INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA
Electrónica I - SEL307
LABORATORIO N. 4
CATEDRÁTICO: ING. CARLOS CORDÓN
ALUMNO: JUAN CARLOS GOMEZ MARTINEZ
CUENTA: 21711065
03 de abril 2020. San Pedro Sula, Cortes
Honduras
Índice
Índice................................................................................................................................... 1
Tabla de Ilustraciones ......................................................................................................... 1
Objetivos ............................................................................................................................. 2
Materiales............................................................................................................................ 2
Introducción ........................................................................................................................ 3
Procedimiento Experimental............................................................................................... 4
Cuestionario ...................................................................................................................... 12
Conclusiones ..................................................................................................................... 13
Tabla de Ilustraciones
Ilustración 1 Transistor NPN Descubierto (V) ................................................................... 6
Ilustración 2 Transistor NPN Cubierto (V)......................................................................... 7
Ilustración 3 Transistor NPN Descubierto (I) ..................................................................... 7
Ilustración 4 Transistor NPN Cubierto (I) .......................................................................... 8
Ilustración 5 Transistor PNP Descubierto (V) .................................................................... 9
Ilustración 6 Transistor PNP Cubierto (V) ....................................................................... 10
Ilustración 7 Transistor PNP Descubierto (I).................................................................... 10
Ilustración 8 Transistor PNP Cubierto (I) ......................................................................... 11
1
Objetivos
• Aprender cómo usar el transistor bipolar como interruptor.
• Observar cómo el voltaje en la base del transistor afecta el comportamiento del resto
del transistor.
• Construir un sencillo sensor de luz utilizando un fotoresistor.
• Observar las diferencias entre transistor NPN y PNP.
Materiales
• 1 transistor 3904 (NPN)
• 1 transistor 3905 (PNP)
• 1 resistor de 220 Ω
• 1 resistor de 47 kΩ
• Potenciómetro de 50 kΩ
• Fotoresistor
• 1 LED de cualquier color
• Multímetro.
• Fuente DC variable.
2
Introducción
Los transistores de unión bipolar o transistores bipolares (Bipolar Junction
Transistor, BJT) son unos dispositivos activos de tres terminales que constituyen el
elemento fundamental en multitud de aplicaciones que van desde la amplificación de señales, al
diseño de circuitos lógicos digitales y memorias.
El principio básico de funcionamiento de un transistor bipolar es el uso de la tensión
existente entre dos de sus terminales para controlar la corriente que circula a través del
tercero de ellos. De esta forma, un transistor bipolar podría utilizarse como una fuente
dependiente que es el elemento fundamental del modelo de un amplificador de señal. Además,
la tensión de control aplicada puede provocar que la corriente en el tercer terminal del
transistor bipolar cambie de cero a un valor elevado, permitiendo que el dispositivo
activo pueda utilizarse como un conmutador con dos estados lógicos, que es el elemento
básico en el diseño de circuitos digitales.
3
Procedimiento Experimental
Comportamiento del Transistor NPN
Monte el siguiente circuito. Utilice el transistor 2N3904.
Figura 1
Coloque las terminales del voltímetro en la base del transistor y en GND. Regule el
potenciómetro para llegar a los valores de voltaje de base pedidos en la tabla. Para cada valor VB
obtenido, utilice el voltímetro para medir el voltaje en las terminales del LED, y el voltaje entre
colector y emisor.
V B (V) VLED (V) VCE (V)
0.40 0.00 4.99
0.45 0.02 4.97
0.50 0.17 4.83
0.55 0.56 4.44
0.60 1.97 3.01
0.65 2.12 2.81
0.70 2.20 2.10
0.75 2.23 0.45
Tabla 1
4
Comportamiento del Transistor PNP
Monte el siguiente circuito. Utilice el transistor 2N3905.
Figura 2
Coloque las terminales del voltímetro en la base del transistor y en GND. Regule el
potenciómetro para llegar a los valores de voltaje de base pedidos en la tabla. Para cada valor VB
obtenido, utilice el voltímetro para medir el voltaje en las terminales del LED, y el voltaje entre
colector y emisor.
VB (V) VLED (V) VCE (V)
-0.40 0.00 4.99
-0.45 0.01 4.99
-0.50 0.07 4.92
-0.55 0.46 4.53
-0.60 1.56 3.43
-0.65 2.10 2.85
-0.70 2.19 2.49
Tabla 2
5
Sensor de Luz con transistor NPN
Monte el circuito de la figura 3. Utilice el transistor 2N3904. Coloque las terminales del
voltímetro en la base del transistor y en GND. Pruebe cubrir el fotorresistor en su totalidad y
observe lo que ocurre. Tome una fotografía. Utilice el voltímetro para medir el voltaje VB en la
base, el voltaje en las terminales del LED, y el voltaje entre colector y emisor cuando el
fotorresistor está cubierto y cuando no está cubierto.
Utilice el amperímetro para medir el valor de corriente de base IB y corriente de colector
IC correspondiente cuando el fotoresistor está cubierto y cuando no está cubierto.
Figura 3
Ilustración 1 Transistor NPN Descubierto (V)
6
Ilustración 2 Transistor NPN Cubierto (V)
Ilustración 3 Transistor NPN Descubierto (I)
7
Ilustración 4 Transistor NPN Cubierto (I)
Estado de fotoresistor VB (V) V LED (V) VCE (V)
Sin cubrir 0.05 0.00 5.00
Cubierto 0.73 2.23 0.19
Tabla 3
Estado de fotoresistor IB (uA) IC (mA)
Sin cubrir 0.00 0.00
Cubierto 90.00 11.7
Tabla 4
8
Sensor de Luz con transistor PNP
Monte el circuito que se muestra abajo. Utilice el transistor 2N3905. Coloque las
terminales del voltímetro en la base del transistor y en GND. Pruebe cubrir el fotoresistor en su
totalidad y observe lo que ocurre. Tome una fotografía. Utilice el voltímetro para medir el voltaje
VB en la base, el voltaje en las terminales del LED, y el voltaje entre colector y emisor cuando el
fotoresistor está cubierto y cuando no está cubierto.
Utilice el amperímetro para medir el valor de corriente de base IB y corriente de colector
IC correspondiente cuando el fotoresistor está cubierto y cuando no está cubierto.
Figura 4
Ilustración 5 Transistor PNP Descubierto (V)
9
Ilustración 6 Transistor PNP Cubierto (V)
Ilustración 7 Transistor PNP Descubierto (I)
10
Ilustración 8 Transistor PNP Cubierto (I)
Estado de fotoresistor V B (V) V LED (V) VCE (V)
Sin cubrir -0.05 0.00 5.00v
Cubierto -0.76 -2.23v -0.46v
Tabla 5
Estado de fotoresistor IB (uA) IC (mA)
Sin cubrir 0.00 0.00
Cubierto -89.4 -10.5
Tabla 6
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Cuestionario
1. ¿Por qué hay una repentina caída en el voltaje entre colector y emisor cuando el voltaje
de la base es mayor a 0,7v?
Con el diodo colector polarizado inversamente, el campo de la capa de agotamiento
empuja a los electrones hasta la región de colector, desde donde salen hacia la fuente de
voltaje externo.
2. ¿Por qué el voltaje en la base del transistor aumenta cuando el fotorresistor está cubierto?
Con la corriente introducida a en la base, el transistor se comporta de forma abierto entre
el emisor y el colector, dando como resultado que no exista corriente.
3. ¿Cuál es la diferencia entre el funcionamiento a nivel de circuito del transistor NPN y el
PNP?
NPN: La corriente de salida fluye desde el colector al emisor.
PNP: La corriente de salida fluye desde el emisor al colector.
4. ¿Por qué es necesario conectar el diodo LED al revés al utilizar el transistor PNP?
Esto es debido a la diferencia de polaridades entre el NPN y PNP.
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Conclusiones
CONCLUSIÓN.
DE LOS EXPERIMENTOS REALIZADOS. PODEMOS CONCLUI R LO
SIGUIENTE:
• El funcionamiento de un transistor BJP, ya sea NPN o PNP, depende de la
polarización que se le aplica en sus terminales.
• Una mala polarización podría funcionar mal todo el circuito en el que se le aplique o
el usuario no podría tener los resultados satisfactorios.
• La corriente del colector después de cierto voltaje se aproxima a la corriente del
emisor.
• Se pudo demostrar que si se aplica un voltaje entre el emisor y la base se puede
obtener una ganancia de voltaje en el colector y la base así se puede comprobar que
este tipo de dispositivos se pueden utilizar como amplificadores.
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