TRANSISTORES BJT

LUIGI ESTEBAN LOPEZ BUITRAGO ANGIE XIMENA RAMOS VARGAS

Facultad de Ingeniería Facultad de Ingeniería
Programa de Ingeniería Electrónica extensión Programa de Ingeniería Electrónica extensión
Tunja Tunja
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Universidad Pedagógica y Tecnológica de
Colombia Colombia
Tunja, Boyacá - Colombia Tunja, Boyacá - Colombia
[email protected] [email protected]

Abstract tener en cuenta los siguientes conceptos.

The transistor is known to be that element that has several TRANSISTOR
functions among them to amplify, to rectify, etc.; taking Dispositivo electrónico en estado sólido, cuyo principio
into account that within the variety of the electronics are
de funcionamiento se basa en la física de los
the BJT transistors (acronym of its English denomination
semiconductores. Este cumple funciones de amplificador,
Bipo-lar Junction Transistor), which are designed mainly
to increase the voltage and to diminish the current, as well oscilador, conmutador o rectificador. Este dispositivo
as to control the passage of the current through its semiconductor permite el control y la regulación de una
terminals, also we are going to analyze the behavior of its corriente grande mediante una señal muy pequeña. Existen
common emitting polarization. varios tipos de transistores tal como el BJT o bipolar que
trabajamos en el presente laboratorio. [1]
Keywords: BJT transistor, common emitter polarization.
Resumen TRANSISTOR BJT
El transistor bipolar de uniones, conocido también por
El transistor es conocido por ser aquél elemento que tiene
BJT( siglas de su denominación inglesa Bipo-lar Junction
varias funciones entre ella el amplificar, rectificar, etc.;
Transistor) es un dispositivo de tres terminales
teniendo en cuenta que dentro de la variedad de la
denominados emisor, base y colector.
electrónica se encuentran los transistores BJT (siglas de su
denominación inglesa Bipo-lar Junction Transistor), los La propiedad as destacada de este dispositivo es que
cuales están diseñados principalmente para aumentar el aproxima una fuente dependiente de corriente: dentro de
voltaje y disminuir la corriente, así como controlar el paso ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es
de la corriente a través de sus terminales, también vamos controlada por la corriente terminal de base. La mayoría de
analizar el comportamiento de su polarización emisor funciones electrónicas se realizan con circuitos que
común. emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo,
los cuales son los dispositivos básicos de la electrónica
Palabras clave: transistor BJT, polarización emisor común.
moderna.
1. INTRODUCCIÓN
El transistor se ha convertido en uno de los elementos más FUNCIONAMIENTO
usados de la electrónica, es conocido por ser aquél Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica
elemento que tiene varias funciones entre ella el la potencia a reglar, y en el terminal de base (B) se aplica
amplificar, rectificar, etc.; teniendo en cuenta que dentro la señal de control gracias a la que se controla la potencia.
de la variedad de la electrónica se encuentran los Con pequeñas variaciones de corriente a través del
transistores BJT (siglas de su denominación inglesa Bipo- terminal de base, se consiguen grandes variaciones a través
lar Junction Transistor), los cuales están diseñados de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una
principalmente para aumentar el voltaje y disminuir la resistencia se puede convertir esta variación de corriente
corriente, así como controlar el paso de la corriente a en variaciones de tensión según sea necesario.
través de sus terminales, también vamos analizar el
comportamiento de su polarización emisor común. POLARIZACION EMMISOR COMUN
2. OBJETIVOS 1. El circuito estará formado por un transistor BJT,
dos resistencias fijas: una en la base Rb y otra en
1. Identificar las propiedades básicas de un
el colector Rc, y una fuente de alimentación Vcc.
transistor BJT.
2. Hallar experimentalmente parámetros de un Este circuito determina el punto Q de reposo del
transistor. transistor para unos valores dados de Vcc, Rb y
3. Verificar algunas polarizaciones en emisor común Rc. Es el circuito más sencillo pero también el as
para el transistor. inestable con las variaciones de la temperatura.

3. MARCO TEÓRICO
Para poder realizar el análisis correctamente debemos
 TRANSISTORES BJT
VCE

VBB VCC VBE

0,1 1,5 1,52

ACCION AMPLIFICADORA DE TRANSISTORES
Una de las aplicaciones mas importantes de los transistores 0,3 4,5 4,54
en electrónica analógica es la de amplificación de señales
electricas de amplitud variable, tanto de voltaje como de 0,5 7,5 7,50
corriente.
0,7 10,5 10,09
Su función es incrementar la intensidad, la tensión o la
potencia de la señal que se le aplica a su entrada 0,8 12,0 11,91
obteniéndose la señal aumentada a la salida. Para
amplificar la potencia es necesario obtener la energía de 0,9 13,5 12,49
una fuente de alimentación externa. En este sentido, se
puede considerar al amplificador como un modulador de la 1,0 15,0 13,64
salida de la fuente de alimentación.
tabla 2

4. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL Y
DESARROLLO DE LA PRACTICA IC

VBB VCC VBC IC

5. ANÁLISIS DE RESULTADOS
0,5 7,5 37,3m 37,3u
El primer motaje que se realizó fue el siguiente
0,7 10,5 0,455 455u

0,8 12,0 0,878 878u

0,9 13,5 1,038 1,038m

1,0 15,0 1,304 1,304m

tabla 3

IB

VBB VCC VBC IC

0,3 4,5 0,4m 4m

Simulación 1 0,5 7,5 5,5m 65n

VBE
0,7 10,5 155,8m 1,558u
VBB VCC VBE
0,8 12,0 0,230 2,3u
0,1 1,5 85,5m
0,9 13,5 0,321 3,21u
0,3 4,5 0,311
1,0 15,0 0,418 4,18u
0,5 7,5 0,469
tabla 4
0,7 10,5 0,613

0,8 12,0 0,625

0,9 13,5 0,643

1,0 15,0 0,647

tabla 1
 TRANSISTORES BJT
0,5 7,5 15,4m 154u

0,7 10,5 0,245 245u

0,8 12,0 0,502 502u

0,9 13,5 0,693 693u

1,0 15,0 0,084 84u

tabla7
IB

VBB VCC VBC IC

0,1 1,5 0,2m 2n

simulación 3
0,3 4,5 0,2m 2n
VBE
0,5 7,5 17,2m 17,2n
VBB VCC VBE
0,7 10,5 194,7m 1,947u
0,1 1,5 -0,17
0,8 12,0 0,287 2,87u
0,3 4,5 -0,45
0,9 13,5 0,383 3,8u
0,5 7,5 -0,54
1,0 15,0 0,444 4,44u
0,7 10,5 -0,61
tabla 8
0,8 12,0 -0,62

0,9 13,5 -0,63

1,0 15,0 -0,64

tabla 5
VCE

VBB VCC VCE

0,1 1,5 -1,54

0,3 4,5 -4,55 simulación 4

Ic= B*Ib
0,5 7,5 -7,55
Ib=Ic/b=33,33uA
0,7 10,5 -10,11
Ic=Ib(b+1)=(33,33uA)*(331)=10,03mA
0,8 12,0 -11,49 -14+R2Ic+7v+220+Ic=0 (1)
R2(10mA)+220(10,03mA)=7
0,9 13,5 -12,71
R2=479,34
1,0 15,0 -14,08
-14+R1*Ib+Vbe+220Ie=0
tabla 6 R1(33,33uA)=14-6-220(10,03mA)
R1=173819,38

IC

VBB VCC VBC IC

 TRANSISTORES BJT

Gráfica 1. Tabla 3

6. Conclusiones
●

Referencias
[1] Sin nombre de autor, Fluke. Biblioteca Virtual de
Informática.Fundamentos de la electricidad, El Transistor,
Gráfica 2. Tabla 4 Rescatado el día 20/02/2020. Tomado de:
https://www.ecured.cu/Transistor
[2] Gerold W. Neudeck. El transistor bipolar. Ed. Addison-Wesley
Iberoamericana, 2ª edición. Consultado 19/02/2020, tomado de:
https://www.ecured.cu/Transistor_bipolar
[3] Nobel Prize, Introducción al transistor, consultado 20/02/2020,
tomado de: https://techlandia.com/transistores-hechos_312403/

Gráfica 3. Tabla 7

Gráfica 4. Tabla 8