UNIVERSIDAD MILITAR NUEVA GRANADA

POLARIZACION DEL TRANSISTOR BJT

1. FACULTAD O UNIDAD ACADÉMICA: INGENIERIA

2. PROGRAMA: INDUSTRIAL

3. ASIGNATURA: ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

4. SEMESTRE: QUINTO

5. OBJETIVOS:

 Conocer, diseñar e implementar los circuitos de polarización

necesarios para el trabajo del transistor BJT en las diferentes zonas
de trabajo.

6. COMPETENCIAS A DESARROLLAR:

 Identifica correctamente los terminales del transistor BJT utilizando el

manual técnico y el multímetro.
 Diseño, análisis y creatividad para implementar circuitos con
transistores en los diferentes modos de operación con pocos
elementos y costos razonables.
 Identifica y diferencia de manera eficiente con sus respectivas
características las diferentes zonas de trabajo del transistor BJT.

7. MARCO TEORICO:
El uso no autorizado de su contenido así como reproducción total o parcial por cualquier persona o entidad, estará en
contra de los derechos de autor
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TRANSISTOR BJT

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos,

puede ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la

corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de
transistor.

Figura [Link] NPN Figura 2 .Transistor PNP.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus terminales (base), el
entregará por otra (colector), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama
amplificación de corriente. Este factor se llama β (beta) y es un dato propio de

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cada transistor, también puede entregar otra cantidad mayor a esta corriente a
través del emisor y tendrá un valor de ganancia (β + 1).

Entonces:

 Ic (corriente que pasa por colector) es igual a β (factor de

amplificación) por IB (corriente que pasa por la base).

IC  β * IB

 IE (corriente que pasa por emisor) es del mismo valor que Ic, sólo
que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale
de él, o viceversa.

Curvas Características del Transistor BJT

El estudio y análisis de los transistores se realiza mediante el empleo de las

"curvas características" del mismo, con las cuales se puede caracterizar
completamente el comportamiento o funcionamiento eléctrico del transistor,
siendo ésta expresada en relaciones gráficas de las corrientes I B, Ic e IE, en
función de las tensiones externas y para las distintas configuraciones: Emisor
Común (EC), Base Común (BC) y Colector Común (CC).

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Las curvas describen el comportamiento de los transistores, pero como estos no

se comportan todos de igual manera, éstas varían según el tipo de transistor, y, si
Figura
[Link]ón
.ConfiguraciónEmisor
Base
FiguraComún.
Común.
5 . Configuración Colector Común.
bien difieren de un tipo a otro, son muy semejantes en la forma.

Las curvas características del transistor BJT (EC) se reflejan en la entrada y la

salida. En la entrada, se gráfica la relación entre la corriente de base (I B) y la
tensión base-emisor (VBE) para la tensión colector-emisor (V CE) constante (Figura
6). A partir de ellas podemos calcular la corriente que circula por la base cuando
se aplica una tensión externa entre ésta y el emisor.

En las curvas de salida se grafica la

corriente de colector Ic en función de la tensión colector-emisor V CE cuando
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mantenemos constante IB. Generalmente se dibuja una familia de curvas para

distintas IB. (Figura 7)

En la gráfica 7 podemos observar una recta denominada Rs, que delimita una de
las 3 posibles regiones de trabajo de los transistores. El transistor trabajará en
alguna de las 3 regiones dependiendo de las polarizaciones que reciban  cada
una de las uniones P-N que lo componen.

MODOS DE OPERACIÓN Y APLICACIONES DEL TRANSISTOR

Dependiendo de la polarización de las dos uniones PN que conforman los

transistores bipolares, estos pueden operar en tres zonas (corte, activa y
saturación). Para las aplicaciones del transistor como amplificador es necesario
Figura 6. Grafica Curvas características de Curvas
Figura 7. Grafica entradacaracterísticas de salida del
operar
del [Link] dispositivo en la zona activa.
transistor. Para utilizar el transistor como un
interruptor electrónico se requiere operarlo en las zonas de corte (interruptor
abierto) y saturación (interruptor cerrado).

 Región activa:

En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la

corriente de base (IB), y de β (ganancia de corriente, es un dato del
fabricante), lo anterior se describe cuantitativamente así:
IC   IB
Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor
como un amplificador de señal.
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En la región activa la juntura base-emisor

estará polarizada en directo y la juntura
base-colector estará polarizada en inverso.

A pesar que la JBC está en inverso, se

permite el flujo de electrones, debido a que la
base es la capa más pequeña y menos
dopada comparada con la del colector y el
emisor, por lo tanto el colector puede atraer a los electrones.
Figura 8. Polarización uniones PN del transistor BJT
para zona activa.
 Región de corte:

En esta región la juntura base-emisor y la juntura base-colector están polarizadas

en inverso, lo que implica que IC e IB sean iguales a cero, ya que la polarización
inversa genera un comportamiento de circuito abierto, lo que conlleva a que
VCE= Vcc (voltaje de alimentación).

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del

transistor es el voltaje de alimentación del circuito.

Figura 10. Polarización uniones PN del transistor BJT

para zona corte.

 Región de saturación:
Figura 9. Circuito Equivalente zona corte.

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Esta zona se caracteriza porque la juntura base-emisor está polarizada en

directo, al igual que la juntura base-colector. Esto hace que V CE=0, RCE=0
y la Ic sea máxima (Ic no depende del transistor sino del circuito externo).
De tal manera que el comportamiento del transistor es análogo al de un
interruptor cerrado

En la zona de saturación circula una gran cantidad de corriente desde el

colector al emisor y se tiene solo una pequeña caída de voltaje entre estas
terminales.

VCE  0
RCE  0

Figura 12. Circuito Equivalente

zona saturación.

Figura 11. Polarización uniones PN del transistor BJT

para zona saturación.

8. MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS, SOFTWARE, HARDWARE O

EQUIPOS:

 Transistor 2N2222 o similar

 Transistor 2N3904 o similar
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 Resistencias de valores de acuerdo a lo calculado.

 Fuentes de voltaje.
 Multímetro.
 Cables de conexión.
 Caimanes.

9. PRECAUCIONES CON LOS MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS

Y EQUIPOS UTILIZAR :

 No exceder los valores máximos permitidos de voltajes y corrientes

indicados para los transistores utilizados. Consultar en los manuales
correspondientes. No sobrepasar el máximo de potencia disipada por las
resistencias.

10. CAMPO DE APLICACIÓN:

 En la zona activa como amplificador baja señal.

 En corte y saturación como interruptor en circuitos digitales y/o en control
de potencia.
 Fuentes de potencia.

11. PROCEDIMIENTO, METODO O ACTIVIDADES:

I. Intervención del docente sobre el tema.
II. Previa consulta de los manuales de referencia, hacer identificación de
terminales

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III. Determinar con un multímetro si los transistores son NPN o PNP y cual
de los terminales corresponde al emisor, base y colector. Anotar los
valores medidos.

Transistor 2N2222 Transistor 2N3904

Medición Beta (β) o hFE.

Medición Beta (β) o hFE.

Tabla 1. Determinación Emisor, Base y colector de los transistores.

IV. Diseñar e implementar un circuito de polarización fija con el transistor

2N2222 estabilizado por emisor común determinando los valores de
resistencias requeridas para que el transistor trabaje en las zonas
activa, corte y saturación.

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Figura 13. Circuito realizado por el estudiante en Electronics WorkBench.

A. CRITERIOS A TENER EN CUENTA

CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA
(Estabilización por Emisor Común)

i. ZONA ACTIVA:
 VCC= (entre 9 a 22 VDC)
 Seleccionar un valor de la resistencia RE (entre 200Ω a 5KΩ).
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 Medir el β del transistor que se va a utilizar.

 Para encontrar el voltaje en la resistencia de emisor se recomienda
tomar un valor de este orden:

 Recuerde que IE ≈ IC.

 También es recomendable tomar un valor de voltaje colector-emisor
cercano a la mitad del voltaje V CC; con este criterio calculamos Q DC
de la siguiente manera:

ii. ZONA CORTE:

 Para la zona de corte tenemos que Ic ≈ 0 ≈ I B y el VCE ≈ VCC.

Tener en cuenta que para disminuir I B en esta práctica se
controlara aumentando RB.

iii. ZONA SATURACION:

 Finalmente para que el transistor trabaje en la zona de
saturación el VCE debe ser cero y la corriente de colector debe
ser máxima. Para lograr esto se aumentara I B variando RB.

1. Cálculos para la Zona Activa:

Para encontrar los voltajes y corrientes de las resistencias es necesario
analizar tanto la malla de colector como la malla de base.

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Figura 14. Circuito polarización fija estabilizada por emisor común.

Análisis
Malla Colector:

Haciendo
uso de la Ley de Kirchhoff de Voltaje tenemos que:

De la ecuación 4, podemos encontrar VRC, y con la Ley de Ohm el

valor de la resistencia RC.

Análisis Malla Base:

a. Plantear la ecuación de malla base:

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Ecuación para todo transistor: Ecuación para la región activa:

IE  I C  IB (Ec.6) IC   IB (Ec.7)

b. De la ecuación 5, se puede calcular VRB, y de la ecuación 7, podemos

encontrar IB, con estos valores hallamos fácilmente RB.

2. Zona de Saturación:

c. Para que el transistor este en saturación es necesario que:

IC (max)
IB 

Donde:
VCC
IC (max) 
RC  RE

Una vez encontrados los datos de las resistencias, voltajes y corrientes,

registrarlos en la Tabla 3, 4, 5 y 6: (Esto se debe realizar previamente a la
práctica).
Realizar con un procedimiento adecuado los cálculos para llevar el transistor a
otras regiones.
Tabla 2. Cálculos teóricos.
B. Realice la simulación del circuito.

SIMULACION EN ELECTRONICS WORKBENCH

 Simulación transistor en zona activa.

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 VRE  IRE

 VRC  IRC

 VRB  IRB

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 VCE

Figura 15. Circuitos realizados en WorkBench.

 Simulación transistor en zona corte.

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 VRE  IRE

 VRC  IRC

 VRB  IRB

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 VCE

Figura 16. Circuitos realizados en WorkBench.

 Simulación transistor en zona saturación.

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 VRE  IRE

 VRC  IRC

 VRB  IRB

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 VCE

Figura 17. Circuitos realizados en WorkBench.

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C. Monte el circuito de la Figura 14, con los valores adecuados de resistencia

encontrados teóricamente.

Del circuito de polarización fija medir para las tres configuraciones

(activa, corte y saturación):

 VRC IC
 VRE IE
 VRB IB
 VCE

TABLAS DE RESULTADOS
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(Datos teóricos y Datos Prácticos)

 Valor teórico de las resistencias.

Valores Teóricos Resistencia Emisor (RE) Resistencia Colector (RC) Resistencia Base (RB)
Zona Activa
Zona Corte
Zona Saturación

 Voltajes y Corrientes para zona activa:

VBE IRB VRB VE IE VRC IC VCE QDC

Valores Teóricos
Tabla 3. Tabla resultados valor teórico de la resistencias.
Valores Prácticos
Valores WorkBench

Tabla 4. Tabla resultados teóricos vs prácticos en zona activa.

 Voltajes y Corrientes para zona de corte:

VBE IRB VRB VE IE VRC IC VCE QDC

Valores Teóricos
Valores Prácticos
Valores WorkBench

Tabla 5. Tabla resultados teóricos vs prácticos en zona de corte.

 Voltajes y Corrientes para zona de saturación:

VBE IRB VRB VE IE VRC IC VCE QDC

Valores Teóricos
Valores Prácticos
Valores WorkBench
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Tabla 6. Tabla resultados teóricos vs prácticos en zona de saturación.

12. RESULTADOS ESPERADOS:

 Identifica y analiza los diferentes modos de operación del transistor.

 Diseña un circuito de polarización básica de acuerdo al modo de
operación que se necesite.
 Interpreta manuales técnicos relacionados con el tema.
 Identifica el tipo de transistor y sus terminales.

13. CRITERIO DE EVALUACION A LA PRESENTE PRACTICA:

 Asistencia obligatoria del estudiante.

 Participación en la práctica a realizar.
 Entrega en la siguiente sesión del informe de laboratorio con las
características y condiciones propuestas en la primera clase.
 Quices de control de lectura previa al laboratorio que se va a realizar.
 Retroalimentación permanente a través de las tutorías y prácticas libres.

14. CONCLUSIONES:

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15. BIBLIOGRAFÍA:

DORF. SVOBODA Circuitos eléctricos: Editorial Alfa omega. 5ª Edición 2003

TOCCI RONALD J. Circuitos y dispositivos electrónicos
LEONARD`S BOBROW Análisis de Circuitos Eléctricos Mc Graw Hill 1ª
Edición 1983
ROBERT L. BOYLESTAD Electrónica: Teoría de Circuitos Prentice Hall. 6ª
Edición 2001
LEZAMA MARQUEZ CARLOS. Electrónica I ITEC 2ª Edición 1997
NILSON JAMES: Circuitos Eléctricos Prentice Hall 6ª Edición. 2000

14. INFOGRAFÍA:

[Link]

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