1. ¿Cuáles son los valores máximos de voltaje y corriente del MOSFET a utilizar?
MOSFET 2N7000
IG = ____10 nA___ VGS = __20 V_____ VGD = __60 V_____
2. Calcule la polarización de los circuitos 1 y 2 (Figura 2) con los valores de los parámetros de los
MOSFET, que se encuentran en las hojas de especificaciones del 2N7000. Complete las tablas 1 y 2
con estos valores.
Si tiene alguna duda sobre cómo polarizar una etapa amplificadora con MOSFET, a partir de los datos
suministrados por el fabricante en las hojas de especificaciones, consulte los ejemplos mostrados en:
FLOYD, Thomas, “Dispositivos Electrónicos”. Octava Edición, Pearson Education, 2008. Capítulo 8.
3. De los circuitos 1 y 2 (Figura 2), ¿cuál espera que sea más independiente al cambio de MOSFET por
otro de la misma referencia? ¿Por qué?
El circuito más independiente al cambio de MOSFET sería el del circuito 1 ya que al tener el mismo
voltaje en el gate que en el drain se vería menos afectado ante el posible cambio de MOSFET, sin
embargo, estos tienen la misma referencia por lo que en simulación no se vería ningún cambio, pero
en una practica presencial de laboratorio se notaran estas variaciones en el segundo circuito debido a
que estos componentes no serían ideales.
4. Si aumenta la temperatura, ¿aumenta o disminuye la corriente Ids del circuito 2? ¿En qu´e proporción?
Revise este parámetro en las hojas de especificaciones.
Tanto Vt como k’ son sensibles a la temperatura, la magnitud de Vt decrece alrededor de 2mV por
cada grado centígrado de calentamiento. Esta disminución en Vt da lugar a un aumento
correspondiente en corriente de drain a medida que la temperatura aumenta (coeficiente térmico
positivo). Sin embargo, como k’ decrece con la temperatura y su efecto es dominante, el efecto total
observado de un calentamiento es un decremento de la corriente drain (coeficiente térmico negativo).
En conclusión, el efecto que se observa al incrementar la temperatura sobre el transistor es una
disminución en la corriente en la terminal Drain.
5. Explique las condiciones de polarización (voltajes y corrientes) para cada uno de los estados de un
transistor MOSFET.
El transistor puede estar en 3 regiones distintas dependiendo de su polarización, la primera de ellas es
zona de corte, que depende del voltaje de entrada (Vgate-source) ya que, si este es menor al voltaje
threshold, no existirá un canal por el cual fluya corriente por lo tanto la corriente en el pin Drain será
cero. La segunda de ellas es zona Ohmica o Triodo en el cual el voltaje de entrada (Vgate-sourse) será
superior al voltaje threshold creando así el voltaje de overdrive; en esta zona si existirá un canal por el
cual fluya corriente, y se puede modelar como una resistencia lineal, hasta un punto; luego de la zona
lineal, sigue una zona con un comportamiento cuadrático, que llega hasta que el voltaje Drain-Source
llegue a ser el mismo al Overdrive. La ´ultima zona de trabajo y la más importante, es la zona de
saturación, que será cuando el voltaje Drain-Source es superior al voltaje de overdrive, y en el cual por
más que aumente el voltaje Drain-Source la corriente no aumentara. Esto nos permite modelar un
transistor como una fuente de corriente controlada.
