Reporte
Nombre: Matrícula:
Lizbeth Viviana Rojas Delgado 2852853
Rodrigo Abihu Gutiérrez Peña 2863187
Nombre del curso: Nombre del profesor:
Ingeniería Electrónica Faustino Roberto Uscanga Maxwell
Módulo: Actividad:
No.1 Actividad no.1
Fecha: 17 de agosto de 2018
Bibliografía:
https://miscursos.tecmilenio.mx/bbcswebdav/institution/UTM/semestre/profesion
al/el/el13201/anexos/Manual%20de%20practicas.pdf
Objetivo:
Analizar operaciones con transistor, mediante obtención experimental
de sus curvas características de voltaje, contra corriente para que a
partir de ellas se puedan medir algunos de sus parámetros de
funcionamiento.
Procedimiento:
Para cada una de las mediciones y cálculos efectuados, se deben agregar
enseguida las unidades respectivas, por ejemplo: para
mediciones de voltaje, utilizar V, mV, V (rms), etc., para las de corriente
A, mA, A (rms), etc., y para frecuencia utilizar Hz o rad/s, según sea el
caso, etc.
Resultados:
Curvas características del transistor bipolar 1. Implementa este circuito, y
realiza las mediciones que se especifican más adelante. Utiliza un transistor
2N3904 (o equivalente) y los siguientes valores de resistencias RB=10 kΩ y
RC=100 Ω.
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Construcción de las curvas características de voltaje contra corriente del
transistor bipolar. Para iniciar la construcción de las curvas características de
voltaje contra corriente del transistor bipolar, realiza el siguiente
procedimiento: 2. Ajusta el valor de la fuente de voltaje VBB, de tal forma que
la corriente de base en el transistor sea de IB= 30 µA. Observa, en la figura 4,
como la corriente IB y el voltaje VCC se aplican directamente a la base y entre
las terminales de colector-emisor del transistor, respectivamente. 3.
Enseguida, realiza incrementos en la fuente de voltaje VCC. Para cada nivel de
voltaje VCC aplicado, se debe medir la corriente IC que se establece en el
colector, así como el voltaje VCE. Asegúrate de mantener constante la
corriente IB, para cada una de las mediciones que realiza para IC y VCE. Con
los resultados de las mediciones realizadas, llene la siguiente tabla. Los datos
ahí contenidos servirán para graficar las curvas características.
Tabla para IB1=30µA
Valor de la fuente VCC Valor medido para VCE Valor medido para IC
0.2 V 0.1 V 1mA
0.4V 0.17 V 2.33 m A
0.6 V 0.23 V 3.77 mA
0.8V 0.29 V 5.05mA
1V 0.38 V 6.2 mA
2V 1.33 V 6.67mA
3V 2.32 V 6.8 mA
4V 3.31 V 6.93 mA
5V 4.29 V 7.06 mA
6V 5.28 V 7.19 mA
7V 6.27 V 7.3 mA
8V 7.25 V 7.4 mA
9V 8.24 V 7.5 mA
TABLA PARA IB1= µA
VALOR DE LA VALOR MEDIDO PARA VALOR MEDIDO PARA
FUENTE VCE IC
VCC
0.2 V 0.08 V 1.17 mA
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0.4V 0.14 V 2.5 mA
0.6 V 0.2 V 4 mA
0.8 V 0.25 V 5.4 mA
1 V 0.31 V 6.92 mA
2 V 0.58 V 14.2 mA
3 V 1.31 V 16.9 mA
4 V 2.28 V 17.2 mA
5 V 3.25 V 17.5 mA
6 V 4.22 V 17.8 mA
7 V 5.18 V 18.1 mA
8 V 6.15 V 18.5 mA
9 V 7.12 V 18.8 mA
10 V 8.09 19.1 mA
11 V 9.05 V 19.4 mA
12 V 10 V 19.8 mA
4. Ahora, inserte las curvas características obtenidas para IB=30 y 90 µA,
indicando en cada una de ellas el correspondiente valor de IB. Para generar las
curvas, a partir de las mediciones realizadas en el circuito, utiliza un programa
por computadora como Matlab, Excel u otro programa de alto nivel ingenieril.
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5. Medición del voltaje colector emisor de saturación VCE(sat). A partir de las
curvas características, indica el nivel de voltaje VCE
mínimo requerido, para que el transistor opere en la zona activa. Este voltaje
se conoce como voltaje colector emisor de
saturación VCE(sat).
Voltaje VCE mínimo requerido para que el transistor opere en la zona activa
VCE(sat)=2
6. Medición de la beta de . La ganancia de corriente de directa (CD)
de un transistor es el cociente de la corriente de
CD del colector (IC) entre la corriente de CD de la base (IB). A partir de las
curvas características del transistor, obtenidas durante el
desarrollo de la práctica, calcula la beta de CD en tres puntos distintos de
estas curvas:
a. Punto Q1 - El primer punto, seleccionar VCE que debe ser en el límite entre
saturación y zona activa,
b. Punto Q2 - El segundo punto, seleccionar VCE en el centro de la zona activa,
y
c. Punto Q3 - El último punto, seleccionar VCE en el extremo final de la zona
activa.
Los resultados de estos cálculos te servirán para llenar la siguiente tabla:
PUNTO Q1 PUNTO Q2 PUNTO Q3
6/30x10-3=200 7/30x10-3=233.33 8/30 x10-3=266.6
PUNTO Q1 PUNTO Q2 PUNTO Q3
6/90 x10-3=66.66 7/90 x10-3=77.77 8/90 x10-3=88.88
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7.- . Medición de la beta de CA (βCA=hfe.). La figura muestra una gráfica y las
ecuaciones respectivas, para el cálculo de la beta
de corriente alterna (CA) de un transistor.
Basado en la ilustración de la figura 5, calcula la beta de corriente alterna para
tres puntos distintos de la zona activa, basándote
en la estrategia anterior de los puntos Q1, Q2 y Q3. Utiliza las dos curvas
consecutivas ( la curva para IB2=90µA y la curva
para IB1=30µA). Los resultados de estos cálculos te servirán para llenar la
siguiente tabla:
PUNTO Q1 PUNTO Q2 PUNTO Q3
170.5 190.6 203.6
8. Medición de la resistencia de salida ro. La figura 6 muestra una gráfica y las
ecuaciones respectivas, para el cálculo de la
resistencia de salida de un transistor.
Basado en la figura, obtén la resistencia de salida del transistor, para cada una
de las curvas características obtenidas en la presente práctica.
Realiza la medición de este parámetro, tomando dos puntos de voltaje VCE
centrados en la zona activa; enseguida, llena la siguiente tabla:
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RESISTENCIA DE Para IB1= 30μA Para IB2= 90μA
SALIDA RO
7615.3 Ω 3200 Ω
9. Medición del voltaje Early VA. La figura 7 muestra una gráfica, en donde se
han ampliado las curvas características de voltaje-corriente,
para voltajes base-emisor constante. Observa que al extrapolar estas curvas
hasta una corriente cero, se encuentran en
un punto sobre el eje de voltaje negativo, en VCE=-VA. Este voltaje VA es una
cantidad positiva llamada voltaje Early.
Tomando como ejemplo lo ilustrado en la figura, determina el voltaje Early para
este modelo de transistor.
Voltaje Early VA= 2300 Ω
10. Medición de la resistencia de salida a partir del voltaje Early. Una vez
determinado el voltaje Early, es posible calcular a partir de él
la resistencia de salida. Para cada curva característica, calcula la resistencia
de salida del transistor, pero ahora utiliza el voltaje
Early. Considera la corriente de colector IC, para un voltaje VCE en el centro
de la zona activa.
RESISTENCIA DE Para IB1= 30μA Para IB2= 90μA
SALIDA RO
7615.3Ω 3200 Ω
