LABORATORIO III
Yeseth Fabian Meneses - Jorge Enríquez Blanchard
(Estudiantes de Ing. Electrónica)
[email protected] ,
[email protected] IB = IC = IE = 0; VCE = VBA
SATURACION, Cuando por la Base circula una
I. MARCO TEORICO intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de
colector considerable. En este caso el transistor entre
Colector y Emisor se comporta como un interruptor
TRANSISTOR BJT: El transistor de unión bipolar es un cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la
dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos batería se encuentra en la carga conectada en el Colector.
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la
corriente y disminuir el voltaje, Los tres electrodos ACTIVA, Actúa como amplificador. Puede dejar pasar
principales son emisor, colector y base. La conducción más o menos corriente.
entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y
huecos. El germanio y el silicio son los materiales más
frecuentemente utilizados para la fabricación de los
elementos semiconductores. Los transistores pueden
efectuar prácticamente todas las funciones de los antiguos II. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
tubos electrónicos, incluyendo la ampliación y la
rectificación, con muchísimas ventajas.
Se hace necesario diseñar el circuito presentado en la
figura, incluyendo la polarización DC adecuada. Los
ELEMENTOS DE UN TRANSISTOR, condensadores presentes en el circuito son de acoplamiento
El transistor es un dispositivo semiconductor fabrica sobre y su valor debe ser lo mayor posible.
un mono cristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas III. OBJETIVOS
cualidades son intermedias entre las de un conductor
eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se
Diseñar el circuito amplificador con BJT en
contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas,
configuración de base común.
N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Analizar el comportamiento de un circuito
amplificador con BJT en configuración de base
EMISOR, que emite los portadores de corriente. Su labor
común.
es la equivalente al CATODO en los tubos de vacío o
"lámparas" electrónicas.
BASE, que controla el flujo de la corriente. Su labor es la
equivalente a hacer un filtro en los tubos de vacío o IV. PLAN DE INVESTIGACIÓN PROCEDIMIENTO
"lámparas" electrónicas.
1. realizar la construcción del circuito amplificador,
COLECTOR, que capta los portadores de corriente por medio de un transistor 2N2222 con la ayuda
emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la del diseño y condiciones para lograr dicha región
PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas. teniendo en cuenta que es un base común.
ZONAS DE TRABAJO Diseño del circuito:
CORTE, No circula intensidad por la Base, por lo que, la vcc =20 v
intensidad de Colector y Emisor también es nula.La tensión
entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor,
entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor
abierto.
{ 1
V CE = V CC
3
VA=100
10 RTH ⋙ ( β +1) R E (Estabilidad)
1 20 25.8 mV
VCE= V CC = =6.66 v Rπ= =387.87
3 3 66.6 uA
1 20 B 200
V E= V CC = =6.66 v gm= = =515.63m
3 3 Rpi 387.87
V RC =V CC −V CE −V E =20 v −6.6 v−6.6 V =6.8 v va 100
ro= = =7.50 k
10 RTH > ( 200+1 )∗500 Ω icq 13.32mA
VBE=0.7 V
10∗( 12k )> 100∗100.5 k RL=1 k
120 k ≫100.5 k
RTH =12 k y ℜ=500 V. MATERIALES
A. Resistencias.
VE 6.66 V B. Transistor 2N2222.
IE= = =13.32 mA=IC C. Generador de señal.
ℜ 500
D. Condensadores.
E. Osciloscopio.
IC=BIB=¿13.32 mA F. Multímetro.
G. multisim
13.32 mA
IB= =66.6 uA
200
−VTH + RTH∗IB+0.7 V +6.66 V =0
VTH =12 K∗66.6 uA +0.7 v +6.66 v
VTH =8.16 V
12 k∗20 v
R 1= =29.41k
8.16 v
12k∗20
R 2= =20.27 k
20 v−8.16 v
VRC 6.68 V
RC= = =1.01 K
IC 6.6 mA
