Transistor IGBT
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Transistor bipolar de puerta aislada o
Transistor IGBT
Módulo de tres transistores IGBT, modelo CM1200HC-66H de Mitsubishi para una
máxima capacidad de 3300V/1200A
Tipo semiconductor
Principio de funcionamiento Efecto campo y transporte de
portadores
Invención Yamagami y Akakiri (1968)
Símbolo electrónico
Terminales Puerta (G), colector (C) y emisor
(E)
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El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT,
del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es
un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en
circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características
de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad
de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el
del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las
del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables
hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las
aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de
potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras
aplicaciones.
Índice
1Historia
2Características
3Véase también
4Referencias
5Enlaces externos
Historia[editar]
Los japoneses Yamagami y Akakiri, propusieron en 1968 un dispositivo de
cuatro capas alternas semiconductoras P-N-P-N cuyo funcionamiento fuera
controlado mediante una estructura de "puerta" de semiconductor de óxido
metálico (MOS), sin acción regenerativa. Esta patente fue concedida en 1972
bajo el código 47-21739.1Este modo de operación fue reportado
experimentalmente por vez primera en 1978 en un rectificador controlado de
silicio (SCR) por Scharf y Plummer, quienes no persiguieron la comercialización
de sus ideas sobre el dispositivo.2El modo de operación descrito por ambos
investigadores también fue descubierto de manera experimental por J. Jayant
Baliga, en 1979, en un dispositivo al que llamó "dispositivo MOSFET con surco
vertical con la región de drenaje reemplazada por una región de ánodo de tipo
P".3 Plummer solicitó una patente para el dispositivo que propuso en 1978. 4
Un dispositivo idéntico, fue inventado por Hans W. Becke y Carl F. Wheatley
quienes presentaron una solicitud de patente en 1980, y que se denominaron
"MOSFET de potencia con una región de ánodo". 5Esta patente ha sido llamada
"la patente seminal del transistor bipolar de puerta aislada." 6 En la patente se
afirmó que "ninguna acción de tiristores se produce en todas las condiciones de
funcionamiento del dispositivo." Esto significa sustancialmente que el
dispositivo exhibe operación de IGBT sin enclavamiento a lo largo de todo el
rango de funcionamiento del dispositivo.
Características[editar]
Sección de un IGBT.
El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta
100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en
aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la
tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT
consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar
altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de
6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la
capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente
de base para mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes
transitorias de conmutación de la base pueden ser igualmente altas. En
aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los tiristores y
los MOSFET. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que
ellos y lo inverso respecto a los primeros.
Circuito equivalente de un IGBT.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La
tensión de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de
controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy
débil en la puerta.
Véase también[editar]
Transistor
Transistor de unión bipolar (BJT)
Transistor de efecto campo (MOSFET)
Transistor Darlington
Referencias[editar]
1. ↑ Ching Tee, Elizabeth Kho; Hölke, Alexander; Pilkington, Steven John; Pal, Deb
Kumar; Liang Yew, Ng; Zainal Abidin, Wan Azlan Wan (noviembre-diciembre de 2012). «A
Review of techniques used in Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor (LGTB)». OSR
Journal of Electrical and Electronics Engineering (en inglés) (International Organization of
Scientific Research) 3 (1): 38. ISSN 2278-1676. Consultado el 28 de abril de 2016.
2. ↑ Baliga, B. Jayant (2015). The IGBT Device: Physics, Design and Applications of
the Insulated Gate Bipolar Transistor (1 edición). Elsevier. p. 12. ISBN 9781455731435.
Consultado el 29 de abril de 2016.
3. ↑ «The insulated gate rectifier (IGR): A new power switching device». IEEE
Xplore 28. 1982. doi:10.1109/IEDM.1982.190269. Consultado el 29 de abril de 2016.
4. ↑ «Patent US4199774: Monolithic semiconductor switching device» (en inglés).
United States Patent Office. Consultado el 29 de abril de 2016.
5. ↑ «Patent US4364073: Power MOSFET with an anode region» (en inglés). United
States Patent Office. Consultado el 28 de abril de 2016.
6. ↑ «History of IGBT and its Impact in our Life» (en inglés). USComponent Inc.
Consultado el 28 de abril de 2016.
