FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Paul Panchi Molina, Jonathan Guerrero GR-8 16-01-2020
INFORME No. 8
1. TEMA
DISEÑO DE AMPLIFICADOR CON TBJ
2. OBJETIVOS
2.1. Diseñar amplificador en configuración de Emisor Común, utilizando un TBJ en base a
criterios de diseño.
3. DESARROLLO
3.1. Presentar el diagrama esquemático del circuito implementado en el laboratorio, con los
respectivos cambios de haber existido, con sus debidas justificaciones.
Los cambios realizados fueron en las resistencias de emisor y la de colector debido a que nos daba
una ganancia muy grande con respecto a la solicitada.
Se bajó dicha resistencia y nuestro valor de ganancia se aproximó al pedido en el preparatorio.
3.2. Presentar en un cuadro, las mediciones AC, DC y ganancias de los valores obtenidos en
la práctica y los valores teóricos proporcionados por su simulación del trabajo
preparatorio. Obtener los porcentajes de error y justificarlos.
Valor teórico Valor experimental % error
VB 3.17 V 3.3 V 4.1%
VC 1.2 V 1.3 V 8.33%
VE 1.22 V 1.28 V 4.91%
IB 0.03 mA 0.017 mA 43.33%
IC 12 mA 11.87 mA 1.08%
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
IE 12.3 mA 11.95 mA 2.84%
Nuestro porcentaje de error se debe a la presencia de pequeñas resistencias dentro del TBJ,
la cual, también absorbe corriente, por lo que, altera a comparación con los resultados
obtenidos en la simulación.
3.3. Graficar en hojas de papel milimetrado a escala, las señales de voltaje de entrada y de
salida observadas en el osciloscopio, explique las diferencias o semejanzas con la señal
obtenida en la simulación.
La diferencia con la gráfica de nuestra simulación es que nuestro valor de ganancia no fue tan
preciso como el valor que se solicitaba, la razón ya se justificó en el numeral anterior.
Como nos varía los valores de corriente y de resistencias, la gráfica de Vin y Vout nos sale similar a
la de la simulación, pero, con un pequeño porcentaje de error.
3.4. Consultar los criterios de diseño para los amplificadores en configuración de Base
Común y Colector Común.
Base Común (Caso 1)
Puesto que la salida de este tipo de amplificador es por el Colector, también aquí se cumple que:
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Se presentan los mismos tres casos analizados en el amplificador de Emisor Común.
Debido a que Zin es muy pequeña, no tiene sentido que se cumpla con una Zin,min .
Base Común (Caso 2)
Puesto que la salida de este tipo de amplificador es por el colector, también se cumple que:
Otra vez se presentan los mismos tres casos ya indicados.
Colector Común
La resistencai RC es tan pequeña que para el diseño se asume como RC=0.
Puesto que la salida de este tipo de amplificador es por el emisor, se cumple que:
Aquí también se presentan los 3 casos [similar al diseño del amplificador en Emisor común].
3.5. Consultar el procedimiento de diseño para los amplificadores en configuración de Base
Común y Colector Común.
Base Común (Caso 1)
Asumimos RC
RC < RL
RC = RL
RC > RL
Calculamos VRC
RC
VRC ≥ ∗( VOP )∗( F . S . )
RC ∨¿ RL
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
( factor de seguridad ) F . S=1.2
Calculamos IC.
VRC
IC= En diseño: IC ≈ IE
RC
Calculamos re (resistencia dinámica).
26 [mV ]
ℜ=
IC
Calculamos la estabilidad térmica
RC∨¿ RL
ℜ+ ℜ1=
Av (Ganancia de Voltaje )
a ¿ Debe ser : ℜ1 ≫ ℜ
b ¿ ℜ1 resistenciade valor comercial .
c ¿ ℜ cualquier valor .
Calculamos IB para posteriormente hallar I1 e I2 (I2 mucho mayor que IB) (I1 mucho
mayor que IB + I1)
IC
Calculamos : I 1=11∗IB
IB=
β {
I 2=10∗IB
Constante β conocida .
Calculamos los voltajes del resto del circuito
VCE ≥ VOP+Vact ( Act =2 [ V ] )
VRE 2 ≥ VINP+ 1 [ V ]
VE=VRE 2+VRE 1
VCC=VCE +VE +VRC
VB=VE+VBE
VR 1=VCC−VB
Calculamos el valor de las resistencias
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
VR 1 VB VRE 2
R 1= R 2= ℜ 2=
I1 I2 IC
Calculamos el valor de los capacitores.
XCC ≪ RL
XCB ≪ R 2
XCE ≪ ZIN
Base Común (Caso 2)
Asumimos RC
RC < RL
RC = RL
RC > RL
Calculamos VRC
RC
VRC ≥ ∗( VOP )∗( F . S . )
RC ∨¿ RL
( factor de seguridad ) F . S=1.2
Calculamos IC.
VRC
IC= En diseño: IC ≈ IE
RC
Calculamos re (resistencia dinámica).
26 [mV ]
ℜ=
IC
Calculamos el paralelo de las resistencias R1 y R2.
R 1∨¿ R 2 RC∨¿ RL
ℜ+ =
β+1 Av
Despejando hallamos R 1∨¿ R 2.
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Constante β conocida .
Calculamos IB para posteriormente hallar I1 e I2 (I2 mucho mayor que IB) (I1 mucho
mayor que IB + I1)
IC
Calculamos : I 1=11∗IB
IB=
β +1 {
I 2=10∗IB
Constante β conocida .
Calculamos los voltajes del resto del circuito
VCE ≥ VOP+Vact ( Act =2 [ V ] )
VR 1=VRC +VCE−VBE
Calculamos R1 y R2 junto con los otros voltajes
VR 1
R 1= → R 2→ VB=I 2 R 2 →VE ≥ VINP+1
I1
VE
ℜ=
IC
Calculamos el valor de los capacitores.
XCC ≪ RL
XCB ≪ R 3(Opcional)
XCE ≪ ZIN
Colector Común
Asumimos RC
RC < RL
RC = RL
RC > RL
Calculamos VRC
RC
VRC ≥ ∗( VOP )∗( F . S . )
RC ∨¿ RL
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
( factor de seguridad ) F . S=1.2
Calculamos corriente IE.
VRE
IE= ℜ
Calculamos re (resistencia dinámica).
26 [mV ]
ℜ=
IE
Calculamos IB para posteriormente hallar I1 e I2 (I2 mucho mayor que IB) (I1 mucho
mayor que IB + I1)
IE
IB= Calculamos : I 1=11∗IB
{
β +1 I 2=10∗IB
Calculamos los voltajes del resto del circuito
VCE ≥ VOP+Vact ( Act =2 [ V ] )
VCC=VCE +VE
VB=VE+VBE
VR 1=VCC−VB
Calculamos el valor de las resistencias
VR 1 VB
R 1= R 2=
I1 I2
Calculamos el valor de los capacitores.
XCE ≪ RL
XCB ≪ ZIN
3.6. Diseñar amplificadores con TBJ que cumplan con las siguientes condiciones:
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Base Común
Datos: VINP = 600[mV] |AV|=2 RL = 4.7[Kohm]
Asumimos RC
RC > RL: RC = 2.2 [Kohm]
Calculamos VRC
RC
VRC ≥ ∗( VOP )∗( F . S . )
RC ∨¿ RL
3.3 [ Kohm ]
∴ VRC ≥ ∗( 1.2 )∗( 1.2 )
3.3∨¿ 4.7 [Kohm ]
∴ VRC ≥ 2.45 [ V ] ∴VRC =3[V ]
Calculamos corriente IE, IC.
VRC 3[V ]
IC= = =0.91 [ mA ]
RC 3.3 [ Kohm ]
En diseño: IC ≈ IE
Calculamos re (resistencia dinámica).
26 [mV ] 26 [mV ]
ℜ= = =28.85[Ohm]
IC 0.91 [mA ]
Calculamos re (resistencia dinámica).
RC∨¿ RL
ℜ+ ℜ1= =969.5 [ Ohm ]
Av
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
∴ ℜ1=969.5−28.85=940.85 ∴ ℜ1=940 [ Ohm ]
{ ∴ ℜ=¿ 969.5−940=29.5 [ Ohm ]
Calculamos corrientes:
IC 0.91 [ mA ]
IB= = =9.1 [ μA ]
β 100
I 1=11∗IB=1∗10−4 [ A]
∴
{I 2=10∗IB=0.91∗10− 4 [ A ]
Calculamos los voltajes del resto del circuito
VCE ≥ VOP+Vact ( Vct =2 ) ≥ 3.2 [ V ]
VRE 2 ≥ VINP+ 1 [ V ] ≥ 1.6 [ V ]
VE=VRE 1+VRE 2=2.45 [ V ]
VB=VE+VBE =3.15 [ V ]
VCC=VCE +VE+VRC=9 [ V ]
∴ VCE=3.55 [ V ]
∴ VRE 2=1.6 [ V ]
VR 1=VCC−VB=5.85[V ]
Calculamos resistencias:
VR1
R 1= =58.5 [ Kohm ] =62[ Kohm]
I1
VB
R 2= =3.46 [ Kohm ] =3.6[ Kohm]
I2
VE
ℜ2= −ℜ1=1.76 [ KOhm ] =1.8[ KOhm]
IE
Calculamos capacitores:
1
XCC ≪ RL →CC ≫ ≫0.016 [ μF ]
2 π ( 2000 ) ( 4700 )
∴ CC=0.23 [ μF ]
XCE ≪ Zin →CE ≫ 482[μF ]
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
∴ CE=5.6 [ μF ]
XCB ≪ R 2→ CB ≫ 0.022[ μF]
∴ Cbase=0.23 [ μF ]
Colector Común
Datos: VINP = 2[V] |AV|=1 RL = 1.8[Kohm]
Seleccionamos RE:
RE > RL: RE = 2.4 [Kohm]
Encontramos VRE:
ℜ
VRE ≥ ∗( VOP )∗( F . S . )
ℜ∨¿ RL
2.4 [ Kohm ]
∴ VRE ≥ ∗( 2 )∗( 1.2 )
2.4∨¿ 1.8[ Kohm]
∴ VRE ≥ 5.6 [ V ] ∴VRE=7 [V ]
Calculamos corrientes IC, IE:
VRE 7 [V ]
IE= ℜ = =2.9 [ mA ]
2.4 [ Kohm ]
Calculamos re (resistencia dinámica).
26 [mV ] 26 [mV ]
ℜ= = =8.96[Ohm]
IE 2.9 [mA ]
Calculamos corrientes:
IE 2.9 [ mA ]
IB= = =2.87∗10−5 [ A ]
β +1 101
−4
∴ I 1=11∗IB=3.16∗10−4 [ A ]
{
I 2=10∗IB=2.87∗10 [ A ]
Calculamos los voltajes del resto del circuito
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
VCE ≥ VOP+Vact ( Vct =2 ) ≥ 4 [ V ]
VE=IE∗ℜ=6.96 [ V ]
VB=VE+VBE =7.66 [ V ]
VCC=VCE +VE=10.96 [ V ]
VR 1=VCC−VB=3.3[V ]
Calculamos resistencias:
VR1
R 1= =10.44 [ Kohm ] =12[ Kohm ]
I1
VB
R 2= =26.69 [ Kohm ] =27[ Kohm]
I2
Calculamos capacitores:
1
XCC ≪ RL →CC ≫ ≫ 0.033 [ μF ]
2 π ( 2000 ) ( 2400 )
∴ CC=0.34 [ μF ]
XCB ≪ Zin →CB ≫0.046 [μF ]
∴ Cbase=0.47 [ μF ]
4. CONCLUSIONES
Jonathan Guerrero
La ganancia en un amplificador de emisor común es negativa porque tiene un desfase de
180°.
Como es un amplificador en emisor común por divisor de voltaje, las corrientes de emisor y
colector serán semejantes, mientras que la corriente I2 será por lo menos 10 veces mayor a
IB.
Al no poner el valor exacto de VCC con el valor obtenido en la práctica, esa diferencia de
voltaje caerá en el voltaje colector-emisor VCE.
Paul Panchi Molina
En base a la realización de la practica pudimos comprobar experimentalmente las bases
teóricas recibidas y corroborar detalles como que los capacitores limitan el voltaje dc en el
circuito de tal manera que llegan a convertirse en un corto circuito.
Conforme se llevaba a cabo la practica pudimos ver que el diseño de amplificadores en un
simulador como lo es Proteus es una muy buena aproximación, pero no siempre se alcanzan
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
C.P. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
valores deseados por lo que hay que cambiar algunos valores de resistencias sobre la
marcha.
Concluimos que el capacitor ubicado en el emisor es el que controla la ganancia de voltaje
y cuando esta ganancia no es la deseada la conclusión fue que hay que manipular la
resistencia en el emisor o a su vez el capacitor.
5. RECOMENDACIONES
Se recomienda trabajar con valores comerciales en las resistencias para poder armar
nuestro circuito.
Se recomienda cambiar de TBJ si se puede observar que no amplifica la señal en el
osciloscopio.
Se recomienda subir al valor de la resistencia de emisor 1 para poder subir un poco el
valor de ganancia.
6. BIBLIOGRAFIA
[1] R. Boylestad y Nashelsky, Electrónica: Teoría de circuitos y Dispositivos electrónicos, México:
PEARSON EDUCACIÓN, 2004.
[2] T. Floyd, Dispositivo Electrónicos, México: PEARSON EDUCACIÓN, 2008.
