3.

Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de transistor,
configuración de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima,  (hFE) y frecuencia de corte

COLECTOR
1

2 Ase
B

3
Emisor

CLASIFICACIONES MÁXIMAS
B B B
1
Cla Símbo C C C Un 23
sific lo ida
ació d
5 5 5 CASO 29–04, ESTILO
n
4 4 4 17 A–92 (TO–226AA)
6 7 8
Colector– Voltaje del emisor VCE 6 4 3 Vd
O 5 5 0 c
Colector– Voltaje base VCB 8 5 3 Vd
O 0 0 0 c
Emisor– Voltaje base VEB 6 Vd
O . c
0
Corriente del colector — Continuo IC 1 Ma
0 dc
0
Disipación total del dispositivo a TC A PD 6 m
a 25oC Deteración por 2 W
encima de 25oC 5 mW/
5 cC
.
0
Disipación total del dispositivo a TC C PD 1 Va
a 25oC Deteración por . tios
encima de 25oC 5 mW/
1 cC
2
Rango de temperatura de la unión de TJ, – 55 a +150 CC
funcionamiento y almacenamiento Tstg
CARACTERISTICAS TÉRMICAS
Característica Símb máximo Uni
olo dad
Resistencia térmica, unión al ambiente R JA 200 C/
W
Resistencia térmica, unión a la caja R JC 83.3 C/
W
CARACTERISTICAS ELECTRICAS (TA a 25oCa menos que se indiquelo contrario)
Característi Símbol M T máxi Unid
ca o i y mo ad
n p
CARACTERÍSTICAS DESACTIVADAS
Colector – Voltaje de descomposición delemisor BC546 V(BR)C 6 — — Ⅴ
EO 5 — —
(IC a 1,0 mA, IB a 0) BC547
4 — —
BC548
5
3
0
Colector– Voltaje de descomposición de labase BC546 V(BR)C 8 — — Ⅴ
BO 0 — —
(IC a 100 Adc)) BC547
5 — —
BC548
0
 3
0
Emisor– Voltaje de descomposición de la base BC546 V(BR)E 6 — — Ⅴ
(IE a 10 A, IC a 0) BC547 BO . — —
BC548 0 — —
6
.
0
6
.
0
Corriente de corte del colector ICES
(VCE a 70 V, VBE a 0) BC546 — 0 1 N
(VCE a 50 V, VBE a 0) BC547 — . 5 a
(VCE a 35 V, VBE a 0) BC548 — 2 1
(VCE a 30 V, TA a 125oC)C) BC546/547/548 — 0 5
. 1 
2 5 A
0 4
. .
2 0
—
CARACTERISTICAS ELECTRICAS (TA a 25oCa menos que se indiquelo contrario) (Continuación)
Característi Símbol M T máxi Unid
ca o i y mo ad
n p
SOBRE LAS CARACTERÍSTICAS
Ganancia de corriente de CC hFE —
(IC a 10 A, VCE a 5,0 V) BC547A/548A — 9 —
0
BC546B/547B/548B — 1 —
5
0
BC548C — 2 —
7
0
(IC a 2,0 mA, VCE a 5,0 V) BC546 1 — 4
1 5
0 0
BC547 1 — 8
1 0
0 0
BC548 1 — 8
1 0
0 0
BC547A/548A 1 1 2
1 8 2
0 0 0
BC546B/547B/548B 2 2 4
0 9 5
0 0 0
BC547C/BC548C 4 5 8
2 2 0
0 0 0
(IC a 100 mA, VCE a 5,0 V) BC547A/548A — 1 —
2
0
BC546B/547B/548B — 1 —
8
0
BC548C — 3 —
0
0
Colector – Voltaje de saturación del VCE Ⅴ
emisor (IC a 10 mA, IB a 0,5 (senta — 0. 0.
mA) do)sat — 0 2
(IC a 100 mA, IB a 5,0 mA) ) — 9 5
(IC a 10 mA, IB - Véase la Nota 1) 0. 0.
2 6
0. 0.
3 6
Base– Voltaje de saturación del VBE — 0. — Ⅴ
emisor (IC a 10 mA, IB a 0,5 (senta 7
mA) do)sat
)
Base-Emisor en Voltaje VBE(e Ⅴ
(IC a 2,0 mA, VCE a 5,0 ncendi 0. — 0.
V) (IC a 10 mA, VCE a do)on) 5 — 7
5,0 V) 5 0.
— 7
7
CARACTERÍSTICAS DE LA SEÑAL PEQUEÑA
Actual– Ganancia — Producto de ancho de banda fT M
(IC a 10 mA, VCE a 5,0 V, f a 100 MHz) BC546 1 3 — hz
BC547 5 0 —
BC548 0 0 —
1 3
5 0
0 0
1 3
5 0
0 0
 Capacitancia de salida Cobo — 1. 4. Pf
(VCB a 10 V, IC a 0, f a 1,0 MHz) 7 5

Capacitancia de entrada Cibo — 1 — Pf

(VEB a 0,5 V, IC a 0, f a 1,0 MHz) 0

Ganancia de corriente de señal pequeña hfe —

(IC a 2,0 mA, VCE a 5,0 V, f a 1,0 BC546 1 — 5
kHz) 2 0
5 0
BC547/548 1 — 9
2 0
5 0
BC547A/548A 1 2 2
2 2 6
5 0 0
BC546B/547B/548B 2 3 5
4 3 0
0 0 0
BC547C/548C 4 6 9
5 0 0
0 0 0
Figura de ruido Nf D
b
(IC a 0,2 mA, VCE a 5,0 V, RS a 2 BC546 — 2. 1
k, 0 0
f a 1,0 kHz, f a 200 Hz) BC547 — 2. 1
0 0
BC548 — 2. 1
0 0
Nota 1: IB es el valor para el cual IC a 11 mA en VCE a 1,0 V.

4. En el circuito, se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía
Rc2 de forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC

Vce Ic uA
0V 0
0.5V 0.76
1V 0.07
1.5 V 178
5. Grafique
Vce vs Ic.
Ic uA
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0V 0.5V 1V 1.5 V
6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para IB igual a
50uA, 75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso

Vce (V) vs Ic(mA) Ib=25.9uA

9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1 2 3 4
 Vce(V)
Vce (V)vs
vsIc(mA)
Ic(mA) Ib=47.1uA
Ib=92.7uA
Ib=70uA
16
30
25
14
25
20
12
20
10
15
8
15
10
6
10
4
5
25
00
11 22 33 44
 TABLA N°4
Vrb (V) Ib (uA) Vce (V) Vrc (V) Ic (mA) Vbe(V) Ie (mA) α β
3.3 10 2 1.44 1.44 0.67 1.45 0.99310 0.144
3.3 10 4 1.47 1.47 0.67 1.48 0.99324 0.147
3.3 10 6 1.51 1.51 0.67 1.52 0.99342 0.151
3.3 10 8 1.55 1.55 0.67 1.56 0.99358 0.155
3.3 10 10 1.59 1.59 0.67 1.6 0.99375 0.159
3.3 10 12 1.62 1.62 0.67 1.63 0.99386 0.162
3.3 10 14 1.66 1.66 0.67 1.67 0.99401 0.166
3.3 10 16 1.7 1.7 0.67 1.71 0.99415 0.17
6.6 20 2 3.03 3.03 0.69 3.05 0.99344 0.1515
6.6 20 4 3.11 3.11 0.69 3.13 0.99361 0.1555
6.6 20 6 3.19 3.19 0.69 3.21 0.99376 0.1595
6.6 20 8 3.28 3.28 0.69 3.3 0.99393 0.164
6.6 20 10 3.36 3.36 0.69 3.38 0.99408 0.168
6.6 20 12 3.43 3.43 0.69 3.45 0.9942 0.1715
6.6 20 14 3.51 3.51 0.69 3.53 0.99433 0.1755
9.9 30 2 4.83 4.83 0.71 4.86 0.99382 0.161
9.9 30 4 4.96 4.96 0.71 4.99 0.99398 0.1653333
9.9 30 6 5.09 5.09 0.71 5.12 0.99414 0.169667
9.9 30 8 5.21 5.21 0.71 5.24 0.99427 0.173667
9.9 30 10 5.35 5.35 0.71 5.38 0.99442 0.17833
13.2 40 2 6.45 6.45 0.72 6.49 0.99383 0.16125
13.2 40 4 6.61 6.61 0.72 6.65 0.99398 0.16525
13.2 40 6 6.77 6.77 0.72 6.81 0.99412 0.16925
13.2 40 8 6.94 6.94 0.72 6.98 0.99426 0.1735
16.5 50 2 8.13 8.13 0.72 8.18 0.99388 0.1626
16.5 50 4 8.35 8.35 0.72 8.4 0.99404 0.167
16.5 50 6 8.59 8.59 0.72 8.64 0.99421 0.1718
16.5 50 8 8.81 8.81 0.72 8.86 0.99435666 0.1762
CUESTIONARIO FINAL
1. La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué
representan?

- Todas tienen una pendiente positive seguida de una línea aparentemente recta en la mayoría de
graficas. Nos Podemos dar cuenta que el transistor se encontrara en saturación cuando el voltaje
colector emisor sea de cero. Cuando VCE=0, podemos determinar el valor de la corriente de
saturación de colector. El eje X se representa por voltaje y el eje Y por la corriente.

2. ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?

- Primeramente, se debe observar que todas cumple con la primera parte de tener una pendiente casi
igual para todas, la diferencia esta que una vez acabada la pendiente la línea horizontal que les
sigue varia, en algunos casos es recta, en otro se curva un poco hacia arriba y en otra un poco hacia
abajo pero todas juntas formaran el punto de corte igual ya que existe una proporcionalidad en el
 beta

3. ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da este caso en la práctica?
- El transistor se encuentra en la región de corte cuando IC=0. Para dejar en cero la corriente de
colector, se requiere tener en cero la corriente de base IB. En la práctica no se da ya que en ningún
momento la corriente de colector es igual a 0 ni tampoco la corriente de base

4. ¿Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la práctica?

- Para determinar la corriente de saturación, consideramos el voltaje colector emisor de la malla de
salida igual a cero. En la práctica tampoco se da ya que el voltaje colector-emisor no es igual a 0
5. Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica
- La relación que existe es que la corriente de colector es aproximadamente β veces la corriente de
la base.

Conclusiones:

-  Se pudo demostrar que si se aplica un voltaje entre el emisor y la base se puede obtener una
ganancia de voltaje en el colector y la base así se puede comprobar que este tipo de dispositivos se
pueden utilizar como amplificadores.
- El transistor permite un control más preciso de la corriente que circula por él, ya que el dispositivo
puede ser tratado como una resistencia de valor controlado
- Toda la tecnología actual está basada en transistores
- Los transistores BJT poseen la capacidad de amplificar la corriente que pasa entre los terminales
emisor y colector, las cuales dependerán de la corriente aplicada a la base del transistor.