Curva característica del diodo

Se puede demostrar por medio de la física de estado sólido que las características
generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la siguiente ecuación,
conocida como ecuación de Shockley, para las regiones de polarización en directa y en
inversa:
⁄
1 (A)
Donde Is es la corriente de saturación en inversa
VD es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo
n es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de
operación y construcción física; varía entre 1 y 2 según una amplia
diversidad de factores. (se supondrá n = 1 a menos que se
indique de otra manera).
El voltaje VT se llama voltaje térmico y está determinado por
(V)
donde k es la constante de Boltzmann = 1.38 X10-23 J/K
T es la temperatura absoluta en Kelvin =273 + la temperatura en °C.
q es la magnitud de la carga del electrón =1.6X10-19 C.
25 A temperatura ambiente (300 oK)
EJEMPLO
A una temperatura de 27°C (temperatura común para componentes en un sistema de
operación cerrado), determine el voltaje térmico VT.
Solución: Sustituyendo, obtenemos
T=273 + oC = 273 + 27 = 300 oK
1.38 X10 23 J/K 300
25.875 mV ≅ 26 mV
1.6X10 19 C
El voltaje térmico se convertirá en un parámetro importante en los análisis.
Inicialmente, la ecuación anterior con todas sus cantidades definidas puede parecer un
tanto complicada. Lo importante en este momento es entender el origen de las
características del diodo y qué factores afectan su forma.

En la Figura 1 aparece una curva de la ecuación, la línea punteada, con Is = 10 pA.

Si la expandimos a la forma siguiente, el componente contribuyente en cada región de la
figura 1 se describe con mayor claridad:
⁄

Con valores positivos de VD el primer término de la ecuación anterior crecerá con rapidez y
anulará por completo el efecto del segundo término. El resultado es la siguiente ecuación,
la cual sólo tiene valores positivos y adopta la forma exponencial ex que aparece en la
figura 2:
⁄
(VD positivo)
La curva exponencial de la figura 2 se incrementa muy rápido con los valores crecientes de
x. Con x = 0, e0= 1, en tanto que con x = 5 salta a más de 148. Si continuamos x = 10, la
curva salta a más de 22,000. Es evidente, por consiguiente, que a medida que se
incrementa el valor de x, la curva se vuelve casi vertical, una conclusión importante que se
habrá de recordar cuando examinemos el cambio de la corriente con valores crecientes del
voltaje aplicado.
Con valores negativos de VD el término exponencial se reduce con rapidez por debajo del
nivel de I y la ecuación resultante para ID es
ID = –Is (VD negativo)
Observe en la figura 1 que con valores negativos de VD la corriente en esencia es
horizontal al nivel de -Is.
Con V = 0 V, la ecuación (1) se vuelve

1 1 1 0
como lo confirma la Figura 1.
El cambio abrupto de dirección de la curva en VD = 0 V se debe al cambio de las
escalas de corriente de arriba hacia abajo del eje. Observe que arriba del eje la escala está
en miliamperes (mA), en tanto que debajo del eje está en picoamperes (pA).
Teóricamente, con todo perfecto, las características de un diodo de silicio deben ser como
las muestra la línea punteada de la figura 1. Sin embargo, los diodos de silicio comerciales
se desvían de la condición ideal por varias razones, entre ellas la resistencia de “cuerpo”
interna y la resistencia de “contacto” externa de un diodo. Cada una contribuye a un voltaje
adicional con el mismo nivel de corriente, como lo determina la ley de Ohm, lo que provoca
el desplazamiento hacia la derecha que se muestra en la figura 1.
El cambio de las escalas de corriente entre las regiones superior e inferior de la gráfica se
observó antes. Para el voltaje VD también hay un cambio mensurable de escala entre la
región derecha de la gráfica y la izquierda. Con valores positivos de VD la escala está en
décimas de volts, y en la región negativa está en decenas de volts.

Figura 1 Características del diodo semiconductor de silicio.

 Figura 2 Gráfica de ex

El diodo ideal
La Figura 3 muestra una gráfica detallada de la región directa de un diodo, en la que se
representa la corriente del diodo ID en función de la tensión del diodo VD. Observe que la
corriente es aproximadamente cero hasta que la tensión del diodo se aproxima a la barrera
potencial. En las proximidades de 0,6 a 0,7 V, la corriente del diodo aumenta. Cuando la
tensión del diodo es mayor de 0,8 V, la corriente del diodo es significativa y la gráfica es
casi lineal.

Figura 3 Gráfica de la corriente con polarización directa.

Dependiendo del dopaje y del tamaño físico del diodo, se obtendrán diodos con diferentes
valores de la corriente directa máxima, la potencia máxima y otras características. Si
necesitamos una solución exacta deberíamos emplear la gráfica del diodo concreto.
Aunque los puntos exactos de corriente y de tensión son diferentes de un diodo a otro, la
gráfica de cualquier diodo es similar a la mostrada en la Figura. Todos los diodos de silicio
tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,7 V.
La mayoría de las veces no es necesaria la solución exacta, ésta es la razón por lo que se
utilizan aproximaciones para el diodo. Comenzaremos con la aproximación más simple, la
del diodo ideal. En líneas generales, ¿qué hace un diodo? Conduce bien en directa y mal
en inversa. Teóricamente, un diodo se comporta como un conductor perfecto (resistencia
cero) cuando está polarizado en directa y como un aislante perfecto (resistencia infinita)
cuando está polarizado en inversa.

La Figura 4(a) muestra la gráfica corriente-tensión de un diodo ideal: resistencia cero

cuando está polarizado en directa y resistencia infinita cuando está polarizado en inversa.
A decir verdad, es imposible construir un dispositivo con esas características, pero es lo
que los fabricantes harían si pudieran.

Figura 4 (a) Curva del diodo ideal. (b) Un diodo ideal se comporta como un interruptor.

Por tanto, un diodo ideal actúa como un interruptor que se cierra con polarización
directa y se abre con polarización inversa. En la Figura 4(b) se resume esta idea del
interruptor.

Ejemplo
Utilice el diodo ideal para calcular la tensión y la corriente en la carga del circuito de la
Figura 5a.
SOLUCIÓN Puesto que el diodo está polarizado en directa, es equivalente a un interruptor
cerrado. Si vemos el diodo como un interruptor cerrado, podemos ver que toda la tensión
de fuente aparece en la resistencia de carga:
VL =10 V
Aplicando la ley de Ohm, la corriente en la carga es:
IL=10V/1 kΩ = 10 mA
 Figura 5
Ejemplo
Calcular la tensión y la corriente en la carga del circuito mostrado en la Figura 5b utilizando
un diodo ideal.
SOLUCIÓN Una forma de resolver este problema es calculando el equivalente de
Thevenin del circuito situado a la izquierda del diodo. Mirando desde el diodo hacia la
fuente, vemos un divisor de tensión formado por las resistencias de 6 kΩ y 3 kΩ. La
tensión de Thevenin es 12 V y la resistencia de Thevenin es 2 kΩ. La Figura 5c muestra el
circuito de Thevenin que excita al diodo.
Ahora que tenemos un circuito serie, podemos ver que el diodo está polarizado en directa,
por lo que podemos pensar en él como en un interruptor cerrado. Luego, los cálculos son:
IL=12 V/3 kΩ = 4 mA
y
VL =(4 mA)(1 kΩ) = 4 V

La segunda aproximación
Emplear la aproximación ideal es adecuado en la mayoría de las situaciones de detección
de averías, pero no siempre estamos detectando averías. En ocasiones, necesitaremos
conocer valores más exactos de la corriente y la tensión en la carga. Es entonces cuando
tiene sentido la segunda aproximación.
La Figura 6a muestra la gráfica de la corriente en función de la tensión para la
segunda aproximación. El dibujo indica que no hay corriente hasta que aparecen 0.7 V en
el diodo, momento en el que el diodo empieza a conducir. A partir de ese momento, sólo
puede haber 0.7 V en el diodo, independientemente del valor de la corriente.

Figura 6 (a) Curva del diodo para la segunda aproximación. (b) Circuito equivalente para la
segunda aproximación.

La Figura 6b muestra el circuito equivalente para la segunda aproximación de un

diodo de silicio. El diodo se comporta como un interruptor en serie con una barrera de
potencial de 0.7 V. Si la tensión de Thevenin es, por lo menos, de 0.7 V, el interruptor se
cerrará.
Cuando conduce, la tensión en el diodo será de 0.7 V para cualquier corriente directa.
Por otro lado, cuando la tensión Thevenin es menor que 0.7 V, el interruptor se abre. En
este caso, no circulará corriente a través del diodo.
Ejemplo
Utilice la segunda aproximación para calcular la tensión en la carga, la corriente en la
carga y la potencia del diodo en el circuito de la Figura 7.

SOLUCIÓN Puesto que el diodo está polarizado en directa, es equivalente a una batería
de 0.7 V. Esto significa que la tensión en la carga es igual a la tensión de fuente menos la
caída de tensión en el diodo:
 VL =10 V – 0.7 V = 9.3 V
Aplicando la ley de Ohm, obtenemos la corriente en la carga:
IL=9.3 V/1 kΩ = 9.3 mA
La potencia del diodo es:
PD = (0.7 V)(9.3 mA) = 6.51 mW

Figura 7 Figura 8 (a) Circuito original. (b) Circuito simplificado

Ejemplo
Calcule la tensión en la carga, la corriente en la carga y la potencia del diodo en el circuito
de la Figura 8a utilizando la segunda aproximación.
SOLUCIÓN De nuevo, obtenemos el circuito de Thevenin para el circuito situado a la
quierda del diodo.
Como antes, la tensión de Thevenin es 12 V y la resistencia de Thevenin es 2 kΩ. La
Figura 8b muestra el circuito simplificado.
Puesto que la tensión del diodo es 0.7 V, la corriente en la carga es:

12 0.7
3.77
3 Ω
La tensión en la carga es:
VL =(3.77 mA)(1 kΩ) = 3.77 V
y la potencia del diodo es:
PD = (0.7 V)(3.77 mA) = 2.64 mW

La tercera aproximación
En la tercera aproximación de un diodo se incluye la resistencia interna RB. La Figura 9a
muestra el efecto que tiene RB sobre la curva del diodo. Después de que el diodo de silicio
comienza a conducir, la tensión aumenta linealmente con los incrementos de corriente.
Cuanto mayor sea la corriente, mayor será la tensión en el diodo, debido a la caída de
tensión en la resistencia interna.

Figura 9(a) Curva del diodo para la tercera aproximación. (b) Circuito equivalente para la
tercera aproximación.
 El circuito equivalente para la tercera aproximación es un interruptor en serie con
una barrera de potencial de 0.7 V y una resistencia RB (véase la Figura 9b). Cuando la
tensión aplicada es mayor que 0.7 V, el diodo conduce.
La tensión total en el diodo es igual a:
VD = 0.7 V + ID RB
A menudo, la resistencia interna es menor que 1 Ω, por lo que podemos ignorarla en
los cálculos. Una regla útil para ignorar la resistencia interna es la siguiente definición:
Ignorar la resistencia interna cuando: RB < 0,01RTH
Esto quiere decir que se puede ignorar la resistencia interna cuando sea la
centésima parte de la resistencia de Thevenin que ve el diodo. Si se satisface esta
condición, el error es menor que el 1 por 100. Los técnicos raramente emplean la tercera
aproximación, porque los diseñadores de circuitos normalmente satisfacen la Ecuación
anterior
Ejemplo
El 1N4001 de la Figura 10a tiene una resistencia interna de 0.23 Ω. ¿Cuál es la
tensión y la corriente en la carga y la potencia del diodo?
SOLUCIÓN Sustituyendo el diodo por su tercera aproximación obtenemos el circuito de la
Figura 10b. La resistencia interna es suficientemente pequeña como para ignorarla, porque
es menor que 1/100 de la resistencia de carga. En este caso, podemos usar la segunda
aproximación para resolver el problema. Ya hicimos esto en un Ejemplo anterior donde
obtuvimos una tensión en la carga, una corriente por la carga y una potencia en el diodo de
9.3 V, 9.3 mA y 6.51 mW, respectivamente.

Figura 10 Figura 11
Ejemplo
Repita el ejemplo anterior para una resistencia de carga de 10 Ω.
SOLUCIÓN La Figura 11a muestra el circuito equivalente. La resistencia total es:
RT = 0.23 Ω +10 Ω =10.23 Ω
La tensión total que cae en RT es:
VT = 10 V – 0.7 V = 9.3 V
Por tanto, la corriente en la carga es:
9.3
909
10.23 Ω
La tensión en la carga es:
VL = (0.909 A)(10 Ω) = 9.09 V
Para calcular la potencia en el diodo necesitamos saber la tensión del diodo, que se
puede obtener de dos formas.
Podemos restar la tensión en la carga de la tensión de fuente:
VD = 10 V - 9,09 V = 910 mV
o podemos utilizar:
VD = 0.7 V + (0.909 A)(0.23 Ω) = 909 mV
La ligera diferencia en las dos respuestas se debe al redondeo de los cálculos. La potencia
en el diodo es:
PD = (0.909 V)(0.909 A) = 826 mW
 Dos aclaraciones: en primer lugar, el 1N4001 tiene una corriente máxima directa de
1 A y una potencia máxima de 1 W, por lo que con una resistencia de 10 Ω el diodo está
siendo sometido a sus límites. En segundo lugar, la tensión en la carga calculada con la
tercera aproximación es igual a 9.09 V.

Cómo calcular la resistencia interna

Cuando intente analizar con precisión un circuito con diodos, necesitará conocer la
resistencia interna del diodo.
Normalmente, las hojas de características de los fabricantes no especifican esta
resistencia, pero proporcionan información suficiente para calcularla. Ésta es la fórmula
para la resistencia interna:

donde V1 e I1 son la tensión y la corriente en el codo de la curva o en un determinado punto

por encima de la tensión umbral; V2 e I2 son la tensión y la corriente en un determinado
punto más alto de la curva del diodo.
Por ejemplo, la hoja de características del 1N4001 especifica una tensión directa de 0.93 V
para una corriente de 1 A. Como se trata de un diodo de silicio, tiene una tensión umbral
de aproximadamente 0,7 V y una corriente de aproximadamente cero. Por tanto, los
valores que hay que emplear son V2 = 0,93 V, I2 = 1 A, V1 = 0,7 V e I1 = 0. Sustituyendo
estos valores en la ecuación obtenemos una resistencia interna de:
0.93 0.7 0.23
0.23 Ω
1 0 1

Recuerde que la curva del diodo es una gráfica de la corriente en función de la tensión. La
resistencia interna es igual a la inversa de la pendiente por encima de la tensión umbral.
Cuanto mayor es la pendiente de la curva del diodo, menor es la resistencia interna. En
otras palabras, cuanto más vertical es la curva por encima del umbral, más pequeño es el
valor de la resistencia.
Resistencia en continua de un diodo
El cociente de la tensión total entre la corriente total de un diodo proporciona la resistencia
de continua del diodo. En la región de polarización directa, esta resistencia de continua se
simboliza con RF y en la región inversa se designa por RR.
Resistencia en directa
Dado que el diodo es un dispositivo no lineal, su resistencia de continua varía con la
corriente. Considere, por ejemplo, las siguientes parejas de valores de corriente y de
tensión en directa para un diodo 1N914: 10 mA para 0.65 V, 30 mA para 0.75 V y 50 mA
para 0.85 V. En el primer punto, la resistencia de continua es:
0.65
65 Ω
10

En el segundo punto:
0.75
25 Ω
30
Y en el tercer punto:
0.85
17 Ω
50
Observe que la resistencia de continua disminuye cuando la corriente aumenta. En
cualquier caso, la resistencia en directa es más pequeña que la resistencia en inversa.
Resistencia en inversa
Considere ahora los dos conjuntos de valores de corriente y de tensión en inversa para el
1N914: 25 nA para 20 V; 5 A para 75 V. En el primer punto, la resistencia de continua es:
20
800 Ω
25

En el segundo punto:
75
15 Ω
5 A

Observe que la resistencia en continua disminuye a medida que nos aproximamos a la

tensión de ruptura
(75 V).
Resistencia en continua y resistencia interna
La resistencia en continua de un diodo es diferente de la resistencia interna. La resistencia
en continua de un diodo es igual a la resistencia interna más el efecto de la barrera de
potencial. En otras palabras, la resistencia en continua de un diodo es su resistencia total,
mientras que la resistencia interna es la resistencia de sólo las regiones p y n. Por esta
razón, la resistencia en continua de un diodo es siempre más grande que la resistencia
interna.