DIODOS SEMICONDUCTORES

1. DIODO IDEAL:

 Si V = 0 Þ Diodo(ON)

 V < 0 Þ Diodo (OFF)

Ejm: Determinar el estado del diodo ideal.

 Reemplazando por el circuito Thevenin equivalente entre “ab”.

Þ El Diodo conduce.

7
\I(ON) = 2 .388 = 2.07mA

2. DIODO REAL:

Características de un Diodo Real

KT K
Vg = q
q: carga del electrón = 1.6022x10-19
TK: temperatura absoluta en grados kelvin
K: Constante de Bolzman = 1.3806x10-23

A 25°C en la ecuación anterior:

KT K
Vg = q =
25.8mV
 Ecuación:
V/V γ
ID = Io( e -1)

Circuitos con Diodos Reales

1. DC (continua)

E = V + RI
1 E V
I = R ( E-V ) = R - R  I = F(V)

Tabulando:
I V
0 E
E/R 0
Graficando:

“Q” Es la intersección de la curva del Diodo (no lineal )

con F(v) (lineal)
2. AC (alterna)

a) “gran señal”
Su amplitud se expresa en Volts.

V<A<10 Volt

 Graficando I vs t
Cuasi senoidales

 AC  DC
No Lineal
Estos circuitos deforman las ondas y tienen alto contenido armónico.
Entre la salida y la entrada no hay “fidelidad.”
 Nota: Alta fidelidad se dice cuando no hay distorsión de onda.

b) “Pequeña señal”.

A< V<E
CIRCUITOS CON DIODOS:

1.

2.

3.

4.
5.

6.

7.

8.
9.

10.

i+Io = iD

i = iD + (-Io)

sumando ambas
graficas ID + (-Io) 

11.
 sumando
las graficas 

12.

sumando
las graficas 

13. Circuito limitador de voltaje.

i < Io  D1(ON) y D2 (ON) i > Io  D1(ON) y D2 (OFF)

14.

Para que el circuito conduzca V>E

i < Io  D1(ON) y D2 (ON) i > Io  D1(ON) y D2 (OFF)

CURVAS DE TRANSFERENCIA:

1.

2.
3.

La resistencia se coloca para proteger al Diodo.

4.

Circuito “Doble limitador de

voltaje.”

Si Vi > E Si Vi < E
D1 ON D1 OFF
D2 OFF D2 ON
 Vo = E  Vo = -E

Graficando:
 Al ingresar un señal senoidal Vi se obtiene una señal Vo.

CIRCUITOS ENCLAVADORES DE VOLTAJE

 Conceptos previos:

Vo = Asenwt + E
 Vo = Asenwt - E

 Circuito enclavador:

Para que este circuito enclave

procurar que “ >>>T”
Sumando Vi + Vc Obtenemos “Vo”

FUENTES DE ALIMENTACIÓN DC
Rectificador de onda:

1. Rectificador de media onda “/2”:

Por series de Fourier:

A A 2A cos ( Kwt )
+ senwt−
π 2
∑
π K >1 ( K +1 )( K −1 ) ……..K = par
Vo(t) =

Donde:
A A
VDC = π Vorms = 2

2. Rectificador de onda completa “”:

 Por series de Fourier:
2A 4A cos ( 2 Kwt )
− ∑
Vo(t) = π π K>1 ( 2 K +1 ) ( 2 K −1 ) ……K =entero

Donde:
2A A
VDC = π Vorms = √2

Factor de rizado de una fuente DC(r%):

r %=
[ V arm (t )]rms ∗100 %
V DC

Para que sea buena r%  10%

VDC + V(t)arm

V 0 (t )=V DC +V arm (t )

V arm (t )=V 0 (t )−V DC Hallando el Veficaz.

2 1 T 2
[ V arm(t ) ] = T ∫0 [ V arm (t )] dt
Reemplazando:

2 1 T 2
[ V arm (t ) ] = T ∫0 [ V 0(t )−V DC ] dt
2 1 T 1 T
[ V arm (t ) ]rms=T ∫0 V 20(t )dt −2V DC T ∫0 V 0(t )dt +V 2DC
Pero:
 1 T 2
∫0 V 0 (t )dt
V2rms= T
1 T
VDC = T
∫0 V 0 (t )dt
Reemplazando:
2
[ V arm ( t ) ] rms=V 2rms−2 V 2DC +V DC

∴ [ V arm ]rms =√V 2rms−V 2DC

................(1)

Ahora reemplazando en la fórmula para el rizado (r%)

V rms 2
r %=
√( V DC ) −1∗100 %

Nota: Se observa que V rms ≥V DC

Para filtro de media onda “/2”

V DC= A /π
V rms =A /2
A /2 2
⇒r %=
√( A /π )−1

r %≈121 % ¡muy malo!

Para filtro de onda completa””.

2A
V DC= V rms =A / √ 2
π y

2
⇒r %=
A / √2
2 A/ π√(
−1
r %≈48 % ¡malo!
)
Filtros pasivos:

1. Filtros Inductores (chokes)

Para filtro de onda completa “”.

2 A 4 A cos(kwt )
V 0 (t )= − ∑
π π k >1 (2 k +1 )(2 k−1 )

2A
V DC=
π

−4 A 4A −4 A
V arm (t )= cos2 wt− cos 4 wt cos6 wt−
3π 15 π 35 π ....
1er armonico
mayor Despreciando

Para fines prácticos aplicamos sustitución:

Por superposición:

Si RBobina  0

2A
 VoDC = π
 4A RL
⇒V (t )= . cos ( 2 wt−φ )
3 π √ R 2 + x2
L L
4A 1 RL
⇒Vo rms= .
3 π √ 2 √ R 2 + x2
L L

[ V arm ]rms
r %= ∗100 %
V DC

RL
( 4 A 3 π )( 1 √ 2 ) ( √ R2L + X 2L )
r %= 100 %
A
2
π

√2 RL
r %= ( 3 ) √ R +X ∗100 %
2
L
2
L

Sí XL RL (para que la parte alterna no pase)

√ 2 R L ∗100
r %≈ ( 3 )X L
%
2. Filtros Capacitivos:

Si Vi > 0
 Diodo (ON)

i(t )=|γ . A| sen ( wt+Φ)

 1
i(t )=
√ (R L )2
+( wc )2 A sen ( wt+Φ )
¡ “i”  C” cuidado !

C  de conduncion del diodo

Para fines prácticos

Hacemos C  o, para que la descarga exponencial sea lineal.

Y con filtro de onda completa el grafico queda:

Vr : tensión de rizado.
Vr
V DC= A−
2
1 T /2
V c= i dt ; i=cte=I DC
C ∫0
1 T/ 2 I DC
V r= ∫ I dt V r= (T /2 )
C 0 DC  C
I DC
V r=
2 fC
I DC
V r=
2 fC si “C” es alto Vr 0
⇒ V DC≈ A
Vr
V rms =
2 √3
 V rms
r %=
V DC
I DC 1
⇒ V rms = ( )
2 fC 2 √ 3
I DC
V rms =
4√3 f C
I DL
r %=
4 √ 3 f CV DC

1
r %= ∗100 %
4 √3 f C RL

3. Filtros tipo mixto (en L):

Sustitución:

Superposición:

2A
 VoDC = π
Donde:
1
X L=2 wL X C=
y 2 wC

Consideraciones de diseño:
X L <<< R L y X L >>> R L  10-5 103

Aproximando:

<>

4A
i(t )= cos (2wt- Φ) donde Φ≈90 °
3 π XL
4A 2 2A 1
I rms= =√ ( )
3 π √2 XL 3 π X L
2A
V DC=
pero π

2 1
I rms= √ V DC
 3 XL

V 0 rms=I rms X C
√ 2 V DC
V 0 rms= . XC
3 XL
sabemos que:
V 0rms
r %= ∗100
V DC %
 √2 X c
 r%= 3 XL

Como XC  0  XL es grande  r%  0

Nota: Se observa que “RL” (la carga) no aparece.

Procurar: √ 2 I rms <<< I DC

√ 2 I rms < ≤ I DC
√ 2 I rms=I DC (critico )
2V
√ 2 √ DL ≤ IDC
( )
3 XL

2
R ≤X
3 L L
Pero XL = 2wL
2
R ≤2 wL
3 L
RL
L>>
 3w
RL
Lcritico=
3w
Nota: Siempre en los problemas determine el Lcritico. L= 10Lcritico

4. Filtros tipos  (el mejor):

En el osciloscopio en A.

Vr sen 4 wt sen 6 w
V A (t )=V DC −
π (
sen 2 wt-
2
+
4
.. . .. )
 I DC
V r= mayor armónico
2 fC
Vr
| | sen 2wt
π
V 1 I 2
Valignl¿ A ¿rms ¿ = r . = DC = √ . I CC ¿
π √2 2fC π √2 4 π fC 1
1
Valignl¿ A ¿rms ¿=√ 2 I ¿
4 πfC 1 DC

Valignl¿ A ¿rms ¿=√ 2 XC1 .I DC ¿

Idem:
X C2
X C2 <<<R L ¿ } ¿¿ V0rms≈Valignl¿ A ¿rms ¿ ¿ ¿
XL
V 0rms X C 1 I DC X C 2
r%= = √2
 V DC X L V DC

XC 1 XC 2
r%=√ 2 ∗100
 XL RL %
En la práctica C1 = C2 =C
2
XC
r%=√ 2
X L RL
 RECTIFICACIÓN 3 -DC.

BJT TRANSISTORES BIPOLARES

1. tipo NPN

2. tipo PNP

si queremos que el transistor amplifique entonces:

Diodo BEON y Diodo BCOFF
Ecuaciones basicas:
IE = I C + I B
IC = Ie + ICBO
IC = IB + ICEO
Sí = T=cte.

1.
I E =I C +I B

2. I C =αI E

3.
I L= β I β
(1),(2),(3).
 I E=I L+I β
IL I
=I L + C
α β
1 1 α
=1+ ⇒ β=
α β 1−α
1 β+1 β
= α=
α β  β+1
Los transistores se gobiernan por inyección de corriente de base.
a. Para gran señal.
V be
VT
I C =Iss e
V be =>> V T
V T =25 . 8 mV
Iss. Dato de fabrica equivale a la corriente inversa de saturación del diodo (I0)

b. Pequeña señal.
V be (t )<<V T “por series”

I c (t )=I ca +gma V be (t )
I SS
gma =
VT
El análisis primero en continua y luego el altera.
 Curvas del transistor:
Polarización: del BJT (DC):
Consiste en:
D BE →ON

¿} ¿ ¿  BJT puede “amplificar”

D BC →off

V BB =I B R B +V γ .....................(1)
V CC =I C + V CE ......................(2)

I C =βI β Se cumple solo en la zona activa.

Nota: Sin transitor se encuentra en saturación se considera como en corto circuito.
Para reconocer si un transitor esta saturado. (los Diodos en “ON”)

potencia = 0
saturacion

Zona de corte (Off)

Nota: Los circuitos digitales trabajan con el BJT saturado o cortado.
Para corte:

V  Vumbral. (V)


I base=0

I C =0
“Cuando un BJT” se corta.
V CE=V CC
Potencia en corte = 0

Para saturar:
V CC −V CEsat
IC sat = ( out )
1. RL

V BB −V δ
Ialignl¿ B ¿sat ¿= (in)¿
2. Rβ

Nota: Si faltan datos

I Csat
I B≥
10
Nota: Para los fabricantes
V Cesat =0. 1 V y 0 .2V
Nota: Pero para los cálculos (0 V)
CONDICION DE DISEÑO:

Amplifica: Q zona activa.

 DBEON
DBCOFF
In:
V BB =R B I B +V γ +R E I E .....()
Pero:
I C =α I E (T=cte)
I E =I C +I B
I E =α I E +I B
I B =I E (1−α ) .............(1)

1 en (*)
 ( V BB−V B )=R B [ I E (1−α ) ] + R E IE

( V BB −V δ )
I EQ = ≈I CQ
R B ( 1−α )+ R E

 I EQ =I CQ=f (fuente , juntua termica , α )

Consideración: (por diseño)
V BB −V γ
I EQ =I CQ=
RE
⇔ R E >>> R B (1−α )
β
α=
Pero: β+1
Nota: Para fines prácticos:
R E=10( R β )(1−α)
β
R F=10 R B 1− [ β +1 ]
1
R E=10 R β
( β +1)
β+1
R β= R
10 E
Nota: Esta es la condición que genera estabilidad.

MÁXIMA EXCURSIÓN SIMÉTRICA(M.E.S.)

1. No existe carga CE.
 Nota: Procurar que la curva esté lejos de la frontera.

1 V CC
I CQ =
2 (RE+ RC )
V CE≈ V CC /2

2. Existe carga CE

 Análisis en DC.

R DC=R c +R E

V CC =(R C +R E ) IC +V CE .. . .. .. λ
 1
mDC =| |=tgθ
RC +R E

 Análisis en AC.


R AC =RC

RC i C +V CE=0

1
m AC= =tg γ
RC
Nota: (>)

En “”
V CC =(R C +R E ) ICQ +R C ICQ
V CC
I CQ =
( RC + R E )+ R E
V CC
I CQ =
R DC +R AC

1 I
tg φ= = CQ
RC V CEQ
V CEQ =R AC I CQ
1 I CQ
tg φ= =
RC V CCQ
V CEQ =RC I CQ
V CEQ =R AC I CQ
V CC =(R C +R E ) ICQ +R C I CQ
V CC
⇒ I CQ=
( RC + R E )+ RC
V CC
⇒ I CQ=
R DC + R AC
3. Existe CE ,CB ,CC.

 Análisis en DC

RDC = RC +RE

 Análisis en AC

Ro = RC//RL
RAC = Ro
V CC
⇒ I CQ=
( RC + R E )+ R0

V CEQ =R0 . ICQ

ESTABILIDAD TERMICA EN DC

In:
V ββ=R β I β +V γ + R E I E ......(*)
Pero:
I C =α IE +I Cβ 0
I C −I Cβ 0
I E=
α ..................(1)
I C =α [ I β + I C ]+ I Cβ 0
I C =α I B +α IC +I CB 0
I C (1−α )=α I B +I CB 0
 I C ( 1−α )+ I CB 0
⇒ IB=
α ..............(2)
(1) y (2) en (*)
I C (1−α )−I CB 0 I −I
V BB =R B [ α ] [
+V γ + R E C CB 0
α ]
α (V BB −V γ )= IC [ R B (1−α)+ R E ] −I CB 0 ( RB +R E )
α(V BB−V γ )+ I CB 0 ( R B + R E )
I CQ =
RB (1−α )+ R E
ICQ = f(fuente DC, juntura, ICB0, , T)

Factores térmicos:
∂ I CQ RB+ RE
SI = ; SI =
1. ∂ I CB0 RB (1−α )+ R E

Pero: REE >>> RB (1-) (por diseño)

RB+ RE RB
=1+
 Sí  RE RE

10 < SI < 30
∂ IC −α
Sv= ; Sr =
2. ∂ Vδ R B (1−α )+ R E

Pero: RE  RB (1-)

−α −1
S v =¿ ⇒ Sr =
 RE RE

V γ =0 .2 V →Ge
Vγ=0. 6→ Si
Δ V γ =K 1 ΔT
mV
K 1 =−2,5
°C
K 2 ΔT
I CB 02=I CB 0 e

I CB 0 : a 25° C
 I CB 02 e K 2 ΔT
=
I CB 01 1 ΔT=T 2 −T 1
K 2 ΔT
( I CB 02−I CB 01 ) e −1 Δ ICB0 K ΔT
= ⇒ =e 2 −1
I CB 01 1 I CB01
K 2 ΔT
Δ I CB0 =I CB 0 (e −1 )
∂ IC Δ IC
SI = ≈ ⇒ ΔI C =S I Δ I CB0
∂ I CB0 Δ I CB0
∂ IC Δ IL
Sv = ≈ ⇒ Δ I C =S v Δ V γ
∂ V γ Δ Vγ
Δ IC=S I . Δ ICB0 +SV Δ V γ
K 2 ΔT
(
Δ IC= SI I CB 0 e )+ S V ( K 1 ΔT )

K2 = 0.07/°C

Espejos de corriente “BJT”

1. Convencional
Q1 =Q 2 ⇒ β 1= β2 =β

V CC −V γ
I1=
R
I 1 =I 2

“Por efecto de amplificación asumo =100”

2. Cuadrática
Q1 = Q2 =Q3 = 
 V CC −2 V γ
I1=
R

2 Iβ
I 1 =β I β +
β ...............(1)
I 1 =β I β ..........................(2)
I1 β +2/ β
=
I2 β
I1
=1+ ( 2/ β 2 )
I2
2 I 1 ≈I 2
Pero 2/ β ≈0 
3. Logarítmica (widsar)

V δ 1=V δ 2 +RI 2

Donde: V δ 1 >V δ 2
V δ /V T
I 1 =I SS e .........................(1)
Vδ 2 / V T
I 2 =I SS e ......................(2)
I1 (V δ 1−V δ 2 )/V T
=e
(1) entre (2)  I2
 I 1 ( RI 2 )/V T V −V δ 1

I2
=e (
; I1 = CC
RC )
I 1 RI 2
Ln
()
I2
=
VT

Parámetros Híbridos h

Procesamiento de pequeña señal:
“circuitos lineales con BJT”
voltaje Earlie (VA)

VA 1
R0 ≈ =
IC h .e

V i=h11 i1 +h12 V 2 ....................(1)

i2=h21 i 1 +h 22 V2 ...................(2)
Por síntesis de circuitos:

Donde:
h11 = hi
h12 = hr
h21 = hf
h22 = ho
 Aplicación: (Emisor-
común):

baja señal Vi =Asen(wt)

A≤26 mV o procura que V BE ≤26 mV

5 Hz<f <40 kHz (para audio.)

V 0 =V CE
V be =hi e i b +hre V 0
i C =hf i b + h0 e V 0
e

En forma diferencial.
Δ V be =hie Δ ib+hre Δ V ce .........(1)

Δ i c =hfe Δ ib +hoe Δ ce ..............(2)

 Δ V be Δ V be
hie = =
Δ ib Δ ib
Δ V be
hie =
Δ V ce ib=cte
Δ il
h fe = ≈β
Δ ib Vce=cte
Δ ic 1
h0 e = =h0 e=g l=
Δ V ce R0 ib=cte
 Configuraciones notables:

 Análisis en AC:
 25.8mV
hie= resistencia dinámica:
I BQ

hre =10−4 ,10−5 ,10−7 → 0

h fe=β
1
h0 e=10−7 , 10−10 ,10−12 (mh 0 s )→ →∞
h0
Nota: Para fines prácticos s elimina hoe y hreV0.

V i=hie i b
V 0 −BR 0
=
V 0=−BR 0 ib y Vi hie