Transistores de Potencia
Transistores de Potencia
• BJT
• MOSFET
• IGBT
• SIT
BJT – Lo más común en potencia es emisor
común con un NPN
BJT – NPN. Características de salida
BJT – NPN. Características de transferencia
Interruptor hecho con un transistor
Interruptor hecho con un transistor
Interruptor hecho con un transistor
Profe y eso ya no los habíamos visto??
Debido a que la corriente de excitación
de base debe ser muy alta, se opera
con un circuito con otro transistor
Transistor Darlington (ULN2003)
A veces es necesario usar Buffers
A veces es necesario usar Buffers
Pero se utilizan más los transistores MOSFET
MOSFET de potencia
• Dispositivo controlado por voltaje.
• Solo requiere una corriente de entrada pequeña
• Conmutan más rápido y eficiente que un BJT
• En aplicaciones de electrónica de potencia se utilizan más.
• Tienen problemas de descarga electrostática
• Si hay falla por cortocircuito, prácticamente mueren
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
Aplicaciones MOSFET: Driver para LED de alta
potencia
Voltaje de umbral del
transistor BC547 entre
Base y emisor para
saturar = 0.6 V
Aplicaciones MOSFET: Driver para LED de alta
potencia
Aplicaciones MOSFET: Driver para LED de alta
potencia
Aplicaciones MOSFET: Driver para LED de alta
potencia
No excederse con el voltaje de la fuente
Hablemos del control
Hablemos del control
Hablemos del control
Hablemos del control
Driver para MOSFET
• Los MOSFET tienen una impedancia de entrada muy alta.
• El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga
de la capacitancia de la compuerta
Driver para MOSFET
• Los MOSFET tienen una impedancia de entrada muy alta.
• El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga
de la capacitancia de la compuerta.
• El tiempo de encendido se puede reducir si se conecta un circuito
como el de la figura
Driver para MOSFET
Mejorando el Driver
Para Obtener mayores frecuencias de conmutación el driver debe tener una
impedancia de salida baja
Mejorando el Driver
Debe tener la capacidad de suministrar y disipar corrientes relativamente
grandes
Mejorando el Driver
Estos transistores operan en la región AB en lugar de hacerlo en corte
saturación y así se minimiza el tiempo de retardo
Mejorando el Driver
El condensador en realimentación regula la tasa de bajada y subida del
voltaje de compuerta y así controla la rapidez de cambio de la corriente de
drenaje
Mejorando el Driver
Un diodo en paralelo con el C permite que el voltaje de compuerta cambie
con rapidez en una sola dirección
Mejorando el Driver
Ya existen integrados que realizan esta función de Driver
Driver. Circuitos y técnicas
• En electrónica de potencia se necesitan los MOSFET para
conmutación.
• En la mayoría de aplicaciones es necesario aplicar una señal PWM con
microcontroladores o CI generadores de PWM.
Driver. Circuitos y técnicas
• Algo que hay que tener en cuenta es que, el voltaje gate-source sea
superior a 8 V en la mayoría de las aplicaciones.
• Si bien un voltaje de 8 V es superior al voltaje de umbral, si se usa un
valor inferior a 8V el MOSFET operaría en la región lineal y habrían
más pérdidas por conmutación.
• Hay que tener en cuenta la capacitancia de Gate y aplicar la suficiente
corriente o absorber la suficiente corriente para que se pueda
conmutar rápido
Driver. Circuitos y técnicas
• Cuando se tiene una carga cuya frecuencia de conmutación no
importa mucho. VGS = +V_DRIVE
Driver. Circuitos y técnicas
• Cuando se tiene una carga cuya frecuencia de conmutación no
importa mucho. Circuito No Inversor
Driver. Circuitos y técnicas
• Con un Optoacoplador: HCNW4503
Driver. Circuitos y técnicas
• El Driver más popular es el TLP250
Driver. Circuitos y técnicas
• Aplicación básica. Frecuencia de operación de 20 kHz
Driver. Circuitos y técnicas
• IR2110: Para manejar MOSFET en puente.
Snubber
IGBT (Transistor Bipolar de Compuerta Aislada)
• En el IGBT se combinan las ventajas de los BJT y los MOSFET
SIT (Transistor de Inducción Estática)
• Bajo nivel de ruido
• Baja distorsión
• Alta capacidad de potencia en audio frecuencia.
• Los tiempos de activación y desactivación son muy pequeños,
típicamente 0,25us.
• Estos pueden llegar hasta 300A y 1200V.
• Velocidad de conmutación tan alta como 100kHz
• Baja resistencia en serie de compuerta
• Baja capacitancia compuerta fuente
• Resistencia térmica pequeña
