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TIRISTORES

El DIAC es un semiconductor bidireccional que conduce la corriente sólo después de superar su tensión de disparo de alrededor de 30 V. Se utiliza principalmente para disparar TRIACs y tiristores en aplicaciones de frecuencia de red. El SCR es un dispositivo de cuatro capas que funciona como un interruptor controlado por tensión de compuerta. El TRIAC es similar a dos SCRs conectados en paralelo pero en sentido opuesto, lo que le permite conducir en ambas direcciones de la corriente alterna. El MCT combina un tir

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TIRISTORES

El DIAC es un semiconductor bidireccional que conduce la corriente sólo después de superar su tensión de disparo de alrededor de 30 V. Se utiliza principalmente para disparar TRIACs y tiristores en aplicaciones de frecuencia de red. El SCR es un dispositivo de cuatro capas que funciona como un interruptor controlado por tensión de compuerta. El TRIAC es similar a dos SCRs conectados en paralelo pero en sentido opuesto, lo que le permite conducir en ambas direcciones de la corriente alterna. El MCT combina un tir

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DIAC

El DIAC o Diodo para Corriente Alterna, es un semiconductor de disparo por


tensión bidireccional, que conduce la corriente sólo tras haberse superado su
tensión alterna de disparo, y mientras la corriente que circula por este no sea
inferior al valor triple de voltios característico para ese dispositivo. El
comportamiento es variable para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de
los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de alrededor de 30 V. Es
diseñado para disparar TRIACs y Tiristores Su funcionamiento se centra en
aplicaciones a frecuencia de red.

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados
en sentido opuesto. La conducción se da cuando se ha superado el valor de
tensión del diodo zener que está conectado en sentido opuesto.

El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequeña corriente de fuga.
La conducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza. Cuando la
tensión de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y entra en
conducción dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC.
Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control
de fase.
En la curva característica se observa que cuando:

 +V o – V es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un


circuito abierto
 +V o – V es mayor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito

SCR

El SCR o Rectificador controlado de silicio, es un dispositivo semiconductor de


cuatro capas que logra el funcionamiento de un conmutador casi ideal.

En el gráfico de la derecha, se muestra un circuito equivalente para comprender


su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G, que hace de base
de Q2 y colector de Q1, se producen dos corrientes: IC2 = IB1.

IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 que toma el nombre de IC1, esta corriente a su vez alimenta la
base del transistor Q2, generando una corriente IB2, este a su vez causa más
corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, este proceso
regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

En la siguiente figura se ve la dependencia entre el voltaje de conmutación y la


corriente de compuerta. Cuando está polarizado en inversa se comporta como un
diodo común por la corriente de fuga característica.
Como se puede ver en los puntos D y E en la región de polarización en directo, se
comporta también como un diodo común, siempre que ya haya sido activado. Para
valores altos de corriente de compuerta IG, como se puede ver en el punto C, el
voltaje de ánodo a cátodo VC es menor.

Si la IG disminuye, el voltaje de ánodo a cátodo aumenta. como se puede ver en el


punto B y A, y el voltaje ánodo – cátodo VB y VA. Concluyendo, al disminuir la
corriente de compuerta IG, el voltaje ánodo-cátodo tenderá a aumentar antes de
que conduzca.

GTO

El GTO o Tiristor Desactivado por Compuerta, es un semiconductor discreto que


actúa como interruptores completamente controlable, el cual puede ser encendido
y apagado en cualquier momento con una señal de compuerta positiva o negativa
respectivamente. Estos componentes están optimizados para tener muy bajas
pérdidas de conducción y diseñados para trabajar en las más demandantes
aplicaciones industriales. Estos componentes son altamente utilizados en
Convertidores de Alto Voltaje y Alta Potencia para aplicaciones de baja y media
frecuencia.

Un tiristor GTO tiene la estructura muy similar a un tiristor SRC convencional, con
sus 4 capas de silicio (PNPN) y tres terminales: ánodo (A), cátodo (K) y puerta (G).
Las curvas estáticas para el GTO, también son similares a las del tiristor, una vez
que se ha conectado por suficiente corriente de puerta. A bajos niveles de
corriente de puerta, funciona en la región del transistor, con una familia de curvas
de ataques de puerta en aumento.

TRIAC

El TRIAC es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los


tiristores, que son dispositivo de control. Se utiliza únicamente en corriente alterna,
y al igual que el SCR se dispara por la compuerta.

El TRIAC es esencialmente la conexión de dos tiristores en paralelo pero


conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta.

Como solo funciona en corriente alterna, habrá una parte de la onda que será
positiva y otra negativa.

La parte positiva de la onda, es decir el semiciclo positivo, pasará por el TRIAC


siempre y cuando haya habido una señal de disparo en la compuerta, de esta
manera la corriente circulará de arriba hacia abajo y pasará por el tiristor que
apunta hacia abajo, de igual manera, la parte negativa de la onda o semiciclo
negativo, pasará por el TRIAC siempre y cuando haya habido una señal de
disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circulará de abajo hacia
arriba y pasará por el tiristor que apunta hacia arriba. Para ambos semiciclos la
señal de disparo se obtiene del mismo pin de la compuerta.

La principal característica es, que se puede controlar el momento de disparo de


este pin, y así, controlar el tiempo que cada tiristor estará en conducción. Recordar
que un tiristor sólo conduce cuando ha sido disparada la compuerta y entre sus
terminales hay un voltaje positivo de un valor mínimo para cada tiristor. Entonces,
si se controla el tiempo que cada tiristor está en conducción, se puede controlar la
corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.

RTC

El RTC o Tiristor de conducción inversa, cumple con las características de un


tiristor común, y se puede considerar como un tiristor con un diodo conectado en
paralelo pero conectado en sentido inverso.
Un tiristor de conducción inversa se conoce también como tiristor asimétrico. El
mismo cuenta con tres pines ánodo, cátodo y compuerta. El voltaje de bloqueo
directo varia de 400 a 2000 voltios y la especificación de corriente hasta 500A. El
voltaje de bloque inverso es normalmente de 30 a 40 Voltios, pero dadas las
características de relación entre la corriente directa a través de un tiristor y la
corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitan a diseños de circuitos
específicos.

SITH

Es un tipo de tiristor el cual tiene la posibilidad de activarse con un voltaje positivo


de compuerta y una de sus principales característica es su baja resistencia en
estado activo.

Por lo general, un SITH es activado al aplicarle un voltaje positivo de compuerta,


como los tiristores normales, y desactivado al aplicarle un voltaje negativo a su
compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como
consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo así como una
baja caída de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y
corriente más altas.

Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y capacidades altas de


dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6 ms. La especificación
de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V y la de corriente está limitada a 500 A.
Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricación, por lo
que pequeñas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios
de importancia en sus características.
FET-CTH

Un FET-CTH combina un MOSFET en paralelo con un tiristor, de tal forma que si


a la compuerta del MOSFET se le aplica el voltaje necesario, que normalmente
tiene un valor cercano a los 3 voltios, se genera internamente una corriente de
disparo dirigido al tiristor.

Se puede activar de igual forma que los tiristores convencionales, pero a la hora
de desactivarlo, no se puede hacer mediante el control de compuerta. Este Cuenta
con una alta velocidad de conmutación.

MCT

El MCT o Tiristor Controlado por MOS, es un dispositivo semiconductor de


potencia, que combina un tiristor con un MOSFET en paralelo.
La región compuerta - ánodo, está formada por más de 105 celdas. Este largo
número de celdas provee superficies cortas de largas secciones transversales
para una rápida y uniforme conmutación de corriente. Dentro de la región ánodo -
compuerta, existen dos MOSFET. Uno de ellos es un canal p, tipo PNP que se
emplea para encender el tiristor, y el otro es un canal n, de tipo NPN que es usado
para apagarlo.

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