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PRÁCTICAS DE CIRCUITOS

Y FUNCIONES
ELECTRÓNICAS
Área de Electrónica
Departamento de Electrónica, Tecnología de
Computadoras y Proyectos
Universidad Politécnica de Cartagena

Autores:
Ginés Doménech Asensi
Vicente Garcerán Hernández
Juan Hinojosa Jiménez
José Alejandro López Alcantud
Juan de la Cruz Martínez-Cabeza de Vaca Alajarín
Isidro Villó Pérez
Juan Zapata Pérez
Universidad Politécnica de Cartagena
Departamento de Electrónica, Tecnología de Computadoras y
Proyectos

Área de Electrónica

Prácticas de
Circuitos y Funciones Electrónicas

Autores:
Ginés Doménech Asensi
Vicente Garcerán Hernández
Juan Hinojosa Jiménez
José Alejandro López Alcantud
Juan de la Cruz Martínez-Cabeza de Vaca Alajarín
Isidro Villó Pérez
Juan Zapata Pérez

ii
© 2019, Ginés Doménech Asensi, Vicente Garcerán Hernández, Juan Hinojosa Jiménez,
José Alejandro López Alcantud, Juan de la Cruz Martínez-Cabeza de Vaca Alajarín,
Isidro Villó Pérez, Juan Zapata Pérez.
© 2019, Universidad Politécnica de Cartagena
CRAI Biblioteca
Plaza del Hospital, 1
30202, Cartagena
968325908
[email protected]

Primera edición, 2019


ISBN: 978-84-16325-91-7

Esta obra está bajo una licencia de Reconocimiento-NO comercial-SinObraDerivada (by-nc-nd): no se permite
el uso comercial de la obra original ni la generación de obras derivadas.
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Índice General

Índice de Figuras xi

Índice de Tablas xv

Prólogo a las Prácticas de Circuitos y Funciones Electrónicas xvii

1 Circuito amplificador inversor y no inversor 1


1.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Amplificador inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2.1 Análisis en continua (DC) del amplificador . . . . . . . . . . 4
1.2.2 Resistencia de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.3 Análisis en alterna (AC) del amplificador . . . . . . . . . . . 7
1.2.4 Análisis transitorio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3 Amplificador operacional no inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2 Circuitos sumadores y convertidores 11


2.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.2 Amplificador sumador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.3 Circuito convertidor V-I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.4 Circuito convertidor I-V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

3 Circuitos integrador, derivador y diferencial 17


3.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3.2 Amplificador integrador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3.2.1 Amplificador integrador compensado . . . . . . . . . . . . . . 19
3.3 Amplificador derivador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.4 Amplificador diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.4.1 Caracterización estática . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.4.2 Resistencia de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.4.3 Factor de Rechazo en Modo Común (CMRR) . . . . . . . . . 25

4 Reguladores de tensión en Pspice 27


4.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4.2 Simulación de un regulador reductor buck básico . . . . . . . . . . . 27
4.2.1 Análisis del regulador y estudio de la tensión de salida en
función de tON . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4.2.2 Estudio de la tensión de salida en función de R1 . . . . . . . 29

v
4.3 Simulación de un regulador elevador boost básico . . . . . . . . . . . 30
4.3.1 Análisis del regulador y estudio de la tensión de salida en
función de tON . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.3.2 Estudio de la tensión de salida en función de R1 . . . . . . . 31
4.4 Simulación de un regulador reductor buck con sistema de control en
modo tensión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

5 Caracterización mediante SPICE de puertas TTL y CMOS 33


5.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
5.2 Simulación de puertas TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
5.2.1 Tabla de verdad de una NAND TTL . . . . . . . . . . . . . . 33
5.2.2 Característica de transferencia de una NAND TTL . . . . . . 34
5.2.3 Características estáticas de una NAND TTL . . . . . . . . . 34
5.2.4 Potencia media disipada por una NAND TTL . . . . . . . . . 36
5.2.5 Características dinámicas de una NAND TTL . . . . . . . . . 37
5.3 Simulación de puertas CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5.3.1 Tabla de verdad de una NAND CMOS . . . . . . . . . . . . . 38
5.3.2 Característica de transferencia de una NAND CMOS . . . . . 38
5.3.3 Características estáticas de una NAND CMOS . . . . . . . . 39
5.3.4 Potencia media disipada por una NAND CMOS . . . . . . . 40
5.3.5 Características dinámicas de una NAND CMOS . . . . . . . 40

6 Medidas de características estáticas y dinámicas de puertas lógicas TTL y


CMOS 43
6.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
6.2 Medidas con puertas TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
6.2.1 Tabla de verdad de una puerta NAND de un CI 74LS00 . . . 44
6.2.2 Característica de transferencia de una puerta NAND TTL de
un CI 74LS00 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
6.2.3 Características estáticas de una puerta NAND TTL de un CI
74LS00 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
6.2.4 Potencia media disipada por una puerta NAND TTL de un
CI 74LS00 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
6.2.5 Características dinámicas de una puerta NAND TTL de un
CI 74LS00 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
6.3 Medidas con puertas CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
6.3.1 Característica de transferencia de una puerta NAND CMOS
de un CI 74HCT00 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
6.3.2 Características estáticas de una puerta NAND CMOS de un
CI 74HCT00 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
6.3.3 Potencia media disipada por una puerta NAND CMOS de un
CI 74HCT00 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
6.3.4 Características dinámicas de una puerta NAND CMOS de un
CI 74HCT00 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

7 Simulación de funciones lógicas con PSpice 51


7.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
7.1.1 Riesgos de diseño: Causas y mecanismos de corrección . . . . 51
7.2 Implementación de una función combinacional con puertas lógicas
AND-OR-NOT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
7.3 Eliminación de riesgos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.4 Implementación de una función combinacional con puertas lógicas
NAND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

8 Montajes de funciones combinacionales no aritméticas 55


8.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
8.2 Display de 7 segmentos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
8.3 Implementación de un decodificador BCD/7 segmentos con un CI
específico: 74LS48 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
8.4 Implementación de un decodificador BCD/7 segmentos con multiple-
xores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
8.5 Implementación de un decodificador BCD/7 segmentos con puertas
NAND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

9 Síntesis de funciones lógicas aritméticas 61


9.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
9.2 Semisumador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
9.3 Sumador completo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
9.4 Restador completo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64

10 Síntesis Secuencial I: Biestables y Temporizador 67


10.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
10.2 Configuración del 555 como monoestable no redisparable . . . . . . . 68
10.3 Configuración del 555 como aestable (oscilador) . . . . . . . . . . . . 69

11 Síntesis Secuencial II: Registros y Contadores en Anillo 71


11.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
11.2 Registro de desplazamiento con entrada serie / salida paralelo . . . . 72
11.3 Registro de desplazamiento con entrada paralelo / salida serie . . . . 73
11.4 Registro de desplazamiento universal bidireccional de 4 bits . . . . . 74

12 Síntesis Secuencial III: Contadores Síncronos y Asíncronos 75


12.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
12.2 Caracterización del flip-flop JK: tabla de transiciones . . . . . . . . . 75
12.3 Contador-divisor asíncrono de dos bits . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
12.4 Contador-divisor síncrono de tres bits . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
12.5 Contador de décadas asíncrono . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77

13 Síntesis Secuencial IV: Diseño de un Reloj 79


13.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
13.2 Utilización del contador integrado 74LS93A: diferentes configuracio-
nes para truncar la secuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
13.3 Conversión paralelo a serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
A Trucos, técnicas, e información útil para el trabajo en el Laboratorio de
Circuitos y Funciones Electrónicas 83
A.1 Lectura de los Encapsulados de los Dispositivos Electrónicos . . . . . 83
A.1.1 Resistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
A.1.2 Condensadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
A.1.3 Circuitos Integrados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
A.1.4 Diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
A.1.5 Transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
A.1.6 Tarjetas de Prototipado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87

B PSpice Student Version 91


B.1 Instalación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
B.2 Crear un proyecto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
B.3 Seleccionar un componente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
B.4 Añadir el componente GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
B.5 Relojes digitales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
B.6 Cambiar el modelo PSpice de un componente . . . . . . . . . . . . . 92
B.7 Crear una forma de onda en diente de sierra . . . . . . . . . . . . . . 92
B.8 Crear una variable global para el análisis paramétrico . . . . . . . . 92
B.9 Tipos básicos de perfiles de simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
B.9.1 Análisis en continua, o análisis DC Sweep . . . . . . . . . . . 93
B.9.2 Respuesta en frecuencia, o análisis AC Sweep/Noise . . . . . 93
B.9.3 Análisis temporal, Time Domain (Transient) . . . . . . . . . 93
B.9.4 Análisis del punto de funcionamiento en continua, Bias Point 94
B.10 Análisis de los resultados con PSpice A/D . . . . . . . . . . . . . . . 94

C Utilización del software SP107E de Hameg 97

D Familias lógicas: Tecnologías 99


D.1 Familia TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
D.2 Familia CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
D.3 Conexiones de los CIs TTL y CMOS a caracterizar . . . . . . . . . . 101

E Características estáticas y dinámicas de una familia lógica 103


E.1 Características estáticas de una familia lógica . . . . . . . . . . . . . 103
E.1.1 Característica de transferencia de una puerta . . . . . . . . . 103
E.1.2 Característica de transferencia de una familia lógica . . . . . 105
E.1.3 Margen de ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
E.1.4 Fan-in y Fan-out . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
E.1.5 Disipación de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
E.1.6 Intensidad de salida en cortocircuito (IOS ) . . . . . . . . . . . 109
E.2 características dinámicas de una familia lógica . . . . . . . . . . . . . 110
E.2.1 Tiempos de propagación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
E.2.2 Tiempos de retardo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
E.2.3 Tiempos de transición . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
E.2.4 Determinación de la frecuencia máxima de funcionamiento . . 111
E.2.5 Producto velocidad-potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
F Modelo del Informe de Prácticas 113
F.1 Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
F.2 Metodología . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
F.3 Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
F.4 Conclusión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
F.5 Referencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
F.6 Estilo y presentación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
Índice de Figuras

1.1 Imagen del encapsulado del circuito integrado 741. La muesca se utiliza
para conocer el orden del patillaje. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Distribución del patillaje del circuito integrado 741. . . . . . . . . . . . 2
1.3 Amplificador inversor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.4 Amplificador no inversor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2.1 Amplificador operacional sumador de dos entradas. . . . . . . . . . . . . 12


2.2 Circuito convertidor VI. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.3 Circuito convertidor IV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

3.1 Amplificador integrador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18


3.2 Amplificador integrador compensado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.3 Amplificador derivador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.4 Amplificador diferencial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

4.1 Circuito regulador conmutado reductor buck. . . . . . . . . . . . . . . . 28


4.2 Circuito regulador conmutado elevador boost. . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.3 Circuito regulador conmutado reductor con control en modo tensión. . . 32

5.1 Circuito de comprobación de la tabla de verdad de una NAND TTL. . . 34


5.2 Circuito de comprobación de la característica de transferencia de una
puerta NAND TTL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
5.3 Circuito de medida de potencia consumida por una puerta NAND TTL. 36
5.4 Caracterización dinámica de una puerta NAND TTL. . . . . . . . . . . 37
5.5 Circuito de comprobación de la tabla de verdad de una NAND CMOS. . 38
5.6 Circuito de comprobación de la característica de transferencia de una
puerta NAND CMOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.7 Circuito de medida de potencia consumida por una puerta NAND CMOS. 40
5.8 Caracterización dinámica de una puerta NAND CMOS. . . . . . . . . . 41

6.1 Medida de la característica de transferencia de una puerta NAND TTL


de un CI 74LS00 (entre paréntesis se muestra las conexiones de las patillas). 44
6.2 Montajes para medir la potencia disipada. (a) Para salidas a nivel alto
(H). (b) Para salidas a nivel bajo (L) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
6.3 Montaje para medir las características dinámicas de cuatro puertas NAND
TTL de un CI 74LS00. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

xi
7.1 Tipos de riesgos: a) riesgo estático de 1, b) riesgo estático de 0, c) y d)
riesgos dinámicos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

8.1 Display de 7 segmentos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56


8.2 Conexiones del multiplexor 74LS151. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

9.1 Representación como bloque de un semisumador . . . . . . . . . . . . . 62


9.2 Implementación de un semisumador con XOR y NAND . . . . . . . . . 62
9.3 Esquema de pines 74LS00 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
9.4 Representación como bloque de un sumador completo . . . . . . . . . . 63
9.5 Implementación de un sumador completo con NAND . . . . . . . . . . . 64
9.6 Implementación de un restador completo con NAND . . . . . . . . . . . 65

10.1 Diagrama bloques del temporizador 555 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68


10.2 Patillaje del temporizador 555 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
10.3 Configuración como monoestable-no redisparable . . . . . . . . . . . . . 69
10.4 Configuración como monoestable-no redisparable . . . . . . . . . . . . . 69

11.1 Registro de desplazamiento serie/paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . 72


11.2 Configuración contador en módulo 9 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
11.3 Registro de desplazamiento paralelo/serie . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

12.1 Contador-divisor asíncrono de dos bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76


12.2 Contador-divisor síncrono de 3 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
12.3 Contador de décadas asíncrono . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

13.1 Diferentes configuraciones para truncar la cuenta del contador 74LS93A 80

A.1 Códigos de colores para resistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84


A.2 Encapsulados típicos de condensadores: el tipo A es electrolítico; el tipo
B es de tántalo; los tipos C y D (lenteja) son cerámicos; los tipos E, F y
G son de polyester (plástico). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
A.3 Códigos de colores y encapsulados típicos de condensadores cerámicos y
de plástico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
A.4 Encapsulados típicos de circuitos integrados DIP . . . . . . . . . . . . . 86
A.5 Encapsulados típicos de dispositivos semiconductores discretos . . . . . 87
A.6 Placa protoboard para diseño de circuitos sin soldaduras. A la izquierda
se representa una vista de planta, y a la derecha se muestra como los
agujeros en la protoboard se conectan internamente con pistas de metal. 88
A.7 Dos formas alternativas de un diseño de un circuito electrónico sobre
una protoboard. A la izquierda se muestra un diseño difícil de depurar,
a la derecha un diseño más elaborado pero más fácil de depurar. . . . . 89

C.1 Imagen del programa SP107E de Hameg. . . . . . . . . . . . . . . . . . 97

D.1 Conexión errónea de dos salidas de puertas NAND TTL. . . . . . . . . . 99


D.2 Esquema de conexiones del CI 74LS00 (para el 74HTC00 es el mismo). . 101

E.1 Característica de transferencia de una puerta inversora. . . . . . . . . . 103


E.2 Característica de transferencia de una misma familia. . . . . . . . . . . . 105
E.3 Valores críticos de tensiones con sus respectivos márgenes de ruido. . . . 106
E.4 Conexión de dos puertas inversoras realimentadas. . . . . . . . . . . . . 107
E.5 Función de transferencia para dos puertas inversoras realimentadas para
una misma familia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
E.6 Representación de una puerta inversora nivel alto y nivel bajo. . . . . . 109
E.7 Representación de un retardo entre la entrada y la salida de una puerta
AND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
E.8 Tiempos característicos para una puerta no inversora. . . . . . . . . . . 110
E.9 Señales de entrada y de salida de una puerta no inversora (sin carga)
desfasadas de tp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
Índice de Tablas

1.1 Análisis en continua del amplificador inversor con R1 =2,2 k y R2 =10 k . 4


1.2 Análisis en continua del amplificador inversor con R1 =2,2 k y R2 =33 k . 5
1.3 Respuesta en frecuencia: amplitud. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4 Respuesta en frecuencia: fase. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.5 Análisis en continua del amplificador no inversor. . . . . . . . . . . . . . 10

2.1 Análisis en continua. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12


2.2 Análisis del circuito conversor VI en continua. . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.3 Análisis del circuito conversor VI en función de la carga. . . . . . . . . . 14
2.4 Análisis del circuito conversor IV en continua. . . . . . . . . . . . . . . . 15

3.1 Amplificador integrador: respuesta en frecuencia, amplitud. . . . . . . . 19


3.2 Amplificador integrador: respuesta en frecuencia, fase. . . . . . . . . . . 20
3.3 Amplificador derivador: respuesta en frecuencia, amplitud. . . . . . . . . 21
3.4 Amplificador derivador: fase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.5 Análisis en continua. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.6 Cálculo del CMRR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.7 Cálculo del CMRR con un diferencial descompensado. . . . . . . . . . . 25

4.1 Análisis de la tensión de salida del regulador conmutado buck en función


de ”. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
4.2 Análisis de la tensión de salida del regulador conmutado buck en función
de R1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
4.3 Análisis de la tensión de salida del regulador conmutado boost en función
de ”. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.4 Análisis de la tensión de salida del regulador conmutado boost en función
de R1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

5.1 Medidas realizadas sobre la curva de transferencia NAND TTL. . . . . . 35


5.2 Potencia disipada en la NAND TTL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
5.3 Medidas realizadas sobre la respuesta transitoria de la NAND TTL. . . 37
5.4 Medidas realizadas sobre la curva de transferencia NAND CMOS. . . . 39
5.5 Potencia disipada en la NAND CMOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.6 Medidas realizadas sobre la respuesta transitoria de la NAND CMOS. . 41

6.1 Tabla de verdad de una puerta NAND de un CI 74LS00. . . . . . . . . . 44


6.2 Retardos de propagación de una puerta NAND TTL de un CI 74LS00. . 47

xv
6.3 Retardos de propagación de una puerta NAND CMOS de un CI 74HCT00. 49

8.1 Tabla de verdad del decodificador BCD/7 segmentos. . . . . . . . . . . . 56

D.1 Niveles de tensión de entrada y de salida de algunas familias TTL. . . . 100


Prólogo a las Prácticas de Circuitos y Funciones
Electrónicas

El objetivo de este manual es guiar al alumno en la realización de las prácticas de


la asignatura Circuitos y Funciones Electrónicas. Estas prácticas son el complemen-
to de la parte teórica y se deben realizar en el laboratorio, utilizando el material
electrónico y la instrumentación disponibles. El conjunto de las prácticas se divi-
de en dos secciones: analógica y digital. En la primera sección se realizan cuatro
prácticas. En las tres primeras el alumno montará y verificará el comportamiento
de diversas funciones electrónicas analógicas y en la cuarta práctica se simularán
fuentes conmutadas. En la segunda sección, se realizan siete prácticas de funciones
electrónicas digitales. Cada práctica está estructurada de manera que guíe al alum-
nado en la realización de la misma, indicando los montajes y medidas que debe
realizar. Al final de este manual se han incluido diversos Anexos con información
complementaria para la realización de las prácticas y del Informe de Prácticas que
debe presentarse a la finalización de las mismas. En el Anexo F se indica cómo se
debe redactar dicho informe. En el AulaVirtual de la asignatura estarán las hojas
de especificaciones técnicas (datasheet) de los componentes electrónicos utilizados
en estas prácticas. Es muy conveniente que se disponga de ellos en el laboratorio.
En general, se aconseja que:
1. Realice una lectura previa de esta guía de prácticas. De esta manera tendrá
una idea del material a utilizar, de la instrumentación que necesitará para
hacer la práctica en el puesto de trabajo del laboratorio, y del software (por
ejemplo para la utilización del simulador Pspice lea el Anexo B). También
podrá saber cuáles son los procedimientos que se pueden hacer fuera del labo-
ratorio, siempre y cuando se hayan obtenido los datos en el laboratorio.
2. Realice el montaje del circuito en la placa de montaje rápido (placa de pro-
totipos o protoboard), sin tener conectada la fuente de alimentación. Conozca
con antelación cómo son los encapsulados de los circuitos integrados, utili-
zando los datasheet, como por ejemplo se muestra en la Figura A.4. Una vez
comprobado el circuito, conecte la alimentación. En caso de observar un mal
funcionamiento, desconecte en primer lugar la alimentación y vuelva a revisar
el circuito. Para más información lea el Anexo A.1.6.
3. Antes de la realización de las prácticas se deberá conocer el funcionamiento
de la instrumentación del laboratorio como el generador de funciones, la fuen-
te de alimentación y el osciloscopio. En el AulaVirtual están disponibles los
manuales de diversa instrumentación utilizada en el laboratorio. Asegúrese de

xvii
que la fuente de alimentación está correctamente configurada en el nivel de
tensión necesario para alimentar a los circuitos integrados, y su conexionado
a la placa de montaje rápido es de la polaridad correcta. Desconecte rápida-
mente la fuente de alimentación si algún circuito integrado se calientan en
exceso. Si no funciona el circuito montado, en primer lugar revise bien si las
conexiones son las correctas.
— Práctica Uno —

Circuito amplificador inversor y no inversor

Material necesario
Circuitos integrados: µA741
Resistencias: 2,2 k , 10 k
Potenciómetro: 100 k ,
Fuente de Alimentación de continua.
Generador de Funciones.
Osciloscopio.
Programa SP107E.
Placa Board de montaje rápido.
Cables.

1.1 Introducción
En estas tres primeras prácticas se utilizará un circuito integrado de la serie 741
para la realización de varias funciones analógicas. Este circuito integrado contiene
un amplificador operacional de propósito general. Una imagen de este circuito se
muestra en la Figura 1.1, en la que se observa que tiene ocho patillas o pines. Tal
como se indica en el Anexo A.1.3, la muesca y el pequeño punto se utilizan para la
enumeración de los mencionados pines.
En los encapsulados tipo DIP de 8 pines, como los utilizados en las prácticas,
las conexiones entre los pines y el amplificador operacional se muestra en la Figura
1.2. La denominación utilizada es la siguiente:

1. Offset null. Es el ajuste de offset del amplificador operacional, junto al pin 5.

2. Invertig Input. Es la entrada inversora del amplificador operacional.

3. Non-Invertig Input. Es la entrada no inversora del amplificador operacional.

4. -V. Es el pin de alimentación negativa.

5. Offset null. Es el ajuste de offset del amplificador operacional, junto al pin 1.

1
1. Circuito amplificador inversor y no inversor

Figura 1.1: Imagen del encapsulado del circuito integrado 741. La muesca se utiliza
para conocer el orden del patillaje.

6. Output. Es la salida del amplificador.

7. +V. Es el pin de alimentación positiva.

8. NC. Este pin no se utiliza.

Figura 1.2: Distribución del patillaje del circuito integrado 741.

En general, los objetivos que se pretenden con las prácticas son los siguientes:

- Conocer y usar, de modo apropiado, los instrumentos, componentes y técnicas


de medidas de laboratorio.

- Identificación y aplicación de los conocimientos adquiridos a situaciones habi-


tuales y nuevas con el fin de poder reconocer los problemas y resolverlos con
flexibilidad.

- Describir rigurosamente y con el lenguaje adecuado diseños y observaciones


experimentales. Crear una aptitud para emitir informes técnicos.

- Habilidad de consultar documentación y bibliografía sobre dispositivos y cir-


cuitos electrónicos en lengua inglesa.

- Adquisición de hábitos críticos y de trabajo en grupo.

2
1.2. Amplificador inversor

En esta primera práctica, los objetivos a conseguir se enumeran a continuación:

- Montaje y prueba de funcionamiento del amplificador inversor.

- Realización del análisis en continua, en alterna y transitorio del amplificador


inversor.

- Realizar la medida del Slew Rate de un circuito amplificador.

- Obtener la resistencia de entrada del amplificador inversor.

- Realización del análisis en continua del amplificador no inversor.

1.2 Amplificador inversor


El esquema de la figura 1.3 muestra un amplificador inversor construido con un am-
plificador operacional µA741 y dos resistencias R1 y R2 . El amplificador operacional
consta de dos terminales de entrada (patillas 2 y 3 del circuito integrado para las
entradas inversora y no inversora respectivamente), un terminal de salida (patilla
6 ) y dos terminales de alimentación (patilla 4 alimentación negativa y patilla 7
alimentación positiva), que no se muestran en esta Figura, pero que se conectarán
a la Fuente de Alimentación de continua.
R2

R1 10 k
vI
2,2 k vO

Figura 1.3: Amplificador inversor.

3
1. Circuito amplificador inversor y no inversor

1.2.1 Análisis en continua (DC) del amplificador


Con el circuito de la figura 1.3 montado y alimentado correctamente (±12V), generar
nueve valores de tensión continua de entrada vi desde 0 V hasta +4 V y otros ocho
valores desde 0 V hasta -4. Las tensiones +vi1 y -vi2 se corresponden con los valores
que hacen que el amplificador operacional sature. Para cada valor de la tensión
de entrada, medir la tensión de la salida vo y realizar una tabla con estos valores
medidos. Añadir dos columnas a la tabla anterior: en la primera se indicará el valor
de la ganancia real del circuito, AV real y en la segunda se indicará el valor de la
ganancia teórica AV teórica, calculada suponiendo que el amplificador operacional
es ideal1 . Un ejemplo es la Tabla 1.1

Tabla 1.1: Análisis en continua del amplificador inversor con R1 =2,2 k y R2 =10 k .
vi vo AV real AV teórica
-4
-3
-vi2

+vi1
+3
+4

Con los valores de tensión de salida obtenidos, trazar la función de transferencia


en una figura donde se represente la tensión de entrada vi en el eje de abscisas y la
tensión de salida vo en el eje de ordenadas.
Realizar ahora el análisis en continua con R2 = 33 k . Repetir todos los pasos
del apartado anterior con el nuevo valor de R2 . Los valores de tensión de entrada los
tomamos ahora de la primera columna de la Tabla 1.2 y la función de transferencia
la trazaremos en una nueva gráfica, en la que el eje de abscisas será la tensión vi y
el eje de ordenadas la tensión vo .

1
Para una mejor comparación entre ambos valores de la ganancia, es recomendable medir con
el multímetro los valores reales de las resistencias R1 y R2 . Esta es una recomendación para todas
las prácticas

4
1.2. Amplificador inversor

Tabla 1.2: Análisis en continua del amplificador inversor con R1 =2,2 k y R2 =33 k .
VIN vo AV real AV teórica
-1
-vi2

+vi1
+1

Realice comentarios y justifique los resultados obtenidos. ¿Cuál es el margen


dinámico de la tensión de salida en ambos experimentos?.

5
1. Circuito amplificador inversor y no inversor

1.2.2 Resistencia de entrada


Sobre el mismo circuito de la figura 1.3, con R2 =10 k , aplicaremos una tensión
continua de 1 V a la entrada y mediremos la corriente que circula por la resistencia
R1 (intensidad de entrada). La medida de esta corriente la realizaremos de modo
indirecto, midiendo en primer lugar la caída de tensión en la resistencia R1 y divi-
diendo este valor por el valor real (medido con el polímetro) de R1 . Para comprobar
la independencia del valor de la resistencia de entrada con respecto a la tensión
aplicada al circuito, repetiremos el procedimiento con una tensión de entrada de
VI =2 V.
Valor de RI , con VI =1 V.
Valor de RI , con VI =2 V.

¿Coinciden estos valores con los valores teóricos?

6
1.2. Amplificador inversor

1.2.3 Análisis en alterna (AC) del amplificador


Para realizar el análisis en alterna del amplificador inversor, desconectaremos las
fuentes de continua conectadas a la entrada del mismo, dejando únicamente el circui-
to conectado a la tensión de alimentación (± 12 V). Las resistencias son R1 =2,2 k
y R2 =10 k . Como entrada utilizaremos el generador de funciones2 . Tanto la señal
de entrada como la señal de la salida del circuito se monitorizarán en el osciloscopio.
El análisis en alterna implica tanto el estudio del módulo de la ganancia de
este circuito como el estudio del desfase. Se realizarán, de manera simultánea, dos
medidas para cada valor de la frecuencia de la señal de entrada y, con los datos
obtenidos, se realizarán dos tablas y dos gráficas.
En la primera columna de la Tabla 1.3 se indicarán los valores de la frecuencia
de la señal de entrada (valores que coincidirán con los de la Tabla 1.4). De esta
forma, en la Tabla 1.3 se anotará la evolución del módulo del amplificador y en la
Tabla 1.4 se hará lo mismo con la fase del circuito.
Para cada valor de frecuencia 3 se anotarán la amplitud de entrada vin , la am-
plitud de salida vout y la diferencia temporal (t) entre las señales de entrada y de
salida. Estos valores se indicarán en las columnas 2 y 3 de la Tabla 1.3 y columna
2 de la Tabla 1.4.

Tabla 1.3: Respuesta en frecuencia: amplitud.


Frecuencia Amplitud vin Amplitud vout |AV | |AV | (dB)
(f)

fo =

Terminaremos la Tabla 1.3 calculando el módulo de la ganancia AV y su valor


de decibelios. Una vez completada esta tabla, se procederá a trazar la gráfica de
la amplitud en función de la frecuencia. Para ello el eje de abscisas representará la
frecuencia en escala logarítmica y el eje de ordenadas representará la amplitud en
decibelios.
En ambas Tablas, f0 es el valor de la frecuencia de corte. Para calcular este
valor de forma empírica, tenemos que determinar el valor de la frecuencia a la cual
la ganancia de tensión cae 3 dB con respecto a su valor máximo. En este circuito,
el valor máximo de la ganancia es el valor de ganancia a frecuencia nula, es decir,
2
Es imprescindible que ante una forma de onda de entrada tipo sinusoidal, la salida tenga la
misma forma de onda. Si la salida deja de ser sinusoidal, habrá que reducir la amplitud de la tensión
de entrada hasta que sea necesario. No se olvide de desactivar la función OFFSET del generador
de funciones.
3
Se aconsejan valore espaciados de manera logarítmica. Pero menos espaciados alrededor de la
frecuencia de corte.

7
1. Circuito amplificador inversor y no inversor

en continua. A fin de simplificar


Ô los cálculos, recordemos que una caída de 3 dB
equivale a una atenuación de 1/ 2 unidades.

Tabla 1.4: Respuesta en frecuencia: fase.

Frecuencia Dif. temporal (t) Periodo (T) Desfase („)


(f)

f0 =

Terminaremos la Tabla 1.4 calculando el valor del periodo (T) de la señal de


entrada y del desfase („)4 en grados o en radianes entre las señales de salida y en-
trada. Una vez completada esta tabla, se procederá a trazar la gráfica de la fase en
función de la frecuencia. Para ello el eje de abscisas representará la frecuencia en
escala logarítmica y el eje de ordenadas representará la fase en grados.

Realice comentarios y justifique los resultados obtenidos de ambas respuestas. Com-


pare los resultados con los valores que se obtendrían si el amplificador operacional
fuera ideal.

4
Si la señal de salida está desplazada t unidades temporales respecto a la señal de entrada cuya
frecuencia es f y su periodo T, entonces la fase es „=2fift=2fit/T radianes .

8
1.2. Amplificador inversor

1.2.4 Análisis transitorio


Para realizar el análisis transitorio del amplificador operacional inversor se configura
en el generador de funciones una forma de onda cuadrada de 0,7 Vp de amplitud5 .
Compruebe este valor con el osciloscopio. Este análisis se realizará a varias frecuen-
cias, empezando por la de 1 kHz para ir aumentándola progresivamente, mantenien-
do el valor de la amplitud. Dibuje las gráficas que se observan en el osciloscopio (se
puede utilizar el programa SP107E), en los siguientes casos:

1. En primer lugar se configura la frecuencia del generador de funciones a 1 kHz.


Anote la forma de onda a la salida del amplificador y realice la justificación
correspondiente.

2. Aumente la frecuencia hasta que la forma de onda de la salida no sea una


señal cuadrada. Anote el valor de esta frecuencia.

3. Siga aumentado la frecuencia hasta que casi desaparezcan los tramos horizon-
tales en la forma de onda de la salida. Anote el valor de esta frecuencia.

4. Siga aumentado la frecuencia hasta que la forma de onda a la salida sea una
señal triangular. Anote el valor de esta frecuencia y calcule el valor de la
velocidad de respuesta (Slew Rate) 6 del amplificador operacional.

Realice comentarios y justifique los resultados obtenidos.

5
Utilice la salida de señal analógica del generador y desactivada la función OFFSET del gene-
rador de funciones.
6
La velocidad de respuesta mide la relación V/ t, en V/µs

9
1. Circuito amplificador inversor y no inversor

1.3 Amplificador operacional no inversor


En la Figura 1.4 se muestra un amplificador operacional no inversor, construido
con un amplificador operacional, una resistencia fija R1 y un potenciómetro R2 . El
amplificador está alimentado con una tensión de ± 12 V.

R2

R1
2,2 k 100 k

vO
vI

Figura 1.4: Amplificador no inversor.

Se pide realizar la caracterización estática del circuito (análisis DC). Para hacer
este análisis se variará el potenciómetro R2 y se comprobará que se verifica la
expresión de la ganancia de tensión de este circuito (AV = 1 + R2 /R1 ). Conecte a
la entrada un valor de tensión continua de 0,1 V y mida los valores de tensión de la
salida del amplificador. Con los datos obtenidos rellene la Tabla 1.5.

Tabla 1.5: Análisis en continua del amplificador no inversor.


R2 VO AV real AV teórica
10 k

100 k

Realice comentarios y justifique los resultados obtenidos.

10
— Práctica Dos —

Circuitos sumadores y convertidores

Material necesario
Circuitos integrados: µA741
Resistencias: 1 k , 2,2 k , 10 k
Potenciómetro: 10 k ,
Generador de Señal y Osciloscopio.
Placa Board de montaje rápido.
Cables.

2.1 Introducción
En esta segunda práctica de funciones analógicas se pretenden los siguientes objeti-
vos:

- Montaje y prueba de funcionamiento del amplificador sumador.

- Realización del análisis de los circuitos convertidores VI e IV.

2.2 Amplificador sumador


Un amplificador operacional sumador como el de la figura 2.1 se puede utilizar
para sumar una tensión continua a otra alterna o bien dos tensiones de la misma
naturaleza, asignando a cada una de ellas una ganancia determinada.
Alimentar el amplificador a la tensión de ±12 V y conectar como señales de entrada
dos tensiones continuas. Completar los valores de la Tabla 2.1 para diferentes valores
de las señales de entrada, calculando la ganancia real medida y la teórica esperada
del circuito.
¿Coinciden en todos los casos los valores de ganancia teórico y real? Si no es así,
razonar por qué ocurre esto.

11
2. Circuitos sumadores y convertidores

R1 Rf
2,2 k 10 k
v1
R2
2,2 k vO
v2

Figura 2.1: Amplificador operacional sumador de dos entradas.

Tabla 2.1: Análisis en continua.


v1 v2 vo AV real AV teórica
-2 1
-1.5 1
-1 1
-0.5 1
-0.5 2
-1 2
-1.5 2
0 2
0.5 2
1 2
2 -1
2.5 -1
3 -1

Sustituir ahora la tensión continua v2 por una tensión alterna v2 = 0,5·sen(2fi2000t).


Para cada uno de los valores siguientes de la tensión continua v1 = 1 V , v1 = ≠1 V ,
v1 = 2 V y v1 = ≠2 V obtener las cuatro gráficas de la tensión de salida, de manera
que se visualicen en el osciloscopio1 entre 5 y 10 ciclos completos de la señal alterna.

1
Para poder medir las señales de forma correcta en el osciloscopio es preciso que éste esté
configurado para medir señales de continua (tecla AC/DC en posición DC).

12
2.3. Circuito convertidor V-I

2.3 Circuito convertidor V-I


Otra de las funciones que se puede implementar con un amplificador operacional
es el de la conversión tensión-intensidad. En el circuito de la Figura 2.2 si se cum-
ple la igualdad R1 R3 = R2 R4 , entonces la intensidad que circula por la carga es
iL =≠vIN /R4 .

Figura 2.2: Circuito convertidor VI.

Para cada valor de vi indicado en la Tabla 2.2 mida la tensión en la resistencia R4 .


Obtenga los valores de iL real a partir del valor obtenidos en la medida anterior y el
valor que debe tener iL si se calcula de manera teórica. Realice una representación

Tabla 2.2: Análisis del circuito conversor VI en continua.


v1 v RL iL real iL teórica
-2 1k
-1.5 1k
-1 1k
-0.5 1k
0 1k
+0.5 1k
+1 1k
+1,5 1k
2 1k

gráfica de iL = f(vi ). ¿Coinciden en todos los casos los valores de iL teórico y real?
Si no es así, razonar por qué ocurre esto.

13
2. Circuitos sumadores y convertidores

Finalmente se analiza la dependencia del valor de IL con el de la carga RL . Se


necesita un potenciómetro conectado como carga, éste se ajusta a un valor mínimo
de 1 k y se va incrementando en pasos de 200 , según los valores indicados en la
segunda columna de la Tabla 2.3, hasta que el valor de IL real sea muy distinto de
IL teórico. El valor de vi se mantiene constante en +1 V.

Tabla 2.3: Análisis del circuito conversor VI en función de la carga.


v1 RL v iL real iL teórica
+1 1k
+1 1.4 k
+1 1.6 k
+1 1.8 k
+1 2k
+1 2.2 k
+1
+1
+1
+1
+1

Justifique el valor de RL a partir del cual el valor de IL real es muy distinto de


IL teórico.

14
2.4. Circuito convertidor I-V

2.4 Circuito convertidor I-V


En la Figura 2.3 se representa el circuito completo del conversor intensidad a tensión,
en el que se ha utilizado el circuito conversor VI para proporcionar la corriente de
entrada al convertidor IV. Analice el funcionamiento del circuito si la tensión v1 se

Figura 2.3: Circuito convertidor IV.

hace variar entre -2 V y +2 V. Para cada valor de la tensión de entrada se mide el


valor de v y de vout real y se obtienen los valores de iL teórico y de vout teórico.
Realice una representación gráfica de vout real = f(vi ). ¿Coinciden en todos los casos?
Si no es así, razonar por qué ocurre esto.

Tabla 2.4: Análisis del circuito conversor IV en continua.


v1 v iL real vout teórico vout real
-2
-1.5
-1
-0.5
0
+0.5
+1
+1,5
2

15
— Práctica Tres —

Circuitos integrador, derivador y diferencial

Material necesario
Circuitos integrados:µA741
Condensadores: 10 nF
Resistencias: 2,2 k , 10 k , 100 k
Fuente de Alimentación de continua.
Generador de Funciones.
Osciloscopio.
Programa SP107E.
Placa Board de montaje rápido.
Cables.

3.1 Introducción
Los objetivos que se pretenden alcanzar con esta práctica son los siguientes:

- Montaje y prueba de funcionamiento del amplificador integrador.

- Realización del análisis en alterna del amplificador integrador compensado.

- Realización del análisis en alterna del amplificador derivador.

- Realización del análisis del amplificador diferencial: caracterización estática,


resistencias de entrada y factor de rechazo del modo común.

3.2 Amplificador integrador


En la figura 3.1 se muestra un amplificador integrador construido con un amplifica-
dor operacional µA741, una resistencia y un condensador que sirve de elemento de
realimentación.
Comprobar la función integradora del amplificador introduciendo señales cuadradas,
triangulares y sinusoidales de ±0,5 Vp de amplitud y de 100, 500 y 1000 Hz. Capturar

17
3. Circuitos integrador, derivador y diferencial

R1
10 nF
vI
2,2 k vO

Figura 3.1: Amplificador integrador.

la imagen del osciloscopio utilizando la utilidad del ordenador, en la que se muestren


las señales de entrada y salida, indicando los valores de amplitud y tiempo.
Para cada uno de los tipos de señal, justifique el comportamiento del integrador
a las tres frecuencias indicadas.

18
3.2. Amplificador integrador

3.2.1 Amplificador integrador compensado


Si al amplificador integrador le añadimos una resistencia en paralelo con el conden-
sador obtenemos un amplificador integrador compensado, similar al de la figura 3.2.

R2
10 k

C
R1
vI 10 nF
2,2 k vO

Figura 3.2: Amplificador integrador compensado.

Para este circuito se pide determinar de forma experimental la amplitud (módulo)


y la fase de la respuesta en frecuencia, rellenando los valores de las tablas 3.1 y 3.2.
Se realizarán, de manera simultánea, dos medidas para cada valor de la frecuencia
de la señal de entrada y, con los datos obtenidos, se realizarán dos tablas y dos
gráficas.
En la primera columna de la Tabla 3.1 se indicarán los valores de la frecuencia
de la señal de entrada (valores que coincidirán con los de la Tabla 3.2). De esta
forma, en la Tabla 3.1 se anotará la evolución del módulo del amplificador y en la
Tabla 3.2 se hará lo mismo con la fase del circuito. Para cada valor de frecuencia
1 se anotarán la amplitud de entrada v , la amplitud de salida v
in out y la diferencia
temporal (t) entre las señales de entrada y de salida. Estos valores se indicarán en
las columnas 2 y 3 de la Tabla 3.1 y columna 2 de la Tabla 3.2.

Tabla 3.1: Amplificador integrador: respuesta en frecuencia, amplitud.

Frecuencia Amplitud vin Amplitud vout |AV | |AV | (dB)

fo =

Cumplimente la Tabla 3.1 calculando el módulo de la ganancia AV y su valor


de decibelios. Una vez completada esta tabla, se procederá a trazar la gráfica de
la amplitud en función de la frecuencia. Para ello el eje de abscisas representará la
1
Se aconsejan valore espaciados de manera logarítmica. Pero menos espaciados alrededor de la
frecuencia de corte.

19
3. Circuitos integrador, derivador y diferencial

frecuencia en escala logarítmica y el eje de ordenadas representará la amplitud en


decibelios.
En ambas Tablas, f0 es el valor de la frecuencia de corte. Para calcular este
valor de forma empírica, hay que determinar el valor de la frecuencia a la cual la
ganancia de tensión cae 3 dB con respecto a su valor máximo. En este circuito, el
valor máximo de la ganancia es el valor de ganancia a frecuencia nula, es decir, en
continua. A fin de simplificar
Ô los cálculos, recuerde que una caída de 3 dB equivale
a una atenuación de 1/ 2 unidades.

Tabla 3.2: Amplificador integrador: respuesta en frecuencia, fase.

Frecuencia Diferencia temporal (t) Periodo (T ) Desfase („)

f0 =

Termine de cumplimentar la Tabla 3.2 calculando el valor del periodo (T) de


la señal de entrada y del desfase („) en grados o en radianes entre las señales de
salida y entrada. Una vez completada esta tabla, se procederá a trazar la la gráfica
de la fase en función de la frecuencia. Para ello el eje de abscisas representará la
frecuencia en escala logarítmica y el eje de ordenadas representará la fase en grados.

Realice comentarios y justifique los resultados obtenidos de ambas respuestas. ¿Coin-


cide la frecuencia de corte teórica con la experimental?. Razone la respuesta.

20
3.3. Amplificador derivador

3.3 Amplificador derivador


En la figura 3.3 se muestra un amplificador derivador compensado, compuesto por
un amplificador operacional, un condensador y dos resistencias.

R2
R1 C
10 k
vI
2,2 k 10 nF vO

Figura 3.3: Amplificador derivador.

Para este circuito se pide determinar de forma experimental la amplitud (módulo)


y la fase de la respuesta en frecuencia, rellenando los valores de las tablas 3.3 y 3.4.
Se realizarán, de manera simultánea, dos medidas para cada valor de la frecuencia
de la señal de entrada y, con los datos obtenidos, se realizarán dos tablas y dos
gráficas.
En la primera columna de la Tabla 3.3 se indicarán los valores de la frecuencia
de la señal de entrada (valores que coincidirán con los de la Tabla 3.4). De esta
forma, en la Tabla 3.3 se anotará la evolución del módulo del amplificador y en la
Tabla 3.4 se hará lo mismo con la fase del circuito. Para cada valor de frecuencia2
se anotarán la amplitud de entrada vin , la amplitud de salida vout y la diferencia
temporal (t) entre las señales de entrada y de salida. Estos valores se indicarán en
las columnas 2 y 3 de la Tabla 3.3 y columna 2 de la Tabla 3.4.

Tabla 3.3: Amplificador derivador: respuesta en frecuencia, amplitud.

Frecuencia Amplitud vin Amplitud vout |AV | |AV | (dB)

fo =

Termine la Tabla 3.3 calculando el módulo de la ganancia AV y su valor de


decibelios. Una vez completada esta tabla, se procederá a trazar la gráfica de la
amplitud en función de la frecuencia. Para ello el eje de abscisas representará la
frecuencia en escala logarítmica y el eje de ordenadas representará la amplitud en
decibelios.
2
Se aconsejan valores espaciados de manera logarítmica. Pero menos espaciados alrededor de
la frecuencia de corte.

21
3. Circuitos integrador, derivador y diferencial

En ambas Tablas, f0 es el valor de la frecuencia de corte. Para calcular este


valor de forma empírica, hay que determinar el valor de la frecuencia a la cual la
ganancia de tensión cae 3 dB con respecto a su valor máximo. En este circuito, el
valor máximo de la ganancia es el valor de ganancia a frecuencia nula, es decir, en
continua. A fin de simplificar
Ô los cálculos, recuerde que una caída de 3 dB equivale
a una atenuación de 1/ 2 unidades.

Tabla 3.4: Amplificador derivador: fase

Frecuencia Diferencia temporal (t) Periodo (T ) Desfase („)

f0 =

Completar la Tabla 3.4 calculando el valor del periodo (T) de la señal de entrada
y del desfase („) en grados o en radianes entre las señales de salida y entrada. Una
vez completada esta tabla, se procederá a trazar la gráfica de la fase en función
de la frecuencia. Para ello el eje de abscisas representará la frecuencia en escala
logarítmica y el eje de ordenadas representará la fase en grados.

Realice comentarios y justifique los resultados obtenidos de ambas respuestas. ¿Coin-


cide la frecuencia de corte teórica con la experimental?. Razone la respuesta.

22
3.4. Amplificador diferencial

3.4 Amplificador diferencial


Un amplificador diferencial es un circuito diseñado específicamente para amplifi-
car señales diferenciales, eliminando las señales comunes (componentes de ruido u
otras magnitudes) presentes en los terminales de entrada. La figura 3.4 muestra un
amplificador diferencial construido mediante un amplificador operacional y cuatro
resistencias.
R2
10 k
R1
2,2 k
vB
vO
vA
R3
2,2 k R4
10 k

Figura 3.4: Amplificador diferencial.

3.4.1 Caracterización estática


Realizar la caracterización estática (o caracterización en continua o DC) del ampli-
ficador diferencial de la figura 3.4 introduciendo diferentes valores de tensión en las
entradas A y B del circuito para completar la Tabla 3.5. El rango de estas tensiones
debe estar entre ±3 V y tenga en cuenta que |VA ≠ VB | Æ 2,5 V.

Tabla 3.5: Análisis en continua.


VA VB VO real VO teórica Ad = V0 /(VA ≠ VB )

23
3. Circuitos integrador, derivador y diferencial

3.4.2 Resistencia de entrada


Determinar experimentalmente la resistencia de entrada tanto en la entrada A como
en la entrada B del amplificador diferencial. En un circuito de varias entradas la
medida de la resistencia en una de ellas se realiza conectando a masa el resto de
entradas y midiendo la relación entre la tensión aplicada en esa entrada (VI ) y
la intensidad que circula por la misma (II ). Al igual que en casos anteriores, la
intensidad (II ) se medirá de forma indirecta, como la relación entre la caída de
tensión en una resistencia (R3 para la entrada A y R1 para la entrada B) y la
corriente que circula por ella.

Cálculo de RIA =

Cálculo de RIB =

Justificar el valor obtenido para sendas resistencias de entrada.

24
3.4. Amplificador diferencial

3.4.3 Factor de Rechazo en Modo Común (CMRR)


El Factor de Rechazo en Modo Común de un amplificador diferencial se determina
mediante la siguiente relación:
Ad
CM RR = (3.1)
Ac
donde Ad y Ac son los valores de la ganancia de tensión diferencial y la ganancia de
tensión en modo común respectivamente. La ganancia Ad se ha determinado en la
caracterización en continua del amplificador, por lo que ahora se debe medir el valor
de Ac . Para ello, se conectan ambas entradas A y B a una misma fuente de tensión,
que en este caso va a ser el generador de señal (antes de conectar el generador,
hay que desconectar las fuentes de continua que pudiese haber conectadas en dichas
entradas). La señal alterna que se introduce en ambas entradas tendrá una amplitud
de 1 Vpp y una frecuencia de 500 Hz. Con los datos obtenidos rellene la Tabla 3.6.

Tabla 3.6: Cálculo del CMRR.


VOpp Ad Ac CMRR

Compare el resultado de la relación de rechazo del modo común que ha obtenido


con la que se indica en el datasheet del amplificador operacional µA741. ¿Son iguales,
parecidas o muy diferentes?. ¿Por qué?.

Ahora mida el CMRR en un amplificador diferencial cuyo circuito no cumple la


relación R2 /R1 = R4 /R3 (relación que anula te tensión en modo común del circui-
to). Este tipo de amplificador diferencial descompensado se obtiene sustituyendo la
resistencia R4 de 10 k por una de 100 k . En estas condiciones determinar el valor
de Ac por el mismo procedimiento del caso anterior y el de Ad conectado la entrada
A a la misma tensión sinusoidal, pero con la entrada B a masa (hay que separar de
nuevo ambas entradas). Rellenar los valores de la Tabla 3.7.

Tabla 3.7: Cálculo del CMRR con un diferencial descompensado.


VOpp Ad Ac CMRR

Justifique los valores experimentales obtenidos.

25
— Práctica Cuatro —

Reguladores de tensión en Pspice

Material necesario
Programa Pspice Student Version
Transistores: IRF9140, IRF150
Condensadores: 375 µF, 75 µF
Inductancias: 6.25 mH 250 µH
Resistencias: 10 , 80
Diodos: BAR74
Fuente de Alimentación de continua: VDC
Generador de Pulso: VPULSE

4.1 Introducción
En esta práctica se realizará el montaje y simulación de:

- El regulador reductor buck.

- El regulador elevador boost.

- El regulador reductor buck con sistema de control en modo tensión.

4.2 Simulación de un regulador reductor buck básico


4.2.1 Análisis del regulador y estudio de la tensión de salida en función de tON
En la Figura 4.1 se muestra un circuito regulador de tensión conmutado del tipo
reductor o buck. La fuente de tensión periódica VPULSE genera una forma de onda
cuadrada y se utiliza para realizar la simulación temporal puesto que PSpice asume
que dicha fuente está definida en el dominio del tiempo. TD, TR y TF son los Delay
Time, Fall Time y Rise Time, que se han fijado en 1 ns. El periodo es PER=250 µs,
por lo que la señal tiene una frecuencia fija de fs =4 kHz. El valor de V1 se fija
en +12 V y el de V2 en 0 V. El valor PW se corresponde con el tiempo en que la

27
4. Reguladores de tensión en Pspice

tensión del pulso está en V2. Se utilizará la variable gobal {tON}1 para estudiar la
variación de la tensión de salida en función de tON . Recuérdese que ” es la relación
entre tON y T. Realice el análisis temporal2 utilizando la variable global {tON}

Figura 4.1: Circuito regulador conmutado reductor buck.

como parámetro variable. Rellene la Tabla 4.1 con los datos de la simulación, una
vez alcanzado el régimen permanente. Tenga en cuenta los valores de VSAT y de VF
para el cálculo de la Vout teórica.
Añada una gráfica en donde quede reflejada toda la simulación temporal del
circuito. ¿Coinciden los valores reales con los teóricos?

Tabla 4.1: Análisis de la tensión de salida del regulador conmutado buck en función
de ”.
tON T ” Vout teórica Vout real

Para tON =160 µs obtenga los valores de las corrientes iL , iC y iR . Realice


una gráfica, con tres trazas separadas, donde se aprecien estas tres corrientes. Cal-
cule el valor de teórico de iL , conocidos L, Vinput , Voutput y fs , ¿coincide el valor
real con el teórico?
1
Leer la sección Crear una variable global para el análisis paramétrico.
2
Leer la sección Análisis temporal, Time Domain (Transient).

28
4.2. Simulación de un regulador reductor buck básico

Represente en una gráfica, con cinco trazas separadas, la forma de onda de


VPULSE, la corriente de drenador del MOSFET, la del diodo, la de la bobina y la
del condensador, a tON =160 µs. ¿Coinciden estas formas de onda con las teóricas?
Finalmente, obtenga el valor experimental de vout y compárelo con el valor
teórico calculado a partir del valor de C, iL y fs .

4.2.2 Estudio de la tensión de salida en función de R1


Este circuito de regulador conmutado no dispone de un sistema de control que
regule el valor de ” en función de las variaciones de la carga o de la tensión de
entrada, puesto que funciona a circuito abierto. En este apartado se estudia el
comportamiento de la tensión de salida en función de la carga. Para realizarlo se
elimina la variable global {tON} y se fija el valor de PW en 120 µs. En el valor
de la resistencia R1 se pone el nombre de la variable global, por ejemplo {RVAL}3 .
Elija varios valores representativos para {RVAL} y con ellos realice la simulación
temporal, obteniendo los valores de Vout , que se indicarán en la Tabla 4.2. Realice
la justificación de los valores obtenidos. ¿Cuál sería el rango de valores de R1 para
los que la tensión de salida real sea igual al valor de la tensión teórica ±0,25 V?

Tabla 4.2: Análisis de la tensión de salida del regulador conmutado buck en función
de R1 .
R1 ” Vout teórica Vout real

3
Se deberá editar un nuevo componente PARAM y poner la nueva variable en la configuración
del análisis parametrico.

29
4. Reguladores de tensión en Pspice

4.3 Simulación de un regulador elevador boost básico


4.3.1 Análisis del regulador y estudio de la tensión de salida en función de tON
En la Figura 4.2 se muestra un circuito regulador de tensión conmutado del tipo
elevador o boost. La fuente de tensión periódica VPULSE genera una forma de onda
cuadrada y se utiliza para realizar la simulación temporal puesto que PSpice asume
que dicha fuente está definida en el dominio del tiempo. TD, TR y TF son los Delay
Time, Fall Time y Rise Time, que se han fijado en 1 ns. El periodo es PER=10 µs,
por lo que la señal tiene una frecuencia fija de 100 kHz. El valor de V1 se fija en 0 V
y el de V2 en +12 V. El valor PW se corresponde con el tiempo en que la tensión
del pulso está en V2. Se utilizará la variable gobal {tON} para estudiar la variación
de la tensión de salida en función de tON . Recuérdese que ” es la relación entre tON
y T.

Figura 4.2: Circuito regulador conmutado elevador boost.

Realice el análisis temporal utilizando la variable global {tON} como parámetro


variable. Rellene la Tabla 4.3 con los datos de la simulación, una vez alcanzado el
régimen permanente. Tenga en cuenta los valores de VSAT y de VF para el cálculo
de la Vout teórica.
Añada una gráfica en donde quede reflejada toda la simulación temporal del
circuito.
Para tON =5 µs obtenga los valores de las corrientes iL y iR . Realice una
gráfica, con dos trazas separadas, donde se aprecien estas dos corrientes. Calcule el
valor de teórico de iL , conocidos L, Vinput , Voutput y fs , ¿coincide el valor real con
el teórico?
Represente en una gráfica, con cinco trazas separadas, la forma de onda de
VPULSE, la corriente de drenador del MOSFET, la del diodo, la de la bobina y la
del condensador, a tON =5 µs.
Finalmente, obtenga el valor experimental de vout y compárelo con el valor
teórico calculado a partir del valor de C, iL y fs .

30
4.3. Simulación de un regulador elevador boost básico

Tabla 4.3: Análisis de la tensión de salida del regulador conmutado boost en función
de ”.
tON T ” Vout teórica Vout real

4.3.2 Estudio de la tensión de salida en función de R1


Este circuito de regulador conmutado no dispone de un sistema de control que
regule el valor de ” en función de las variaciones de la carga o de la tensión de
entrada, puesto que funciona a circuito abierto. En este apartado se estudia el
comportamiento de la tensión de salida en función de la carga. Para realizarlo se
elimina la variable global {tON} y se fija el valor de PW en 5 µs. En el valor de
la resistencia R1 se pone el nombre de la variable global, por ejemplo {RVAL}4 .
Elija varios valores representativos para {RVAL} y con ellos realice la simulación
temporal, obteniendo los valores de Vout , que se indicarán en la Tabla 4.4. Realice la
justificación de los valores obtenidos. ¿Cuál es el valor de R1 para los que la tensión
de salida real tenga un rizado de 65 mV?

Tabla 4.4: Análisis de la tensión de salida del regulador conmutado boost en función
de R1 .
R1 ” Vout teórica Vout real

4
Se deberá editar un nuevo componente PARAM y poner la nueva variable en la configuración
del análisis parametrico.

31
4. Reguladores de tensión en Pspice

4.4 Simulación de un regulador reductor buck con sistema de control


en modo tensión
En la Figura 4.3 se muestra un circuito regulador de tensión conmutado del tipo
reductor con un circuito añadido que realiza el control en modo tensión. El objetivo
del control es mantener constante la tensión de salida ante cambios de la carga y
de la tensión de entrada. En este apartado se pide:

• En primer lugar realice la simulación en el caso de que la carga varíe desde 10


hasta 5 , la tensión V2 es de +12Vdc. Haga la representación gráfica de las
tensiones del circuito de control: salidas de los amplificadores operacionales
y del generador de diente de sierra. En una gráfica separada, represente la
tensión de salida para cada valor de R1 . Calcule el valor de la regulación de
carga en [ %/A].

• Finalmente, realice la simulación en el caso de que la tensión de entrada varíe


desde +12 a +14V y R1 es 10 . Haga la representación gráfica de las tensio-
nes del circuito de control: salidas de los amplificadores operacionales y del
generador de diente de sierra. En una gráfica separada, represente la tensión
de salida para cada valor de R1 . Calcule el valor de la regulación de línea en
[ %/V].

Figura 4.3: Circuito regulador conmutado reductor con control en modo tensión.

32
— Práctica Cinco —

Caracterización mediante SPICE de puertas TTL y CMOS

5.1 Introducción
En esta primera práctica de la parte digital de la asignatura se hará uso de si-
muladores de circuitos electrónicos basados en SPICE, un lenguaje que permite la
descripción de circuitos electrónicos y microelectrónicos y su simulación. Se ha es-
cogido el entorno de diseño y simulación Capture CIS de Cadence por ser uno de
los más comúnmente empleados en el ámbito del diseño de circuitos electrónicos y
microelectrónicos.
Se van a realizar simulaciones de circuitos lógicos que emplean puertas de la
familia lógica TTL y otros que emplean puertas de la familia lógica CMOS. La
principal característica de la primera de ellas es su velocidad frente al bajo consumo
de la segunda.

5.2 Simulación de puertas TTL


Se va a emplear una puerta TTL estándar construida a partir de la estructura que
se da en la teoría de la asignatura. Se trata de una puerta NAND TTL simplificada
y construida a partir de resistencias, transistores bipolares y diodos comerciales que
servirán para estimar el comportamiento de dicha puerta y efectuar las medidas
necesarias a partir de las simulaciones correspondientes a cada uno de los apartados
en que se descompone esta sesión de prácticas.
El modelo de transistor bipolar que se empleará en el apartado TTL es el 2N3904
(disponible en la biblioteca “bipolar”), mientras que el modelo de diodo es el 1N4002
(disponible en la biblioteca “diode”).

5.2.1 Tabla de verdad de una NAND TTL


Para la realización de la tabla de verdad de la puerta NAND, se emplearan dos
fuentes ‘VPULSE’ extraídos de la biblioteca SOURCE. El circuito final resultante
debe tener el aspecto de la Figura 5.1.
Para generar la señal correspondiente a cada uno de las entradas de la puerta
NAND, hay que rellenar los campos que aparecen al hacer doble click sobre la fuente

33
5. Caracterización mediante SPICE de puertas TTL y CMOS

VCC

R1 R2 R3
4k 1, 4 k 100

Q4

Q2
V1=0 V2 Q1
V2=5 D1
T D = 10 u
TR = 1 u
VCC TF = 1 u vout
P W = 0,25 m
P ER = 0,50 m Q1b Q3

V1 R4
5V V1=0 V3 1k
V2=5
TD = 0
TR = 1 u
TF = 1 u
P W = 0,5 m
P ER = 1 m

Figura 5.1: Circuito de comprobación de la tabla de verdad de una NAND TTL.

‘VPULSE’ seleccionada. Concretamente son los campos V1, V2, TD, TR, TF, PW
y PER. Las señales generadas por las dos fuentes deben ser una de frecuencia doble
de la otra para obtener todas las combinaciones necesarias en las dos entradas y
generar la tabla de verdad.
Realice una simulación transitoria en la que se visualicen todos los estados posi-
bles de las dos entradas así como la salida de la puerta NAND. Incluya las capturas
de pantalla que considere necesarias para comprobar el tipo de simulación realizada
y los resultados de simulación.

5.2.2 Característica de transferencia de una NAND TTL


En esta ocasión se cortocircuitan las dos entradas de la puerta NAND y se conectan
a una fuente de continua (‘VDC’, de la biblioteca SOURCE) sobre la que se realizará
un barrido DC. El circuito final resultante debe asemejarse al mostrado en la Figura
5.2.
Realice un barrido en continua para obtener la función de transferencia de la
puerta NAND TTL. Incluya las capturas de pantalla que considere necesarias para
comprobar el tipo de simulación realizada y los resultados de simulación.

5.2.3 Características estáticas de una NAND TTL


Sobre la gráfica resultante de la simulación anterior, puede marcar los puntos de la
curva que permiten medir VILmax , VIHmin , VOLmax y VOHmin de acuerdo al Anexo
E. Complete la Tabla 5.1.

34
5.2. Simulación de puertas TTL

VCC

R1 R2 R3
4k 1, 4 k 100

Q4

Q2
Q1
D1

vout
VCC
Q1b Q3

V2 V1 R4
5V 0 V dc 1k

Figura 5.2: Circuito de comprobación de la característica de transferencia de una


puerta NAND TTL.

Tabla 5.1: Medidas realizadas sobre la curva de transferencia NAND TTL.

Concepto Valor
VOHmax
VOHmin
VOLmax
VOLmin
VILmax
VILmin
VIHmax
VIHmin
Margen de ‘0’ (VIL )
Margen de ‘1’ (VIH )
Margen de transición (VT )
Amplitud lógica (VL )

35
5. Caracterización mediante SPICE de puertas TTL y CMOS

5.2.4 Potencia media disipada por una NAND TTL


Se puede obtener la potencia disipada por una puerta a través de la medida de
corriente que demanda dicha puerta sin que se le conecte carga alguna a su salida.
Es necesario medir la corriente demandada para los estados de salida en alta y en
baja. Emplee el circuito de la Figura 5.3 para medir la corriente demandada por la
puerta en sus dos estados de salida y calcular la potencia media disipada. Puede
emplear una sonda de corriente en la fuente V 1 para medir la corriente demandada
por la puerta a la tensión de alimentación.
VCC

R1 R2 R3
4k 1, 4 k 100

Q4

Q2
Q1
D1

vout
VCC
Q1b Q3

V1 R4
5V V1=0 V2 1k
V2=5
TD = 0
I TR = 1 u
TF = 1 u
P W = 0,5 m
P ER = 1 m

Figura 5.3: Circuito de medida de potencia consumida por una puerta NAND TTL.

Realice un análisis transitorio para visualizar la corriente que demanda la puerta


NAND TTL en sus dos estados de salida. Incluya las capturas de pantalla que
considere necesarias para comprobar el tipo de simulación realizada y los resultados
de simulación.

Tabla 5.2: Potencia disipada en la NAND TTL.

Concepto Valor
Corriente demandada a nivel alto (IH ) =
Corriente demandada a nivel bajo (IL ) =
Potencia disipada a nivel alto: VCC IH =
Potencia disipada a nivel bajo: VCC IL =
Potencia media disipada:

36
5.3. Simulación de puertas CMOS

5.2.5 Características dinámicas de una NAND TTL


A partir del circuito de la Figura 5.4, ejecute un análisis transitorio y realice las
medidas necesarias entre los flancos de transición de la entrada y la salida de la
puerta para obtener los tiempos de propagación (de acuerdo al Anexo E) de alta a
baja (tpHL ) y de baja a alta (tpLH ) , así como los tiempos de subida (tT LH )y bajada
(tT HL ).
VCC

R1 R2 R3
4k 1, 4 k 100

VCC Q4

Q2
Q1
D1

vout
VCC
Q1b Q3
V1
R4
5V V1=0 V2 1k
V2=5
TD = 0
T R = 50 u
T F = 50 u
P W = 0,5 m
P ER = 1 m

Figura 5.4: Caracterización dinámica de una puerta NAND TTL.

Complete la Tabla 5.3 con las medidas realizadas sobre los resultados de simu-
lación.

Tabla 5.3: Medidas realizadas sobre la respuesta transitoria de la NAND TTL.

Concepto Valor
tpHL
tpLH
tT LH
tT HL

5.3 Simulación de puertas CMOS


De la misma forma que se ha simulado una puerta NAND TTL formada por dis-
positivos discretos, puede realizarse el análisis de una puerta NAND CMOS. En

37
5. Caracterización mediante SPICE de puertas TTL y CMOS

este caso, el esquema de la puerta NAND CMOS es más sencillo ya que consta
únicamente de cuatro transistores: 2 NMOS y 2 PMOS. Todos ellos se extraerán de
la biblioteca BREAKOUT, que contiene modelos vacíos de cualquier componente.
Posteriormente se editará el modelo de cada tipo de transistor para adecuarlo a
las necesidades de esta práctica. Para el transistor NMOS, se toma el componente
‘MBreakN’, mientras que para el transistor PMOS se escoge el ‘MBreakP’.

5.3.1 Tabla de verdad de una NAND CMOS


El circuito que se va a simular es parecido al empleado anteriormente para la puer-
ta NAND TTL en cuanto a las fuentes empleadas para excitar las entradas de la
puerta lógica, sustituyendo la estructura de transistores bipolares y resistencias por
la conexión entre los cuatro transistores CMOS que conforman la puerta NAND
CMOS (Figura 5.5). Con sendas fuentes ‘VPULSE’ de frecuencia apropiada se ge-
neran todas las posibles combinaciones de entrada para obtener la tabla de verdad
de la puerta NAND CMOS.

VDD

M1 M2

V1=0 vout
V2=5 M3
T D = 10 u V2
TR = 1 u
VDD TF = 1 u
P W = 0,25 m M4
P ER = 0,50 m

V1 V1=0
5V V2=5 V3
TD = 0
TR = 1 u
TF = 1 u
P W = 0,5 m
P ER = 1 m

Figura 5.5: Circuito de comprobación de la tabla de verdad de una NAND CMOS.

Realice una simulación transitoria en la que se visualicen todos los estados posi-
bles de las dos entradas así como la salida de la puerta NAND. Incluya las capturas
de pantalla que considere necesarias para comprobar el tipo de simulación realizada
y los resultados de simulación.

5.3.2 Característica de transferencia de una NAND CMOS


De la misma manera que se hizo con la puerta NAND TTL, se cortocircuitan las dos
entradas de la puerta NAND CMOS y se conectan a una fuente de continua (‘VDC’,
de la biblioteca SOURCE) sobre la que se realizará un barrido DC. El circuito final
resultante debe asemejarse al mostrado en la Figura 5.6.

38
5.3. Simulación de puertas CMOS

VDD

M1 M2

vout
M3

VDD
M4

V1
5V 0 V dc V2

Figura 5.6: Circuito de comprobación de la característica de transferencia de una


puerta NAND CMOS.

Realice un barrido en continua para obtener la función de transferencia de la


puerta NAND CMOS. Incluya las capturas de pantalla que considere necesarias
para comprobar el tipo de simulación realizada y los resultados de simulación.

5.3.3 Características estáticas de una NAND CMOS


Sobre la gráfica resultante de la simulación anterior, puede marcar los puntos de la
curva que permiten medir VILmax , VIHmin , VOLmax y VOHmin . Complete la Tabla
5.4.

Tabla 5.4: Medidas realizadas sobre la curva de transferencia NAND CMOS.

Concepto Valor
VOHmax
VOHmin
VOLmax
VOLmin
VILmax
VILmin
VIHmax
VIHmin
Margen de ‘0’ (VIL )
Margen de ‘1’ (VIH )
Margen de transición (VT )
Amplitud lógica (VL )

39
5. Caracterización mediante SPICE de puertas TTL y CMOS

5.3.4 Potencia media disipada por una NAND CMOS


Se realizará el mismo procedimiento empleado para medir el consumo de la puerta
NAND TTL. Emplee el circuito de la Figura 5.7 para medir la corriente demandada
por la puerta en sus dos estados de salida y calcular la potencia media disipada.
Puede emplear una sonda de corriente en la fuente V 1 para medir la corriente
demandada por la puerta a la tensión de alimentación.
VDD

M1 M2

vout
M3

VDD
M4

V1
V1=0
5V V2=5 V2
TD = 0
TR = 1 u
I TF = 1 u
P W = 0,5 m
P ER = 1 m

Figura 5.7: Circuito de medida de potencia consumida por una puerta NAND
CMOS.

Realice un análisis transitorio para visualizar la corriente que demanda la puerta


NAND TTL en sus dos estados de salida. Incluya las capturas de pantalla que
considere necesarias para comprobar el tipo de simulación realizada y los resultados
de simulación.

Tabla 5.5: Potencia disipada en la NAND CMOS.

Concepto Valor
Corriente demandada a nivel alto (IH ) =
Corriente demandada a nivel bajo (IL ) =
Potencia disipada a nivel alto: VDD IH =
Potencia disipada a nivel bajo: VDD IL =
Potencia media disipada:

5.3.5 Características dinámicas de una NAND CMOS


A partir del circuito de la Figura 5.8, realice un análisis transitorio y efectúe las
medidas necesarias entre los flancos de transición de la entrada y la salida de la

40
5.3. Simulación de puertas CMOS

puerta para obtener los tiempos de propagación de alta a baja (tpHL ) y de baja a
alta (tpLH ) , así como los tiempos de subida (tT LH )y bajada (tT HL ).
VDD

M1 M2
VDD
vout
M3

VDD 5V
M4

V1 V1=0
5V V2=5 V2
TD = 0
T R = 50 u
T F = 50 u
P W = 0,5 m
P ER = 1 m

Figura 5.8: Caracterización dinámica de una puerta NAND CMOS.

Complete la Tabla 5.6 con las medidas realizadas sobre los resultados de simu-
lación.

Tabla 5.6: Medidas realizadas sobre la respuesta transitoria de la NAND CMOS.

Concepto Valor
tpHL
tpLH
tT LH
tT HL

41
— Práctica Seis —

Medidas de características estáticas y dinámicas de


puertas lógicas TTL y CMOS

Material necesario:
Circuitos integrados: 1 - 74LS00
1 - 74HCT00
Resistencia: 1 - 1k

6.1 Introducción
A la hora de desarrollar un circuito digital, el diseñador tiene que elegir la tecno-
logía digital más apropiada para su diseño. Las tres principales tecnologías son:
Transistor-transistor Logic (TTL), Complementary Metal Oxide Semiconductor Lo-
gic (CMOS) y Emitter-Coupled Logic (ECL). La tecnología CMOS está basada en
transistores MOS, mientras que las tecnologías TTL y ECL lo están en transistores
bipolares. Entre las tecnologías TTL, ECL y CMOS, la elección es fácil si se preten-
de únicamente conseguir un bajo consumo en el diseño. Puesto que en la actualidad
existen más de cuatro subfamilias ECL y seis subfamilias TTL y CMOS, elegir una
tecnología puede ser una tarea compleja. Todas estas tecnologías presentan distintas
características para diferentes aplicaciones, como por ejemplo:
- Las zonas de funcionamiento del dispositivo (márgenes de tensiones lógicas, már-
genes de ruido, amplitud lógica, . . .).
- La cantidad de puertas que se pueden conectar a una salida de un dispositivo.
- La frecuencia máxima de funcionamiento.
Por lo tanto, es importante que el diseñador conozca cada una de estas tecnologías
con el fin de desarrollar su circuito con la más apropiada.

Esta práctica consiste en manejar circuitos digitales reales de distintas tecnolo-


gías con el fin de entender sus principales características funcionales. Se caracterizará
la misma puerta lógica de una subfamilia TTL y de una subfamilia CMOS. Para
ello, se hará uso de los Anexos D y E.

43
6. Medidas de características estáticas y dinámicas de puertas lógicas TTL
y CMOS

6.2 Medidas con puertas TTL


6.2.1 Tabla de verdad de una puerta NAND de un CI 74LS00
Rellene la columna F de la Tabla 6.1 del CI 74LS00 de la Figura D.2 (Anexo D).
Para ello, deberá medir la tensión de salida F de una puerta NAND mediante un
multímetro para las cuatro combinaciones posibles de entrada A y B. Por ejemplo,
se puede elegir los pines 1, 2 y 3 para A, B y F , respectivamente. Los pines 14
(+Vcc) y 7 (GND) se conectan, respectivamente, a +5 V y masa.
Para un circuito LS-TTL comercial, un nivel lógico bajo (0 o L) corresponde a
una tensión inferior a 0.8V (véase Tabla D.1 del Anexo D). Entonces, la(s) entrada(s)
(pin 1 y/o 2) implicada(s) por dicho nivel se puede(n) conectar directamente a masa.
Por otro lado, un nivel lógico alto (1 o H) tiene que ser superior a una tensión de 2V y
la(s) entrada(s) implicadas por dicho nivel, se conecta(n) directamente a +Vcc=5 V.

Tabla 6.1: Tabla de verdad de una puerta NAND de un CI 74LS00.

A B F

0 0
0 1
1 0
1 1

6.2.2 Característica de transferencia de una puerta NAND TTL de un CI 74LS00


La característica de transferencia de una puerta NAND se obtiene midiendo la
tensión de salida de la puerta NAND en función de la variación de la tensión en
la entrada de la puerta NAND. El circuito experimental es el de la Figura 6.1. Se

(1) (3)

(2) +
+
Vi = 0 a 5V Vo

Figura 6.1: Medida de la característica de transferencia de una puerta NAND TTL


de un CI 74LS00 (entre paréntesis se muestra las conexiones de las patillas).

conectan entre si los pines 1 y 2 de las dos entradas de la puerta NAND a una
fuente variable de tensión continua Vi . La característica de transferencia se obtiene
conectando un multímetro entre la salida de la puerta NAND (pin 3) y la masa. El
multímetro tiene que estar en la posición DC, puesto que las tensiones que se van a
medir son continuas.

44
6.2. Medidas con puertas TTL

Mida las tensiones de salida Vo de la puerta NAND TTL variando la tensión de


entrada Vi entre 0 V y 5 V de la fuente continua. Con los datos obtenidos, dibuje
la gráfica de la característica de transferencia de la puerta NAND TTL. Los datos
de la tensiones de entrada Vi y de salida Vo estarán respectivamente situados en los
ejes x e y de la gráfica.

6.2.3 Características estáticas de una puerta NAND TTL de un CI 74LS00


A partir de la característica de transferencia de la puerta NAND TTL medida
anteriormente, determine las siguientes características estáticas según el Anexo E:

- Tensión de entrada nivel bajo máximo: VILmax =

- Tensión de entrada nivel alto mínimo: VIHmin =

- Tensión de salida nivel bajo máximo: VOLmax =

- Tensión de salida nivel alto mínimo: VOHmin =

- Margen del cero =

- Margen del uno =

- Margen de transición =

- Amplitud lógica =

6.2.4 Potencia media disipada por una puerta NAND TTL de un CI 74LS00
La potencia disipada de una puerta se obtiene midiendo la intensidad que consume
el circuito para el nivel alto y el nivel bajo sin conectar ninguna carga a su salida.
Para obtener la intensidad que consume las cuatro puertas NAND de un CI 74LS00
para las salidas al nivel alto (H), se conecta todas las entradas del CI a masa como
en la Figura 6.2(a), se mide la tensión VR con un multímetro (posición DC y Voltios)
y se determina la corriente: IH = VR / R. Del mismo modo, se obtiene la intensidad
consumida por las cuatro puertas NAND para las salidas al nivel bajo (L), midiendo
la tensión VR con todas las entradas del CI a +Vcc como en la Figura 6.2(b) y se
determina la corriente: IL = VR / R.
Determine las potencias disipadas por una puerta NAND TTL de un CI 74LS00
(siendo ICC = IH +I
2
L
):

- Potencia disipada por una puerta para una salida a nivel alto: PH = VCC IH
4 =

- Potencia disipada por una puerta para una salida a nivel bajo: PL = VCC IL
4 =

- Potencia media disipada por una puerta: PDmedia = VCC ICC


4 =

45
6. Medidas de características estáticas y dinámicas de puertas lógicas TTL
y CMOS

+VCC = 5V +VCC = 5V

+ R=1k + R=1k
VR VR +VCC = 5V +VCC = 5V
≠ ≠

14 13 12 11 10 9 8 14 13 12 11 10 9 8

1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 7

+VCC = 5V +VCC = 5V
(a) (b)

Figura 6.2: Montajes para medir la potencia disipada. (a) Para salidas a nivel alto
(H). (b) Para salidas a nivel bajo (L)

6.2.5 Características dinámicas de una puerta NAND TTL de un CI 74LS00


En este apartado, se realiza las medidas de los tiempos de retardo para una puerta
lógica NAND de un CI 74LS00. Para ello, se debe tener en cuenta dos consideracio-
nes debido a las limitaciones de la instrumentación. La primera es que se conecta
cuatro puertas NAND en serie y la segunda es que la señal cuadrada del genera-
dor de señales sólo debe tener valores positivos de 0 a 5V. Para ello, se conecta el
generador de señales en la salida TTL. A continuación, se realiza el montaje de la
Figura 6.3. Se ajusta la frecuencia de la señal cuadrada del generador de señales a
100 kHz. Esta señal se conecta en la entrada de la primera puerta NAND y al canal
1 del osciloscopio. El canal 2 del osciloscopio se conecta a la salida de la cuarta
puerta NAND. Si la señal de entrada no proporciona una señal cuadrada de 0-5 V,
desconecte la salida TTL del generador de señales y las entradas (1) y (2) de la
puerta NAND del montaje. Conecte el generador de señales en la salida análogica
de 50 . Ajuste los controles de OFFSET y de amplitud con el fin de obtener la
señal cuadrada deseada: 0-5 V. Una vez conseguida esta señal (visualizada en el os-
ciloscopio), vuelva a conectar las entradas (1) y (2) de la puerta TTL al generador
de señal.
Ajuste el tiempo de barrido del osciloscopio de manera que se pueda visualizar
el retardo entre la entrada y la salida cuando la entrada realice una transición desde
un estado bajo a un estado alto, y represéntelo en una gráfica. Para visualizar mejor
el retardo, puede activar la opción X-MAG del osciloscopio.
Del mismo modo, represente en otra gráfica el retardo entre la entrada y la salida
cuando la entrada realiza una transición desde un estado alto a un estado bajo.
A partir de estas dos gráficas y con la información del Anexo E, determine los
siguientes tiempos:

- Para los flancos de subida de la entrada: tpLH , tDLH y tT LH .

46
6.3. Medidas con puertas CMOS

(1) (3) (4) (6) (9) (8) (13) (11)

(2) (5) (10) (12)


+
+
Vi OSC Vo
≠ ≠

Figura 6.3: Montaje para medir las características dinámicas de cuatro puertas
NAND TTL de un CI 74LS00.

- Para los flancos de bajada de la salida: tpHL , tDHL y tT HL .

Con los datos obtenidos rellene la Tabla 6.3 para una puerta NAND TTL, te-
niendo en cuenta que es preciso dividir por cuatro los resultados anteriores.

Tabla 6.2: Retardos de propagación de una puerta NAND TTL de un CI 74LS00.

Concepto Símbolo Valor

Tiempo de propagación para el crecimiento de la señal de salida tpLH

Tiempo de propagación para el decrecimiento de la señal de salida tpHL

Tiempo de transición para el crecimiento de la señal de salida tDLH

Tiempo de transición para el decrecimiento de la señal de salida tDHL

Tiempo de subida tT LH

Tiempo de bajada tT HL

- Finalmente, determine el producto (potencia disipada) x (retardo de propaga-


ción) =

6.3 Medidas con puertas CMOS


6.3.1 Característica de transferencia de una puerta NAND CMOS de un CI 74HCT00
Del mismo modo que la puerta LS-TTL, a continuación se mide la tensión de salida
de una puerta NAND CMOS en función de la variación de la tensión de entrada
para obtener su característica de transferencia. El circuito experimental es idéntico
a la Figura 6.1, debido a la compatibilidad de estos dos CIs.
Mida las tensiones de salida Vo de la puerta NAND CMOS variando la tensión
de entrada Vi entre 0 V y 5 V de la fuente continua. Con los datos obtenidos, dibuje
la gráfica de la característica de transferencia de la puerta NAND CMOS.
Compare la característica de transferencia de la puerta NAND CMOS con la de
la puerta NAND TTL. ¿A qué son debidas las diferencias?

47
6. Medidas de características estáticas y dinámicas de puertas lógicas TTL
y CMOS

6.3.2 Características estáticas de una puerta NAND CMOS de un CI 74HCT00


A partir de la característica de transferencia de la puerta NAND CMOS medida
anteriormente, determine las siguientes características estáticas según el Anexo E:

- Tensión de entrada nivel bajo máximo: VILmax =

- Tensión de entrada nivel alto mínimo: VIHmin =

- Tensión de salida nivel bajo máximo: VOLmax =

- Tensión de salida nivel alto mínimo: VOHmin =

- Margen del cero =

- Margen del uno =

- Margen de transición =

- Amplitud lógica =

6.3.3 Potencia media disipada por una puerta NAND CMOS de un CI 74HCT00
A partir de los dos montajes de la Figura 6.2 y sustituyendo el CI 74LS00 por el CI
74HCT00, determine las potencias disipadas para una puerta NAND CMOS de un
CI 74HCT00 (siendo ICC = IH +I 2
L
):

- Potencia disipada por una puerta para una salida a nivel alto: PH = VCC IH
4 =

- Potencia disipada por una puerta para una salida a nivel bajo: PL = VCC IL
4 =

- Potencia media disipada por una puerta: PDmedia = VCC ICC


4 =

- Compare los resultados con aquellos obtenidos con el CI TTL 74LS00.

6.3.4 Características dinámicas de una puerta NAND CMOS de un CI 74HCT00


El montaje experimental es idéntico al de la Figura 6.3, sustituyendo el CI 74LS00
por el CI 74HCT00. Ajuste la frecuencia del generador de señales a 100 kHz. Esta
señal se conecta en la entrada de la primera puerta NAND y al canal 1 del oscilos-
copio. El canal 2 del osciloscopio se conecta a la salida de la cuarta puerta NAND.
Si la señal de entrada no proporciona una señal cuadrada de 0-5 V, desconecte la
salida TTL del generador de señales y las entradas (1) y (2) de la puerta NAND del
montaje. Conecte el generador de señales en la salida análogica de 50 . Ajuste los
controles de OFFSET y de amplitud con el fin de obtener la señal cuadrada desea-
da: 0-5 V. Una vez conseguida esta señal (visualizada en el osciloscopio), vuelva a
conectar las entradas (1) y (2) de la puerta TTL al generador de señal.
Ajuste el tiempo de barrido del osciloscopio de manera que se pueda visualizar
el retardo entre la entrada y la salida cuando la entrada realice una transición desde
un estado bajo a un estado alto, y represéntelo en una gráfica. Para visualizar mejor
el retardo, puede activar la opción X-MAG del osciloscopio.

48
6.3. Medidas con puertas CMOS

Del mismo modo, represente en otra gráfica el retardo entre la entrada y la salida
cuando la entrada realiza una transición de un estado alto a a un estado bajo.
A partir de estas dos gráficas y con la información del Anexo E, determine los
siguientes tiempos:

- Para los flancos de subida de la entrada: tpLH , tDLH y tT LH .

- Para los flancos de bajada de la salida: tpHL , tDHL y tT HL .

Con los datos obtenidos rellene la Tabla 6.3 para una puerta NAND CMOS,
teniendo en cuenta que es preciso dividir por cuatro los resultados anteriores.

Concepto Símbolo Valor

Tiempo de propagación para el crecimiento de la señal de salida tpLH

Tiempo de propagación para el decrecimiento de la señal de salida tpHL

Tiempo de transición para el crecimiento de la señal de salida tDLH

Tiempo de transición para el decrecimiento de la señal de salida tDHL

Tiempo de subida tT LH

Tiempo de bajada tT HL

Tabla 6.3: Retardos de propagación de una puerta NAND CMOS de un CI


74HCT00.

- Determine el producto (potencia disipada) x (retardo de propagación) =

- Compare los resultados con aquellos obtenidos con el CI TTL 74LS00.

49
— Práctica Siete —

Simulación de funciones lógicas con PSpice

7.1 Introducción
En esta práctica se realizará la simulación de circuitos digitales combinacionales
a nivel de puerta con el simulador PSpice. A partir de la expresión booleana que
define el comportamiento del circuito se realizará la síntesis de éste, empleando
puertas lógicas. Posteriormente se simplificará, para mejorar las prestaciones del
circuito implementado (área, consumo, frecuencia de funcionamiento, . . . ) y para
facilitar su verificación. Finalmente, se analizarán los resultados, observando los
retardos producidos en la propagación de las señales, y se determinará la aparición
de valores espúreos (glitches) y se aprenderá cómo eliminarlos, para diseñar circuitos
libres de azares.
Los objetivos de esta práctica son:

• Localizar y visualizar los modelos temporales y de I/O de las puertas utilizadas


en el diseño.

• Realizar simulaciones a nivel de puerta utilizando diferentes retardos (mínimo,


típico y máximo).

• Visualizar las formas de onda resultantes de la simulación digital.

• Determinar el tiempo de respuesta de un circuito.

• Detectar glitches y aprender a eliminarlos.

7.1.1 Riesgos de diseño: Causas y mecanismos de corrección


Un riesgo corresponde a un malfuncionamiento en el diseño de un circuito bajo una
determinada condición de funcionamiento. También se le denomina glitch, hazard o
pulso espurio. Los riesgos generan pequeños pulsos (de corta duración) indeseables
que aparecen en las salidas. Este fenómeno ocurre cuando las señales que recorren los
diferentes caminos en un circuito digital tienen diferentes tiempos de propagación.
Los riesgos se pueden evitar mediante los siguientes métodos:

• Esperando hasta que las señales se estabilicen, utilizando una señal de reloj.

51
7. Simulación de funciones lógicas con PSpice

• No utilizando entradas asíncronas.

• Diseñando circuitos libres de riesgos.

No siempre es posible eliminar riesgos con los dos primeros métodos. Por ello,
en esta práctica nos centraremos en el diseño de circuitos libres de riesgos.
Los riesgos se pueden agrupar en estáticos y dinámicos, Figura 7.1

• Riesgos estáticos:

– Riesgo estático de 1: Un cambio en la entrada produce en la salida una


transición de 1 a 0 a 1. Durante un pulso de corta duración, la salida vale
0 cuando debería permanecer a 1.
– Riesgo estático de 0: Un cambio en la entrada produce en la salida una
transición de 0 a 1 a 0. Durante un pulso de corta duración, la salida vale
1 cuando debería permanecer a 0.

• Riesgos dinámicos: Los riesgos dinámicos se caracterizan cuando un cambio en


la entrada produce una doble transición en la salida del tipo 0-1-0-1 o del tipo
1-0-1-0. Los riesgos dinámicos se producen cuando una variable se propaga a
través del diseño circuital por dos caminos diferentes y con diferentes retardos.

(a) (b) (c) (d)

Figura 7.1: Tipos de riesgos: a) riesgo estático de 1, b) riesgo estático de 0, c) y d)


riesgos dinámicos.

Para diseñar circuitos libres de azares se debe evitar que en el mapa de Karnaugh
aparezcan 1s contiguos que no se encuentren en el mismo grupo. Los riesgos se
producen cuando el circuito pasa de un estado 1 de un grupo a otro estado 1 de un
grupo distinto. Por tanto, los riesgos se pueden suprimir introduciendo redundancias
en forma de grupos adicionales que contengan aquellas celdas contiguas con valor 1
que no se encontraban en el mismo grupo, a costa de aumentar el número de puertas
lógicas del circuito.

7.2 Implementación de una función combinacional con puertas lógicas


AND-OR-NOT
En esta práctica se comprobará cómo el diseño que se ha realizado para implementar
la función booleana F 1 = AB C̄ + AB̄ C̄ + ĀBC + ABC, presenta riesgos. A partir
del esquematico, se pide:

52
7.3. Eliminación de riesgos

1. Simular el circuito para comprobar su funcionamiento. Crear el perfil de simu-


lación de manera que en el análisis transitorio se visualicen hasta 4 µs. Reali-
zar simulaciones temporales para retardos mínimo, típico y máximo (Se confi-
guran en: Simulation Settings/Options/Gate-level Simulation/Timing
Mode) y visualizar la formas de onda de los tres relojes digitales y del nodo
de salida del circuito. Identificar para cada retardo temporal, cuáles son las
combinaciones de las entradas en las que se produce el riesgo. ¿Cuál es el tipo
de riesgo?

2. En el caso de la simulación con retardo máximo, se medirán los retardos entre


la entrada y la salida de la puerta NOT. Estos son los retardos de propagación
tp.

3. Se localizarán los modelos temporales para obtener los valores de tplhmx y


tphlmx de la puerta 7404. Para ello, en la página del esquemático, se selecciona
la puerta NOT 7404 (comprobar que ésta queda resaltada entre marcas de
trazos). A continuación, en la pestaña de menú Edit se abre PSpice Model
(el Editor de Modelos). En la nueva ventana se puede observar la información
de conexionado del subcircuito del 7404, y que los datos temporales están
almacenados en D_04. Para encontrar estos datos en la pestaña File (del
Editor de Modelos) se selecciona Open y se busca el archivo 7400.lib en
el path C:/Cadence/PSD_14.2/tools/pspice/library/. Este archivo tiene
información temporal de toda la familia TTL estándar, por ello también se
pueden obtener los valores temporales de las puertas 7400 (D_00), 7408 (D_08)
y 7432 (D_32), que se utilizarán en esta práctica.

4. Realizar la simulación temporal para el retardo máximo y visualizar las formas


de onda en todos los nodos del circuito. ¿Cuánto tarda la salida del circuito F 1
en responder a los cambios de las entradas? Justificar por qué aparece el riesgo
y determinar el instante en el que ocurre, la combinación de las entradas y su
duración. Comparar los valores obtenidos con los valores temporales tplhmx y
tphlmx de la familia TTL estándar.

7.3 Eliminación de riesgos


Dada la función F 1 anterior, se desea realizar el diseño del un circuito que imple-
mente dicha función pero que ahora esté libre de riesgos:

1. Simplificar de nuevo la función F 1 mediante el mapa de Karnaugh, introdu-


ciendo las redundancias necesarias para evitar la aparición de riesgos.

2. Dibujar el esquemático del circuito lógico que corresponde a la nueva función


F 2, empleando puertas AND de 2 entradas, OR de 2 entradas y NOT de
tecnología TTL estándard.

3. Simular el circuito que implementa la función F 2 en PSpice, utilizando los


mismos relojes digitales y el mismo perfil de simulación del apartado anterior.

53
7. Simulación de funciones lógicas con PSpice

4. Visualizar los resultados obtenidos con el retardo máximo, y representar las


formas de onda resultantes en todos los nodos del circuito. ¿Cuál es ahora
el tiempo de respuesta de la salida del circuito frente a los cambios de las
entradas, comparar con los valores obtenidos en el apartado anterior? ¿Apa-
recen riesgos en las ondas visualizadas? En caso afirmativo, justificar por qué
aparecen y determinar el instante en el que ocurren y su duración.

7.4 Implementación de una función combinacional con puertas lógicas


NAND
Dada la función F 2 del apartado anterior, implementada para evitar riesgos, se pide:

1. Convertir el circuito de la función F 2 en una nueva función F 3 empleando


únicamente puertas NAND de 2 entradas.

2. Dibujar en Capture y simular el circuito en PSPice empleando puertas de


tecnología TTL estándard del tipo 7400, utilizando los mismos relojes digitales
y perfil de simulación que en los apartados anteriores. El profesorado indicará
la manera de agrupar las puertas NAND.

3. Realizar simulaciones temporales para retardos mínimo, típico y máximo, re-


presentando las formas de onda de los tres relojes digitales y del nodo de
salida del circuito. ¿Aparecen los mismos riesgos en las ondas visualizadas?
¿Aparecen nuevos riesgos? En caso afirmativo, justificar por qué aparecen y
cuál es su tipo.

4. Realizar la simulación temporal para el retardo máximo y visualizar las formas


de onda en todos los nodos del circuito. ¿Cuánto tarda la salida del circuito
F 3 en responder a los cambios de las entradas? Determinar el instante en
el que ocurre, la combinación de las entradas y su duración. Comparar los
valores obtenidos con los valores temporales tplhmx y tphlmx de la familia
TTL estándar.

5. Realizar modificaciones circuitales sobre el esquema de la función F 3 de ma-


nera que esté libre de cualquier riesgo. Esta nueva función F 4 será simulada
para comprobar la eliminación de cualquier tipo de riesgo.

54
— Práctica Ocho —

Montajes de funciones combinacionales no aritméticas

Material necesario:
Circuitos integrados: 2 - 74LS00
1 - 74LS48
1 - 74LS151
Resistencia: 1 - 1k
Un display de 7 segmentos

8.1 Introducción
Los circuitos integrados (CI) digitales combinacionales MSI (Medium Scale Inte-
gration) se componen de varios dispositivos (resistencias, condensadores, diodos y
transistores) interconectados, que responden a una función electrónica definida. Las
ventajas de estos circuitos integrados son:
- Reducción de coste.
- Disminución de los errores de montaje e interconexión de componentes.
- Reducción de tiempo para localizar averías.
- Aumento de la fiabilidad.
- Respuesta mucho más rápida.
- Reducción de señales parásitas, ruido, etc.

Esta práctica consiste en manejar CIs del tipo MSI con el fin de entender sus
principales características funcionales, extraídas de las tablas de verdad (o tablas
funcionales) de las hojas características de los fabricantes. Los CIs que se utilizarán
son: decodificador BCD/7 segmentos y el multiplexor.

8.2 Display de 7 segmentos


La lógica binaria permite generar numerosas funciones con combinaciones de 1s y
0s. Una de ellas es representar letras y números mediante un código específico. La
interpretación por un usuario de esos códigos binarios no es fácil, por lo que se nece-

55
8. Montajes de funciones combinacionales no aritméticas

sita circuitos decodificadores para convertirlos en otros que puedan ser reconocibles.
Uno de los sistemas de representación más sencillo es el display.
La Figura 8.1 muestra un display de siete segmentos con un punto en la parte
inferior derecha. Este display es el más sencillo. Se utiliza para representar algunos
caracteres alfanuméricos. Estos segmentos son en realidad diodos LED (diodo elec-
troluminiscente) que pueden activarse individualmente. Si se desea representar la
letra A en mayúscula, se deben activar todos los segmentos menos el segmento d.
Para representar el número 1, se activarían los segmentos b y c.

a
f g b
e c
d

Figura 8.1: Display de 7 segmentos.

Según la lógica positiva o negativa, se puede emplear uno de los dos tipos de
displays disponibles. Para la lógica positiva, se utilizará los displays de cátodo común
y cada LED se activará cuando tenga en sus bornes (a, . . . , g) un nivel lógico alto
H. Los displays de ánodo común se montan en circuito con lógica negativa y cada
LED se activará cuando tenga en sus bornes un nivel lógico bajo L.
La luminosidad del LED depende de la polarización externa y de la corriente
que circula a través de ella. La corriente máxima que puede circular por los LEDs
depende de las características del modelo del display, siendo suficiente una corriente
que generalmente no supera los 50 mA. Para limitar la corriente a su valor nominal,
el usuario deberá añadir una resistencia externa de polarización y calcular su valor
para cada aplicación. No se debe nunca conectar los displays sin resistencia de
polarización. Durante las prácticas se utilizaran display de cátodo común. Consulte
las hojas de características del fabricante para conocer su esquema de conexiones.

Tabla 8.1: Tabla de verdad del decodificador BCD/7 segmentos.

Decimal Código BCD Salidas 7 segmentos


D C B A a b c d e f g

0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0
1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0
2 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1
3 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1
4 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1
5 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1
6 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1
7 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0
8 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
9 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1

56
8.3. Implementación de un decodificador BCD/7 segmentos con un CI específico: 74LS48

8.3 Implementación de un decodificador BCD/7 segmentos con un CI


específico: 74LS48
En el mercado, existen CIs decodificadores BCD/7 segmentos que facilitan la deco-
dificación y visualización de caracteres alfanuméricos en un display de 7 segmentos.
Estos CIs son de dos tipos: los de ánodo común, como por ejemplo el 74LS47, con
las salidas activas a nivel lógico bajo para utilizarlos junto con displays de ánodo
común, y los de cátodo común, como por ejemplo el 74LS48, con las salidas activas
a nivel lógico alto que se conectan a los displays de cátodo común.
Realice las conexiones del 74LS48 con el display y visualice el correcto funcio-
namiento de los LEDs activando distintos códigos BCD. La tabla de verdad y las
conexiones del 74LS48 están descritas en las hojas características del fabricante.
Como ejemplos de verificación, se pueden tomar los siguientes valores:
- Para el valor decimal 3, el segmento b del display (Tabla 8.1) debe estar encendido
y, por consiguiente, la salida del circuito tiene que estar al nivel lógico alto H.
- Para el valor decimal 6, el segmento b del display (Tabla 8.1) debe estar apagado
y, por consiguiente, la salida del circuito tiene que estar al nivel lógico bajo L.

8.4 Implementación de un decodificador BCD/7 segmentos con


multiplexores
La función de un multiplexor consiste en dirigir una información digital procedente
de diferentes fuentes de entrada hacía una única línea de salida para ser transmitida
a través de dicha línea a un destino común. También se puede utilizar el multiplexor
para implementar funciones lógicas como se experimenta en esta práctica.
El circuito integrado de un multiplexor tiene 2n líneas de entradas de datos, n
entradas de selección de datos y una única línea de salida. En el caso del multiplexor
74LS151 (Figura 8.2), éste posee ocho entradas de datos (I0 , . . . , I7 ) y, por consi-
guiente, tres entradas de selección de datos (S0 , S1 , S2 ). La entrada de selección
de datos S0 corresponde al bit de menor peso. La salida del multiplexor es Z y se
facilita también el acceso a su negada Z̄. Este multiplexor posee una entrada de
habilitación (Ē) activa al nivel lógico bajo L. Un nivel lógico bajo L en la entrada
de habilitación (Ē= L) permite a los datos en la entrada seleccionada (mediante las
entradas de selección de datos) pasar a la salida Z. Por lo contrario, un nivel lógico
alto H en la entrada de habilitación (Ē= H), inhabilita el pase de datos de cualquier
entrada seleccionada a la salida. Consulte las hojas de características del fabricante
de este integrado.
La función lógica de salida del multiplexor integrado 74LS151 es la siguiente:

Z = Ē(I0 S̄2 S̄1 S̄0 + I1 S̄2 S̄1 S0 + I2 S̄2 S1 S̄0 + I3 S̄2 S1 S0 + I4 S2 S̄1 S̄0 + I5 S2 S̄1 S0
+ I6 S2 S1 S̄0 + I7 S2 S1 S0 )

Diseñe las conexiones del multiplexor 74LS151 para que realice la función del
segmento b del decodificador BCD de 7 segmentos. Como se podrá comprobar me-
diante el mapa de Karnaugh, la función simplificada del segmento b es la siguiente:

57
8. Montajes de funciones combinacionales no aritméticas

VCC I4 I5 I6 I7 S0 S1 S2
16 9

74LS151

1 8

I3 I2 I1 I0 Z Z̄ Ē GND

Figura 8.2: Conexiones del multiplexor 74LS151.

b = C̄ + Ā B̄ + A B
Realice el montaje y conecte en la salida Z un multímetro. Introduzca distintos
códigos BCD y verifique el buen funcionamiento de su circuito. Como ejemplos de
verificación, se pueden tomar los siguientes valores:
- Para el valor decimal 3, el segmento b del display (Tabla 8.1) debe estar encendido
y, por consiguiente, la salida Z del multiplexor tiene que estar al nivel lógico alto
H.
- Para el valor decimal 6, el segmento b del display (Tabla 8.1) debe estar apagado
y, por consiguiente, la salida Z del multiplexor tiene que estar al nivel lógico bajo
L.

8.5 Implementación de un decodificador BCD/7 segmentos con puertas


NAND
La última tarea de esta práctica consiste en la implementación de un decodificador
BCD/7 segmentos con puertas NAND de dos entradas. La Tabla 8.1 muestra la
relación entre cada segmento del display (a, . . . , g) y el código BCD (D, C, B, A).
Aun simplificando las funciones de todos los segmentos del display, el montaje en
una sesión de prácticas del circuito decodificador BCD/7 segmentos en una placa de
prototipado resultaría una tarea difícil, debido a las numerosas conexiones y puertas
lógicas necesarias. Por ello en esta práctica, se elige implementar un único segmento,
como por ejemplo el segmento b:

b = C̄ + Ā B̄ + A B

Aplicando los teoremas de De Morgan, se consigue la siguiente función del segmento


b simplificada con puertas NAND de dos entradas:

b = C · Ā B̄ · A B

Realice el montaje del segmento b con puertas NAND de dos entradas y conecte
en la salida un multímetro. Introduzca distintos códigos BCD y verifique el buen

58
8.5. Implementación de un decodificador BCD/7 segmentos con puertas NAND

funcionamiento de su circuito. Como ejemplos de verificación, se pueden tomar los


siguientes valores:
- Para el valor decimal 3, el segmento b del display (Tabla 8.1) debe estar encendido
y, por consiguiente, la salida del circuito tiene que estar al nivel lógico alto H.
- Para el valor decimal 6, el segmento b del display (Tabla 8.1) debe estar apagado
y, por consiguiente, la salida del circuito tiene que estar al nivel lógico bajo L.

59
— Práctica Nueve —

Síntesis de funciones lógicas aritméticas

Material necesario:
Circuitos integrados 2 - 74LS00

9.1 Introducción
En esta práctica se va a diseñar un sumador de 1 bit para ser implementado utili-
zando exclusivamente puertas NAND. Primero se diseñara un semisumador y poste-
riormente un sumador completo. Para cada una de las partes, el proceso de diseño
constará de dos fases: en la primera, en la que a partir de la especificación de la
función que se desea realizar (en este caso un sumador), se obtiene un esquema de
puertas lógicas del circuito a montar, se impondrá la restricción del uso exclusivo
de puertas NAND; y en la segunda en la que a partir de dicho esquema con puertas
NAND que aportan los dos circuitos integrados 74LS00, se cableará adecuadamen-
te hasta obtener la síntesis electrónica a nivel de puertas que no es más que una
implementación física de la función requerida.

9.2 Semisumador
Un semisumador (HA, half adder) es un bloque combinacional, es decir, sus salidas
en un instante t dependen exclusivamente de sus entradas en ese mismo instante
t y por tanto no almacena ninguna señal ni sus salidas dependen de la historia de
sus entradas que caracteriza a los bloques secuenciales. Un semisumador , como se
muestra en la Figura 9.1 tiene dos entradas que son atacadas por los bits que se
pretenden sumar, y dos salidas correspondiente a la suma, , y al acarreo, Cout .
Cada una de las salidas son una función lógica determinada por la suma de los dos
bit de entrada y el acarreo correspondiente que generan.

1. Construir la tabla de verdad para ambas funciones.

2. Escribir una expresión algebraica (Boole) para ambas funciones. Reconocer


la implementación XOR. Aplicar el álgebra de Boole para obtener una imple-
mentación NAND.

61
9. Síntesis de funciones lógicas aritméticas

HA
q
A

B Cout

Figura 9.1: Representación como bloque de un semisumador

3. Representar un esquema de puertas lógicas para ambas funciones, primero


utilizando puertas XOR y después la implementación NAND.

4. realizar el montaje del circuito utilizando las puertas NAND de ambos inte-
grados 74LS00 y comprobar la tabla de verdad para las salidas suma, , y
acarreo, Cout . Para ello se introduce por A y B los valores correspondientes
a todas las posibles combinaciones y se comprueban (mediante el voltímetro
o el osciloscopio) las salidas y Cout . El montaje mediante puertas XOR y
NAND se muestra en la Figura 9.2.
A A B B

A =AüB
B

Cout = A · B

Cout

Figura 9.2: Implementación de un semisumador con XOR y NAND

5. Basándose en el esquema de la Figura 9.2 indicar el valor de las señales inter-


medias en la implementación NAND.

6. Realizar un dibujo utilizando el esquema de la Figura 9.3 de las conexiones


físicas entre los pines de los dos circuitos integrados 74LS00 que implementan
la Figura 9.2.

7. Conectar a la entrada A a una señal alta e introducir una señal cuadrada


TTL (cuadrada, de 0-5 V) por la entrada B. Visualizar la entrada B en el
canal 1 del osciloscopio y las salidas y Cout en el canal 2. Medir el tiempo
de propagación tp entre ambas salidas.

62
9.3. Sumador completo

74LS00 74LS00
1 1
3 3
2 2

4 4
6 6
5 5

9 9
8 8
10 10

12 12
11 11
13 13

14 VCC GND 7 14 VCC GND 7

Figura 9.3: Esquema de pines 74LS00

9.3 Sumador completo


El semisumador solamente tiene dos lineas de entrada: los dos bits que se suman.
El semisumador no admite la entrada de un acarreo. Un sumador que admita la
entrada de un bit de acarreo se denomina sumador completo (FA, full adder. Su
representación como bloque combinacional se muestra en la Figura 9.4.

HC

Cout
Cin

Figura 9.4: Representación como bloque de un sumador completo

Donde la entrada Cin indica la entrada de un bit de acarreo. El sumador comple-


to podrá conectarse en cascada para realizar sumas de números binarios de varios
bits en donde el bit de acarreo de salida entra como de entrada en el siguiente
sumador completo.

1. Construir la tabla de verdad para las tres variables de entrada y las dos fun-
ciones de salida.

2. Escribir una expresión algebraica (Boole) para ambas funciones. Minimizar


dichas funciones usando mapas de Karnaugh. Identificar la función XOR y
expresar las funciones haciendo uso de ella. Utilizar el álgebra de Boole para
obtener una implementación en la que se utilicen solamente puertas NAND
para obtener la función Cout

63
9. Síntesis de funciones lógicas aritméticas

3. Dibujar el esquema de puertas lógicas del sumador completo utilizando puertas


XOR, AND y OR para generar las funciones Sigma y Cout a partir de las
entradas A, B y Cin . Observar el esquema anterior y obtener el sumador
completo a partir del esquema de bloques de dos semisumadores. Dibujar
posteriormente el esquema de puertas lógicas del circuito que genera la función
Cout utilizando puertas NAND solamente.

4. Montar el circuito que genera la salida Cout utilizando las puertas NAND de
los dos circuitos integrados 74LS00. Comprobar la tabla de verdad introdu-
ciendo alternativamente señales altas y bajas por cada una de sus entradas y
midiendo la señal de salida. El montaje mediante puertas NAND se muestra
en la Figura 9.5.
A B Cin

Cout

Figura 9.5: Implementación de un sumador completo con NAND

5. Introducir una señal alta en A, baja en B y una señal cuadrada TTL (oscilante,
0-5 V) en Cin . Visualizar por el canal 1 del osciloscopio la señal de entrada
Cin y por el canal 2 la salida que se obtiene para Cout . medir el tiempo de
propagación de la señal, es decir el tiempo que tarda en generarse el acarreo
de salida.

6. Dibujar el esquema de bloques de un sumador paralelo de cuatro bits a partir


de sumadores completos. ¿Cuál será el tiempo mínimo que tardará en gene-
rarse el último acarreo en el sumador de 4 bits?

9.4 Restador completo


Se puede obtener la resta de dos números sumando al primero complemento a dos
del segundo. Por tanto, a partir del sumador completo diseñado en el apartado
anterior se puede obtener un restador completo sin más que introducir un ‘1’ en el
acarreo de entrada e incluir un inversor en la entrada ‘B’.

1. Tomando como base el sumador completo anteriormente diseñado, dibujar el


esquema de puertas lógicas del restador completo utilizando puertas XOR,
AND, OR e inversores para generar las funciones de resta y acarreo (Cout ) a

64
9.4. Restador completo

partir de las entradas A, B y del acarreo de entrada Cin . Dibujar posterior-


mente el esquema de puertas lógicas del circuito que genera la función Cout
utilizando puertas NAND solamente.

2. Montar el circuito que genera la salida Cout utilizando las puertas NAND de
los dos circuitos integrados 74LS00. Comprobar la tabla de verdad introdu-
ciendo alternativamente señales altas y bajas por cada una de sus entradas y
midiendo la señal de salida. El montaje mediante puertas NAND se muestra
en la Figura 9.5.
A B Cin

Cout

Figura 9.6: Implementación de un restador completo con NAND

3. Introducir una señal alta en Cin , baja en B y una señal cuadrada TTL (osci-
lante, 0-5 V) en A. Visualizar por el canal 1 del osciloscopio la señal de entrada
A y por el canal 2 la salida que se obtiene para Cout . medir el tiempo de pro-
pagación de la señal, es decir el tiempo que tarda en generarse el acarreo de
salida.

4. Dibujar el esquema de bloques de un restador paralelo de cuatro bits a partir


de restadores completos. ¿Cuál será el tiempo mínimo que tardará en generarse
el último acarreo en el restaador de 4 bits?

65
— Práctica Diez —

Síntesis Secuencial I: Biestables y Temporizador

Material necesario:
Circuitos integrados: 1 - LMC555
Condensadores 2 - 0.01 µF
Resistencias: 2 - 0-10k
Diodos: 1

10.1 Introducción
El circuito integrado que será utilizado es una implementación CMOS de la conocida
serie 555 de temporizadores de propósito general. Tiene la capacidad de generar
pulsos con una alta precisión en frecuencia y en los tiempos de duración del pulso.
El consumo de potencia es muy reducido al tratarse de tecnología CMOS.
En la Figura 10.1 se muestra un esquema de bloques del circuito integrado, en
el que se indican sus conexiones exteriores y el número de pin que corresponde a
cada una.
En los encapsulados DIP de ocho pines, la configuración de conexiones es como
la que se muestra en la Figura 10.2 y donde se ha utilizado las abreviaturas en inglés
para las siguientes señales:

1. GN D: ground, conexión a tierra

2. T RIG: trigger, disparo

3. OU T : out, salida

4. RESET : reset, reinicialización.

5. CON T : control, voltaje de control

6. T HRES: threshold, voltaje umbral

7. DISCH: discharge, descarga

8. VCC : voltaje de alimentación

67
10. Síntesis Secuencial I: Biestables y Temporizador

VCC
8

555
R
6
Umbral +
- R
Control 5 3
R Salida
Disparo 2 +
- S
Descarga
7
R

1 4

Reset

Figura 10.1: Diagrama bloques del temporizador 555

555
GND 1 8 VCC

T RIG 2 7 DISCH

OUT 3 6 THRES

RESET 4 5 CONT

Figura 10.2: Patillaje del temporizador 555

El temporizador 555 puede ser configurado, mediante componentes externos,


como un monoestable no-redisparable, en el que podemos controlar la duración del
pulso, o como un aestable (oscilador) en el que podemos controlar la frecuencia de
la señal y el ciclo de trabajo.

10.2 Configuración del 555 como monoestable no redisparable


1. Utilizando una resistencia variable y dos condensadores, montar el circuito de
la Figura 10.3, en el que C y RA son los componentes externos que permitirán
controlar la duración de los pulsos mediante la expresión:

tH = 1,1RA C

(el condensador opcional Cdes de desacoplo se utiliza para reducir los niveles de
ruido, y no tiene ninguna incidencia en el la duración de los pulsos).
2. Modificar el valor de la resistencia variable RA (medir su resistencia con el
multímetro) y disparando el 555 mediante una señal de reloj de baja frecuencia (unos

68
10.3. Configuración del 555 como aestable (oscilador)

555
1 8 VCC
RA
T RIG 2 7

OUT 3 6
tH
RESET 4 5 C
(VCC )

Cdes

Figura 10.3: Configuración como monoestable-no redisparable

10 kHz) introducida en T RIG, construir una gráfica en que aparezca el tiempo de


duración tH de los impulsos de salida frente al valor de la resistencia RA (tomar
unos veinte valores y ajustar para obtener la constante de proporcionalidad del
comportamiento lineal esperado).
3. Comentar el resultado obtenido y explicar el mecanismo de funcionamiento
(a partir del esquema de bloques del 555) de su comportamiento como monoestable
(analizar los procesos de carga y descarga del condensador C). Modificar la frecuen-
cia de reloj en el rango 5-15 kHz y medir el valor de RA cuando el ciclo de trabajo se
hace del 100 %. Construir una gráfica con los datos y razonar su comportamiento.

10.3 Configuración del 555 como aestable (oscilador)


1. Montar, utilizando dos resistencias variables, el siguiente circuito como muestra
la Figura 11.3:

555
1 8 VCC
RA
2 7
RB
OUT 3 6

RESET 4 5 C
(VCC )

Cdes

Figura 10.4: Configuración como monoestable-no redisparable

2. Medir el periodo, T , y el tiempo de alta, tH , de la señal de salida para


distintos valores de RA y RB (primero dejar una de ellas fija y modificar la otra
para construir una gráfica, después hacer lo mismo para la otra, medir unos veinte
valores para cada gráfica). Obtener en ambos casos la constante de proporcionalidad

69
10. Síntesis Secuencial I: Biestables y Temporizador

del comportamiento lineal esperado para la variable T :

T = 0,7(RA + 2RB )C

3. ¿Qué relación hay entre las pendientes de ambas gráficas?


4. Calcular, con algunos de los valores ya medidos, el ciclo de trabajo ( % del
tiempo en que la señal de salida es ALTA) de la señal de salida del 555 configurado
como oscilador, compararlo con el valor teórico que se obtendría para los valores de
RA y RB .
tH RA + RB
CT ( %) = =
tH + tL RA + 2RB
5. Explicar, a partir del esquema de bloques del 555, el funcionamiento del tem-
porizador como oscilador (analizar los procesos de carga y descarga del condensador
C).

70
— Práctica Once —

Síntesis Secuencial II: Registros y Contadores en Anillo

Material necesario:
Circuitos integrados: 1 - 74LS164
1 - 74LS165
1 - 74LS04
1 - 74LS93A
1 - 74LS194
Resistencias: 4 - 1k
Diodos: 4-LED

11.1 Introducción
Los registros de desplazamiento son circuitos secuenciales sencillos, compuestos por
un conjunto de biestables que se conectan en serie, y una circuitería adicional que
controla los modos de cargar y acceder a los datos que almacenan. Su principal
función, en el seno de sistemas más complejos, es servir de almacenamiento temporal
de un conjunto de bits sobre los que se está realizando una tarea de procesamiento.
Existen cuatro combinaciones básicas que definen el tipo de registro de despla-
zamiento:

1. entrada serie / salida serie

2. entrada serie / salida paralelo (ej: 74LS164)

3. entrada paralelo / salida serie (ej: 74LS165)

4. entrada paralelo / salida paralelo

Hay circuitos integrados específicos de cada uno de esos tipos, y otros que me-
diante unas señales de control pueden cambiar su funcionamiento de un modo a otro
(Ej: 74LS195) o realizar los desplazamientos hacia la derecha o hacia la izquierda
(Ej: 74LS194). Las dos operaciones básicas que realiza un registro de desplazamien-
to es la carga/almacenamiento de los datos y el desplazamiento de éstos a lo largo
de los biestables que lo componen; la obtención de los datos correctos a la salida

71
11. Síntesis Secuencial II: Registros y Contadores en Anillo

del dispositivo depende de una cuidadosa sincronización de las señales de control,


de entrada y de salida.
En esta práctica vamos a caracterizar el funcionamiento de diferentes tipos de
registro de desplazamiento, y configurarlos para algunas de sus principales aplica-
ciones.

11.2 Registro de desplazamiento con entrada serie / salida paralelo


Caracterizaremos el funcionamiento del integrado 74LS164 que es un registro de
desplazamiento de 8 bits (ver Figura 11.1), con entrada serie y salida paralelo (sín-
cronas) y una entrada CLR de “borrado” asíncrona, activa para nivel BAJO. Tiene
dos entradas serie, A y B, que acceden a los biestables tras efectuarse una operación
NAND sobre ellas, por lo tanto, o bien entra la misma señal por ambas, o bien una
de ellas se mantiene siempre en ALTO para permitir la entrada de datos (lo que
nos proporciona una herramienta adicional de sincronización). Se puede comprobar
el esquema de la circuitería interna en la hoja de datos del 74LS164.

A
B
CLR 74LS164
CLK

...
Q0 Q7

Figura 11.1: Registro de desplazamiento serie/paralelo

Para poder caracterizar el circuito, debemos “cargar” un byte de información,


es decir ocho bits, que introduciremos en serie en el dispositivo. La señal de reloj
CLK marca el tiempo que se adjudica a cada bit en la serie (un ciclo de reloj), por
lo tanto, ocho ciclos de reloj son el tiempo necesario para cargar el byte completo y
que la salida en paralelo sea la correcta.
Utilizaremos el contador 74LS93A para generar el byte que cargaremos en el
registro, para ello lo configuraremos como un contador de módulo nueve (trunca la
secuencia en 1001) mediante las conexiones que se muestran en la Figura 11.2:

CLKA
CLKB
74LS93A
R0(1)
R0(2)

Q0 Q1 Q2 Q3

Figura 11.2: Configuración contador en módulo 9

Confirmar el correcto funcionamiento del contador, visualizando las señales CLKA


y Q3 en el osciloscopio. La señal Q3 así obtenida será la que introduciremos en am-

72
11.3. Registro de desplazamiento con entrada paralelo / salida serie

bas entradas A y B del registro 74LS164, en el que además utilizaremos la misma


señal de reloj y conectaremos CLR a ALTA.
Una vez montado el circuito, realizar las siguientes operaciones:

1. Montar cuatro diodos LED a los que introduciremos (a través de una resis-
tencia en serie de 1 k para evitar que se fundan) las señales Q0 , Q2 , Q5 y
Q7 .(Hemos elegido estas como se podría haber elegido otras o haber montado
ocho diodos LED). Observar cualitativamente el funcionamiento del registro
para una señal de reloj de muy baja frecuencia (unos 4 Hz). Describir y razonar
el comportamiento observado.

2. Aumentar la frecuencia hasta poder visualizar correctamente las señales en el


osciloscopio. Comparar las señales de entrada A y B con las diferentes salidas.
Razonar el comportamiento observado y medir el tiempo de propagación, tp ,
para cada una de las señales de salida Qi . Obtener la relación que se produce
entre ellas. Repetir las medidas para varias frecuencias de reloj (al menos para
tres) y obtener el comportamiento de tp frente a la frecuencia. Dibujar una
gráfica que represente el cronograma de las salidas respecto a la señal de reloj.

11.3 Registro de desplazamiento con entrada paralelo / salida serie


Caracterizaremos el funcionamiento del integrado 74LS165 que es un registro de
desplazamiento de 8 bits, con entrada paralelo (asíncrona) y salida serie. También
admite opcionalmente una entrada serie (SER). La señal de control SH/LD en BA-
JA permite la carga de los datos en paralelo, y en ALTA permite el desplazamiento
a lo largo de los biestables de los datos cargados, que terminan saliendo por Q y su
complemento Q. Tiene la opción adicional de inhabilitar el reloj mediante la señal
CLKIN H, ya que sobre ella y CLK se implementa la función NOR, de forma que
cuando CLKIN H está en ALTA, el reloj queda inhabilitado:

Entradas en paralelo
D0 D7
...

SH/LD
SER
74LS165
CLKIN H
CLK

Figura 11.3: Registro de desplazamiento paralelo/serie

Vamos a utilizar de nuevo el montaje que realizamos en el apartado anterior con


el contador 74LS93A. En este caso vamos a complementar, utilizando un inversor
del integrado 74LS04, la señal Q3 obtenida mediante la configuración allí indicada.
Posteriormente la introduciremos como señal de control por la entrada SH/LD.
Además conectaremos la entrada SER a BAJA, ya que no vamos a utilizar la
posibilidad de entrada de datos en serie. Una vez hecho esto:

73
11. Síntesis Secuencial II: Registros y Contadores en Anillo

1. Utilizar dos diodos LED (con dos resistencias de protección de 1 k ) para


visualizar la salida Q y su complemento. Para ello usar una señal de reloj
de baja frecuencia y cargar en paralelo un número con algún bit en ALTA.
Razonar el comportamiento observado.

2. Para caracterizar cuantitativamente el 74LS165 introduciremos tres configu-


raciones diferentes de los ocho bits de entrada, que podrán ser: a) 10000000;
b)10100000 y c) 10111000 (u otras opcionales) y visualizaremos en el oscilos-
copio la salida Q frente a la señal SH/LD. Realizar un esquema de la imagen
obtenida en el osciloscopio para cada caso. Razonar el comportamiento del re-
gistro. Medir los tiempo de propagación para cada una de las señales. (Utilizar
para ello al menos tres frecuencias diferentes de reloj).

11.4 Registro de desplazamiento universal bidireccional de 4 bits


El 74HC194 es un ejemplo de registro de desplazamiento bidireccional universal en
formato integrado. Se denomina universal porque auna las capacidades de los an-
teriores circuitos integrados estudiados: tiene capacidad de entrada y salida tanto
serie como paralelo. Se denomina bidireccional porque los desplazamientos pueden
ser tanto de izquierda a derecha como de derecha a izquierda. Un registro de des-
plazamiento se puede utilizar como contador en anillo sin mas que unir la salida a
la entrada serie.
Según la hoja de características del 74HC194, diseñar e implementar un contador
en anillo utilizando desplazamientos a la derecha. Cargar el contador en anillo con el
dato paralelo “0001”(D0 = 1 y resto a 0). Dibuje las cuatro salidas comparándolas
con el reloj.

74
— Práctica Doce —

Síntesis Secuencial III: Contadores Síncronos y Asíncronos

Material necesario:
Circuitos integrados: 2 - 74LS76AN
1 - 74LS00
1 - 74LS48
1 - 74LS93A
1 - 74LS151
Resistencias: 7 - 1K
Otros: 1 - Display 7 segmentos

12.1 Introducción
El circuito integrado 74LS76AN tiene dos flip-flop JK disparados por flanco negativo.
Ambos flip-flop son completamente independientes (sólo comparten la alimentación)
y tienen además de las entradas y salidas habituales, dos entradas asíncronas de
inicialización (P RE) y puesta a cero (CLR).
Con estos módulos básicos, se pueden diseñar una gran cantidad de bloques
funcionales más complejos, entre los que destacan por su amplia utilización los con-
tadores. Dentro de esta categoría existen a su vez una enorme variedad: secuencias
completas, secuencias truncadas, secuencia binaria o BCD, secuencia en código Gray,
secuencias incompletas (por ejemplo, contar números impares o primos), contado-
res bidireccionales (ascendente/descendente), contadores conectados en cascada, etc.
Muchos de ellos existen a su vez implementados en un mismo circuito integrado MSI
o LSI.
En esta práctica vamos a diseñar e implementar tres ejemplos de contadores
construidos a partir de circuitos 74LS76AN y algunas puertas lógicas adicionales
(NAND del 74LS00). También utilizaremos para visualizar la cuenta un descodifi-
cador BCD-7 segmentos 74LS48 y el correspondiente display de cátodo común.

12.2 Caracterización del flip-flop JK: tabla de transiciones


Utilizando uno de los flip-flop JK del 74LS76AN, comprobar:

75
12. Síntesis Secuencial III: Contadores Síncronos y Asíncronos

1. La tabla de verdad. Para ello, alimentar el circuito (atención a las entradas


de alimentación VCC y GND, que están en los pines 5 y 13 respectivamente,
diferentes a la configuración habitual en otros circuitos integrados), conectar
las señales P RE y CLR a alta, e introducir secuencialmente combinaciones de
señales altas y bajas (HH, HL, LL y LH) en las entradas J y K, comprobando
cómo varía la salida Q. Para visualizar las salidas utilizar el osciloscopio.

2. La tabla de transiciones. Para producir la transición es necesario introducir


una señal de reloj por la entrada CLK, que deberemos conseguir con el genera-
dor de ondas (obtener una señal cuadrada que oscila entre 0 y 5 V, utilizando
el offset 1 como medio para ajustar la señal cuadrada), utilizar una frecuencia
baja. Para visualizar las salidas se hara uso del osciloscopio.

12.3 Contador-divisor asíncrono de dos bits


Implementar, usando un circuito integrado 74LS76AN, el esquema de la Figura 12.1
perteneciente a un contador-divisor asíncrono de dos bits:
VH

Q0 Q1
J J

CLK CLK

K K

Figura 12.1: Contador-divisor asíncrono de dos bits

Una vez implementado el circuito, introducir una señal de reloj y visualizarla en


el osciloscopio, comparándola alternativamente con las salidas Q0 y Q1 . Con ello,

1. Medir el retardo de las salidas Q0 y Q1 comparándolas con el flanco del reloj.


Comentar el resultado. ¿Cuál es el retardo de un sólo flip-flop?¿Cual es el
retardo acumulado?

2. Comparar las frecuencias obtenidas en las salidas Q0 y Q1 . ¿Cuál es la relación


de frecuencias?

3. Construir una tabla en la que aparezca la secuencia suministrada por Q0 y


Q1 . ¿Cuantos estados dispone el contador?

4. ¿Por qué se dice que es asíncrono?


1
Aunque el generador de funciones dispone de una salida TTL (oscilante entre 0 y 5 V) es
conveniente acostumbranos a usar el offset como medio de generar señales de reloj

76
12.4. Contador-divisor síncrono de tres bits

12.4 Contador-divisor síncrono de tres bits


Implementar, usando dos circuitos integrados 74LS76AN, el siguiente esquema de
un contador-divisor síncrono de tres bits (utilizar dos puertas NAND del 74LS00
para implementar la puerta AND que aparece en la Figura 12.2):
VH

Q0 Q1 Q2
J J J

CLK CLK CLK

K K K

CLK

Figura 12.2: Contador-divisor síncrono de 3 bits

Una vez implementado el circuito, introducir una señal de reloj y visualizarla


en el osciloscopio, comparándola alternativamente con las salidas Q0 , Q1 y Q2 . Con
ello,
1. Medir el retardo de las salidas Q0 , Q1 y Q2 comparándolas con el flanco del
reloj. Comentar el resultado. ¿Se trata de un circuito síncrono? ¿Cómo influye
el retardo introducido por las puertas NAND utilizadas? ¿Qué diferencia hay
respecto al contador asíncrono del apartado anterior?

2. Comparar mediante un cronograma las frecuencias obtenidas en las salidas


Q0 , Q1 y Q2 . ¿Cuál es la relación de frecuencias?

3. Construir una tabla en la que aparezca la secuencia suministrada por Q0 , Q1


y Q2 .

4. Conectar las salidas Q0 , Q1 y Q2 a las entradas del descodificador 74LS48 (la


entrada D debe conectarse a baja) y las salidas de éste a un display de siete
segmentos (usando resistencias de protección a sus entradas) para visualizar
la secuencia numérica. Para ello, utilizar una frecuencia baja (alrededor de
1 Hz) en la señal de reloj.

12.5 Contador de décadas asíncrono


Implementar, usando dos circuitos integrados 74LS76AN y una puerta NAND del
74LS00 el siguiente esquema (ver Figura 12.3) de un contador de décadas asíncrono,
en el que se utiliza la entrada Cl de los flip-flops para truncar la secuencia:
Una vez implementado el circuito, introducir una señal de reloj y visualizarla
en el osciloscopio, comparándola alternativamente con las salidas Q0 , Q1 , Q2 y Q3 .
Con ello,

77
12. Síntesis Secuencial III: Contadores Síncronos y Asíncronos

VH

Q0 Q1 Q2
J J J J
Q3
Ck Ck Ck Ck
K K K K

X Cl

Figura 12.3: Contador de décadas asíncrono

1. ¿Explique el funcionamiento del contador y cómo se trunca la secuencia? ¿Qué


papel hace la puerta NAND?

2. Construir una tabla en la que se muestre la secuencia de las salidas Q0 , Q1 ,


Q2 y Q3 .

3. Conectar las salidas Q0 , Q1 , Q2 y Q3 a las entradas del descodificador 74LS48


y las salidas de éste a un display de siete segmentos (usando resistencias de
protección a sus entradas) para visualizar la secuencia numérica. Para ello,
utilizar una frecuencia baja (alrededor de 1 Hz) en la señal de reloj.

4. Intentar visualizar en el osciloscopio el glitch que se produce al truncar la


secuencia. Usar, por ejemplo, la señal Q1 . Explique la existencia del glitch.

5. Implementar un contador asíncrono módulo 12 (0000 a 1011). Visualizar po-


sibles glitches mediante el osciloscopio y explicar su existencia.

78
— Práctica Trece —

Síntesis Secuencial IV: Diseño de un Reloj

Material necesario:
Circuitos integrados 1 - 74LS93A
1 - 74LS151
Resistencias: 7 - 1K
Otros: 1 - Display 7 segmentos

13.1 Introducción
Los circuitos integrados SN54/74LS90, SN54/74LS92 y SN54/74LS93 son contado-
res high-speed 4-bit ripple que se disponen en dos secciones. Cada contador dispone
de una sección denominada emphdivide-by-two y otra denominada como divide-by-
five (LS90), divide-by-six (LS92) o divide-by-eight (LS93) sue son disparadas pro
media de una transición HIGH-to-LOW en las entraps de reloj. Cada sección puede
ser utilizada separadamente o bien pueden ser unidas mediante la conexión Q ≠ CP
para formar contadores BCD, biquinarios, módulo-12, o módulo-16. Además, todos
los contadores disponen de una entrada 2-input gated Master Reset (Clear), y el CI
LS90 también dispone de 2-input gated Master Set (Preset 9). En esta práctica se
va a profundizar en la utilización del CI LS93 para truncar su secuencia en la forma
que mas convenga.

13.2 Utilización del contador integrado 74LS93A: diferentes


configuraciones para truncar la secuencia
El circuito integrado 74LS93A es un contador asíncrono binario de 4 bits muy
utilizado gracias a su versatilidad, ya que mediante el uso de las dos entradas de
reloj (CLKA y CLKB) y las dos entradas R0(1) y R0(2) se puede truncar la secuencia
en cualquier valor entre 0 y 16.

1. Con ayuda de la hoja de especificaciones del anexo, montar las tres configura-
ciones que truncan la secuencia del contador en 5, 10 y 16. Razonar por qué se
trunca la secuencia para esos módulos mediante las conexiones que se indican.

79
13. Síntesis Secuencial IV: Diseño de un Reloj

CLKA CLKA CLKA


CLKB CLKB CLKB
74LS93A 74LS93A 74LS93A
R0(1) R0(1) R0(1)
R0(2) R0(2) R0(2)

Q0 Q1 Q2 Q3 Q0 Q1 Q2 Q3 Q0 Q1 Q2 Q3

Figura 13.1: Diferentes configuraciones para truncar la cuenta del contador 74LS93A

(NOTA: sólo es necesario conectar CLKA a la señal de reloj externa, ya que


CLKB viene controlada por Q0 en todos los casos).

2. Para cada una de las tres configuraciones anteriores, visualizar en el oscilos-


copio cada uno de los cuatro bits de salida frente a la señal de reloj CLKA.
Realizar una gráfica en la que se represente cada uno de los bits frente al
tiempo, para al menos un módulo completo en cada configuración.

3. Conectar la salida del contador configurado para módulo 5 y visualizar la


cuenta en el display de siete segmentos utilizando el descodificador 74LS48
(no olvidar las resistencias de protección del display).

4. Cambiar las conexiones del contador (realizar un esquema previo de las mis-
mas) para configurarlo para módulo 6, visualizar la cuenta en el display y
comprobar cómo se trunca ahora la secuencia.

5. Mediante el osciloscopio, detectar y medir la anchura temporal del glitch que


se produce cuando se trunca la secuencia. Para ello, elegir de forma razonada
cuál de las tres configuraciones arriba indicada es óptima para visualizar el
glitch y utilizarla.

6. Diseñar y montar un segundero que cuente de 00-59.

13.3 Conversión paralelo a serie


Muchos sistemas digitales procesan datos binarios en forma paralela (todos los bits
simultáneamente) porque es más rápido. Sin embargo, cuando los datos se deben
transmitir a grandes distancias, la configuración en paralelo es indeseable porque se
requiere un gran número de lineas de transmisión. Por este motivo, con frecuencia la
información a transmitir (el dato) se convierte a forma serie antes de ser transmitida.
Un método para llevar a cabo esta conversión paralelo serie, consiste en utilizar un
multiplexor.

1. Diseñar y montar un conversor paralelo/serie de 8 bits con un contador inte-


grado 74LS93 y un multiplexor 74LS151. Comprobar su funcionamiento con-
virtiendo el dato 10110101.

2. Dibuje la forma de onda de salida e identifique los bits de entrada en la salida.

80
13.3. Conversión paralelo a serie

3. ¿Qué bit se se transmite primero, el más significativo o el menos significativo?

81
—A—

Trucos, técnicas, e información útil para el trabajo en el


Laboratorio de Circuitos y Funciones Electrónicas

A.1 Lectura de los Encapsulados de los Dispositivos Electrónicos


Los dispositivos electrónicos están fabricados en distintos tipos de encapsulados de
diferentes formas, tamaños, y colores. Existen algunos códigos estandarizados para
los diferentes encapsulados que son normalmente muy útiles a la hora de montar
un circuito. En el caso de dispositivos pequeños como resistencias (o resistores) y
algunos condensadores, es conveniente saber leer el código de tales dispositivos para
asegurarse de que se esta montando el circuito con el elemento correcto y de este
modo no tener que confiar que el elemento que se ha sacado del contenedor coincide
con el que realmente marca en su etiqueta. Es fácil que en el trabajo diario en el
laboratorio haya confusiones y puede que un elemento se coloque en un contenedor
adyacente al suyo o incluso en alguno equivocado por completo.

A.1.1 Resistores
Uno de los códigos más conocidos de los dispositivos electrónicos es el código de
colores de los resistores, tal como se indica en la Figura A.1. Los resistores nor-
malmente se marcan con cuatro bandas de colores. c1 c2 c3 c4 , en un código que es
interpretado numéricamente como:
I
±10 % c4 = plata
R = c1 c2 ◊ 10c3 tolerancia =
±5 % c4 = oro
Los colores están asignados a un valor numérico que siguen cierto orden en el
espectro de colores, tal como se aprecia en la Figura A.1.
Por tanto, un resistor con un valor de 270 con una tolerancia del ±5 % debería
estar marcado con Rojo-Violeta-Marrón-Oro. El comienzo del código está situado
más cerca del extremo del cuerpo del dispositivo que el fin, como se muestra en la
Figura A.1 y nunca se encontrará un resistor que esté marcada con plata u oro al
principio del código.
Los resistores de precisión (normalmente con una tolerancia del ±1 % o menos)
son a menudo marcados con cinco bandas de colores, donde se proporcionan tres
valores numéricos antes del exponente en lugar de dos y una última banda de color
para la tolerancia. Sin embargo, a menudo uno puede encontrar este mismo tipo de
código (tres valores significantes y un exponente) pero representado numéricamente
en lugar de por colores. Por ejemplo, un resistor de precisión marcado como 9012

83
A. Trucos, técnicas, e información útil para el trabajo en el Laboratorio
de Circuitos y Funciones Electrónicas

Figura A.1: Códigos de colores para resistores

debería tener un valor de 901 ◊ 102 , o 90,1 k . En cualquier caso por ser de
precisión (su encapsulado especial lo denota) tendrá una tolerancia del 1 % o menos.

A.1.2 Condensadores
Los condensadores se encapsulan de manera que se puede identificar según su tipo
(clase de dieléctrico y de encapsulado), tal como se indica en la Figura A.2. Los
condensadores normalmente se marcan de alguna de las formas que se indican en la
Figura A.3. El esquema de etiquetado más conveniente es aquél en el que el valor
en microfaradios está marcado directamente sobre el encapsulado, como se muestra
en la Figura A.2-A. Por ejemplo, un condensador de 1000 microfaradios construido
para trabajar a no más de 16 voltios debería ser etiquetado como 1000 µF 16 V. De
hecho, los condensadores con una relativa gran capacidad están marcados así.

Figura A.2: Encapsulados típicos de condensadores: el tipo A es electrolítico; el tipo


B es de tántalo; los tipos C y D (lenteja) son cerámicos; los tipos E, F y G son de
polyester (plástico).

Muchos de los dispositivos de gran capacidad (ej., condensadores electrolíticos


y de tántalo) están polarizados de tal manera que la componente de continua (DC)

84
A.1. Lectura de los Encapsulados de los Dispositivos Electrónicos

Figura A.3: Códigos de colores y encapsulados típicos de condensadores cerámicos


y de plástico.

debe tener un determinado sentido a su través porque en otro caso podrían des-
encadenarse sucesos potencialmente peligrosos, como que el condensador explotase
esparciendo líquidos altamente corrosivos y tóxicos. Algunas veces, la polarización
está impresa en el encapsulado indicando la dirección de la polaridad. Los con-
densadores electrolíticos y de tántalo con patillas radiales (ej., ambas patillas del
condensador están al final de uno de los extremos de un encapsulado cilíndrico) a
menudo tiene una patilla más larga que otra, En este caso, la patilla más larga de-
bería estar conectada al voltaje más positivo. Los condensadores electrolíticos con
patillas axiales (una patilla en cada uno de los extremos de encapsulado cilíndrico)
a menudo tiene una marca en el terminal positivo del cuerpo del encapsulado.
Capacidades más pequeñas (ej., condensadores de disco cerámico o de lenteja)
normalmente vienen en encapsulado oval o plano con las patillas en paralelo a un
lado del cuerpo del encapsulado, como se muestra en las Figuras A.2 y A.3. Estos
condensadores están generalmente marcados con un código similar al utilizado con
los resistores, excepto que los valores del código están impresos en el encapsulado
utilizando números, y la cantidad numérica de un pico faradio (10≠12 F). Por ejem-
plo, el condensador con disco cerámico de la izquierda del la Figura A.2, que está
marcado con 015 tendría un valor de 15 pF. Normalmente estos condensadores no
están polarizados, y se pueden conectados en un circuito en cualquier sentido.

A.1.3 Circuitos Integrados


Los circuitos integrados (ICs, Integrated Circuits) vienen en diferentes tipos de en-
capsulados. El circuito integrado más usual que se verá en el laboratorio de elec-
trónica es sin duda el de encapsulado dual in-line pin (DIP), que asemeja alguna
especie de cucaracha y por eso a veces es denominado precisamente con ese mismo
nombre de insecto. Los pines del encapsulado DIP están numerados en sentido con-
trario a las agujas de reloj cuando se mira el chip desde arriba, comenzando desde la

85
A. Trucos, técnicas, e información útil para el trabajo en el Laboratorio
de Circuitos y Funciones Electrónicas

esquina izquierda superior con el pin 1. La parte superior de los chips está indicado
mediante una muesca en medio de uno de los extremos del chip. En algunos casos, la
localización del pin 1 se indica por medio de un pequeño punto en la parte superior
del chip.
Los circuitos integrados encapsulados como DIP normalmente tiene el nombre o
logotipo de su fabricante y algunas otras letras crípticas y números estampados con
tinta blanca (en algunos casos solo existe el bajorrelieve) en la superficie superior
del encapsulado negro. Estas secuencias de letras y números normalmente incluyen
un número que identifica al chip y una código de fecha que indica cuando se realizó
su manufacturación. El número identificativo del chip (part number) consiste de un
prefijo, del número del modelo, y de un sufijo. En muchos casos, diferentes fabri-
cantes de semiconductores utilizan diferentes códigos prefijos consistentes en hasta
tres caracteres alfabéticos antes del número del modelo, incluso si el mismo circui-
to integrado se fabrica en diferentes compañías. Las letras del sufijo normalmente
denotan el tipo de encapsulado y rango de temperaturas soportado.

Figura A.4: Encapsulados típicos de circuitos integrados DIP

El código de fecha en la mayoría de los circuitos integrados dispone de cuatro


dígitos que codifican la semana de fabricación del chip. Los primeros dos dígitos
proporcionan el año, y los últimos dos dígitos proporcionan la semana del año. Por
ejemplo, el código de fecha de 9837, que se muestra en el circuito integrado (IC)
mostrado en la Figura A.4, indica que estos chips fueron fabricados en la semana
37ª de 1998, que corresponde a la segunda semana de septiembre. Conocer el código
de fecha puede ser interesante por diferentes causas. Por ejemplo, si observamos el
código de fecha de algún componente de una placa de circuito impreso de cualquier
aparato electrónico nos puede dar una idea aproximada de que fecha fue fabricado el
aparato. La gran mayoría de los circuitos integrados tiene un gran periodo de vida
útil, así que normalmente uno no debe preocuparse en usar un circuito integrado
con un código de fecha antiguo.

A.1.4 Diodos
Los diodos de emisión de luz (LEDs, Light-emitting diodes) son dispositivos de vi-
sualización muy útiles en muchas aplicaciones. Los LEDs pueden encontrarse en
una gran variedad de encapsulados. Uno de los encapsulados más típicos para dis-
positivos discretos son los encapsulados serie T, que es el dispositivo mostrado en
la parte de abajo izquierda de la Figura A.5. El cátodo (es decir, el terminal más

86
A.1. Lectura de los Encapsulados de los Dispositivos Electrónicos

Figura A.5: Encapsulados típicos de dispositivos semiconductores discretos

negativo) tiene cerca de su patilla una muesca plana, mientras que el ánodo (es
decir, el terminal más positivo) tiene una patilla normalmente algo más larga.
Los diodos rectificadores y zener normalmente vienen en encapsulados de patillas
axiales con una banda marcando el terminal del cátodo, como se muestra en la
parte superior de la Figura A.5. Los diodos de potencia se presentan en todo tipo
de diferentes y extraños encapsulados, cuya función es facilitar con su diseño una
buena conexión a los disipadores térmicos que se les acoplan, de todos modos en
el laboratorio de electrónica no vamos a estudiarlos ya que todo nuestro trabajo se
centrará en circuitos diseñados para su funcionamiento a baja potencia. Por último,
destacar que la gran mayoría de los diodos rectificadores y zener tienen un número
identificativo (part number) que empieza con 1N.

A.1.5 Transistores
Los transistores discretos se presentan en diferentes tipos de encapsulado y normal-
mente con tres patillas. Uno de los encapsulados más comunes para transistores de
señal es el TO-92 el cual tiene forma cilíndrica con un lado plano, como se muestra
en la Figura A.5. Mirando al lado plano con las patillas apuntando hacia el observa-
dor, se pueden distinguir de izquierda a derecha, el emisor, colector y base. De todos
modos, siempre es aconsejable comprobar que terminales son cada patilla compro-
bándolo mediante la hoja de características o mediante un polímetro que mida la
ganancia del transistor (hF E ). Los transistores normalmente tienen un número de
componente que empieza con 1N.

A.1.6 Tarjetas de Prototipado


Para conseguir que un circuito funcione correctamente, se necesita conectar todos
los componentes juntos y de alguna manera proporcionales una fuente de alimen-
tación que le suministre la energía necesaria. En el laboratorio se utilizará como
sustento de estos elementos un rectángulo de plástico blanco o marrón con una gran
cantidad de agujeros llamado placa de prototipado, y que a menudos le llamare-
mos simplemente placa o protoboard. La protoboard permite unir rápidamente los
diferentes elementos del circuito sin malgastar tiempo en la construcción de una

87
A. Trucos, técnicas, e información útil para el trabajo en el Laboratorio
de Circuitos y Funciones Electrónicas

tarjeta de circuito impreso (PCB, printed circuit board); un gasto inútil para luego
detectar que el circuito no fue diseñado correctamente en un primer momento. So-
bre la protoboard, se podrá probar el diseño de un circuito y fácilmente corregir u
optimizar el diseño. Una vez que el circuito se haya comprobado en tanto en cuanto
su perfecto funcionamiento y optimización este puede ser construido en una versión
más permanente sobre un PCB o en algún otro sustrato.

Figura A.6: Placa protoboard para diseño de circuitos sin soldaduras. A la izquierda
se representa una vista de planta, y a la derecha se muestra como los agujeros en la
protoboard se conectan internamente con pistas de metal.

La parte izquierda de la Figura A.6 muestra la vista en planta de una protoboard


típica. A lo largo de sus bordes derecho e izquierdo corren una serie de cuatro
columnas de agujeros, a veces denominados buses, que normalmente son utilizados
para distribuir la alimentación y masa a toda la placa. Los circuitos integrados se
conectan en la zona central de la placa, donde el salto central es el espacio justo
para que se pueda colocar un encapsulado DIP, asegurando la no existencia de
cortocircuito. En la parte dentral de la protoboard, los cinco agujeros de la izquierda
del salto central (a menudo etiquetados como abcde en la parte superior de algunas
protoboards, como se muestra en la parte derecha de la Figura A.6) están unidos
interiormente por filas mediante una pista metálica. De la misma forma, los cinco
agujeros de la derecha del salto central también se unen interiormente mediante una
pista metálica por filas (como se muestra en la Figura A.6).
Cuando se inserta un cable o una patilla de componente en un agujero de la
protoboard, el cable o patilla se introduce entre un par de clips que pinzan mecáni-

88
A.1. Lectura de los Encapsulados de los Dispositivos Electrónicos

Figura A.7: Dos formas alternativas de un diseño de un circuito electrónico sobre


una protoboard. A la izquierda se muestra un diseño difícil de depurar, a la derecha
un diseño más elaborado pero más fácil de depurar.

camente y producen una conexión eléctrica sólida entre la patilla o cable y la pista
de metal de su interior. Es importante utilizar un cable de un diámetro adecuado
al agujero de la protoboard. Un cable con un diámetro demasiado pequeño no per-
mite una buena conexión por falta de conectividad y si es demasiado ancho puede
deformar los clips e impedir buenas conexiones posteriores. En el caso de que algún
componente (ej., potenciómetros o algún condensador electrolítico) tenga unas pati-
llas demasiado gruesas para se insertadas en la protoboard, será necesario unirle un
trozo de cable, de grosor adecuado a la patilla del componente, previamente pelado
alrededor de un centímetro. Para un buen montaje del circuito, se deben intentar
mantener los cables lo mas pegados a la superficie de la protoboard y que éstos sean
del tamaño adecuado. Como normal general podemos considerar las siguiente guía
a la hora de cablear un circuito sobre una protoboard.

• Cortar los cables de la longitud adecuada y colocarlos de forma plana sobre


la placa. Es muy complicado depurar un circuito en una placa formado por
una madeja de cables con cientos de lazos del mismo color. Si se mantiene la
placa limpia de lazos y cables largos y se procura un cableado plano sobre la
superficie de la placa, es mucho más fácil el seguimiento de las conexiones y
por tanto la autodepuración del circuito.

• Pelar el cable lo suficiente para producir una buena conexión. Si el cable se


pela demasiado sucede con frecuencia que la parte metálica pelada se dobla
en el interior de la placa tocando a otro cable también pelado en exceso o bien
a otra pista, lo que provoca un cortocircuito no deseado. Por el contrario si
se corta demasiado poco, se puede perder conectividad provocando circuitos
abiertos igualmente no deseados.

• Intentar no colocar los cables por encima de chips y otros componentes. Si se


colocan los cables por encima de los chips empezamos a no cumplir el primero
de los puntos que aquí se indican y además nos sería difícil retirar un chip
que pueda no funcionar correctamente y que deseamos sustituir ya sea por
depuración o por comprobación del correcto funcionamiento del conjunto.

89
A. Trucos, técnicas, e información útil para el trabajo en el Laboratorio
de Circuitos y Funciones Electrónicas

• Intentar ser metódico con la conexiones y utilizar cables de colores para cada
una de las conexiones (masa un color, alimentación otro, salidas otro etc.)

La Figura A.7 muestra dos versiones distintas de un circuito sobre una proto-
board. La versión de la izquierda de la Figura A.7 es un embrollo de cables, con
cables largos haciendo bucles uno encima y a través de otros y por encima del cir-
cuito integrado. Y peor aún, un resistor cruza por encima del circuito integrado. En
este caso, si se tiene que retirar el circuito integrado no se podría quitar sin antes
retirar el resistor y la mayoría de cables. Pero no es lo peor, se podría pensar un
escenario aun mas terrible, una protoboard con varios circuitos integrados cableados
de esta forma. Por otro lado, en la versión de la derecha del circuito que muestra
la Figura A.7 los circuitos integrados se conectan entre si mediante un conjunto de
cables cortos, planos y pegados a la superficie de la protoboard. En este caso es muy
fácil , seguir el circuito y reemplazar cualquier circuito integrado sin tener que tocar,
cambiar, o quitar ninguna otra conexión. Una táctica consiste en la utilización de
giros de 90 grados para conectar dos puntos opuestos, como es el caso del resistor
y del circuito integrado. Para ellos, se ha utilizado varios tramos de cables para
conectar las patillas del resistor con las dos patillas opuestas del circuito integrado
utilizando zonas no ocupadas a la hora de obtener el giro. En el día a día en el labo-
ratorio, se debe tender a realizar circuitos como este último donde a largo plazo el
tiempo empleado en la sofisticada elaboración del cableado se compensa con creces
por el escaso periodo de depuración que se necesita si aparece algún fallo.
Por último, solo cabe indicar que cuando se inserta o se retira un circuito inte-
grado de la protoboard, se debería ser muy cuidadoso debido a que los pines de los
encapsulados DIP están constituidos de un metal que se dobla muy fácilmente. A
veces los pines se pueden desdoblar pero es una tarea ingrata y muchos circuitos
integrados se deterioran tanto que se arruinan por completo. El doblado de pines, la
mayoría de veces, ocurre durante estos dos procesos. Se aconseja que para insertar
un chip, se coloque éste sobre la posición en que se quiera situar sobre la protoboard
asegurandose de que los pines estén perfectamente alineados con los agujeros de la
misma, para posteriormente presionar de forma leve pero firme sobre el encapsulado
para su colocación final. Si no se procede de esta forma es muy fácil que se doblen
las patillas del circuito integrado. Para retirar un chip de la protoboard, hay que
poder tirar de forma uniforme de todo el chip. Esto implica tirar de los extremos
mas lejanos del chip por igual lo que a veces es difícil de realizar con los dedos. Para
intentar evitar la extracción con los dedos, se puede utilizar un destornillador para
primero extraer alternativa y levemente de un extremo y del otro, con grandísimo
cuidado de no doblar sus pines, hasta que el circuito integrado quede completamente
liberado. Existe una herramienta especial que se denomina IC pullers que permite
el agarre de ambos lados del integrado para su extracción. Se deberá intentar tocar
los pines del chip lo menos posible durante todo estos procesos.

90
—B—

PSpice Student Version

B.1 Instalación
Descomprima el fichero pspice.zip en un directorio y localice el fichero setup.exe. Ha-
ga doble click sobre éste y aparecerá una ventana donde se avisa sobre la desconexión
del programa antivirus. No hace falta cerrar el antivirus. También es necesario tener
los permisos administrativos para instalar el programa. En la siguiente ventana elija
las dos opciones a instalar Capture y Schematics. Elija el directorio de destino. Siga
con Next hasta terminar.

B.2 Crear un proyecto


Ejecute Capture Student. Elija la opción New Project ... del menú File. En la nueva
ventana escriba el nombre del proyecto y su localización. Respecto a la localización
del proyecto, se recomienda utilizar una unidad USB exterior, de esta manera podrá
realizar simulaciones fuera del laboratorio. Después se podrá elegir entre Create a
blank project, si empezar un proyecto nuevo, o Created based upon an existing project
si se desea importar desde un proyecto anterior. Después se abrirán tres ventanas.
La ventana de los recursos utilizados en el proyecto, la ventana de los registros de
la sesión y la ventana del área de trabajo en donde se podrá dibujar el circuito.
Es conveniente guardar el esquemático y el proyecto cada vez que se realice una
modificación importante.

B.3 Seleccionar un componente


Para dibujar un componente, primero se selecciona Part del menú Place. Al principio
es necesario añadir las bibliotecas ANALOG, BREAKOUT, EVAL, SOURCE y
SPECIAL, que están en la carpeta \Capture\Library\Pspice. Cuando terminemos,
se pulsa la tecla Esc. Conforme se dibujan los componentes en el área de trabajo,
éstos se incluyen en la ventana de recursos. Es importante ir guardando de vez en
cuando el proyecto.

B.4 Añadir el componente GND


En PSpice, todo circuito debe tener un nodo de referencia. Este componente se
puede añadir desde la opción Place Power ... o desde Place Part .... En cualquier
caso elegir el componente GND_POWER. Es preciso editar las propiedades de

91
B. PSpice Student Version

este componente y en el campo Name poner el valor numérico de cero. Cualquier


componente se puede copiar y pegar en la ventana del área de trabajo.

B.5 Relojes digitales


La estimulación de los valores de las entradas digitales se puede realizar con el
componente DigClock de la biblioteca SOURCE. Si se elige el mismo valor para
los parámetros OFFTIME y ONTIME, la señal digital será una forma de onda
cuadrada, de periodo igual al doble de ese valor. Si se desea generar las entradas de
una tabla de verdad de varias variables, se utilizarán varios relojes de manera que
la variable de menos peso tenga el periodo T , la siguiente tenga el periodo 2T , y así
sucesivamente.

B.6 Cambiar el modelo PSpice de un componente


El modelo Pspice de los componentes de las librerías que vienen con esta versión
de evaluación se puede editar según las necesidades del circuito. Por ejemplo, si es
necesario utilizar un diodo que no está en la librería, entonces se elige el componente
Dbreak y se edita su modelo PSpice. Muchos fabricantes de componentes facilitan
sus modelos PSpice, de manera que podemos copiar el texto del modelo. Una vez
terminado se guarda en el proyecto.

B.7 Crear una forma de onda en diente de sierra


En ocasiones se necesitan formas de onda que no están en las bibliotecas de PSpice de
Capture. Por ejemplo, para crear una forma de onda en diente de sierra, de periodo
TS y amplitud Vp es posible hacerlo con el componente VPWL_RE_FOREVER.
Se abre el editor de propiedades del componente y en el campo FIRST_NPAIRS se
pone (0,0) (0.9999,1) (1,0). El valor TS en el campo TSF y el valor Vp en el campo
VSF.

B.8 Crear una variable global para el análisis paramétrico


Los valores de los componentes, una resistencia, tensión, la frecuencia de una forma
de onda, etc., pueden asignarse a una variable global para realizar un análisis para-
métrico. En primer lugar se edita el valor del componente y en su lugar se escribe el
nombre de la variable global entre los símbolos de llaves. Por ejemplo, si queremos
que el valor de una resistencia sea una variable global, se edita su valor y se pone
{RVAL}. Se añade el componente PARAM que está en la biblioteca SPECIAL. Se
abre el editor de propiedades del componente PARAMETERS:, ahora se pulsa en el
botón New column ..., se escribe el nombre de la variable global, RVAL sin llaves, en
el campo Name y un valor numérico en el campo Value, por ejemplo 1k. Se pulsan
los botones Apply y Cancel. Ahora se configura la simulación, activando la casilla
Parametric Sweep y se elige Global parameter. Se escribe RVAL en Parameter name.

92
B.9. Tipos básicos de perfiles de simulación

Finalmente, se elige el tipo de barrido, por ejemplo lineal, con un comienzo en 500,
final en 2000 e incremento de 500.
También permite repetir el análisis para varios valores de algún generador, pa-
rámetro de un componente o temperatura. Es aplicable a los análisis en el dominio
del tiempo y de la frecuencia (AC Sweep).

B.9 Tipos básicos de perfiles de simulación


B.9.1 Análisis en continua, o análisis DC Sweep
El análisis DC Sweep permite hacer un barrido de tensión (V), de corriente (I) e
incluso de parámetros más complejos como la ganancia del transistor (—), calculando
el punto de trabajo, en cada barrido, de los distintos tipos de variable que se han
sido seleccionados; pudiendo ser estas variables: lineales, por décadas o según una
lista de valores. En el cuadro Sweep variable se elige el tipo de variable sobre la
que hacer el barrido; en el caso de ser una tensión se escoge el mismo nombre que
la identifica en el esquemático. Este tipo de análisis admite el análisis anidado con
Secondary Sweep.

B.9.2 Respuesta en frecuencia, o análisis AC Sweep/Noise


Permite comprobar cómo se comporta el circuito para diferentes frecuencias de la
señal de entrada. Para realizarlo debe haber en el esquemático una fuente con el
parámetro AC (por ejemplo el componente VAC de la biblioteca SOURCE). Se
abre la opción de configuración de la simulación y en Analysis type seleccionamos la
opción AC Sweep/Noise y rellenamos los parámetros de este tipo de análisis (en AC
Sweep Type seleccionando Logarithmic (Decade)). También se indica la frecuencia
de inicio del barrido en frecuencia con Start Frequency, la frecuencia final del barrido
con End Frequency (nótese que para indicar megaherzios en esta herramienta hay
que poner el sufijo meg 1 y el número de puntos por década Points/Decade (101 es
un número de puntos suficiente en la mayoría de las simulaciones).

B.9.3 Análisis temporal, Time Domain (Transient)


Es un análisis en el dominio del tiempo. Asociado a él está el análisis de Fourier.
Para realizarlo debe haber en el esquemático una fuente con parámetros temporales.
Por ejemplo el componente VSIN de la biblioteca SOURCE que genera una señal
senoidal. En los las propiedades de esta fuente hay que especificar: VOFF (tensión
de offset, que debe ser 0 V si se quiere tener una señal senoidal simétrica), VAMP
(amplitud en voltios de pico de la señal senoidal que se desea generar) y FREQ
(frecuencia).
En los parámetros del análisis temporal se debe indicar el tiempo de simulación
Run to time que deberá adecuarse a la frecuencia de la señal de entrada en el circuito.
Por ejemplo si la frecuencia de la señal es de 1 kHz, su periodo es de 1 ms y se desea
simular para tener cinco períodos de la señal, entonces Run to time=5 ms. También
es conveniente indicar el paso máximo de simulación Maximun step size. Siguiendo
1
Con el sufijo m el programa entiende que las unidades están en mili y no en mega

93
B. PSpice Student Version

con el ejemplo de señal de entrada de 1 kHz, si se desean 100 puntos por período de
la señal de entrada, entonces Maximun step size=10 µs.

B.9.4 Análisis del punto de funcionamiento en continua, Bias Point


Para realizar este tipo de análisis se debe poner una fuente de tensión continua
que disponga del parámetro DC. Por ejemplo el componente VDC de la biblioteca
SOURCE. Si tenemos dispositivos semiconductores en el esquema, es conveniente
marcar la opción Include detailed bias point information for nonlinear controlled
sources and semiconductors(.OP). El resultado de esta simulación no es un fichero
.dat, sino que se visualiza en un fichero de texto (extensión .out) que se abre desde
la ventana de PSpice A/D con el menú View y la opción Output File. En el listado
(si no ha habido errores durante la simulación) aparecen:

• Los listados de nodos del esquemático y de PSpice.

• Las tensiones en todos los nodos.

• Las corrientes en los generadores de tensión.

Con este perfil también es posible realizar el análisis de la función de transferencia


de un circuito, marcando la opción Calculate small signal DC gain (.TF) e introdu-
ciendo los valores de las tensiones entre las que se quiere calcular dicha función. La
tensión de entrada From Input source name no puede ser un alias; tiene que ser el
nombre de una fuente independiente de tensión. El nombre de la salida To Output
variable debe tener el formato V(alias), siendo alias el nombre de un cable. Después
de ejecutar la simulación, justo al final del fichero .out generado, en el apartado
SMALL SIGNAL CHARACTERISTIC se podrá ver el dato.

B.10 Análisis de los resultados con PSpice A/D


El resultado de una simulación temporal se guarda, como en el caso del análisis
en frecuencia, en un fichero .dat que se abre con PSpice A/D. Este archivo ocupa
bastante espacio y como se regenera cada vez que se simula el circuito se puede
borrar para liberar espacio. Una razón por la que los ficheros de datos de ondas
son tan grandes es que, por defecto, PSpice A/D guarda todas las tensiones de las
conexiones y las corrientes de los dispositivos para cada paso (por ejemplo, puntos
de tiempo y frecuencia).
Una manera de reducir este tamaño es colocar los marcadores que interesen en
el esquema antes de la simulación, de esta forma PSpice A/D salva únicamente
los resultados de los nodos y pines que contengan los marcadores. Para limitar el
tamaño del fichero utilizando marcadores hay que hacer lo siguiente: En el menú
PSpice de Capture, seleccionar Edit Simulation Settings para ver la caja de diálogo
Simulation Settings. Seleccionar la pestaña Data Collection. Finalmente, en la zona
Schematic/Circuit Data, seleccionar At Markers only y aceptar con OK.
PSpice A/D permite obtener nuevos gráficos a partir de las señales obtenidas
durante la simulación. Por ejemplo: se pueden sumar, restar, multiplicar y dividir se-
ñales, así como también obtener la parte imaginaria, el promedio, el máximo, la fase,

94
B.10. Análisis de los resultados con PSpice A/D

la ganancia, etc. de las variables listadas en la ventana Simulation Output Variables


que aparece cunado seleccionamos Add Traces. A la derecha, se puede observar la
lista de operadores y funciones disponibles Analog Operators and Functions.
Por otra parte, las funciones objetivo (Goal functions) son un conjunto de ins-
trucciones que PSpice A/D utiliza para evaluar determinadas características de una
señal.

95
—C—

Utilización del software SP107E de Hameg

El Software SP107E para la documentación de señal bajo Windows®, es de libre


utilización y se puede descargar desde la página www.hameg.com en la sección de
descargas. Una vez instalado, para comunicarse con el osciloscopio HM407-2 se pulsa
el botón Config y se selecciona el puerto y la velocidad de transmisión, que en el caso
de no conocerse se obtiene seleccionando Autosearch. Cuando se haya establecido la
comunicación entre el ordenador y el osciloscopio, cada vez que se desee capturar
las señales se pulsa el botón Read. Las señales se pueden almacenar en el formato
.mes, para un posterior análisis con este programa, incluso sin estar conectado al
osciloscopio. También se pueden almacenar en formato .tab (archivo de texto) si
se desea utilizar programas como Matlab, Excel, SciLab, etc. En la Figura C.1 se
presenta las diferentes ventanas de este programa. La ayuda está disponible en el
menú ?.

Figura C.1: Imagen del programa SP107E de Hameg.

97
—D—

Familias lógicas: Tecnologías

D.1 Familia TTL


La familia lógica TTL (TTL, transistor-transistor logic o lógica transistor-transistor)
es una familia que se caracteriza fundamentalmente por su rapidez y porque sus tran-
sistores trabajan mayoritariamente en corte-saturación. La numeración de cualquier
circuito integrado (CI) de esta familia comienza con los dígitos 74 (serie comercial)
ó 54 (serie militar, con especificaciones más exigentes). Algunas de las subfamilias
más utilizadas son: Estándar, S (Schottky), LS (Low Power Schottky), ALS (Advan-
ced Low Power Schottky), FAST (Advanced Schottky) y ABT (Advanced BiCMOS).
Las normas generales de funcionamiento para la familia TTL son:

- La tensión de alimentación debe ser constante de 5V (± 0,5V), excepto para


los casos de familias de baja potencia para las cuales la tensión de alimentación
puede ser inferior a los 3,3V.
- No dejar sin conectar ninguna entrada. Los principales problemas de funcio-
namiento se deben a estos fallos de conexión.
- El fabricante recomienda conectar las entradas que no se utilizan al nivel lógico
alto (H). De este modo, se obtiene una mayor inmunidad frente al ruido, una
mayor velocidad de conmutación y una disminución del consumo.
- No se puede conectar directamente dos salidas (Figura D.1), excepto si las
salidas son de tipo colector abierto (open collector).

Figura D.1: Conexión errónea de dos salidas de puertas NAND TTL.

- Se deben evitar conexiones largas entre circuitos. Los cables pueden actuar de
antenas y provocar un funcionamiento incorrecto.
- Las diferentes series tienen unos niveles típicos de tensión para las entradas
y las salidas. El fabricante proporciona estos datos, como los representados

99
D. Familias lógicas: Tecnologías

en la Tabla D.1. En el caso de un CI de la serie LS-TTL comercial, cualquier


tensión entre 0 y 0,8 V en una entrada de este CI será interpretada como un
nivel lógico bajo (L), y cualquier tensión entre 2 y 5 V será interpretada como
un nivel lógico lógico alto (H).

Tabla D.1: Niveles de tensión de entrada y de salida de algunas familias TTL.

Series familias TTL 54 - Militar (-55 a 125ºC) 74 - Comercial (0 a 70ºC)


VIL VIH VOL VOH VIL VIH VOL VOH

sin serie, estándar 0,8 2,0 0,4 2,4 0,8 2,0 0,4 2,4

H, High speed 0,8 2,0 0,4 2,4 0,8 2,0 0,4 2,4

LS, Low power Schottky 0,7 2,0 0,4 2,5 0, 8 2, 0 0, 5 2, 7

ALS, Advanced LS 0,8 2,0 0,4 2,5 0,8 2,0 0,5 2,5

FAST, Advanced S 0,8 2,0 0,5 2,5 0,8 2,0 0,5 2,5

ABT, Advanced BiCMOS 0,7 2,0 0,4 2,5 0,8 2,0 0,5 2,7

Como se puede observar en la Tabla D.1, los niveles de tensión de salida están
incluidos dentro de los niveles de tensión de entrada de manera que se pueda
interconectar en cascada varias entradas de la misma familia. En el caso de
la familia LS-TTL comercial, el fabricante garantiza una tensión de salida
máxima para el nivel lógico bajo (L) de 0,5 V (VOL ), que es inferior en 0,3 V
al máximo permitido para el nivel bajo (L) de entrada (VIL ). Por otro lado, la
tensión de salida mínima para el nivel lógico alto (H) es de 2,7 V (VOH ), que
es superior en 0,7 V al mínimo permitido para la entrada (VIH ).

D.2 Familia CMOS


La tecnología CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) se caracteriza
por su alta integración en CI y su bajo consumo. En la actualidad, hay subfamilias
CMOS que posee velocidades cercanas a algunas subfamilias TTL. Algunas de las
subfamilias más utilizadas son: serie 4000, HC y HCT (High-Speed CMOS, HCT en-
tradas compatibles TTL), AC y ACT (Advanced CMOS, ACT entradas compatibles
TTL), LVX (Low Voltage CMOS, trabaja de 2.0 a 3.6 V, compatible con entradas
TTL), LCX (Low Voltage High Performance, trabaja a 3.3 V (de 2.7 a 3.6 V), com-
patible con entradas y salidas TTL) y VHC (Very High Speed CMOS, trabaja de
2.0 a 5.5 V con tiempos de conmutación de 3.7 ns). Las consideraciones generales de
conexión mencionadas anteriormente para los circuitos de la familia TTL son tam-
bién aplicables a los circuitos de la familia CMOS. Además, se añaden las siguientes:

- La alimentación debe ser constante y puede oscilar entre 2V y 15V según la


subfamilia.

100
D.3. Conexiones de los CIs TTL y CMOS a caracterizar

- La tensión de entrada nunca debe exceder la tensión de alimentación (excepto


en buffers).

- El bajo consumo en reposo y el reducido tamaño permite una alta integración


de funciones.

- Se deben evitar, siempre que sea posible, flancos de subida y/o de bajada
de la señal de la entrada excesivamente lentos, puesto que repercuten en un
excesivo consumo. Los tiempos óptimos deben ser menores de 15 µs.

- Nunca se debe conectar una señal de entrada a un circuito CMOS si no está


conectada la alimentación.

El motivo por el cual la manipulación y la utilización de circuitos CMOS deben


realizarse con precaución, es debido a la estructura interna de estos circuitos. El
transistor básico CMOS que se utiliza en los CIs está basado en una capa delgada
de SiO2 que separa y aísla el metal de la puerta del substrato de silicio (Si). Sin
conexión de alimentación y al ser una capa muy delgada de SiO2 , el CI CMOS
queda virtualmente sin carga ante una señal de entrada, siendo muy susceptible de
destruirse por electricidad estática.

D.3 Conexiones de los CIs TTL y CMOS a caracterizar


Las conexiones o pines de los CIs (Figura D.2) se enumeran tomando como referencia
la “muesca” o marca de fábrica situada en uno de los extremos del CI, comenzando
la enumeración en sentido contrario al de las agujas del reloj, y visto el CI desde
una perspectiva superior.

VCC
14 13 12 11 10 9 8

marca del
fabricante
1 2 3 4 5 6 7
GN D

Figura D.2: Esquema de conexiones del CI 74LS00 (para el 74HTC00 es el mismo).

El fabricante proporciona el esquema de las conexiones que difieren de un CI


a otro. Por ejemplo, la Figura D.2 corresponde al esquema de conexiones del CI
74LS00 que se caracterizará en primer lugar en la práctica 6. El número 74, las
siglas LS y el numero 00 corresponden a la familia comercial TTL, a la subfamilia
de baja potencia “Low Schottky” y a la serie de 4 puertas NAND de dos entradas
para cada puerta, respectivamente. En el esquema (Figura D.2), se observan las
entradas y salidas de cada una de las cuatro puertas NAND que contiene.

101
D. Familias lógicas: Tecnologías

En segundo lugar, se caracterizará un CI CMOS con referencia 74HCT00 y


esquema de conexiones idéntico al de la Figura D.2. El esquema de conexiones suele
ser independiente de la familia lógica y es el mismo para la misma serie. Es posible
que a lo largo de las sesiones de prácticas se caractericen otras subfamilias y/o series
de CIs. En cualquier caso, el profesor informará a principio de la práctica cuales son
los CIs a caracterizar.
La alimentación es común a todas las puertas. Hay que prestar una atención par-
ticular a la hora de conectar las conexiones de alimentación (VCC ) y masa (GN D),
puesto que una conexión incorrecta significa en la mayoría de los casos la destrucción
del CI.

102
—E—

Características estáticas y dinámicas de una familia lógica

E.1 Características estáticas de una familia lógica


Estas características permiten definir el comportamiento estático (o permanente) de
una familia lógica. A continuación, se definen unos conceptos basados en el análisis
de una puerta inversora.

E.1.1 Característica de transferencia de una puerta


La característica de transferencia define el comportamiento de una puerta. Este
comportamiento se obtiene a partir de la curva Vo = f (Vi ), donde Vo y Vi son las
tensiones de salida y de entrada de la puerta (conectada a VCC ) respectivamente.
La Figura E.1 representa la característica de transferencia de una puerta inversora.

Vo Margen de transición

VOHmax pendiente -1
VOHmin A

Vi Vo

VOLmax B VCC
VOLmin Vi

VILmin VILmax VIHmin VIHmax

VIL VIH

Figura E.1: Característica de transferencia de una puerta inversora.

En la característica están anotados los valores de tensiones que serán útiles para
poder interpretar correctamente las características funcionales de cada familia lógi-
ca:

- VCC : Tensión de alimentación. Corresponde al rango de tensiones permitido


para el cual el dispositivo funciona.

103
E. Características estáticas y dinámicas de una familia lógica

- VOHmax : Tensión de salida máxima para el nivel alto H. Corresponde a la


tensión de salida máxima para el nivel alto garantizada por el fabricante.

- VOHmin : Tensión de salida mínima para el nivel alto H. Corresponde a la


tensión de salida mínima para el nivel alto garantizada por el fabricante. La
localización de este punto en la característica de transferencia corresponde a
aquél donde la pendiente es igual a –1 (igual a 1 para un no inversor).

- VOLmax : Tensión de salida máxima para el nivel bajo L. Corresponde a la


tensión de salida máxima para el nivel bajo garantizado por el fabricante. La
localización de este punto en la característica de transferencia corresponde a
aquél donde la pendiente es igual a –1 (igual a 1 para un no inversor).

- VOLmin : Tensión de salida mínima para el nivel bajo L. Corresponde a la


tensión de salida mínima para el nivel bajo garantizada por el fabricante.

- VILmax : Tensión de entrada máxima para el nivel bajo. Corresponde a la


tensión máxima que se puede aplicar a la entrada para el nivel lógico “0”.
Para tensiones ligeramente superiores a VILmax no se garantiza que la entrada
sea interpretada como un “0”. La localización de este punto en la característica
de transferencia corresponde a aquél donde la pendiente es igual a –1 (igual a
1 para un no inversor).

- VILmin : Tensión de entrada mínima para el nivel bajo L. Corresponde a la


tensión de entrada mínima permitida para el nivel lógico bajo L.

- VIHmax : Tensión de entrada máxima para el nivel alto H. Corresponde a la


tensión de entrada máxima permitida para el nivel lógico alto H.

- VIHmin : Tensión de entrada mínima para el nivel alto H. Corresponde a la


tensión mínima que se debe aplicar a la entrada para que sea interpretada
como el nivel lógico alto H. La localización de este punto en la característica
de transferencia corresponde a aquél donde la pendiente es igual a –1 (igual a
1 para un no inversor).

A partir de esta característica de transferencia, se definen los siguientes términos:


margen del cero, margen del uno, margen de transición y amplitud lógica.

Margen del cero

El margen del cero nos permite obtener la variación de la tensión de entrada de la


puerta (Vi ), conocido como nivel lógico bajo, para el cual la salida (Vo ) no cambia del
nivel lógico alto. El margen del cero (unidad V ) viene determinado por (Figura E.1):

VIL = VILmax ≠ VILmin

104
E.1. Características estáticas de una familia lógica

Margen del uno


Del mismo modo, existe un margen de variación de la tensión de entrada (Vi ),
conocido como nivel lógico alto, para el cual la salida (Vo ) no cambia del nivel
lógico bajo. El margen del uno (unidad V ) viene determinado por (Figura E.1):

VIH = VIHmax ≠ VIHmin

Margen de transición
El margen de transición corresponde a los valores de la tensión de entrada que no
corresponden a un nivel lógico concreto (ni nivel bajo, ni nivel alto). Por consiguiente,
cualquier valor comprendido dentro de ese margen corresponderá a un nivel lógico
indeterminado a la salida. El margen de transición (unidad V ) está situado entre
los puntos de transición A y B (Figura E.1):

VT = VIHmin ≠ VILmax

Amplitud lógica
La amplitud lógica es el margen de tensión con el que trabaja la puerta. En la
Figura E.1, la amplitud lógica (unidad V ) sería:

VL = VOHmax ≠ VOLmin

E.1.2 Característica de transferencia de una familia lógica


Dentro de una misma familia lógica, es difícil obtener tecnológicamente la misma
característica de transferencia. Es decir, si se superponen todas las características
de transferencia de las puertas de una misma función (perteneciente a una misma
familia lógica), se obtiene la característica de transferencia de la Figura E.2.

Vo Margen de transición

VOHmax A
VOHmin

VOLmax B VCC
VOLmin Vi

VILmin VILmax VIHmin VIHmax

VIL VIH

Figura E.2: Característica de transferencia de una misma familia.

105
E. Características estáticas y dinámicas de una familia lógica

E.1.3 Margen de ruido


El margen de ruido caracteriza la sensibilidad del dispositivo al ruido. El ruido es
una tensión no deseada que puede perturbar el funcionamiento del circuito. El ruido
puede ser una tensión positiva o negativa. En el caso de una tensión positiva, si se
añade a la tensión de entrada de un nivel bajo, tiene por efecto de aumentar el
valor crítico VILmax y a la salida aparecerá un error lógico (0 en vez de 1 para un
inversor). Todo lo contrario ocurriría (en presencia de ruido positivo), si se aplica
en la entrada un nivel lógico alto, ya que se alejarías del valor crítico VIHmin . Un
análisis similar con un ruido de tensión negativa aplicando una tensión a nivel alto
y alcanzando el valor crítico VIHmin , provocaría un error lógico (1 en vez de 0 para
un inversor).
Como se ha podido comprobar, el ruido es un problema en la electrónica digital,
de modo que para evitar los errores lógicos inherentes a dicho ruido (positivo o
negativo), los fabricantes de dispositivos establecen un margen de seguridad para
no sobrepasar los valores críticos de tensión. Al tener dos valores críticos, se establece
un margen de ruido para el estado lógico bajo y otro para el estado lógico alto. Las
tensiones de entradas críticas (VIHmin , VILmax ) aplicando sus respectivos márgenes
de ruido (VN H , VN L ) pasarían a ser las de las indicadas en la Figura E.3.

Vo

VOHmin A

B VCC
VOLmax Vi

VOLmax VILmax VIHmin VOHmin VIHmax

VN L VN H

Figura E.3: Valores críticos de tensiones con sus respectivos márgenes de ruido.

Los márgenes de ruido para el nivel bajo (VN L ) y nivel alto (VN H ) vienen defi-
nidos por las siguientes relaciones (unidad V ):

VN L = VILmax ≠ VOLmax
VN H = VOHmin ≠ VIHmin

Los márgenes de ruido para una misma familia se determinan a partir de la


característica de transferencia de una puerta conectada a otra y realimentadas (Fi-
gura E.4 y Figura E.5).

106
E.1. Características estáticas de una familia lógica

Vi1 Vo1 = Vi2 Vo2

Vi1 = Vo2

Figura E.4: Conexión de dos puertas inversoras realimentadas.

Vo1 = Vi2

VOHmax
VOHmin

VOLmax Vi1 = Vo2


VOLmin
VLmin VHmax

VN L VN H

VLmax VILmax VIHmin VHmin

Figura E.5: Función de transferencia para dos puertas inversoras realimentadas para
una misma familia.

Los márgenes de ruido para una familia lógica vienen definidos de la siguiente
forma (unidad V ):

VN L = VILmax ≠ VLmax
VN H = VHmin ≠ VIHmin

E.1.4 Fan-in y Fan-out


El Fan-out indica la cantidad de cargas (entradas de otras puertas) que pueden
conectarse a la salida de una puerta manteniendo los niveles de tensión en los
límites especificados. Es decir, si se conecta un número de cargas a la salida de una
puerta que proporciona un nivel bajo, la tensión de salida de dicha puerta no deberá
superar la VILmax de las puertas que actúan como cargas para que no se produzca un
error lógico. Del mismo modo, si se conecta un número de cargas a la salida de una
puerta que proporciona un nivel alto, la tensión de salida de dicha puerta no deberá
ser inferior a la VIHmin de las puertas que actúan como cargas. Al depender de los
valores de VILmax y de VIHmin , el Fan-out dependerá principalmente del margen de
ruido que se considere.

107
E. Características estáticas y dinámicas de una familia lógica

De modo similar, el Fan-in indica el número de puertas que se puede conectar a


la entrada respetando los límites de carga. Se utiliza más el término y la definición
de Fan-out que del Fan-in.
Para poder interpretar el Fan-out, se definen los siguientes términos:

- IOH : Corriente de salida nivel alto.

- IOL : Corriente de salida nivel bajo.

- IIH : Corriente de entrada nivel alto.

- IIL : Corriente de entrada nivel bajo.

Se define un Fan-out para el nivel bajo y otro para el nivel alto que corresponden
de forma general a los siguientes cocientes:

- Fan-out nivel bajo = IIL .


IOL

- Fan-out nivel alto = IIH .


IOH

El resultado de estos cocientes es un número entero de puertas. Puede que el número


de puertas obtenido por el Fan-out nivel bajo no coincide con el Fan-out nivel alto.
La carga efectiva será el que tenga menos puertas como valor. Para los circuitos
TTL, se suele definir sólo el Fan-out para el nivel bajo. Es debido a que la corriente
de entrada a nivel bajo de una puerta (IIL ) es muy superior a la del nivel alto (IIH ),
por lo que las tensiones VOL e VIL estarán más influenciadas por sus intensidades
correspondientes IOL e IIL que las tensiones VOH e VIH por las corrientes IOH e IIH .
Para los circuitos CMOS, no tiene sentido hablar de Fan-out, puesto que debido a
su fabricación tecnológica, la intensidad de entrada a nivel bajo y a nivel alto es
despreciable y, por consiguiente, el valor del Fan-out será muy grande para cualquier
valor de intensidad de salida a nivel bajo y a nivel alto que pueda proporcionar el
circuito CMOS.
En la literatura, se puede encontrar hasta cuatro formas diferentes para obtener
el Fan-out nivel bajo. A continuación, solamente se establece el Fan-out según las
condiciones del fabricante y en las condiciones más favorables.

Fan-out en las condiciones del fabricante para la familia TTL


Para poder comparar las capacidades de carga de las diferentes familias TTL, los
fabricantes han definido unos valores de carga normalizados (U. L. – Unit Load:
unidad de carga) correspondientes a un margen de ruido de 400 mV . La unidad de
carga que proporciona el fabricante de circuitos TTL es:

- 1 U. L. = 40 µA (IIH ) para el nivel lógico alto de salida.

- 1 U. L. = 1.6 mA (IIL ) para el nivel lógico bajo de salida.

108
E.1. Características estáticas de una familia lógica

De este modo, se obtiene:

- Fan-out nivel bajo = IOLmax /1,6mA (U. L.). Con el valor de VOLmax , que es
VILmax ≠ VN L , se determina el valor de IOLmax que proporciona la puerta.
- Fan-out nivel alto = IOHmin /40µA (U. L.). Con el valor de VOHmin , que es
VIHmin + VN H , se determina el valor de IOHmin que proporciona la puerta.

Fan-out para un margen de ruido de 0 V (caso más favorable)


El Fan-out en las condiciones más favorables corresponde a un margen de ruido
de 0V. A partir de la característica de transferencia de la puerta con una carga
conectada, se obtiene el valor máximo de la tensión de entrada a nivel bajo VILmax
(sin margen de ruido). La intensidad de salida IOL que produce una tensión de salida
VOL = VILmax se divide por la intensidad de entrada IIL correspondiente a VILmax .
El Fan-out para el nivel bajo será entonces igual a IOL /IIL . De modo similar, se
obtiene el Fan-out para el nivel alto igual a IOH /IIH .

E.1.5 Disipación de potencia


Otra característica muy importante en régimen estático es la disipación de potencia.
Se calcula para una sola puerta y sin ninguna carga conectada a la salida de dicha
puerta. Es el valor medio entre la potencia disipada para el nivel bajo y la potencia
disipada para el nivel alto:

VCC IH + VCC IL
PDmedia =
2
IH e IL corespenden a la intensidad de alimentación de una puerta cuando su salida
está a un nivel alto e nivel bajo, respectivamente (Figura E.6).

+VCC +VCC +VCC

IH IL
alto (H) bajo (L)

Figura E.6: Representación de una puerta inversora nivel alto y nivel bajo.

E.1.6 Intensidad de salida en cortocircuito (IOS )


Es un valor siempre útil de conocer. Corresponde a la intensidad de salida de una
puerta a nivel alto cuando en dicha salida se ha producido por cualquier motivo un
cortocircuito a masa (IOS ). Ese valor viene dado en la ficha técnica de los fabricantes.
En el caso que se produjera un cortocircuito, se incrementaría la disipación de
potencia de la puerta en conjunto y del transistor de salida de dicha puerta, en
particular.

109
E. Características estáticas y dinámicas de una familia lógica

E.2 características dinámicas de una familia lógica


La mayoría de las aplicaciones con circuitos lógicos funcionan en régimen de conmu-
tación, es decir, en régimen dinámico. Hay que tener en cuenta que los cambios de
niveles no se hacen de forma instantánea. Siempre se produce un retardo entre la
entrada y la salida (Figura E.7).
Por ello, los factores determinantes de la calidad de una familia lógica son la velo-

entrada salida
retardo

Figura E.7: Representación de un retardo entre la entrada y la salida de una puerta


AND.

cidad de conmutación junto con la disipación de potencia. A continuación, se define


los tiempos que determinan el comportamiento en régimen dinámico de una puerta
no inversora (Figura E.8).

tr tf
H
90 % 90 % 90 %
50 %
entrada Vi L 10 % 10 %
tT LH tT HL
H
90 % 90 %
50 % 50 %
salida Vo L 10 % 10 %

tpLH tpHL
tDLH tDHL

Figura E.8: Tiempos característicos para una puerta no inversora.

E.2.1 Tiempos de propagación


Los tiempos de propagación se definen por (Figura E.8):

- tpLH : Corresponde al tiempo de propagación, medido entre el 50 % del valor


inicial de la onda de entrada y el 50 % del valor inicial de la onda de salida en
la transición de un nivel bajo a un nivel alto.

- tpHL : Corresponde al tiempo de propagación, medido entre el 50 % del valor


final de la onda de entrada y el 50 % del valor final de la onda de salida en la
transición de un nivel alto a un nivel bajo.

110
E.2. características dinámicas de una familia lógica

Además, de los dos anteriores tiempos, se suele dar el tiempo de propagación medio
debido a que los tiempos no son iguales:
tpLH + tpHL
tp =
2

E.2.2 Tiempos de retardo


Los tiempos de retardo se definen por (Figura E.8):

- tDLH : Corresponde al tiempo de retardo, medido entre el 10 % del valor inicial


de la onda de entrada y el 10 % del valor inicial de la onda de salida en la
transición de un nivel bajo a un nivel alto.
- tDHL : Corresponde al tiempo de propagación, medido entre el 10 % del valor
final de la onda de entrada y el 10 % del valor final de la onda de salida en la
transición de un nivel alto a un nivel bajo.

E.2.3 Tiempos de transición


Los tiempos de transición se definen por (Figura E.8):

- tT LH : Corresponde al tiempo de subida de la tensión de salida, medido entre


el 10 % y el 90 % de la amplitud de onda en la transición de un nivel bajo a
un nivel alto.
- tT HL : Corresponde al tiempo de bajada de la tensión de salida, medido entre
el 90 % y el 10 % de la amplitud de onda en la transición de un nivel alto a
un nivel bajo.
Nota: Los fabricantes suelen proporcionar estos dos tiempos con los tiempos
de subida (tr = rise time) y de bajada (tf = fall time) de la onda de entrada
(Figura E.8).

E.2.4 Determinación de la frecuencia máxima de funcionamiento


En muchas ocasiones del diseño con circuitos digitales, se necesita trabajar a fre-
cuencias elevadas. La frecuencia máxima (fmax ) con la que se puede trabajar con
una puerta lógica está indicada en la ficha técnica del fabricante. Ese valor se puede
estimar experimentalmente a partir del tiempo de propagación medio (tp ). La Figu-
ra E.9 representa la señal de entrada y la señal de salida desfasada de un tiempo
igual a tp .
Para un buen funcionamiento de la puerta, se considera que la entrada debe tener
un periodo de al menos: T = 4 tp . La frecuencia máxima de funcionamiento será:
1
fmax =
4 tp
Este valor ha sido determinado para un desfase de un cuarto de ciclo. Un desfase
mayor daría una frecuencia máxima más pequeña.

111
E. Características estáticas y dinámicas de una familia lógica

T = 4 tp

entrada

tp

salida

Figura E.9: Señales de entrada y de salida de una puerta no inversora (sin carga)
desfasadas de tp .

E.2.5 Producto velocidad-potencia


Esta característica es el producto entre el retardo de propagación medio (tp ) y la
potencia de disipación media en régimen estático (PDmedia ). La unidad del produc-
to velocidad-potencia es el picoJulio (pJ). Esta característica permite facilitar la
comparación de unas familias con otras. Este producto es una constante para ca-
da familia lógica (puede variar dentro de un margen debido a la temperatura, la
tensión de alimentación, . . .). A menor producto velocidad-potencia mejor familia
lógica. Por lo tanto, el objetivo de cada fabricante es minimizar este producto.

112
—F—

Modelo del Informe de Prácticas

Al finalizar el periodo de prácticas, por cada puesto de trabajo se deberá entregar un


informe que recoja las actividades realizadas. Para la redacción de dicho informe de
prácticas es conveniente cumplir una serie de indicaciones con la finalidad de que la
memoria alcance tanto un elevado grado de claridad como de precisión. Siguiendo
estas indicaciones, será más fácil evaluar el informe de prácticas, lo cual incidirá
positivamente en la calificación. La funcionalidad del informe de prácticas es explicar
con brevedad, rigor y claridad qué se ha realizado en el laboratorio, por qué lo hemos
hecho, con qué lo hemos hecho, cómo lo hemos hecho y cuáles han sido los resultados
obtenidos. En general, los apartados que formarán la memoria de prácticas son los
siguientes:

F.1 Introducción
Explicación de los contenidos teóricos necesarios para la elaboración de la práctica.
Debe ser una introducción de carácter general, en el que se presenten los dispositivos
que se vayan a utilizar y su funcionamiento básico. Debe elaborarse a partir de los
contenidos teóricos expuestos en clase, de las consultas bibliográficas (debe incluir
las citas correspondientes) y de la información entregada en el guión de la práctica.
En cualquier caso, no debe ser una mera reproducción de lo expuesto en la teoría
sino una elaboración orientada hacia los contenidos prácticos.

F.2 Metodología
Se debe explicar la metodología con la que se realiza la práctica. Es el momento de
entrar en detalles respecto a las siguientes cuestiones:
1. Material e instrumentación que se va a utilizar en la realización de las medidas.
2. Circuitos que se van a montar, explicando los sucesivos pasos en el diseño del
sistema (analógico, combinacional o secuencial) que se va a utilizar: tablas
de verdad, mapas de Karnaugh, operaciones de álgebra Booleana, esquemas
de los circuitos de puertas lógicas, esquemas de amplificadores, etc. Si así se
indica, se presentará también un esquema de los circuitos físicos que se van
a montar (por ejemplo: indicar las conexiones entre los pines de diferentes
integrados).
3. Metodología de las medidas: se indicará qué magnitudes se están midiendo, la
configuración de la instrumentación utilizada en cada caso, las señales medidas

113
F. Modelo del Informe de Prácticas

(entrada, salida o señales intermedias), escalas o rangos utilizados. Se puede


incluir algún esquema que muestre la configuración experimental utilizada.

4. Incidencias: explicar si se han tenido problemas. Estos pueden ser: alguna


medida no dá los valores esperados, alguna magnitud no se ha podido medir,
se ha detectado algún fallo en el circuito integrado que no ha dado tiempo a
solventar. Se intentará buscar alguna explicación a las incidencias observadas.

F.3 Resultados
Se presentarán de forma ordenada los resultados obtenidos. En este apartado no
se deberán incluir explicaciones sobre la forma de realizar las medidas, puesto que
aquéllas estarán dadas en el apartado de metodología, sino sobre los resultados de
dichas medidas. La forma de presentar los resultados será mediante:

1. Descripción escrita: cuando el resultado no sea una cantidad medible (por


ejemplo, la iluminación de los diferentes segmentos de un display). Se pue-
de acompañar de un esquema o dibujo que ayude a la comprensión de los
resultados.

2. Tabla: se elaborará una tabla con los resultados de las medidas, cuando és-
tas no den lugar a una lista muy grande. En las columnas se debe indicar
claramente qué magnitud se está presentando y las unidades utilizadas. No
utilizar nada más que las líneas imprescindibles para guiar la vista y facilitar
la comprensión de los resultados. Incluir un título de la tabla, y si se estima
necesario una breve explicación en una nota al pie de la misma.

3. Gráfica: es el mejor modo de presentar los resultados, especialmente si se han


medido una gran cantidad de valores. Se podrán utilizar programas como Ex-
cel, Matlab, o cualquier otro. Las gráficas serán una representación cartesiana
con dos o más ejes de las medidas realizadas. Los ejes de las gráficas se ajus-
tarán a los rangos de las medidas. En algunas ocasiones, será recomendable
utilizar la escala semilogarítmica. Se debe incluir siempre: el nombre de la mag-
nitud y las unidades que se está representando en cada eje, una leyenda que
explique qué representan los iconos utilizados para cada dato (especialmente
necesaria cuando se presentan resultados de varias medidas en una misma
gráfica) y una leyenda que explique las condiciones de la medida cuando se
estime necesario (por ejemplo, temperatura ambiente, frecuencia de reloj in-
troducida a los dispositivos, etc.). Incluir un título para cada gráfica, y una
breve explicación en una nota al pie de la misma si fuera necesario.

4. Comentarios sobre los resultados obtenidos. Este es el apartado clave de la


memoria. Se deben interpretar todos los resultados obtenidos, en caso contra-
rio todo el trabajo anterior no serviría para nada. Se comentarán brevemente
cada uno de los resultados obtenidos, si son los esperados o se han observado
desviaciones (que no se consideren como incidencias). Si es necesario efectuar
alguna operación a partir de las medidas directas para obtener el resultado
buscado mencionar solamente lo que se ha hecho, pero no se debe razonar

114
F.4. Conclusión

aquí el tipo de operación, o la deducción matemática de la ecuación utilizada,


dado que se habrá realizado en la introducción (si es un resultado general)
o en la metodología (si es un resultado puntual, relativo al tipo de medida
efectuada).

F.4 Conclusión
Es un apartado en el que se resume el tipo de medida efectuada y se destacan los
principales resultados obtenidos. Se pueden introducir comentarios personales de
valoración sobre lo acertado o no de dichos resultados.

F.5 Referencias
Al final de la práctica, incluir un listado de las referencias utilizadas en los diferentes
apartados. Cada referencia debe incluir: nombre del autor (o autores), título del
artículo o libro, revista o editorial, volumen o capítulo, página, año de publicación,
lugar de publicación. Se puede optar por ponerlas según el orden de aparición de la
cita en el texto de la práctica o por orden alfabético del primer autor.

F.6 Estilo y presentación


Aunque ya se han mencionado algunos detalles de estilo en la redacción del informe
de las prácticas, todavía quedan algunos aspectos que es conveniente resaltar, como
los siguientes:

• Mantener la misma notación durante todo el desarrollo de la memoria. Si a


una determinada magnitud se le asigna un nombre, este nombre y el criterio se-
guido en la asignación deben mantenerse a lo largo de la práctica. Asimismo se
deben mantener esa misma concordancia entre las expresiones que aparezcan
en ecuaciones, en el texto y en las gráficas.

• Mantener la concisión y claridad en la exposición, evitando la información


redundante y mostrando la imprescindible. Utilizar frases sencillas y certeras,
evitando dobles interpretaciones.

• Mantener la rigurosidad en la expresión de los resultados. Es necesario que


se exprese rigurosamente los resultados. Se deben evitar expresiones vagas y
valoraciones cualitativas sin cuantificar.

• Utilizar los símbolos que convencionalmente se emplean en publicaciones rela-


tivas al tema. Por ejemplo, si se denomina I3 a la intensidad que pasa por la
rama 1 de un circuito solamente conseguiremos confundir al evaluador.

• Anotar las unidades correspondientes a la magnitud representada en cada


resultado. Un resultado sin unidades puede ser considerado incorrecto.

115
F. Modelo del Informe de Prácticas

• Mantener la objetividad en la evaluación de los resultados. Es conveniente


hacer un análisis de las causas del error observado, puesto que ocultar que
algo ha salido mal no conduce a hacerlo mejor la próxima vez.

116
Escuela Técnica
Superior de
Ingeniería de
Telecomunicación

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