Desarrollo de la primera semana.
El circuito anterior tiene como componentes, resistencias, capacitores, transistores JFET, una
alimentación DC compuesta por un banco de baterías dando un voltaje de 20V y la señal de entrada
que el icono que representa en la imagen es el de un generador de señal sinusoidal que entrega dicha
señal a una frecuencia de 1KHz con un voltaje Rms de 0.3VAC. el circuito tiene la intención de
amplificar la señal de 300mV en un voltaje 10V con la misma frecuencia de operación.
El circuito cuenta con una resistencia RD y una resistencia RG, la cual, esta última utiliza un valor
óhmico muy alto para garantizar el mayor nivel de voltaje que se puede obtener del generador,
voltaje suficiente para activar la compuerta del JFET y así poder hacer las mismas oscilaciones que
realiza la señal de entrada.
(Vcc−VD )
De las ecuaciones RD= tenemos que: V D=VCC−ID∗RD teniendo en cuenta que
ID
VD = 10v y VCC = 20V entonces resolviendo nos da que RD es de 3.33KΩ con una corriente ID =
3mA.
Vo 10
La ganancia es Av= = =−Gm∗RD
Vi 3 mV
La resistencia RD = 3.33KΩ
La resistencia RS = 500Ω
La amplitud está dada en las escalas de la graticula del osciloscopio. Para hacer la prueba se hizo
una captura a la señal de entrada con respecto a la señal de salida. Como se muestra en la siguiente
imagen.
En la figura se utilizó una división de tensión ya que la polarización fija generaba complicaciones
en la señal.
el voltaje de salida que se muestra es 12v a aproximadamente 1kΩ, Cuando se realizó la prueba a
500Ω el voltaje era de 10V pero la señal de entrada no era amplificada.
Si existe alguna observación en esta etapa del proceso, es bueno escuchar la asesoría por parte del
tutor.
Los valores de los distintos voltajes de los pines del JFET siendo Gate, Source y Drean. Están
expuesto en la siguiente imagen que es la captura de la simulación en proteus del sistema
funcionando.
Notese que se cumple la condición que entre la compuerta y la fuente ese puente por ser canal N
cumple la condición de trabajo del diodo de transición o de paso que es propio entre estos
componentes semiconductores. Siendo este el voltaje VGS.
El valor de la corriente ID está en un valor muy bajo por la resistencia RL la cual es muy alta para
que se cumpla las condiciones. Al intentar medirla en el probador de corriente de proteus no
marcada ninguna diferencia, por ende, no se presenta la evidencia.
Si existe alguna observación por parte del tutor para nutrir esta información es aceptable de todo
punto de vista.
Se puede concluir que los Jfet se pueden utilizar para amplificar señales AC de muy bajo voltaje.
También es importante mencionar el análisis tanto en la parte DC como en la parte AC para
entender la participación de los capacitores en estos circuitos amplificadores de señales AC.
Las configuraciones usadas son muy buenas a la hora de realizar la práctica, pero primero es
importante basarse en un programa de simulación para entender todo el contexto que nos puede
brindar el circuito amplificador.
La lista de materiales para usar en este proyecto sería:
Transistor Jfet J201.
Capacitores 10uf o 1uf
Resistencia de 3.3k -5k como RD, 500R-1k para RS y 1M para RG y 50k como RL
Fuente de voltaje a 20v
Puentes y terminales de conexión.
Váquela o protoboard, se recomienda váquela por no tener inconveniente a altas
frecuencias.
Generador de señal.
