Laboratorio de Electrónica Análoga y Digital
Practica 3
Facultad de Ingenierías, Programa de Ingeniería Eléctrica, Universidad Tecnológica de Pereira
I. TIEMPO ESTIMADO • Máxima potencia de disipación Pmax
Esta práctica está destinada a realizarse en una sesión de clase 4. Para los circuitos que deberá montar en esta práctica, haga
(4 horas) al finalizar el estudiante deberá entregar un todos los cálculos teóricos necesarios.
documento tipo informe escrito en formato IEEE con los
resultados obtenidos durante la sesión de laboratorio y su 5. Consulte como se puede cambiar el beta de un transistor en
correspondiente análisis. proteus.
6. Consulte que es una fotocelda y su principio de
II. OBJETIVO DE LA PRÁCTICA funcionamiento.
• Comprender los transistores BJT.
• Obtener las gráficas de los transistores de unión V. DESARROLLO
bipolar.
1. Implemente el circuito de la figura 1, realice el
cambio 20 veces del valor de la resistencia,
III. RESULTADOS DE APRENDIZAJE registre los valores de corriente y realice una
gráfica donde evidencie como cambia la
corriente de colector respecto a la corriente de
Al finalizar la práctica, el estudiante estará en la capacidad de: base. Recuerde no superar la corriente máxima
que soporta el transistor.
• Identificar un transistor de unión bipolar.
• Entender las características eléctricas del
transistor.
• Analizar el funcionamiento de diferentes
topologías con transistores.
IV. PRE-INFORME
1. Realice el bosquejo de las curvas características típicas del
transistor de unión bipolar e identifique las diferentes regiones
de operación.
2. Consulte la forma en que se pueden identificar los pines de
un transistor con un multímetro digital.
3.Consulte la hoja de datos de los transistores 2N3904, 2N3906
y TIP3, y escriba las siguientes características de cada uno:
• Máxima corriente de colector Icmax.
Figura 1. Circuito para medir el Beta.
• Máxima tensión de colector – emisor VCEmax.
• Tensión colector – emisor en saturación VCE (sat). 2. En el circuito de la Figura 1. Cambiar el beta del
• Factor de amplificación o de ganancia hfe o β. transistor a 200 y 60, y repetir el proceso del
• Máxima tensión base – emisor VBEmax. punto 1.
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3. Monte el circuito de la figura 2 con R2 de 1kΩ, 7. Monte el circuito de la figura 4 y mida las
varíe la fuente de tensión B1 desde 0V hasta 10V corrientes
dejando a la fuente de tensión B2 en 5V y 8. IB, IC (usando ley de ohm), las tensiones VBE y
tomando como mínimo 10 valores distintos de VCE y compare con los valores obtenidos
tensión sobre R2, así obtendrá la curva teóricamente halando el error rms. Con estos
característica IC - VBE. valores determine si el transistor se encuentra en
4. Con el mismo circuito del punto anterior (circuito la región activa.
de la figura 1) y R2 de 100kΩ, varíe la fuente de
tensión B2 desde 0V hasta 10V dejando la fuente
de tensión B1 en 5V tomando mínimo 10 valores
distintos de tensión sobre R1, así obtendrá la
curva característica IC – VCE.
Figura 2. Circuito con transistor
5. Monte el circuito de la figura 3 y mida las
corrientes IB, IC, las tensiones VBE y VCE y
compare con los valores obtenidos teóricamente
(utilice la medida de error RMS). Con estos Figura 4. Circuito con polarización de emisor.
valores determine si el transistor se encuentra en
la región activa. 9. Monte el circuito de la figura 5 y mida las
6. Para el mismo circuito de la figura 3 cambie R2 corrientes IB, IC, las tensiones VBE y VCE y
por una resistencia de 10KΩ y repita el punto 5 compare con los valores obtenidos teóricamente
(el anterior). halando el error rms. Con estos valores determine
si el transistor se encuentra en la región activa.
Figura 5. Emisor común con divisor de tensión.
Figura 3. Circuito en polarización fija.
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10. Diseñe un circuito que permita por medio de una
fotoresistencia controlar el encendido o apagado
de un led. Desarrolle todos los cálculos y simule
su comportamiento.
