CAPITULO VI 7 ELECTRONICA FISICA DEL DIODO DE UNION 6.1. INTRODUCCION Uno de los ejemplos mas caracteristicos de los fendmenos de difusién de portadores, estudiado en capitulos anteriores, lo constituye quizas la union de dos semiconductores cada uno de ellos con portadores mayoritarios de signo opuesto. Este conjunto denominado diodo representa el elemento mas basico entre los dispositivos semiconductores de estado sdlido. Los diodos ofrecen diferentes resistencias al paso de la corriente segun sea la polaridad de la tensién externa aplicada en sus extremos. Este efecto esta determinado fundamentalmente por la carga espacial que se origina en la interfase de la unién de los dos semiconductores (unién p-n). La interfase de la unién tiene un espesor muy pequefio comparado con el resto de! diodo. Sin embargo, como veremos mas adelante, aun siendo pequefia esta regidn es la que ejerce todo el control de las propiedades de! dispositive. El estudio de los diodos de union p-n, asi como el de otros dispositivos rectificadores tales como la unién metal-semiconductor, constituye el aspecto mas fundamental de este capitulo y del siguiente. 6.2. LAUNION PN Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unién pn tiene unas propiedades muy ittiles y entre otras cosas forman los "Diodos’. La palabra diodo proviene de las palabras DI = dos y ODO = Electrodo, es decir, elemento de dos terminales. Al terminal conectado al lado P del diodo recibe el nombre de Anodo y al terminal conectado al lado N del diodo recibe el nombre de Catodo y a la unién de los dos materiales se denomina juntura. La union de dos semiconductores extrinsecos, uno de ellos dopado con impurezas de tipo donador y otro con impurezas de tipo aceptor, constituye lo que se denomina la unién p-n. Normaimente los semiconductores estan formados por el mismo material, en el que se introducen, mediante procesos de difusién, impurezas de uno y otro signo en dos regiones del semiconductor adyacentes entre si. En la figura 6.1 se muestra un esquema de la seccién transversal de una oblea de silicio en la que se ha preparado una unién p-n para formar un diodo. Para conseguir esta unién, se parte de una oblea del material semiconductor, tipo n por ejemplo, y en una regién de la oblea se afiade un dopaje con impurezas de tipo opuesto, tipo p en este caso, en concentracién suficiente para invertir el signo de los portadores en esa regién. Finalmente, sobre la regién dopada y en la parte inferior de la oblea se deposita una capa conductora con objeto de hacer los contactos eléctricos hacia el exterior. conaco s metélico me tin Fig. 6.1. Esquema de un diodo semiconductor formado por la unién de dos semiconduciores de signo opuesto (union p-n)..En lo que sigue, haremos una descripcién cualitativa del comportamiento de la unién en el caso ideal, en el cual se supone que cada lado de la unin esta formado por impurezas de un solo tipo con una distribucién completamente homogénea y que el semiconductor se encuentra en equilibrio termodinamico. 6.3. LAUNION PN SIN POLARIZACION EXTERNA Al “unr” el semiconductor P con el N. aparecen diferencias considerables en la concentracién de los portadores entre un lado y el otro de la unién. Estas diferencias de concentracién de portadores a uno y otro lado de la unién dan lugar a que existan cortientes de difusién para alcanzar el equilibrio termodinamico que intentan igualar las concentraciones de portadores en el volumen del semiconductor. En e! lado n de la unién tendremos una difusién de electrones mayoritarios hacia el lado p moviéndose en la banda de conduccién, y en el lado p tendremos una corriente de huecos, también mayoritarios, que cruzan en direccion opuesta hacia el lado n por la banda de valencia. Producto de la mutua repulsion que sufren los electrones libres del lado n, estos electrones son repelidos @ muchas partes y algunos de estos electrones atraviesan la juntura y se pasan al lado p uniéndose a un hueco de la banda de valencia para formar asi un enlace covalente. Al saltar el electron desde el lado n genera un hueco en dicho lugar y por lo tanto se puede considerar que se produce un movimiento de electrones desde el lado n al lado p y también se produce un movimiento de huecos desde el lado p al lado n, la figura muestra este proceso el cual se denomina Difusién. JSUNTURA Fig. 6.2. Esquema de la juntura de los diodos. En el semiconductor P aislado, los huecos neutralizan a los iones negativos en todos los puntos del cristal, puesto que las concentraciones de ambos son iguales. Al realizar la union de este semiconductor con uno tipo N, la disminucion de la concentracion de huecos que tiene lugar en el volumen de! semiconductor P préximo a la unién, debida a su difusién, rompe la anterior neutralidad, y aparece en esta regién la carga negativa de los iones aceptadores sin neutralizar. Un proceso parecido ocurre en el volumen del semiconductor N préximo a la unién: los electrones han disminuido su concentracién por efecto de su difusién hacia la regién P, y dejan tras de si, sin neutralizar, a los 4tomos donadores ionizados positivamente. Aparece, por tanto, un dipolo de carga entre los dos lados de la unién que, para simplificar los célculos, lo supondremos de forma rectangular. 6.3.1. Region de empobrecimiento Cada vez que un electrén del lado N pasa al lado P, deja un ion positivo en el lado N por la ausencia del electrén y por el contrario, en el lado P dejara un ion negativo producto de su presencia. Como resultado de este proceso de recombinacién, cerca de la unién pn se acumula un gran numero de iones positivos y negativos. Asi, al formarse las capas iénicas, el dra en ambos lados de la unién queda completamente desprovisia decualquiera electrones 0 huecos de conduccién, por lo que se denomina regién de agotamiento también llamada capa de agotamiento, zona de agotamiento, region de unién, region de carga espacial o espacio capa de carga. A su vez, los iones en la capa de agotamiento van dejando cada vez mas cargada la zona desierta, el cual acta como una barrera que impide que nuevos electrones sigan cruzando la juntura. Cuando se llega una condicion de equilibno, la capa de empobrecimiento se ha ampliado hasta un punto en el cual ningun electrén adicional puede cruzar la unién pn. Regidn de agotamiento Z . ay Anodo w Catodo Fig. 6.3. Formacién de la regién de agotamiento de los diodos. La comprensién de la regién de agotamiento es clave para explicar el funcionamiento de los dispositivos semiconductores electronicos: diodos, transistores de unién bipolares, transistores de efecto de campo, y los diodos de capacidad variable de todos confian en los fendmenos region de agotamiento. 6.3.2. Barrera de potencial La existencia de iones positivos y negativos sobre caras opuestas de la unién crea un potencial de barrera (Vs) a través de la capa de empobrecimiento. La barrera de potencial genera una diferencia de potencial. La intensidad de! campo eléctrico aumenta con cada electron que cruza hasta llegar al equilibrio. EI campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada “Barrera de Potencial" que a 25 °C, cuyo valor es aproximadamente igual a 0,7 V si el semiconductor es a base de silicio y de 0,3 V si el semiconductor es a base de germanio. Al aumentar la temperatura de la unién, el potencial de barrera disminuye y viceversa. El potencial de barrera es importante porque determina la cantidad de voltaje externo que es necesario aplicar a través de la union pn a fin de producir corriente. 6.5. LAUNION P-N POLARIZADO CON UN VOLTAJE EXTERNO Si se conectan cables conductores a los extremos de cada material, se produce un dispositive de dos terminales, como se muestra en las figuras. Se dispone entonces de tres opciones: sin polarizacién, polarizacién en directa y polarizaci6n en inversa. El término polarizacién se refiere a la aplicacién de un voltaje externo a través de las dos terminales de! dispositivo para extraer una respuesta.Regién de agotamiento (sin polarizacién) Fig. 6.4. Diodo sin polarizacion. La condicién mostrada en la figura es la situacién sin polarizacién porque no hay ningan voltaje externo aplicado. En la figura 6.5 se proporciona el simbolo de un diodo semiconductor para mostrar su correspondencia con la unién p-n. —=—. tT + Vp=0V — (sin polarizacion) o——p>t+—_0 mA Ip Fig. 6.5. Representacién de la estructura y simbolo del diodo. La ausencia de voltaje a través de un resistor produce una corriente cero a través de él. Incluso en este punto inicial de! andlisis es importante seftalar la polaridad del voltaje a través del diodo en la figura y la direccién dada a la corriente. Esas polaridades seran reconocidas como las polaridades definidas de! diodo semiconductor. Si se aplica un voltaje a través del diodo cuya polaridad a través de él sea la mostrada en la figura 6.5, se considerard que el voltaje es positivo. A la inversa, el voltaje es negativo. Los mismos estandares se pueden aplicar a la direccién definida de la corriente en la figura 6.5. Sin ninguna polarizacion aplicada a través de un diodo semiconductor, el flujo neto de carga en una direccién es cero.6.5.1. Polarizaci6n directa Si el terminal positivo de la fuente esta conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente esta conectado al material tipo n, diremos que estamos en Polarizacion Directa 0 “encendido”. Combinacién de los portadores Fluio de Corriente + Bateria Fig. 6.6. Concentracién de los portadores en polarizaci6n directa del diodo. La aplicacion de un potencial con polarizacién directa Vo “presionard'’ a los electrones del material tipo n y a los huecos de! material tipo p para que se recombinen con los iones cercano a la frontera y para reducir el ancho de la region de agotamiento como se muestra en la figura, la reduccién en el ancho de la region de agotamiento provoca un fuerte flujo de portadores mayoritarios sobre la unién. A medida que la magnitud de la polarizacién aplicada se incrementa, la region de agotamiento continuard disminuyendo su amplitud hasta que un grupo de electrones pueda atravesar la unién Repulsion de Repulsion de las cargas las cargas Fig. 6.7. Formacion de la barrera de potencial de diodo.Como se puede apreciar en la figura, los electrones libres del lado n del diodo, estan sujetos a dos fuerzas de repulsién. Hacia la izquierda producto del terminal negativo de la bateria y hacia la derecha producto de la barrera de potencial. Esto implica que el electron se moverd hacia la izquierda, si y solo si, la fuerza de repulsién del terminal negativo de la bateria sea mayor a la barrera de potencial (esto es, un voltaje de la bateria mayor o igual a V= 0.7 volt para el silicio). Una situacién similar ocurre con los huecos del lado p. En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unién. Al moverse los electrones libres hacia la union, se crean iones positivos en el extremo derecho de la unién que atraeran a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo. As{ los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electron. La secuencia que se produce con los electrones para una polarizacion directa, con un voltaje de bateria mayor o igual a 0,7 volt para el slicio es la siguiente: 1.- Después de salir el electrén desde e! terminal negativo de la bateria, se introduce por el extremo derecho del diodo (Jado N), para ser ingresado como electron libre: 2.- Viaia a través de la region N como electrén libre en un movimiento hacia la izquierda o lado P. 3.- Cuando el electron salta la juntura hacia el lado P, se recombina con un hueco de la banda de valencia, convirtiéndose asi en electrén de valencia. 4.- Ya en lado P, el electrén viaja como electron de valencia (saltando de hueco en hueco) hacia la izquierda (terminal positivo de la bateria).. 5.- Después de salir del lado izquierdo del cristal, fluye hacia el terminal positivo de la fuente. En forma andloga se puede decir sobre el movimiento de huecos en el lado P. La secuencia anterior indicada, refleja muy claramente porque se produce la conducci6n de cortiente, que no es otra cosa que el movimiento de electrones y/o huecos por unidad de tiempo. Sin embargo, se deben aclarar algunos puntos necesarios sobre dicha secuencia. a~ El sentido convencional que se da a la corriente, es inverso al movimiento de los electrones, esto es, el sentido de la corriente convencional para el caso anteriormente mencionado seria de izquierda a derecha. b.- El hecho que el electron libre en la banda de conduccién del lado N, baje como electrén de valencia en el lado P, obliga a que este electrén libere energia (en la mayoria de los casos, esta energia se libera como calor y es por eso, que los diodos se calientan cuando conducen). En algunos diodos especiales, esta energia se libera como energia luminosa y a estos diodos se denominan diodos LED (Diodo Emisor de Luz). c.- En la prdctica no es que el electrén se desplace fisicamente desde un terminal ¢ otro, si no que realiza un pequefio “empujén' al electrn contiguo y asi sucesivamente, cuyo efecto es similar al desplazamiento total del electron. d.- Dada que la resistencia macroscépica de! semiconductor es baja, la corriente estara limitada fundamentaimente por la resistencia externa.e.- El voltaje que queda en el diodo, corresponde al potencial de barrera mas la corriente que circula por el circuito multiplicada por la resistencia macroscdpica del diodo (ley de Ohms), es decir: Vp = V + 1x Ro ; con Rp = Resistencia de! diodo f.- La zona desierta que se produce en la juntura disminuye. El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo p al material tipo n (y de huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de magnitud (puesto que el nivel de conduccién es controlado principalmente por el nimero limitado de impurezas en el material), aunque la reducci6n del ancho de la region de empobrecimiento produjo un intenso flujo de portadores mayoritarios a través de la unién. (Similar) Fig. 6.8. Corrientes en polarizacién directa y simbolo del diodo. 6.5.2. Polarizaci6n indirecta o inversa Consiste en aplicar los terminales de la bateria, de manera tal el terminal positivo de la bateria quede conectado al catodo o terminal n del diodo y el terminal negativo de la bateria quede conectado al 4nodo o terminal p del diodo. La figura muestra este tipo de polarizacién. MaterialtiooP ‘Material tipo Nv . Fig. 6.9. Concentracién de los portadores en polarizaci6n inversa del diodo.El terminal negativo de la bateria atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres, esta fuerza eléctrica obliga a los electrones libres del lado n a trasladarse hacia la derecha y a los huecos del lado p a trasladarse hacia la izquierda y asi los huecos y los electrones libres se alejan de la unién, esto implica, que la region de agotamiento se ensancha, y a mayor anchura de la region de agotamiento la barrera de potencial tendré cada vez més iones (mayor diferencia de potencial). A mayor la tensién inversa aplicada mayor sera la regién de agotamiento. <— Fuerzas Eléctricas ——> Region de agotamiento ea Fig. 6.10. Formacién de la regién de empobrecimiento con polarizacién inversa. En resumen, podemos decir que en la polarizacién inversa no hay circulacién de corriente apreciable y todo el voltaje de la bateria externa caerd en el diodo (espectficamente, en la barrera de potencial). Sin embargo, existe una pequefia corriente (normalmente despreciable) producto de los portadores minoritarios porque la energla térmica crea continuamente pares electrén- hueco, lo que hace que haya pequefias concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se recombina con los mayoritarios pero los que estan en la region de agotamiento pueden existir lo suficiente para cruzer la unién y tenemos asi una pequefia corriente, y que a su vez, esta corriente denominada corriente de saturacién inversa Is es altamente dependiente de la temperatura y est en el orden de los picos y micro ampere. La corriente en condiciones de polarizacién en inversa se llama corriente de saturacién en inversa y esta representada por Is. La corriente de saturacion en inversa rara vez es de mas de algunos microamperes, excepto en el caso de dispositivos de alta potencia. De hecho, en los ultimos afios su nivel, por lo general, se encuentra en el intervalo de los nanoamperes en dispositivos de silicio. El término saturacion se deriva del hecho de que alcanza su nivel maximo con rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de polarizacién en inversa, como se mostraré en las caracteristicas de diode con Vp < 0 V.Las condiciones de polarizacién en inversa. Observe, en particular, que la direccién de Is se opone a la flecha del simbolo. Observe también que el lado negativo del voltaje aplicado esté conectado al material tipo p y el lado positivo al material tipo n, y la diferencia indicada con las letras subrayadas por cada regién revela una condicién de polarizacién en inversa. MM J, Flujo de portadores minoritarios Tmayoritarios = OA Vp os <_— |, D} - + (Opuesta) Fig. 6.11. Corrientes en polarizacién inversa y simbolo del diodo. 6.6. CALCULO DE LA CORRIENTE A TRAVES DE LA UNION P-N En la teorla basica del diodo de unién se supone que toda la tension aplicada se invierte en disminuir la barrera de potencial de la unién (en polarizacién directa) 0 en aumentarla (en inversa). Esta aproximacién es bastante exacta para corrientes débiles, y no tanto cuando éstas son intensas. La barrera de potencial de una unién polarizada se aproxima, por tanto, a Vp-V. En polarizacion directa se toma la tension aplicada V como posttiva, y en inversa como negativa; Vp, = Potencial de difusién. Este cambio en la barrera de potencial exige un cambio en el campo eléctrico que la produce (toda diferencia de potencial es producida por un campo eléctrico). Si la barrera disminuye, el campo eléctrico debe disminuir y, si aumenta, el campo eléctrico debe aumentar. Esta variacién de! campo eléctrico en la unién rompe el equilibrio que se daba entre las corrientes de difusion y de arrastre en la zona de carga espacial sin polarizacién Si el campo eléctrico disminuye, también Io hace la corriente de arrastre, y domina por tanto la de difusion. Por tanto, en una unién P-N polarizada directamente domina la corriente de difusion sobre la de arrastre. Esto produce una fuerte inyeccién de huecos desde la regién P hacia la region N, y otra intensa inyeccién de electrones desde N hacia P. Estas fuertes inyecciones de portadores desde las regiones donde son mayoritarios dan lugar a unas cortientes muy intensas en el sentido de P a N. Cuando se aumenta la tension de polarizacién directa, aumenta la corriente, ya que disminuye el campo eléctrico en la region de transicién. Cuando se polariza inversamente la unién aumenta el campo eléctrico en la region de transicion. Este aumento no va acompafiado de un aumento de la corriente en el sentido de N @ P, ya que no hay portadores a los que arrastrar (no hay huecos en N para ser arrastrados a P, ni electrones en P para ser arrastrados a N). En consecuencia el campo eléctrico se limita a impedir la difusién de mayoritarios (huecos de P a N y electrones de NaP), ya corriente sigue siendo nula como en equilibrio. De ahf el efecto rectificador de la union PN. Una teoria mas completa de la unién P-N demuestra que la corriente de huecos que inyecta la regién P a la region N, y la corriente de electrones que la region N inyecta en la region P vienen dadas por: i, (e""" -1)=1,(e"'7 -1) i, L(e"" 1) =I, (et -1) Donde: |, = Corriente de difusion de huecos. |, = Cortiente de difusién de electrones. kp y kn= Son constantes que dependen de los tiempos de vida y constantes de difusién de los huecos y electrones en las regiones N y P respectivamente (donde son minoritarios), asi como de las dimensiones de éstas. No = Concentracién de impurezas donadoras. Na = Concentracién de impurezas aceptoras. ni = concentracién intrinseca de un semiconductor depende del material y de la temperatura. V = Voltaje aplicada. Vr = Voltale térmico. len = Corriente inversa de saturacién por el material tipo n. le = Corriente inversa de saturacion por el material tipo p. La corriente total en la uni6n sera: i=i,ti,=(U,,+1,)(e"" -1)=1,(e""" -1) Esta es la ecuacién del modelo exponencial del diodo. Obsérvese que estas expresiones muestran que las corrientes i, € in son inversamente proporcionales al dopado. Controlando el dopado puede controlarse e! valor de cada una de ellas. La regién menos dopada es la que domina la corriente inversa de saturacién del diodo. La dependencia de I, del diodo con la temperatura es la misma que n7. En otra referencia es la siguiente: Se puede demostrar por medio de la fisica de estado sélido que las caracteristicas generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la siguiente ecuacién, conocida como ecuacién de Shockley, para las regiones de polarizacion en directa y en inversa: Ip = 1(e%eh™* — 1) Donde: |. = Es la corriente de saturacion en inversa Vp = Es el voltaje de polarizaci6n en directa aplicado a través de! diodon = es un factor de idealidad, el cual es una funcién de las condiciones de operacién y construccién fisica; varia entre 1 y 2 segun una amplia diversidad de factores (Se supondré n = 1 en todo este texto a menos que se indique de otra manera). El voltaje Vr en la ecuacién se llama voltaje térmico y esta determinado por: v,-# v) 4 Donde k = Es la constante de Boltzmann = 1.38 x 107° J/K T = Es la temperatura absoluta en Kelvin = 273 + la temperatura en °C. q=Esla magnitud de la carga del electron = 1.6 x 10°C. Equivalente en tensién de la temperatura, Vr = 26 mV a T= 300 K. Con K = 11.600/n y N= 1 para Geo n= 2 para Si T=Tce+273 La ecuacién de Shockley es una ecuacién tedrica que puede aproximarse al comportamiento de un diodo real. Debe tenerse en cuenta que en el desarrollo de esta ecuacién no se tienen en cuenta las resistencias de las regiones neutras (cuerpo del diodo) y las resistencias de contacto, asi como la generacién y recombinacién de poriadores en la region de carga espacial de la juntura PN. Por otra parte, la corriente de polarizacién inversa en los diodos reales es mayor que Is debido a efectos secundarios que no tiene en cuenta el modelo de Shockley, y que son de dificil consideracién ya que pueden deberse a defectos durante el proceso de fabricacién del dispositive. Aunque la cortiente IS real es mayor que la determinada por la ecuacion de Shockley es lo suficientemente pequefia como para que pueda ser despreciada, como primera aproximacién, en la mayoria de los calculos en circuitos con diodos. Ejemplo: A una temperatura de 27 °C (temperatura comun para componentes en un sistema de operacién cerrado), determine el voltaje térmico Vr. Solucién: Sustituyendo en la ecuaci6n, obtenemos: T = 273 + °C = 273 + 27 = 300K AT _ (1.38 X 10° J/K)(300) V,=—= q 1.6 x 10°” = 25.875 mV = 26 mV El voltaje térmico se convertira en un parametro importante en los andlisis de este capitulo y varios de los siguientes. 6.7. REGIMEN DE RUPTURA Al aumentar la tensién de polarizacién inversa se llega a un valor denominado “tension de codo” (Vz), donde los aumentos de cortiente comienzan a ser considerables frente a los aumentos de tensién. El fenémeno de ruptura puede ocurrir por dos tipos de mecanismos fisicos: efecto Zener y efecto de multiplicacién por avalancha. El efecto de ruptura seutiliza en un tipo particular de diodos denominados en forma genérica diodos Zener, que se estudiaran mds adelante. En polarizacién directa, el limite superior de la corriente viene impuesto simplemente por el calor maximo que puede disipar el diodo como consecuencia del calentamiento por efecto Joule. Sin embargo, en polarizacion inversa la corriente a través del diodo es muy pequefia, y por ello apenas existe calentamiento. De todos modos, para voltajes en inversa suficientemente elevados existen otros procesos que limitan severamente el funcionamiento del diodo. Estos procesos, denominados avalancha y tunel, dan lugar a un aumento considerable de la corriente cuando el voltaje inverso aplicado alcanza un valor critico. 6.7.1. Régimen de avalancha Cuando se aplican al diodo voltajes inversos cada vez mas elevados, los electrones minoritarios del lado p y los huecos minoritarios del lado n que entran en la region de carga espacial adquieren velocidades cada vez més elevadas como consecuencia del alto campo eléctrico presente en esta regién, los electrones o huecos que se mueven a través de la regién de carga espacial adquieren suficiente energia del campo eléctrico como para crear pares electrén-hueco por colisiones con atomos del cristal, figura 6.12. —— ee Fig. 6.12. Inicio de ruptura por avalancha. Cuando el voltaje es suficientemente elevado los portadores adquieren una energia cinética capaz de ionizar por impacto a los atomos que se encuentran en reposo dentro de la regién de carga espacial. En este proceso de interaccién, en el que los electrones ionizan los atomos de la red, se originan nuevos electrones en la banda de conduccién y huecos en la banda de valenci: Asi pues, después de cada ionizacién existen, ademas del electrén primario, dos nuevos portadores, sefialados como e- y h+ en la figura 6.14a que se mueven en direcciones opvestas. Tanto el electrén primario como el electron y el hueco generados pueden suttir nuevas colisiones por lo que el resultado final es una avalancha de electrones en el ‘extremo derecho de la regién de carga espacial y de huecos en el extremo opuesto. En otras palabras los portadores adquieren energia cinética y vuelven a repetir del proceso, produciendo una avalancha de portadores, que contribuyen a la corriente inversa, figura 6.13. P N x0 0 Fig. 6.13. Proceso de ruptura por avalancha.Si un electron entra en la zona P de la region de carga espacial de ancho w en x = 0, figura 6.12 se multiplica por el fenémeno de avalancha mientras viaja hasta aleanzar la region N, figura 6.13. Debido a este proceso en x = w, la corriente de electrones In puede expresarse: In(w) = Mn Ini) Mn es el factor de multiplicacién. Para los huecos el proceso es similar en direccién de N aP. Suele expresarse el factor de multiplicacién M por medio de una relacién empirica: VR es la tensi6n inversa aplicada, VBR es la tensién de ruptura y m un coeficiente que varia entre 3 y 6 segun el material. El fenémeno de ruptura por efecto Zener ocurre para junturas fuertemente dopadas donde se presenta el mecanismo tunel. Para junturas muy dopadas, las bandas de conduccién (BC) y de valencia (BV) sobre los lados opuestos de la juntura se encuentran lo suficientemente cerca como para que los electrones puedan pasar por efecto tunel de la banda de valencia del lado P a la banda de conduccién del lado N. La condicién para que se produzca la ruptura Zener es: juntura muy abrupta y dopaje elevado, de modo de tener una regién de carga espacial w muy delgada, ya que la probabllidad de que se produzca efecto tunel depende del ancho de la barrera. La figura 6.14 muestra el diagrama de bandas de energia para efecto Zener. a) » Fig. 6.14. Esquema de la formacién de pares electrén hueco mediante a) ionizacién por impacto y posterior multiplicacion en avalancha, y b) efecto tunel desde la banda de valencia a la de conduccién (nétese el estrechamiento de la banda prohibida como consecuencia de la aplicacion de un campo eléctrico elevado).. La cortiente a través del diodo adquiere en estas condiciones una proporcién enorme con un valor mucho mas elevado que el previsto en el proceso de difusién. Debido a que el campo eléctrico es mas intenso justo en el centro de la unién, este proceso de generacion de pares electrén-hueco tiene mayor importancia en la parte central de la region de carga espacial6.7.2. Proceso tiinel Este proceso se presenta cuando el campo externo aplicado es suficientemente alto por si solo para arrancar directamente electrones de la red de dtomos en la regién de carga espacial, sin mediacién de colisiones (efecto Zener). Esto puede ocurrir cuando el estrechamiento de la banda prohibida por efecto del campo aplicado es tal que los electrones en la banda de valencia rompen su enlace con los atomo y pasan por efecto tunel @ un estado vacio en la banda de conduccién- Este fendmeno se explica por la naturaleza ondulatoria de los electrones, los cuales tienen una funcién de onda asociada de varias decenas de angstrom de extension. Cuando la banda de energia prohibida se estrecha por debajo de este limite la probabilidad de ionizacién por efecto tinel es muy alta dando lugar a un aumento considerable de la corriente a través de la unién. El efecto tinel es competitive con el de multiplicacién por avalancha de forma que solamente sera aparente cuando la anchura de la regién de carga espacial sea ya de partida muy estrecha. Esto ocurre por ejemplo cuando lo semiconductores que componen la union p-n tiene un dopaje muy elevado. Por el contrario, para un campo eléctrico dado la multiplicacién por avalancha sera tanto mayor cuanto mas ancha sea la region de carga espacial ya que el numero de colisiones ionizantes sera también mayor. En cualquier caso el campo eléctrico requerido para que aparezca alguno de estos dos procesos esta en el rango de 10° Vem-1 0 mayor. Regién decarga Region P espacial muy Region N estrecha Cruce de ie barrera or efecto tine! Fig. 6.15. Proceso de ruptura por efecto Zener. A menudo se saca partido del aumento de corriente en polarizacién inversa como consecuencia del régimen de avalancha o tunel para ciertas aplicaciones tales como la de estabilizacion de fuentes de tensién utilizando los denominados diodos Zener, o la generacién de potencia en microondas con los diodos IMPATT. En ambos casos se trata de diodos especiales que trabajan en el régimen de avalancha. Este tipo de aplicaciones exige un disefio especial del diodo para maximizar el aumento de corriente como consecuencia de los fendmenos de avalancha 0 tunel. 6.8. CURVA CARACTERISTICA INTENSIDAD-VOLTAJE DEL DIODO Con los datos obtenidos de las polarizaciones directa e inversa del diodo, se puede obtener la curva caracteristica del diodo como se muestra en la figura, representado por sus ecuaciones.De la ecuacién de Shockley, para las regiones de polarizacién en directa y en inversa: Ip = Ie" = 1) Graficando la ecuacién tenemos la siguiente curva caracteristica del diodo. Corriente directa (J,) Con polarizacion inversa la corriente inyersa es despreciable directa (Vp) Sila polarizacion inversa ruptura Corriente aversa (I) Fig. 6.16. Curva del diodo con sus tipos de polarizacion. Al analizar la caracteristica Ip-Vp de un diodo real polarizado en directa se observa que la cortiente es de muy bajo valor hasta que se alcanza un valor de tensidn Vo denominada tension umbral Vy. El valor de Vy depende de! material del diodo. Para el silicio Vy = 0.7 V, figura 6.17. Tensi6n umbral Vy ID [nA] Vy =0.7 V (Si) Fig. 6.17. Tensién umbral del diodo.Ahora es importante comparario con otros dos materiales de primordial importancia: GaAs y Ge. En la figura 6.18 aperece una grafica que compara las caracteristicas de diodos de Si, GaAs y Ge comerciales. De inmediato es obvio que e! punto de levantamiento vertical de las caracteristicas es diferente para cada material, aunque la forma general de cada una es muy semejante. El germanio es el mas cercano al eje vertical y el GaAs es el mas distante. Como se observa en las curvas, el centro de la rodilla de la curva esta aproximadamente en 0.3 V para Ge, 0.7 V para Si y 1.2 V para GaAs. Semiconductor VV) Ge 0.3 si 0.7 GaAs 1.2 30: 25 20 Si GaAs 1s 10 5 V(GoAs) 100. 50 V. t t Loo, 03 07 LOTLS Vp (V) Vx (Ge) Vx (Si) | Vx (GaAs) 1, Gaas) v2 (Si) T.(S), Vz (Ge) Ts Ge) Fig. 6.18. Comparacién de diodos de Ge, Si y GaAs. En una juntura PN ideal polarizada en forma inversa, la corriente inversa (Is) es casi independiente de la tensién aplicada a partir de una tensién inversa del orden de 4 VT, aproximadamente 100 mV a T = 300 K. En una juntura PN real la corriente de saturacién ls se mantiene prdcticamente constante con el aumento de la polarizaci6n inversa hasta que se alcanza un valor critico de tensién (Vz), para el cual ocurre el fenémeno deruptura, y la corriente inversa se incrementa en forma abrupta. Los diodos que trabajan en esta zona se denominan diodos de ruptura. En la figura 6.19 se observa que el efecto de ruptura se manifiesta en polarizacién inversa. Para pequefios valores de tensién inversa se alcanza la corriente de saturacién Is, de magnitud despreciable a los efectos practicos. Ip(mA) Js(Si) =0.01pA Vo Fig. 6.19. Efecto de avalancha del diodo en polarizacién inversa. Para un diodo de silico la corriente de saturaci6n inversa Is aumentaré cerca de doble en magnitud por cada 10 °C de incremento en la temperatura. 6.9. DIODOS ESPECIALES 6.9.1. Diodos Zener Cuando Ja tension inversa aplicada 2 un diodo de juntura PN excede cierto valor denominado tensién de ruptura, la corriente inversa crece muy rapidamente mientras que la tension sobre el diodo permanece casi constante. Los diodos denominados genéricamente diodos Zener trabajan especificamente en esta zona indicada en la figura 6.20, en la cual también se indica el simbolo esquematico y los terminales. Como se analizé en parrafos anteriores en todas las junturas PN se produce el fenémeno de ruptura. La ruptura obedece a dos fenémenos fisicos diferentes: ruptura Zener y ruptura por avalancha. El factor que determina cual mecanismo de ruptura ocurre en una juntura, esta determinado por las concentraciones de impurezas en los materiales que la forman. En una juntura PN la region de carga espacial siempre se extiende mas en el material que tiene mayor resistividad. Una juntura que tiene una regién de carga espacial angosta deserrollara un alto campo eléctrico y romper por el mecanismo Zener. Una juntura con una regién de carga espacial mas ancha romper por el mecanismo de avalancha. En forma comercial los diodes de ruptura, sin discriminar el mecanismo fisico que la produce, se denominan diodos Zener.Fig. 6.20. Caracteristica Ip-Vp de diodo Zener y simbolo esquematico. Cualitativamente, el mecanismo de ruptura Zener se produce debido a que la regién de carga espacial es muy estrecha y con la aplicacién de una baja polarizacion inversa (del orden de 5 V) el campo eléctrico en la regién de carga espacial alcanza un valor aproximado a 3 x 10° V/cm. Este campo ejerce una gran fuerza sobre los electrones de valencia en los Atomos de silicio, de modo que puede romper los enlaces covalentes generando pares electron-hueco que rapidamente incrementan la corriente inversa. Si en el circuito donde se conecta el diodo no se coloca un resistor que limite la corriente el dispositive podria destruirse por autocalentamiento. En general, los dispositivos con tensiones de ruptura menores a 5 V presentan ruptura Zener. Los dispositivos con tensiones de ruptura mayores que 8 V presentan ruptura por efecto de avalancha. Entre 5 Vy 8 V ambos mecanismos pueden estar involucrados. En el proceso de ruptura por avalancha, denominada también ionizacién por impacto, los portadores libres que forman la corriente inversa de saturacién pueden ganar energia del campo eléctrico y al chocar con la red cristalina, rompen enlaces covalentes. Como cada portador que choca crea dos portadores adicionales, un electron y un hueco, se produce una répida multiplicacién de portadores en la regién de carga espacial cuando la polarizacién aplicada tiene el valor suficiente como para desencadenar este proceso. Los mecanismos de ruptura Zener y avalancha varian de forma diferente con la temperatura. El valor de la tension necesaria para producir la ruptura Zener decrece al aumentar la temperatura, en tanto que la tensién de ruptura aumenta con el incremento de la temperatura para la ruptura por avalancha. En el caso de la ruptura Zener, el aumento de la temperatura aumenta la energia de los electrones de valencia. Esto debilita la fuerza de enlace y se necesita aplicar menos tensién para mover los electrones de valencia de sus posiciones alrededor del nucleo. La dependencia con la temperatura de la ruptura por avalancha es muy distinta. Como la region de carga espacial es muy ancha, al aumentar la temperatura, crece la vibracién de los atomos del cristal y aumenta la probabilidad de choques entre los electrones y huecos con los atomos de la red. Los portadores libres tienen menos oportunidad de ganar la energia suficiente como para producir el proceso de avalancha y necesitan una mayor tension para iniciar el proceso. En la regién de ruptura la corriente Iz varia entre una Izminima = Izk, denominada comtnmente corriente de rodilla, y que se corresponde con e! punto de inflexion en la caracteristica inversa, y la corriente Izmaxima = IzM, limitada por la potencia maxima permisible: IzM = Pzmax/Vz. En el rango Izk < Iz < IzM la tensién se mantieneaproximadamente constante en Vz. La corriente Izk varia dependiendo de las caracteristicas 0 tipo de diodo y es un dato que da el fabricante en las hojas de datos del dispositive. Algunas veces se especifica la corriente IzT (corriente de prueba) que se define para una potencia disipada igual a Pzmaxi4 ee let (Corriente de prueba) 2M (Corriente maxima) Fig. 6.21. Caracteristica Ip-Vp de un diodo Zener. La inversa de la pendiente de la caracteristica Ip-Vo se denomina resistencia incremental © dindmica rz, y es de bajo valor. En algunos casos se especifica la tension Vzo, que corresponde a la tensién apara la cual la pendiente 1/rz intersecta al eje de tension. En la practica Vzo = Vzk. Esta consideracién permite determinar la tensién Vz como: Vz=Vzo + rzIz Usando la expresién anterior se puede construir el modelo eléctrico equivalente para la regién de ruptura, figura 6.22. K K + Ve Vzo Vz A Fig. 6.22. Modelo equivalente en la regién de ruptura del diodo Zener.La variacién de la tensién de ruptura con la temperatura se tiene en cuenta a través de un Coeficiente de temperatura definido como: 1 AVz T= a Gi —To) % x100 tel AVz es el cambio en la tension Zener debido a la variacién de la temperatura y puede ser positive o negativo. Zeners _ 1N748A - 1N759A) Fig. 6.23. Hoja de datos tipica. Los diodos Zener se especifican para trabajar a una potencia maxima, PD en la hoja de datos. Por ejemplo, en la figura 6.23 la potencia maxima es de 500 mW. Dado que PD = Vz |z puede calcularse Izmax = PD/Vz. El régimen térmico esta determinado por: TJ (temperatura de juntura) y TSTG (temperatura de almacenamiento) que indican el rango de temperaturas permitido para operar el dispositive conectado en un circuito en el primer caso (TJ), y el rango de temperaturas para las cuales puede ser mantenido sin estar conectado a un circuito. Para los datos mostrados en la figura 6.23 la temperatura TSTG corresponde al rango -65 °C a 200°C. La corriente de pérdida o corriente inversa IR es la corriente por el dispositive cuando est en polarizacion inversa pero no en la regién de ruptura para una cierta tension de polarizacién inversa VR. La impedancia Zener Zz depende del punto de operacién. Suele indicarse la impedancia Zz para la corriente de prueba Izr. 6.9.2. Diodos tunel Los diodos tinel estan fuertemente dopados de mode que su regién de empobrecimiento tiene sdlo unos pocos nanémetros de longitud. Por este motivo es que se manifiesta el efecto tunel, que es un fenémeno solamente explicable a partir de la mecanica cuéntica.Este diodo fue inventado en 1958 por el japonés Leo Esaki, por lo cual recibié el premio Nobel de Fisica en 1973. Conforme aumenta la polarizacién directa, la corriente aumenta con mucha rapidez desde cero hasta el valor de pico de ip (Ip) en que se produce la ruptura. Entonces la corriente cae hasta lv (corriente de valle), dando lugar a la regién de resistencia negativa. Dicha region se desarrolla de manera caracteristica en el intervalo de 50 mV a 250 mV. A partir de la tensién de valle Vy, el diodo tunel se comporta practicamente como un diodo normal. La tensién de ruptura inversa no existe y, por tanto, el diodo tinel no es capaz de bloquear tensiones inverses como otros diodos. Como, debido a su funcionamiento, no hay procesos de almacenamiento de portadores minoritarios, el diodo tunel es Util en aplicaciones de alta velocidad. Jy (mA) Regién de resistencia negativa Caracteristica de diodo me ol nad 4 semiconductor superpuesto — he 04 06 08 1 Vy t Vp Fig. 6.24. Curva caracteristica de un diodo tunel. La principal utilidad del diodo tunel esta en la zona de resistencia negativa. Esta se puede utilizar en conjuncién con un circuito sintonizado para producir un oscilador de alta frecuencia y alta Q. Los diodos Tunel son generaimente fabricados en arseniuro de galio, pero también en germanio y en silicio. Son diodos muy rpidos que presentan una zona de “resistencia negativa’, que permite su utlizacion como elemento activo en osciladores y amplificadores. En la practica, la corriente pico Ip de un diodo tunel puede variar desde algunos microamperes hasta varios cientos. El voltaje pico, sin embargo, esté limitado a unos 600mV.app matt Fig. 6.25. Simbolo y componentes diodo Zener. 6.9.3. Diodos de capacidad variable - Varactores También conocido como Diodo Varicap 0 Diodo Sintonizador. En este diodo se ha modificado e! perfil y el nivel de dopado de forma que se ha aumentado mucho su capacidad de unién. Ademas esta capacidad de unin se podré modificar segun la tensin aplicada inversamente al diodo. Asi si aumentamos la tensién inversa aplicada: 1. La zona de agotamiento aumenta, lo que aumenta la distancia neta entre cargas. 2. Se producen mas iones positives y negativos (generamos més carga) El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenémeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unién PN varie en funcién de la tensién inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensién, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo asi la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensado variable controtado por tension. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensién inversa minima tiene que ser de 1 V. -—\B- 7 = - — + Lower Reverse Bias Higher Reverse Bias Higher Capacitance Lower Capacitance Fig. 6.26. El diodo varactor proporciona capacitancia variable dependiendo de la polarizacién inversa aplicada. Cuanto mayor sea el nivel de polarizacién, menor sera la capacitancia. (Fuente de la imagen: Digi-Key Electronics) La capacidad formada en extremos de la unién PN puede resultar de suma ulilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual esta situado el diodo. Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, ademas de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor Shmico, lo que conforma un condensador de elevadas pérdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un condensador con muy bajas pérdidas. Si aumentamos la tensién de polarizacién inversa las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucién de la capacidad de! hipotético condensador (similar al efecto producido al distanciar las placas de un condensador esténdar). La capacitancia es funcidn de la tensién aplicada al diodo. Si la tensién aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye. Si la tension disminuye la capacitancia aumenta.Anode > =~ e —sz Fig. 6.27. Simbolo y componentes del diodo varicat. Se utilizan frecuentemente en electronica de comunicaciones para realizar moduladores de frecuencia, osciladores controlados por tensi6n, control automatico de sintonia, etc. 6.9.4. Diodos PIN El diodo PIN es un diodo de unién p-n al que se le ha insertado una tercera zona semiconductora sin dopado (intrinseca) entre la zona p y la zona n. Es pues un diodo p--n y de ahi su nombre. Gracias a esa zona i, este diodo tiene una baja capacidad por lo que se aplica en altas frecuencias. Cuando se polariza directamente la inyeccién de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la zona intrinseca y cuando se le aplica tensién inversa la zona intrinseca se vacia totalmente de portadores y el campo eléctrico a través de dicha regién permanece constante. Esto permite que el diodo PIN soporte altas tensiones inversas. Sus aplicaciones son en potencia y alta tension y también en radiofrecuencia como modulador o conmutador. Anode Cathode = + Fig. 6.28. La estructura de un diodo PIN incluye una capa de material semiconductor intrinseco entre el material P y N de los electrodos de anodo y catodo, respectivamente. EI valor maximo de la tensién que es capaz de bloquear el diodo PIN se determina en funcién del valor del campo elécttico critico a partir del cual se produce el efecto avalancha y del espesor de la regién intrinseca. P A Ps i K Fig. 6.29. Diodo p-i-n: Se compone basicamente de zonas p y n altamente conductoras junto a una zona intrinseca poco conductiva.6.10. DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICO Cuando la energla luminosa en forma de fotones incide sobre un semiconductor, se pueden generar pares electrén-hueco. Estos portadores generados se pueden utilizar para convertir la energla del foton en energia eléctrica usando dispositivos detectores Opticos 0 sensores dpticos. Como ejemplo de detectores opticos, se pueden nombrar las celdas fotoconductoras, celdas solares, fotodiodos, entre otros. Cada uno de los disposttivos da lugar a aplicaciones especificas, tanto en electrénica analégica como digital. Por otra parte, en el proceso de recombinacién de un electrén con un hueco puede generarse radiacién luminosa. De esta forma, si se genera un exceso de portadores, por ejemplo a través de la tensién aplicada a un dispositive, se puede convertir una sefial eléctrica en una sefial dptica. Este tipo de dispositivos actuan como emisores épticos. Como ejemplo tipico podriamos citar al diodo emisor de luz (LED). Actualmente, este tipo de dispositivos son ampliamente usados en distintos campos de la electrénica, comunicaciones, control, instrumentacién, etc. 6.10.1. Fotoconductores Las transiciones de banda a banda (intrinsecos) 0 las que se hacen involucrando niveles de impurezas (extrinsecos) en los procesos de absorcién éptica en un semiconductor dan lugar a un incremento de la concentracién de portadores en la banda de valencia o de conduccién de! semiconductor. Este fendmeno produce un aumento de la conductividad del material, y se utiliza para detectar y medir la intensidad de la radiacion. Asi, en los dispositivos fotoconductores se utiliza simplemente un semiconductor muy sensible a la radiaci6n luminosa en una region de longitud de onda determinada, el cual es sometido a un voltaje V mediante dos electrodos aplicados en sus extremos formando un contacto ohmico. El disposttivo basico fotodetector, figura 6.30, consiste en una barra de material semiconductor con contactos Ghmicos en sus extremos, a los cuales se aplica una diferencia de potencial VBB. Fotones incidentes Area T Fig. 6.30. Fotodetector basico. Cuando incide una radiacién de frecuencia adecuada, se crean pares electron-hueco que cambian la conductividad de! material. Debido al campo eléctrico aplicado, los portadores contribuyen al establecimiento de una corriente. Los portadores estén presentes en el sistema hasta que se recombinan o son colectados por los contactos. Si no hay radiacién incidente, la corriente por el dispositivo esta dada por la concentracién de portadores en equllibrio térmico. Las celdas fotoconductivas LDR (Light Dependent Resistors) son componentes electrénicos cuya resistencia disminuye al exponerse a una fuente luminosa. En la oscuridad presentan una resistencia muy elevada del orden de algunos MQ. Los resistores LDR se fabrican a partir de sulfuro de cadmio, que convenientemente tratado, contiene pocos o ningun electrén libre en completa oscuridad, razén por la cual,en estas condiciones, su resistencia es muy elevada. Al absorber luz se libera cierto numero de electrones, provocando el aumento de la conductividad s del material (disminuye la resistencia), justificando la denominacién que recibe de fotoconductor o fotorresistencia. Al aplicar una tensién a un LDR, circular una cierta corriente, aunque el dispositivo se encuentre en oscuridad, pues debido a la agitacion térmica a temperaturas por encima de 0 K, algunos electrones pasan de la banda de valencia a la de conduccién. La resistencia en oscuridad aumenta con la temperatura ambiente. Su valor es elevado pero no infinito. La figura 6.31 muestra un corte esquematico de un LDR tipico y un dispositivo real. Superticle sensible Contacte ae electrodo Cubierta plastica protectora Capa fieconductva Bese cerémica wr Fig. 6.31. Corte esquematico y dispositivo real. Los fotorresistores tienen un efecto de memoria a la luz; es decir, su resistencia especifica depende de la intensidad y duracion de una exposicion previa y al tiempo transcurrido desde una exposicién anterior. Hay muchas aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy util. En casos en que la exactitud de los cambios no es importante como en los circuitos: - Luz nocturna de encendido automatico, que utiliza una fotorresistencia para activar una o mas luces al llegar la noche. - Relé controlado por luz, donde el estado de iluminacién de la fotorresistencia, activa 0 desactiva un Relay (relé), que puede tener un gran numero de aplicaciones 6.10.2. Diodos detectores de radiacién - Fotodiodos Los fotodiodos son, basicamente, diodos de unién PN o metal-semiconductor, polarizados en forma inversa, que pueden detectar radiacién luminosa y transformarla en una cortiente practicamente independiente de la tensién aplicada. La figura 6.32 muestra una ‘seccion esquemiatica de un fotodiodo tipico de silicio. AreaActvap Anodo Cubierta protectora SiOz Regién de Juntura PN carga espacial Catodo Fig. 6.32. Esquema de un fotodiodo.Sobre un material de silicio tipo N se constituye una capa muy delgada de material tipo P, formandose una juntura PN. Se aplican contactos metalicos componiendo los terminales de dnodo y catodo. El area activa se cubre con un material protector que reduce la reflexién de la luz para determinadas longitudes de onda. La delgadez de esa cubierta se optimiza para longitudes de onda particulares. El area no activa se cubre con una delgada capa de aislante (Siz). La pariicularidad de esta unién PN es que es un tipo de juntura P+N con la capa P muy delgada. La estrechez de la capa esta determinada por la longitud de onda de la radiacion a ser detectada. Cuando una sefial éptica incide sobre el fotodiodo, el campo eléctrico en la region de agotamiento separa los pares electrén-hueco fotogenerados, permitiendo el establecimiento de una corriente al cerrar el circuito. Como es bien conocido en la zona de unién de una juntura PN sin polarizar, se forma una region de carga espacial sin portadores libres, desarrollandose un campo eléctrico y un potencial de contacto (Vbi). El sentido del campo eléctrico es desde la region N alla region P. Al aplicar una polarizaci6n inversa, aumenta el ancho de la regién de carga espacial y la magnitud del campo eléctrico. En el caso del fotodiodo, al incidir radiacion luminosa se producen pares electrén-hueco en la region P, en la zona de agotamiento y en la region N. Los pares generados en la region de agotamiento, de ancho W, son rapidamente barridos por el campo eléctrico en la regién. Los electrones son barridos hacia la regién N y los huecos hacia la region P. P WwW N Long. de onda corta Long. de onda media Long. de onda lar Fig. 6.33. Funcionamiento fisico de un fotodiodo. Los pares generados en las zonas N y P aumentan las concentraciones de portadores minoritarios en dichas zonas. Estos portadores se difundiran hacia la juntura y cuando la alcanzan son barridos por el campo eléctrico, figura 6.33. De esta forma los electrones llegan a la zona N y los huecos a la zona P. Podemos esperar que los huecos generados dentro de una distancia de una longitud de difusién Lp desde el borde de la regién de carga espacial puedan llegar a introducirse en ella, y de alli el campo los barrera hacia el lado P. Lo mismo ocurriré para los electrones generados dentro de una distancia Ln Entonces, la fotocorriente se producira por la contribucion de los portadores generados en una regién de ancho W+LptLn. La corriente generada es proporcional a la radiacién incidente. La radiacién absorbida varia exponencialmente con la distancia y es proporcional al coeficiente de absorcién a, que es una propiedad del material. Para las aplicaciones dentro de la gama de longitud de onda de 1.3 um - 1.55 ym, los fotodiodos hechos en el material InGaAs / InP son ampliamente utilizados debido a la mayor velocidad, la capacidad de respuesta y caracteristicas de bajo ruido.En ausencia de radiacién luminosa la corriente por la juntura polarizada en forma inversa se denomina “corriente a oscuras” (Ip), que es aproximadamente igual a la corriente de saturacién inversa de la juntura, formada por la generacién térmica de electrones y huecos. La figura 6.34 muestra la caracteristica corriente-tensidn de un fotodiodo’ ID: corriente a oscuras 1 , Vv |: corriente total > Fig. 6.34. Caracteristica |-V del fotodiodo. La corriente total por el dispositivo puede expresarse como: =ltlb I. es la corriente fotogenerada Ip es la corriente en la oscuridad que puede expresarse como: Ip = Ise’ vr — 1] |s es la corriente inversa de saturacién y Vp la tensi6n inversa aplicada al diodo. Aplicaciones: reflexion en objeto, reflexién en espejo, barrera, detectores de color, detectores de humo, sensor de oscuridad. 6.10.3. Células solares La celda solar es, basicamente, una juntura PN de gran rea, capaz de convertir la energia luminosa del Sol en potencia eléctrica con una buena eficiencia de conversion (alrededor de 15%), bajo costo y sin contaminacion respecto a otras fuentes de energia. EI material mas usado en la fabricacién de celdas solares es Si, seguido de Se, GaAs y Sin. Actualmente, es una fuente de energia altemativa, siendo el campo de aplicacién mas usado el de las aplicaciones espaciales. La eficiencia de conversion de una celda solar se halla limitada por tres factores: solo se usa parte del espectro comprendido entre 0.4 y 1.1 um, los fotones absorbidos poseen un exceso de energia no empleada y se produce recombinacién de portadores antes de lograr un efectivo proceso de separacién de cargas. En la practica, las celdas solares no se emplean como elementos independientes sino que se usan en agrupaciones denominadas paneles solares o baterias solares, formados por la combinacién serie y paralelo de las celdas individuales. En la figura 6.35 se muestra una representacion esquemética de una celda solar.Contacto superior Cubierta antireflejante Juntura PN ‘Contacto inferior Fig. 6.35. Esquema de una celda solar. La figura 6.36 muestra esquematicamente el diagrama de bandas de energia en la oscuridad (sin energia radiante sobre la celda). Como el dispositive se encuentra en equilibrio térmico los niveles de Fermi de las regiones P y N se deben igualar. Esta igualacién de los niveles de Fermi origina un campo eléctrico interno que se opone a la difusién de portadores y una diferencia de potencial de contacto o de barrera (Vbi). 1 Ev Ev | Potencial | ge contacto RegionN Regign de RegionP carga espacial Fig. 6.36. Diagrama de bandas de energia en oscuridad. Cuando se irradia la fotocelda, se estimulardn los electrones internos si el nivel de la radiacion es mayor o igual que el salto de energia EG. Se generarén pares electron-hueco a lo largo de los materiales N y P y en la tegién de carga espacial. Los portadores minoritarios en su zona de generacién pueden atravesar la regién de agotamiento impulsados por el campo, figura 6.37. ot Regién N so Regién P Fig. 6.37. Diagrama de bandas con irradiaciénSi la region N es muy estrecha, la mayorfa de los fotones seran absorbidos dentro de la regién de agotamiento y la regién P, generando pares electrén-hueco en dichas regiones. Los pares generados en la region de agotamiento son separados por el campo interno y se difunden. Los electrones llegan a la region N haciendo esta region negative. Del mismo modo, los huecos se difunden y liegan a la region P haciendo esta region positiva. Se desarrolla asi una tensi6n en circuito abierto (Voc) entre los terminales del dispositivo con el lado P positivo respecto al lado N. Si se intercala una carga se establecera una corriente. Si los teminales de la celda se cortocircuitan circulara una cortiente conocida como corriente de cortocircuito (Isc). Los pares electron-hueco fotogenerados para longitudes de onda largas, que son absorbidos en la regidn P, sélo pueden difundirse en esta regién donde no hay campo eléctrico. Aquellos electrones que se encuentran a la distancia de una longitud de difusion, Ln, de la region de agotamiento, se difundiran y llegaran a esa region donde seran barridos por el campo eléctrico hacia la region N. Solo aquellos pares electron- hueco que se encuentren a una longitud de difusién de la regién de agotamiento contribuiran al efecto fotovoltaico. 3. Corta| iL Media | i Larga RegiénneutraN Regién de carga espacial Region neutraP Fig. 6.38. Efectos fisicos de la irradiacion. El mismo principio se puede aplicar para los pares electron-hueco fotogenerados por longitudes de onda cortas en la region N. Los huecos fotogenerados dentro de una longitud de dfusion Lp pueden llegar a la region de agotamiento y seran barridos por el campo hacia la regién de tipo P. En consecuencia, la fotogeneracién de pares electron-hueco que contribuye al efecto fotovoltaico ocurre en la region: Lp + w + Ln como se muestra en la figura 6.38. En la practica las celdas solares no se emplean como elementos independientes sino en agrupaciones denominadas paneles solares. Por ejemplo el panel ET-P672280 comprende 72 celdas solares conectadas en serie y encapsuladas en resina de silicona El conjunto se encuentra entre dos places de vidrio para asegurar la inmunidad frente ala humedad. El vidrio es tratado quimicamente para aumentar su consistencia. El panel se monta en un bastidor de aluminio galvanizado que permite su uso en distintas posiciones. La figura 6.39 muestra un esquema tipico de un panel solar.Cristal de Verio Temptado Ebi-Vinilo-Acetalo (EVA) Marco de Aluminio Pintado. Back-Sheet EU.Vinio-Acetato, Caja de Conexiones IP-65 le (con ciodos de proteccién) Fig. 6.39. Panel solar. 6.10.4. Diodos emisores de luz El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unién PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de onda. La estructura basica de un LED es una union p-n la cual esta directamente polarizada inyecténdose electrones y huecos en las zonas p y n respectivamente. La carga correspondiente a los portadores minoritarios inyectados en cada una de estas zonas se recombina con la correspondiente a la de los portadores mayoritarios bien en la zona de agotamiento 0 bien en las zonas neutras. En semiconductores de gap directo, esta recombinacién da lugar a una emisién de luz (fotones), es decir, que en estos materiales de alta calidad domina la recombinacién radiante. Sin embargo, en materiales de gap indirecto el rendimiento de la emisién de luz es bastante pobre, la mayor parte de las. recombinaciones tiene un rendimiento muy bajo generando mas bien calor que luz. Fotones emitidos Lp /\W\__| Fotones absorbidos Fig. 6.40 Estructura basica de un LED.EI LED es, en esencia, un diodo p-n directamente polarizado. Los electrones y los huecos inyectados como portadores minoritarios atraviesan la unién y se recombinan bien por recombinacién radiante, bien por recombinacién no radiante. El diodo debe ser disefiado para que la recombinacién radiante sea lo més fuerte posible. Electron injection eee <—¢ : Dee Photons Photons: 4 will Se emerge =. from — the device ~~ = “By, Erp nm SECGGe " &4¢28GG0O promos wilt in the device 1 BURIED LAYER LAYER so > ee & Hole injection Fig. 6.41. Se observa la inyeccién de portadores en una unién. Los huecos inyectados en la zona profunda generan fotones que no saldran a la superficie por ser reabsorbidos. Los fotones generados por los electrones al estar mas cerca de la superficie si que seran emitidos al exterior. La figura 6.42 muestra una juntura PN sin polarizacién, y en equilibrio térmico, en la cual el lado N esté mucho mas dopado que el lado P (juntura PN+). Debido al mayor dopaje del lado N, la region de carga espacial se extiende esencialmente hacia la region P. La altura de la barrera de potencial q Vbi impide la difusion de los electrones desde N hacia P. Fig. 6.42. Juntura PN sin polarizaci6n.Como se vio al estudiar juntura PN, al aplicar una polarizacién directa VF, la altura de la barrera de potencial disminuye (Vbi - VF) permitiendo que se difundan electrones desde el lado N hacia el P, y huecos desde el lado P hacia el lado N. Debido a la diferencia de dopaie, la componente de inyecci6n de huecos en mucho menor que la componente de inyeccion de electrones. Estos flujos de portadores tienen sentidos opuestos, de modo que se produce una recombinacién de los electrones inyectados en la regién de carga espacial y en la regidn neutra P, en un volumen que se extiende sobre una longitud de difusién Ln de electrones en el lado P. Esta recombinacién, resultado de una inyeccién de portadores minoritarios, produce una emisién de fotones, fendmeno denominado inyeccién electroluminiscente. Como este proceso es de naturaleza estadistica, se emiten fotones en todas direcciones. Constructivamente, se ajusta el disefio del dispositive de manera que los fotones absorbidos por el material semiconductor sean minimos, haciendo el lado P muy angosto, figura 6.43. Fig. 6.43. Juntura PN con radiacién incidente. El proceso de luminiscencia es la emisién de radiacién éptica (ultravioleta, visible o infrarroja) resultante de la energia producida durante transiciones electrénicas dentro de un material. Se origina en procesos donde electrones y huecos se generan en concentraciones mayores de aquellas estadisticamente permitidas en el equilibrio térmico y, posteriormente, una fraccion significativa se recombina liberando energfa que se emite como radiacién luminosa. Cuando la energia de la recombinacién de electrones y huecos genera fotones ocurre una recombinacién radiactiva. Los procesos de recombinacién radiactva son casi independientes de la fuente que genera el exceso de portadores, pero dependen fuertemente de las caracteristicas fisicas y eléctricas del material. wade Nat | — cathode leas ‘itectng cup Fig. 6.44. Partes del diodo LED y la emisi6n de luz.La recombinacién del exceso de portadores minoritarios dentro de una distancia de una longitud de difusion es el mecanismo basico por el cual se genera la radiacién dptica. Los electrones 0 huecos inyectados se recombinan con un portador de tipo opuesto por medio de distintos procesos de recombinacién. En los procesos "radiactivos", la energia se encuentra en forma de un foton o radiacion luminosa. En los procesos "no radiactivos”, la energia se encuentra en forma de fonén o calor. Light Light emission Fig. 6.45. Emisi6n de luz del diodo LED. Los dispositivos emisores de luz (LEDs) son una de las clases de dispositivos que ha dado mayor impetu a la industria de los componentes semiconductores. Como el silicio (Si) es un material de gap indirecto, y la recombinacién radiante en é| es muy pobre, dicho material que domina todas las demés areas de la electronica, no es un material utiizado cuando se habla de emision de luz (LEDs). 20°10" 10° 20 40" 50' Red or Red or re few ro Gollium Arsenide Gollium Arsenide Phosphide Gollium Phosphide GaAs GaAsP GaP Fig. 6.46. Intensidad de luz y simbolos de! diodo LED.Los LEDs tienen multiples aplicaciones en sistemas de procesamiento dptico de la informacion. Ente estas aplicaciones podemos destacar los visualizadores, donde se utilizan uno 0 mas LEDs para generar sefiales épticas visibles al ojo humano: En pantallas electronicas de estadios. En seméforos y sefiales de trafico. En automéviles como luces de freno. lluminacién: en aviones, en coches, motos y bicicletas. En edificios singulares. En pantallas de television LCD. Los LEDs son también utilizados en sistemas de comunicaciones épticas para redes locales. Ctra importante aplicacién de los LEDs es para proporcionar un aislamiento de tipo éptico, en el cual dos circuitos eléctricos se “conectan" mediante la luz proveniente de un LED (optoacopladores). Fig. 6.47. Ejemplo de aplicaciones de diodos LEDs. Aplicacién: Pantalla LED | Ve Yo Ya ” ” ” a) Pixel basico b) Circuito de pixel Fig. 6.48. Pixeles con diodo LED.R+G+B R+B R+G G+B All off Pixel —> CO <> White Magenta Yellow Cyan Black Fig. 6.49. Formacién de pixeles de colores en base a pixeles basicos. Fig. 6.50. Pantalla de Tv LED. 6.10.5. Diodos laser Un LASER, de sus siglas en inglés Light Amplification by the Stimulated Emission of Radiation (Amplificacion de Luz por medio de emisién estimulada de radiacién), es un dispositive donde la teoria esté basada en la mecanica cuéntica, la emision inducida 0 estimulada, para generar un haz de luz coherente de un medio adecuado y con el tamano, la forma y la pureza controlados. Ejemplo: 1.- Laseres de mezclas gaseosas atémicas-moleculares (ej. He-Ne) 2.- Laseres de plasma caliente rarificado (ej. Ar) 3.-Laseres de material semiconductor (e). Ga-As) El diodo léser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las. condiciones adecuadas emite luz laser. A veces se los denomina diodos laser de inyeccidn, o por sus siglas en Inglés LD 0 ILD.Los diodos laser (también llamado “Iéseres de inyeccién") constituyen de hecho una forma especializada de LED. Al igual que un LED, que es una forma de diodo de union P-N con una capa delgada de reduccién donde los electrones y los huecos colisionan para crear fotones de luz, cuando el diodo esta polarizado. La diferencia es que en este caso la parte “activa’ de la capa de reduccién (es decir, donde hay mayor flujo de corriente) se hace muy estrecha, para concentrar los portadores. Los extremos de esta region activa son esttechos y también altamente pulidos, 0 cubiertos con varias capas muy finas de reflexién que actian como espejos. por lo que se forma una cavidad éptica resonante. El nivel de corriente contintia también incrementandose, hasta el punto donde la densidad de corriente alcanza un nivel critico cuando la inversion de poblacién de portadores ocurre. Esto significa que hay mds agujeros que elecirones en la banda de conduccién, y mas electrones que huecos en la banda de valencia o en otras palabras, un exceso de electrones y de huecos que potencialmente se pueden combinar para liberar fotones. Y cuando esto sucede, la creacién de nuevos fotones no puede producirse s6lo por colisiones al azar de los electrones y los huecos, pero también por la influencia del paso de dichos fotones. Al paso de los fotones estos son capaces de estimular la produccién de mas fotones, sin que ellos mismos sean absorbidos. Asi que la accion del laser es capaz de producir: Amplificacién de Luz por Emisin Estimulada de Radiacién. Y lo importante es darse cuenta de que los fotones que son accionados por otros fotones tienen la misma longitud de onda, y también estan en fase con ellos. En otras palabras, terminan en sincronizacién formando asi la radiacién de onda continua coherente. Debido a la cavidad resonante, los fotones pueden, asi, ir y venir de un extremo de la region activa a la otra, provocando la produccién de fotones cada vez mas en sintonia con ellos mismos. Asi que mucha de la energia de luz coherente es generada. Y como los extremos de la cavidad no son totalmente reflectantes (tipicamente alrededor de 90-95 %), parte de esta luz coherente puede dejar el chip ldser para formar el haz de salida. Carga electrica Contacto metalico Cara despejada Zona activa Contacto metalico Salida Fig. 6.51. Diagrama de un semiconductor laser. Debido a que la salida de luz laser es coherente, es muy baja en ruido y también mas adecuada para usarla como “portadora” para comunicaciones de datos. El ancho de banda también tiende a ser mas estrecho y mejor definidos que los LED's, haciéndolos mas convenientes para los sistemas épticos en donde los rayos de luz deben reflejarse por separado o manipulados en funcién de su longitud de onda. El tamafio compacto de los diodos laser los hace muy adecuados para su uso en equipos reproductores de CD, DVD, Mini Disc y grabadoras. Hay dos formas principales de diodo laser: el tipo horizontal, que emite una luz brillante de los extremos del chip, y la vertical o del tipo “superficie emisora’. Ambos funcionan de la manera que se acaba de describir, difieren principalmente en cuanto a la forma en que laluz activa la generacién de la region y de la cavidad resonante que se forma en el interior del chip. Longitud de la cavidad Electrodo de cspenide resonante oro superior Terminal Pulida ‘oro superior Terminal Region Pulida Activa be visnapeia Capa de dela bloqueo de i cavidad vo Electrodo de Electrodo de oro oro inferior (También es un espejo inferior) Fig. 6.52. Los dos tipos principales de chip de diodos léser, horizontal (izquierda) y vertical (derecha). @ oy (, Fig. 6.53. Simbolo y componentes de diodos laser. Aplicaciones del laser: Comunicaciones por fibra dptica, lectores y grabadores de discos compactos (CD, DVD, Blue-Ray, lectores de cédigos de barras, impresoras laser, punteros, escaneado de imagenes, medicina (cirugia y odontologia), holografia, bombeo para inversion de poblacién en otros léseres, tratamiento industrial de materiales, metrologia.