Para un transistor de silicio que se encuentra en
saturación la tensión entre la base y el emisor es de 0,7 V y entre la base y el colector de
unos 0,5 V, de donde se deduce que la tensión entre el colector y el emisor será de unos
0,2 V.
2. Corte: En este estado el transistor no permite el paso de corriente entre el colector y el
emisor, se comporta como si fuera un interruptor abierto. Para un transistor de silicio que
se encuentra en corte las corrientes de emisor y de colector son nulas y las tensiones entre
la base y el emisor y entre la base y el colector son ambas menores de 0,7 V.
3. Amplificación: Cuando un transistor se encuentra en este estado de funcionamiento,
permite amplificar la potencia de una señal.
SERGIO ALEJANDRO SEGALES ESCALANTE UNIVALLE LA PAZ
Al analizar la operación de este circuito, podemos observar en primer lugar que, debido al proceso
de rectificación de onda completa, el voltaje de salida ve. esto es, la señal sobre el condensador y
la resistencia, mostrada en la Figura, presenta a un período de T/2, es decir, la mitad del período
de la señal sinusoidal de entrada, por tanto, su frecuencia es el doble de la frecuencia original.
• REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente
por la forma en que son polarizados:
1. Región activa en cuanto a la polaridad: Cuando un transistor no está ni en su región de
saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región
activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente
de base (Ib), de β (ganancia de corriente), y de las resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es
utilizar el transistor como un amplificador de señal.
2. Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo
activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles.
3. Región de corte: Un transistor está en corte cuando la corriente del colector=corriente
del emisor=0. En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentación del circuito. De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se
comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
4. Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente del colector ≈
corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx). En este caso la magnitud de la
corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas
en el colector o el emisor o en ambos. Cuando el transistor está en saturación, la relación
lineal de amplificación Ic=β·Ib no se cumple. De forma simplificada, se puede decir que la
unión CE se comporta como un cortocircuito, ya que la diferencia de potencial entre C y E
es muy próxima a cero.
SERGIO ALEJANDRO SEGALES ESCALANTE UNIVALLE LA PAZ
3. TECNICA O PROCEDIMIENTO
Parte 1
En el circuito de la Fig. 1 calcular el valor de R B que permita obtener una corriente de base de: iB =
10 A
NOTA: El valor comercial más próximo para R B puede producir un valor distinto de IB, de ser este el
caso, emplear este valor comercial e indicar el valor de I B que se obtendrá.
Desarrollo
Manteniendo el voltaje de base fijo y con la resistencia RB calculada en el párrafo anterior se obtiene el
valor de IB deseado, variar el voltaje de la fuente Vcc y medir el voltaje entre el colector y el emisor, al igual
que la corriente de colector con el objeto de trazar la curva VCE–iC. Empleando los valores de Vcc que
varían desde 0.2V hasta 15V y con intervalos de 0.2V para realizar la tabla de toma de datos.
Parte 2
Realizar la 1ra parte para una corriente de base: iB = 30A.
Parte 3
Trazar la gráfica (en papel milimetrado) de la familia de curvas de iC en función de VCE para los distintos
valores de iB empleados en las anteriores partes de esta Práctica de laboratorio.
4 . MEDICIONES, CALCULOS Y GRAFICOS
Calculo de resistencia base con 10 A
SERGIO ALEJANDRO SEGALES ESCALANTE UNIVALLE LA PAZ
Grafico de simulación
Tabla valores para resistencia de 430 kohm
Vcc (V) VCE (V) IC (mA) Vcc (V) VCE (V) IC (mA)
0,2 0,02 0,18 7,6 2,42 5,18
0,4 0,03 0,36 7,8 2,61 5,19
0,6 0,04 0,56 8 2,79 5,21
0,8 0,04 0,76 8,2 2,98 5,22
SERGIO ALEJANDRO SEGALES ESCALANTE UNIVALLE LA PAZ
1 0,05 0,94 8,4 3,17 5,23
1,2 0,06 1,15 8,6 3,35 5,24
1,4 0,06 1,35 8,8 3,54 5,26
1,6 0,07 1,53 9 3,73 5,27
1,8 0,07 1,72 9,2 3,92 5,28
2 0,07 1,92 9,4 4,1 5,3
2,2 0,08 2,12 9,6 4,29 5,31
2,4 0,08 2,31 9,8 4,48 5,32
2,6 0,09 2,51 10 4,66 5,33
2,8 0,09 2,7 10,2 4,85 5,35
3 0,1 2,99 10,4 5,04 5,36
3,2 0,1 3,1 10,6 5,23 5,37
3,4 0,11 3,29 10,8 5,41 5,38
3,6 0,11 3,49 11 5,6 5,4
3,8 0,12 3,68 11,2 5,79 5,41
4 0,12 3,88 11,4 5,92 5,42
4,2 0,13 4,07 11,6 6,16 5,44
4,4 0,14 4,26 11,8 6,35 5,45
4,6 0,15 4,45 12 6,54 5,46
4,8 0,16 4,64 12,2 6,72 5,47
5 0,18 4,82 12,4 6,91 5,49
5,2 0,22 4,98 12,6 7,1 5,5
5,4 0,36 5,04 12,8 7,29 5,51
5,6 0,55 5,05 13 7,47 5,53
5,8 0,73 5,06 13,2 7,66 5,54
6 0,92 5,08 13,4 7,85 5,55
6,2 1,11 5,09 13,6 8,03 5,56
6,4 1,3 5,1 13,8 8,22 5,58
6,6 1,48 5,12 14 8,41 5,59
6,8 1,67 5,13 14,2 8,6 5,6
7 1,86 5,14 14,4 8,78 5,62
7,2 2,04 5,15 14,6 8,97 5,63
7,4 2,23 5,17 14,8 9,16 5,64
15 9,34 5,65
Curva de iC en función de VCE
SERGIO ALEJANDRO SEGALES ESCALANTE UNIVALLE LA PAZ
RESISTENCIA DE 430 Kohm
6
3
Ic
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Vce
Calculo de resistencia base con 30 A
Grafico de simulacion
SERGIO ALEJANDRO SEGALES ESCALANTE UNIVALLE LA PAZ
Tabla valores para resistencia de 143.33 kohm
Vcc (V) VCE (V) IC (mA) Vcc (V) VCE (V) IC (mA)
0,2 0,03 0,16 7,6 5,94 1,66
0,4 0,05 0,34 7,8 6,13 1,67
0,6 0,07 0,53 8 6,35 1,67
0,8 0,08 0,72 8,2 6,51 1,68
1 0,09 0,91 8,4 6,72 1,68
1,2 0,11 1,11 8,6 6,92 1,69
1,4 0,13 1,27 8,8 7,12 1,69
1,6 0,16 1,45 9 7,33 1,7
1,8 0,26 1,54 9,2 7,5 1,7
SERGIO ALEJANDRO SEGALES ESCALANTE UNIVALLE LA PAZ
2 0,45 1,55 9,4 7,7 1,7
2,2 0,65 1,55 9,6 7,89 1,71
2,4 0,86 1,56 9,8 8,09 1,71
2,6 1,05 1,56 10 8,28 1,71
2,8 1,24 1,57 10,2 8,53 1,72
3 1,43 1,57 10,4 8,66 1,72
3,2 1,62 1,57 10,6 8,92 1,73
3,4 1,83 1,58 10,8 9,05 1,73
3,6 2,03 1,58 11 9,31 1,74
3,8 2,22 1,59 11,2 9,44 1,74
4 2,41 1,59 11,4 9,66 1,74
4,2 2,61 1,59 11,6 9,81 1,75
4,4 2,81 1,6 11,8 10,1 1,75
4,6 3,01 1,6 12 10,2 1,76
4,8 3,21 1,61 12,2 10,4 1,76
5 3,4 1,61 12,4 10,6 1,76
5,2 3,59 1,62 12,6 10,8 1,77
5,4 3,78 1,62 12,8 11,1 1,77
5,6 3,99 1,62 13 11,2 1,78
5,8 4,19 1,63 13,2 11,4 1,78
6 4,37 1,63 13,4 11,6 1,78
6,2 4,58 1,64 13,6 11,8 1,79
6,4 4,78 1,64 13,8 12 1,79
6,6 4,98 1,65 14 12,2 1,8
6,8 5,16 1,65 14,2 12,4 1,8
7 5,36 1,65 14,4 12,6 1,81
7,2 5,55 1,66 14,6 12,8 1,81
7,4 5,73 1,66 14,8 12,9 1,81
15 13,2 1,82
Curva de iC en función de VCE
SERGIO ALEJANDRO SEGALES ESCALANTE UNIVALLE LA PAZ
RESISTENCIA DE 143,33 Kohm
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
Ic
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Vce
5 .CONCLUSIONES
• Se llego a la conclusión que se cumple la ley de corrientes de Kirchhoff que dice: las corrientes
son igual a la suma de todas aquellas corrientes que salen de un mismo punto.
• Se observó que el voltaje colector – emisor es igual al voltaje Vcc menos el voltaje que cae sobre
la resistencia del colector.
• Se llegó a la conclusión que si el voltaje Vcc es menor al voltaje que cae en la resistencia del
colector entonces el voltaje colector – emisor estará en saturación.
6 .CUESTIONARIO
1. ¿Qué tipo de polarización se utiliza en esta práctica?
Se utiliza la polarización de emisor común.
2. ¿El punto de operación del transistor en esta configuración varia poco, mucho o nada con el
cambio de beta?
Varia bastante porque debido a que no todos los transistores del mismo tipo tienen la misma beta
no todos tendrán el mismo punto de operación del transistor hallado en los cálculos teóricos.
