Practica 3
Transistor emisor comú n
Introducción
La finalidad de la siguiente practica es la de comprobar el funcionamiento de un
transistor BJT como amplificador, utilizando la configuración de emisor común.
En esta configuración la señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el
colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la
de salida. En esta configuración se tiene ganancia tanto de tensión como de
corriente.
Antes de aplicar una señal se midieron la corrientes y los voltajes de base colector
y emisor asi como de la beta. Más adelante se aplico una señal y asi poder ver el
cambio entre la señal de entrada y la señal de salida, luego se vario la amplitud de
la señal y se cambio la resistencia de carga esto solo para ver cuál era el efecto
producido.
Marco teórico
El transistor de unión bipolar es uno de los dispositivos que son fruto de la
tecnología en semiconductores (basada en uniones PN y dopaje) y es uno de los
tipos de transistores más usados en la actualidad. Un transistor posee tres
terminales (base, colector y emisor).
Un transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales son:
Región activa, región de saturación y región de ruptura; Cuando un transistor BJT
trabaja en región activa, quiere decir que está trabajando como amplificador de
una señal (Corriente o voltaje), esta región de funcionamiento se caracteriza
porque la corriente de base es muy pequeña en
comparación a la de colector y emisor (que son
parecidas), y porque el voltaje colector base no
puede exceder los 0.4 o -0.4V (dependiendo si
es PNP o NPN). Mientras que la región
de corte indica que el transistor
prácticamente esta apagado, es decir Ib
= Ic = Ie =0A. Por último, un transistor de
unión bipolar está saturado cuando
Ic=Ie=Imax; En este caso la magnitud de la
corriente depende de la tensión de alimentación del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el
emisor o en ambos.
Procedimiento
Análisis CD
Para poder simplificar el análisis del circuito es necesario obtener tanto la
resistencia como el voltaje equivalente de Thevenin, los cuales quedan de la
siguiente manera:
100 k (15)
V Th = =7.5 V
200 k
RTh =50 k
Una vez teniendo esto y utilizando análisis de mallas tenemos
Vbe=0.7 v y β=278
7.5=50 k (Ib)+0.7 v+ 6.8 k (Ie)
β
6.8=50 k ( Ib ) +6.8 k ( Ic )
β+1
β
6.8=50 k ( Ib ) +6.8 k (βIb)
β+1
Despejando Ib tenemos:
6.8
Ib=
¿¿
Ic=βIb=0.98 mA
Ic
Ie= =.973mA
α
Ic
gm= =37.46
Vt
β
rπ = =7.421 K
gm
Vt
ℜ= =26.8 Ω
Ie
Análisis CA
Por análisis nodal tenemos que:
Vb ( 501 k + 501 + rπ1 )−Vi ( 501 )=0
Vb=
Vi ( 501 )
( 501k + 501 + rπ1 )
Vi
Vb=
1001 1
50 ( +
50000 rπ )
Vi
Vb= Vi=7.68 mV
50 ( 0.2018 )
Vi
Vb= =7.62 mV =Vπ
1.0077
Vo=−gmVπ ( ro||4.3 k||100 k ) ro ≈ RL
Vo=−gmVπ ( 4.15384 )=−1.18 V
Teniendo ya el voltaje de entrada y de salida lo que sigue es calcular la ganancia
1.18 V V
Av= =154.14
7.68 mV V
Material
1 Generador de funciones.
1 Osciloscopio.
1 Fuente de C.D.
1 multimetro.
2 puntas para osciloscopio.
2 Transistor BC547 o 2N2222A.
Hoja de datos de los transistores.
Resistores de distintos valores.
Se armo el siguiente circuito
Para este circuito la resistencia de carga tiene un valor de 100KΩ
Lo primero que se realizo fue alimentar el circuito con la fuente de 15 volts y medir
las corrientes y voltajes. Los datos
arrojados fueron los siguientes:
Ic=1.03 mA
Ib=3.06 µ A
Ie=0.99 mA
Vbe=0.68 V
Vce=3.62V
Vcb=2.8V
β=277.7
β fue medida con la ayuda de un multimetro
Después se aplico una señal triangular con un voltaje pico de 100mv a una
frecuencia de 1khz
Como puede ser observado en el canal uno esta ahora nuestra señal amplificada y
en el canal dos esta la señal de entrada. Se puede observar que amplifico de
forma elevada ya que nuestra ganancia fue de:
Vo=1.2V
Vi=7.68 mV
Vo V
Av= =156.25
Vi V
Luego se aumento la amplitud, y lo que se pudo observar con esto, es que como
era lógico, la señal de salida también aumentaba, pero con la diferencia que esta
presentaba una menor o casi despreciable saturación con respecto a la señal de
entrada.
Luego se mantuvo una amplitud pequeña en la señal de entrada para ahora
aumentar la frecuencia, con esto la señal de salida aumentaba su amplitud pero
con la diferencia de que ahora se presentaba una saturación mayor en
comparación a que si solo se aumentaba la amplitud de la señal de entrada.
Más tarde se cambio la resistencia de carga de 100KΩ por una de 1KΩ para lo
cual los datos fueron los siguientes:
Vo=680 mV
Vi=23.2 mV
Vo V
Av= =29.31
Vi V
Para corroborar los resultados obtenidos en la práctica nos pusimos a la tarea de
simular el circuito para esto se utilizo el software topspice y pudimos observar
que los resultados obtenidos en la práctica experimentalmente eran muy parecidos
a la simulación como se puede notar en las siguientes imágenes
realización del circuito en topspice
simulación del circuito con resultados similares a los experimentales
Al igual que el anterior se simulo el circuito con la modificación de la resistencia
de 1kΩ y pudimos notar que los resultados eran similares a los obtenidos en la
practica
realización del circuito en topspice
simulación del circuito con resultados similares a los experimentales
Conclusión
Pudimos comprobar cómo es que el transistor funciona como un amplificador,
tanto de forma experimental como teórica, aunque claro con ciertas variaciones,
que por más que queramos nos vamos a poder hacer que estos disminuyan, ya
que de forma teórica trabajamos con datos ideales, que en forma experimental no
podemos obtener con precisión debido a los diversos factores que intervienen en
ello, pero aun así se obtuvieron datos satisfactorios, que nos hicieron ver que
íbamos por el camino correcto.
Pudimos observar en el osciloscopio la señal de entrada y la señal de salida y
hacer comparaciones, al cambiar la amplitud pudimos observar como la señal de
entrada a amplitudes altas se empezaba a saturar es decir hacia una especie de
corte en los picos, pero la señal de salida se mantenía un poco más estable.
También al subir la frecuencia ocurría un efecto similar. Lo que se pudo ver
también es que la ganancia con la resistencia de 100KΩ era muy alta y ya con la
de 1K disminuía en gran medida.
