INFORME NUMERO CINCO: EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA
ELECTRÓNICA,
ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES

PROYECTO FINAL: CARRO DETECTOR DE PROXIMIDAD

Ademir Jovitto Ildefonso Estela

e-mail: [email protected]
Charly Héctor Gamarra Mejía
e-mail: [email protected]
Jonathan Jesús Cornejo Canaza
e-mail: [email protected]
Jorge Luis Rojas Moreno
e-mail: [email protected]
José David Yep Arce
e-mail: [email protected]

RESUMEN: En el presente informe se dará a procesamiento, memoria y periféricos de

conocer nuestro proyecto que consiste en entrada/salida.
implementar un carro mediante componentes Los micro controladores están diseñados para
electrónicos y programación informática para así reducir el costo económico y el consumo de energía
lograr que cumpla la tarea de ser controlada de un sistema en particular. Por eso el tamaño de la
mediante nuestros celulares usando bluetooth y que unidad central de procesamiento, la cantidad de
tenga la propiedad de detectar distancias próximas memoria y los periféricos incluidos dependerán de la
de modo que esquive cualquier potencial impacto de aplicación.
manera automática, sin duda es un proyecto cuya
aplicación mediata puede ser en los sistemas de 2.2 ARDUINO
seguridad de nuestros vehículos modernos Arduino es una plataforma de creación de
electrónica de código abierto, la cual está basada en
PALABRAS CLAVE: Microcontrolador, Arduino, hardware y software libre, flexible y fácil de utilizar
Lenguaje de programación, Puente H, Señales PWM. para los creadores y desarrolladores. Esta plataforma
permite crear diferentes tipos de microordenadores
1. INTRODUCCIÓN de una sola placa a los que la comunidad de
creadores puede darles diferentes tipos de uso.
Hoy en día el avance tecnológico nos permite, El Arduino es una placa basada en un
mejorar nuestra calidad de vida en muchos aspectos. microcontrolador ATMEL. Los microcontroladores son
Uno de ellos es en la manera en la que nos circuitos integrados en los que se pueden grabar
transportamos, sin embargo; siempre estamos instrucciones, las cuales las escribes con el lenguaje
expuestos a peligros.
de programación que puedes utilizar en el entorno
Es por ello que en este proyecto, hemos
decidido llevar a cabo un sistema de seguridad Arduino IDE. Estas instrucciones permiten crear
electrónico capaz aplicado a un carro detector de programas que interactúan con los circuitos de la
proximidades de modo que logre esquivar obstáculos placa.
cercanos a él de manera autómata. El microcontrolador de Arduino posee lo que se
llama una interfaz de entrada, que es una conexión
2. MARCO TEÓRICO en la que podemos conectar en la placa diferentes
tipos de periféricos. La información de estos
periféricos que conectes se trasladará al
2.1 MICROCONTROLADOR microcontrolador, el cual se encargará de procesar
los datos que le lleguen a través de ellos.
Un microcontrolador (abreviado μC, UC o MCU) El tipo de periféricos que puedas utilizar para
es un circuito integrado programable, capaz de enviar datos al microcontrolador depende en gran
ejecutar las órdenes grabadas en su memoria. Está medida de qué uso lo estés pensando dar. Pueden
compuesto de varios bloques funcionales que ser cámaras para obtener imágenes, teclados para
cumplen una tarea específica. Un microcontrolador
introducir datos, o diferentes tipos de sensores.
incluye en su interior las tres principales unidades
funcionales de una computadora: unidad central de

1
INFORME NUMERO CINCO: EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN

También cuenta con una interfaz de salida, que  Miliamperímetro

es la que se encarga de llevar la información que se  Cables de conexión diversos
ha procesado en el Arduino a otros periféricos. Estos  01 transistor 2N4646 o 2N3904
periféricos pueden ser pantallas o altavoces en los  Resistores: Re=220 Ω, Rc=1K Ω, R1=56K Ω,
que reproducir los datos procesados, pero también R2=22K Ω
pueden ser otras placas o controladores.  Condensadores: Ci=0.1μF, Co=0.1μ,
Ce=3.3μF.
 Potenciómetro de 1MΩ (p1)
 01 computadora con Multisim

4. SIMULACIÓN
Considerando los valores nominales de los
componentes utilizados, realizar la simulación del
circuito mostrado en la figura 4.4. Considere todos los
casos indicados en el paso 3. Llenar los valores
correspondientes en las tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5.

Figura 3.1. Placa de Arduino UNO

2.4 IDE DE ARDUINO

El entorno de desarrollo integrado (IDE) de Arduino
es una aplicación multiplataforma (para Windows,
macOS, Linux ) que está escrita en el lenguaje de
programación Java. Se utiliza para escribir y cargar
programas en placas compatibles con Arduino, pero Figura 4.4. Circuito del Transistor Bipolar NPN
también, con la ayuda de núcleos de terceros, se referido en la guía.
puede usar con placas de desarrollo de otros
proveedores.

El código fuente para el IDE se publica bajo

la Licencia Pública General de GNU, versión 2. El
IDE de Arduino admite los lenguajes C y C +
+ utilizando reglas especiales de estructuración de
códigos. El IDE de Arduino suministra una biblioteca
de software del proyecto Wiring, que proporciona
muchos procedimientos comunes de E/S.
El código escrito por el usuario solo requiere dos
funciones básicas, para iniciar el boceto y el ciclo
principal del programa, que se compilan y vinculan
con un apéndice de programa main() en un ciclo con
el GNU toolchain, que también se incluye. El IDE de
Arduino emplea el programa avrdude para convertir el
código ejecutable en un archivo de texto en
codificación hexadecimal que se carga en la placa
Arduino mediante un programa de carga en el
firmware de la placa. Figura 4.5. Circuito con R1 = 56KΩ.y el P1 = 0Ω.
A continuación vamos a presentar el circuito en una
simulación a manera de

3. EQUIPOS Y MATERIALES
 Osciloscopio
 Fuente de poder DC
 Multímetro
 Microamperímetro

2
INFORME NUMERO CINCO: EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN

potenciómetro P1 está ajustado para tener una

resistencia de 0Ω.
 Medir las tensiones entre el colector–emisor
(Vce), entre base–emisor (Vbe) y entre emisor–
tierra (Ve).
 Colocar los datos obtenidos en la tabla 5.2.
Considerado β = 160.

Tabla 5.2.

Valores
Ic Ie Ib Vce Ve
(R1=56KΩ Vbe (V)
(mA) (mA) (µA) (V) (V)
)
1.7
Teórico 8.42 8.48 52.6 0.7 1.86
2
1.8
Simulado 8.33 8.39 52 0.723 1.85
2

1.8
Medido 8.01 8.11 50 0.71 1.9
Figura 4.6. Circuito con R1 = 68KΩ. y el P1 = 0Ω. 1

5.3 TERCERA TABLA

Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), y

anotar los datos en la tabla 5.3. Considerado β = 160.

Tabla 5.3.

V
e
Valores Ie
Ic Ib Vce Vbe
(R1=68KΩ (mA
(mA) (uA) (V) (V) (
) )
V
)
6.895 6.93 3.58
Teórico 43.1 0.7 1.527
4 9 8
6.90 0.71
Simulado 6.861 42 3.62 1.519
2 7
Figura 4.7. Circuito con R1 = 68KΩ. y el P1 = 100KΩ.
2.77 0.69
Medido 7.4 7.39 38.7 1.764
2 1
5. RECOLECCIÓN DE LA
INFORMACIÓN Y RESULTADOS
5.4 CUARTA TABLA
A continuación, se presenta en tablas, los datos
obtenidos en cada circuito. Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ,
250KΩ, 500KΩ, 1MΩ. Observar lo que sucede con
5.1 PRIMERA TABLA las corrientes Ib y con la tensión Vc (usar Re=0)
llenar la tabla 5.4. Se hizo manteniendo constante R1
Verificar el estado operativo del transistor, a 68KΩ.
usando la función ohmímetro del multímetro. Llene la Tabla 5.4.
tabla 5.1. Esto se realizó con un multímetro
analógico. Ic(m Ie(m Ib(uA Vb
Valores Vce Ve
A) A) ) e
Tabla 5.1. 5.81 5.84 6.18
Teórico 35.44 0.7 0
28 82 7
Resistencia Directa Inversa Simula 5.76 6.23 0.7
P1 = 5.8 36 0
Base – Emisor 35K 85 100K do 5 4 07
Base – Ω
- 85
Colector β=
164 Medido 0.6
Colector – 5.47 5.94 35.8 6.36 0
- - s 5
Emisor
Teórico 0.56 0.56 3.716 11.4
0.7 0
5.2 SEGUNDA TABLA P1 = s 49 86 4 4
250K Simula 0.98 11.0 0.6
Ω 0.99 6.462
 Medir las corrientes que circulan por el colector do 4 1 45
(Ic), el emisor (Ie) y la base (Ib) cuando el

3
INFORME NUMERO CINCO: EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN

12
9.84
Medido 11.5 0.5 10
0.39 0.39 6.1 0
β= s 3 4
152 8 7.4

Ic (ΠΠA)
6
Teórico 0.07 0.08 0.015 12.0
0.7 0
s uA uA uA 83 4
Simula 0.55 0.56 0.08u 11.9 0.4 2
P1 = 0
do uA uA A 9 5
500K 0 0
Ω
0 2 4 6 8 10 12 14
β=5 Medido 0.3 Vce (V)
0 0 0 12 0
s 4

Teórico
s
0.12 0.12 0.25 12 0.7 0 Figura 6.9. Recta de Carga de la Tabla 5.3.
Simula 0.23 0.023 0.2
P1 = 0 11.9 0
do nA uA 42
1MΩ 12
9.84
β=
0.5
10
Medido 12.0 0.2
0 0 0 0 8
s 2 83
5.47

Ic (ΠΠA)
6
4
2 0.39
00
6. CUESTIONARIO 0
0 2 4 6 8 10 12 14
6.1 Explicar el comportamiento del transistor Vce (V)
al hacer su verificación operativa con el
multímetro en función ohmímetro.
Figura 6.10. Recta de Carga de la Tabla 5.4.
Teóricamente, el transistor utilizado, el 2N3904,
es un NPN, se puede representar como dos diodos
cuya dirección o flecha indica al terminal base. 6.3 ¿En qué regiones de trabajo se
encuentran los puntos de la tabla 5.2 y 5.3?
Es así que solo al evaluar con el ohmímetro en
directa el Colector-Emisor o en inversa la Base- El punto de trabajo del circuito armado para la
Colector, obtendríamos los dos diodos en Tabla 5.2, se encuentra en la región de saturación
polarización directa y por ende, resistencias bajas,
debido a que está muy próxima a que la diferencia de
evaluando las opciones restantes, se polarizaría en
potencial entre el colector y el emisor desciende casi
inversa ocasionando una inmensa resistencia.
a cero.

6.2 Representar la recta de carga en un Para la Tabla 5.3 sucede prácticamente lo

gráfico Ic vs Vce del circuito del mismo, aunque esta se encuentra un poco más
experimento. Ubicar los puntos alejada.
correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y 5.4.
En el caso de la Tabla 5.4, se observa que la
mejor configuración del circuito, se da cuando el
12
9.84 potenciómetro tiene un valor de 100KΩ pues se
10 8.01 Ib = 50 uA
encuentra en la región activa, mas cuando se
8 incrementa su valor, la corriente de colector empieza
Ic (ΠΠA)

6 a tender a cero y, por lo tanto, el transistor es llevado

4 a la región de corte.
2
0 0 6.4 ¿Qué sucedería con el punto de
0 2 4 6 8 10 12 14 operación si cambiamos R1 a 150KΩ?
Vce (V) Explicar los valores e indicar el valor teórico.

Los datos teóricos y simulados se exponen en la

Figura 6.8. Recta de Carga de la Tabla 5.2. Tabla 6.6. Lo que sucedería, sería que ahora el
transistor bipolar trabajaría tendiendo a la región de
corte. Esto se representa en la figura 6.11.

Tabla 6.6.
V
Ic Ie Ib Vb e
Valores Vce
(m (m (uA e (
(R1=68KΩ) (V)
A) A) ) (V) V
) 4
2.4 2.4 15. 9.0
Teórico 0.7 0.5437
562 715 351 035
2.4 2.5 8.9 0.6
Simulado 16 0.552
93 08 54 86
INFORME NUMERO CINCO: EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN

12 http://www.aula20.com/profiles/blogs/regiones-de-
9.84 operaci-n-del-transistor-de-juntura-bipolar-bjt-3
10
[2] EcuRed. (2017). El transistor [En línea]. Disponible en
8 https://www.ecured.cu/Volt%C3%Transistores
Ic (ΠΠA)

6 [3] EcurRed. (2017). Instrumentos de medición electrónica

[En línea]. Disponible en
4 2.49
https://www.ecured.cu/Amper%C3%ADmetro
2 [4] Hetpro (2017). El Transistor NPN, estructura y
0 0 aplicaciones [En línea]. Disponible en
0 2 4 6 8 10 12 14 https://hetpro-store.com/TUTORIALES/transistor-npn/
Vce (V) [5] Infootec. (s.f). Transistor Bipolar BJT [En línea].
Disponible en
https://www.infootec.net/transistor-npn-y-pnp/

Figura 6.11. Recta de Carga de la Tabla 6.6.

9. ANEXO: CIRCUITO ARMADO Y
SEÑAL DE SALIDA

Figura 9.13. Circuito Implementado en el Protoboard.

Figura 6.12. Simulación para R1 = 150KΩ.

7. CONCLUSIONES
 Según las gráficas mostradas, se obtuvo distintos
resultados donde el transistor mostraba sus
diferentes formas de operación y se observó que
la mejor zona de trabajo, es la región activa en
donde hay una mayor amplificación.
 Cuando el transistor se encuentra en la región de
corte, el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentación del circuito.
No hay corriente circulando debido a que la Figura 9.14. Fuente de Alimentación en 12 V.
resistencia (en este caso un potenciómetro) es
demasiado grande, por lo que no permite que
pase corriente alguna y dado esto, no hay caída
de voltaje. Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base = 0 (Ib =0).
 Cuando el transistor se encuentra en la región de
saturación, la magnitud de la corriente depende
del voltaje de alimentación del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor
o en ambos. Cuando el transistor trabaja en esta
región, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib,
no se cumple. De forma simplificada, se puede
decir que la unión CE se comporta como un
cortocircuito, ya que la diferencia de potencial
entre C y E es muy próxima a cero.
. Figura 9.15. Generador de Funciones en 1KHz y 1
8. REFERENCIAS Vpp.

[1] Cuyán, A. (2015). Regiones de operación del transistor

de juntura bipolar (BJT). Aula 2.0 [En línea]. Disponible
en

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INFORME NUMERO CINCO: EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN

Figura 9.16. Señal de Salida para R1 = 56KΩ.

Figura 9.17. Señal de Salida para R1 = 68KΩ.

Figura 9.18. Señal de Salida sin Ce.