Diseño de espejo de corriente

José Alfredo Dı́az López

Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Facultad de Ciencias de la Electrónica
Licenciatura en ingenierı́a mecatrónica
Diseño de circuitos integrados analógicos
02 de octubre del 2020

Abstract—In the following report, a current mirror will be circuito.

designed in its basic form to reproduce a reference current of
100uA. It has been considered that both transistors must be in the Algunas de las caracterı́sticas más importantes de los
saturation region. At the same time, with the design, a simulation
will be carried out with the LTspice software and applying a small circuitos espejos de corriente son:
signal sweep in the second source to better observe its behavior. •Ser un circuito que actúa como fuente de corriente, cuyo
valor está en función de una corriente de referencia.
I. I NTRODUCCI ÓN •Proporcionar una corriente constante y ser empleado en
Un espejo de corriente es un circuito diseñado para circuitos integrados.
usarse utilizando un flujo de corriente, normalmente llamada
corriente de referencia (Iref ), de una parte del circuito para Es importante notar que, de acuerdo a las conexiones de la
regular el flujo de corriente en otra sección, haciendo que la figura 1, VGS1 = VGS2 = VGS , y si se considera que ambos
salida respecto al flujo de corriente en la segunda sección transistores están en la región de saturación, mediente álgebra
sea proporcional al flujo de corriente en la primera sección. simple, se tiene que
La configuración tı́pica básica de un espejo de corriente W2 /L2 W2 /L2
elaborado con transistores tipo MOS es como se muestra en IDS2 = IDS1 = Iref
W1 /L1 W1 /L1
la figura 1.
Es de esta ecuación que se dice que la corriente de salida
está en proporción de la corriente de referencia. Mientras que
si se consideran transistores completamente iguales se tiene
que
IDS2 = Iref

De aquı́ es fácil observar que si se tiene un espejo de

corriente diseñado con transistores gemelos, la corriente de
salida replicará a la corriente de referencia.

II. D ESARROLLO
Con base en en la teorı́a descrita anteriormente, se simulará
un circuito espejo de corriente, tal que la corriente de
referencia sea de 100µA aproximadamente. Para esto se
hace uso de una resistencia de referencia. Como se trata
Fig. 1. Configuración básica de un espejo de corriente con transistores tipo
de realizar una replica de la corriente de referencia, se
NMOS. propone que los transistores sean idénticos, es decir, con
W1 = W2 = W, L1 = L2 = L y Kn iguales para ambos
Hoy por hoy, el espejo de corriente se ha convertido en transistores.
un elemento básico para los diseños de circuitos analógicos,
tanto ası́, que por lo regular se presenta más de un espejo De acuerdo a la función de rama, suponiendo el transistor
de corriente en un circuito. Existe más de una configuración en estado de saturación (basandonos en el circuito de la figura
de espejos de corriente, pero en este caso se enfocará sólo 1)
en la estructura básica. En su forma básica, un espejo 1 W1
IDS1 = Kn (VGS − VT H )2
de corriente actúa como un regulador de corriente que 2 L1
es capaz de equilibrar los valores de corriente de salida Por lo que
independientemente de la carga de entrada o los niveles de W1 2IDS1
resistencia en un intervalo especificado de operación para el =
L1 Kn (VGS − VT H )2
Como IDS1 = Iref y como se a propuesto que W1 = w y A. Proceso de simulación
L1 = L Para la simulación realizada se empleó el software LTSpice
W 2Iref
= y se realizaron los siguientes pasos:
L Kn (VGS − VT H )2
1) Insertar componentes: Se insertaron dos fuentes de
En este caso especifico, también se propone una Kn tı́pica de voltaje, configuradas en DC, cuatro referencias a tierra, dos
163µ y un voltaje de umbral para el transistor VT H = 0.5V transistores tipo NMOS, una resistencia.
Por lo que 2) Conexión del circuito: Se realizaron las conexiones
W 2 ∗ 100µA
= pertinentes, tal como muestra el circuito de la figura 2.
L 163µ(VGS − 0.5V )2
Aquı́ pueden existir dos opciones, la primera es proponer un
valor de VGS e ir observando que relación de W/L es más
satisfactoria. La segunda opción es proponer una relación de
W/L que parezca apropiada y despejar VGS .

Si se propone que VGD = 1V se encontrará que

W 2 ∗ 100µ
= = 4.9 ≈ 5
L 163µ(1 − 0.5)2
En cambio, si se propone una relación de W/L = 4 se tiene
que
2 ∗ 100µ
4=
163µ(VGS − 0.5)2 Fig. 2. Circuito empleado para la simulación.
⇒ r
2 ∗ 100µ
VGS = + 0.5 ≈ 1.0538V 3) Nombramiento de componentes: Para poder realizar un
163µ ∗ 4 barrido en el voltaje de la ”salida”, se requiere que se le de un
En este caso se opta por el segundo camino, pues el primer valor no definido, tal como se mostró en el circuito de la figura
camino fue realizado durante la clase y se desea comprobar anterior, que se le da el nombre de Vx como pará[Link] la
que ambos caminos son correctos. fuente de entrada que suministrará la corriente de referencia se
nombró como VDD y se le asignó un valor de 1.8 V tal como
Si W/L = 4 ⇒ W = 4L, a su vez, si se propone se tenı́a previsto en los cálculos. En cuanto a los transistores, se
L = 0.18µ entonces W = 0.72µ. insertaron transistores del tipo NMOS4, ya que estos tienen la
facilidad de poder modificar sus parámetros, se insertaron dos
Ahora bien, para calcular el valor de la resistencia se tiene iguales como se tenı́a previsto y se les asignaron los valores
que de W y L previamente [Link]́n se le agregó su
VR = Iref ∗ R respectivo valor a la resistencia de referencia.
Pero a su vez VR = VDD − VDS1 ,por lo que 4) Directivas: En este caso, se impuso un comando de
tipo STEP al voltaje de ”salida”, llamándolo por su referencia
VDD − vDS1 = Iref ∗ R previamente nombrada. A dicha fuente se le dio un parámetro
Pero VDS1 = VG S, entonces de 0-1.8 V con pasos de 0.05 V, datos más que suficientes para
observar un comportamiento decente y una buena resolución.
VDD − VGS = Iref ∗ R Otra directiva empleada es la directiva para especificar los
Despejando R valores de Kn y VT H de los transistores, que en el caso del
VDD−VGS simulador son nombrados como Kp y V T 0 respectivamente.
R=
Iref Por último se agregó la directiva de puntp de operación para
sustituyendo valores se tiene poder simular el esquema.
5) Corrida de simulación y obtención de resultados: Se
1.8V − 1.0538V
R= ≈ 7472Ω le aplicó un análisis del tipo ”DC op pnt” y se seleccionó el
100µA punto de las corrientes deseadas para obtener sus curvas y
Recopilando los datos se tiene que: poder compararlas.
• W = 0.72µm
• L = 0.18µm
• Kn = 163µ
B. Resultados
• VT H = 0.5V La corriente de referencia está dada por la gráfica verde,
• VGS = 1.0538V mientras que la corriente de la segunda sección (la de
• VDD = 1.8V ”salida”) está representada en color azul, y como se puede
• R = 7472Ω apreciar, es un espejo de corriente muy bien diseñado, ya que
copia la corriente de referencia suministrada. IV. R EFERENCIAS
V. Dı́az, ”Single stage apmplifiers”, Puebla, 2020.

V. Dı́az,Clase en linea L-I de 4-5-Recording 9. Puebla,

2020.

”LTSpice”, Analog Divices. [Online]. Available:

[Link]
calculators/[Link]. [Accessed: 01- Sep- 2020].

Fig. 3. Curvas de corriente obtenidas.

Para poder observar de mejor manera su comportamiento,

se pondrá una resistencia de carga con valor arbitrario (500Ω)
para ver como reacciona, tal como se muestra en la figura.

Y la gráfica obtenida a este cambio es la siguiente:

Fig. 4. Curvas de corriente obtenidas con una carga arbitraria en la segunda

sección.

Como se puede apreciar, no hay variación perceptible, por lo

que se puede decir que el espejo de corriente está funcionando
de forma correcta, ya que no deja de suministrar la corriente
equivalente a la corriente de referencia.

III. C ONCLUSI ÓN

Se ha observado que el espejo de corriente puede suminis-

trar una corriente constante sin que la carga altere de forma
significativa este comportamiento, por lo que se puede decir
que es una buena forma de utilizar una fuente de corriente
con un valor de referencia. Aunque en esta simulación sólo
se apreció cuando Iref = IDS2 , es importante recalcar que el
diseño puede ser proporcional de acuerdo a los parámetros de
los transistores a emplear.
En forma general, se puede decir que se ha aprendido a
diseñar un espejo de corriente en configuración básica, ya
que se ha partido de valores de diseño especı́ficos y de
suposiciones claras, sin tener que ”jugar” con los valores,
he aquı́ la importancia de un buen diseño y de conocer el
funcionamiento de este transistor para poder operar en los
distintas configuraciones que se pueden dar.