Ing.
Edwin Callejas Pinto - 2019 - ELECTRÓNICA I - LAB#4 1
UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
LAB # 4 EL TRANSISTOR BJT
1. CONOCIMIENTO TEÓRICO REQUERIDO
El estudiante debe conocer los principios de funcionamiento de los transistores BJT, así como su comportamiento
en régimen lineal y no lineal. Por otra parte también debe conocer los fundamentos de la polarización y de imple-
mentación de circuitos con transistores en conmutación, el manejo de un protoboard o placa de desarrollo y por
supuesto el manejo de instrumentos de medición.
2. COMPETENCIAS
Las competencias a lograr son:
Identifica las terminales de la base, colector y emisor, y las conexiones de los transistores NPN y PNP.
Muestra y mide los efectos en la corriente de la base, así como en la corriente de colector de la polarización
directa e inversa en el circuito emisor base.
Muestra los efectos en la corriente del colector de un cambio en el voltaje de colector.
Determina el tipo de transistor, NPN o PNP, usando el óhmetro para medir la resistencia directa e inversa
de la unión emisor base.
Mide la resistencia directa e inversa de la unión colector-base en los transistores PNP y NPN.
Determina si un transistor está en condiciones de funcionamiento usando un óhmetro.
Comprende el funcionamiento del transistor asimismo obtiene su curva característica IC vs VCE .
3. MATERIALES, INSUMOS Y EQUIPOS
Fuentes de alimentación.
Osciloscopio.
Generador de señales.
2 Amperímetros y un Voltímetro.
Un transistor BC546 (o similar), 1 diodo 1N4001 y un motor DC (9V).
Resistencias de:2x1KΩ, 2x10KΩ, 15KΩ, 33KΩ, 51KΩ, 100KΩ y 470KΩ.
Protoboard, 1 cautín, conectores y cables.
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4. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
Parte 1.- Identificación de los terminales del transistor
Figura 1: Confguraciones d elos transistoes.
1.1. Identifique los terminales base, colector y emisor; se muestra en la figura 1 algunas configuraciones de transisto-
res. Determine dichos terminales mediante el datasheet del dispositivo y para verificar mida con el multímetro
seleccionado en el rango de pruebas del diodo, en esta configuración debería medirse para un transistor NPN:
Conexión BE: Base(+) - Emisor(-): ≈ 0,6, la conexión inversa debería dar fuera de rango porque se
polariza la unión PN en inversa.
Conexión BC: Base(+) - Colector(-): ≈ 0,6, la conexión inversa debería dar fuera de rango porque se
polariza la unión PN en inversa.
Conexión CE: Colector(+) - Emisor(-): ∞(fuera de rango), también la conexión EC.
1.2. En los transistores PNP las conexiones son inversas.
1.3. Los multímetros vienen incorporados un selector para la prueba del transistor, utilice dicho selector, en la
mayoría indica hF E , conecte de acuerdo a la configuración mostrada en el datasheet, anote el valor establecido.
1.4. Mida la resistencia en directa de cada unión (NP o PN) como si fuese un diodo, los resultados de la resistencia
son similares. Anote los valores.
Parte 2.- Relación IC vs VCE , con IB = ctte)
2.1. Implemente el circuito de la figura 2, e inicie con la fuente de alimentación en VBB = 3V, VCC = 0V,
RC = 1KΩ y RB = 470KΩ. Ajuste los amperímetros y el voltímetro para escalas correctas de acuerdo a lo
establecido.
Figura 2: Circuito de prueba de funcionamiento del transsitor.
2.2. Calcule el valor teórico de la corriente IB y verifique con el amperímetro.
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2.3. Complete la siguiente tabla:
VCC V 0 3 6 9 12 15 18
IC [mA]
VCE V
2.4. Repita la anterior tabla para las resistencias de 100K, 51K, 33K y 10K.
2.5. Retorne las condiciones de VCC y RB para cualesquiera de las anteriores tablas estudiado y verifique tres de
los valores acercando una fuente de calor al transistor (un cautin). Tome los datos necesarios.
Parte 3.- Relación IC vs VCE , con VBB ) variable
3.1. Implemente el circuito de la figura 2, e inicie con la fuente de alimentación en VBB = 0V, VCC = 5V,
RC = 1KΩ y RB = 470KΩ. Ajuste los amperímetros y el voltímetro para escalas correctas de acuerdo a lo
establecido.
3.2. Complete la siguiente tabla:
VBB V 0 1.5 3 4.5 6 7.5 9
IC [mA]
VCE V
3.3. Repita la anterior tabla para VC 10V y 15V.
Parte 4.- Transistor en conmutación
4.1. Implemente el circuito de la figura 3, con las condiciones iniciales de VCC = 5V, RC = 100Ω. Mida la
resistencia rDC del motor DC, con esos dos valores calcule el valor necesario de RB para que el transistor
funcione en conmutación.
Figura 3: Transistor en conmutación.
4.2. Aplique el pulsador S para el funcionamiento del motor.
4.3. Para estudiar el comportamiento de una carga inductiva en régimen de conmutación del transistor, quite el
interruptor S y conecte a la entrada (a RB ) el generador de señales con una onda cuadrada de V p = 5V y
f = 500Hz. Quite el diodo por un instante y visualice la señal Vo con el osciloscopio.
4.4. Coloque nuevamente el diodo D y vuelva a visualizar la señal Vo.
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5. TIEMPO DE DURACIÓN
La práctica tendrá una duración de 100 minutos.
INFORME
a) Con los resultados obtenidos en la Parte 1, realice las conclusiones pertinentes
b) Con los datos obtenidos en la parte 2, realice el gráfico correspondientes a IV vs VCE .
c) Con los datos obtenidos en la parte 3, realice el gráfico correspondientes a IV vs VCE .
d) Realice las conclusiones y recomendaciones para cada parte de la práctica, de acuerdo a resultados obtenidos.
e) Responda al siguiente cuestionario:
1. ¿Qué tipo de polarización se utiliza en la parte 2?.
2. ¿Qué tipo de polarización se utiliza en la parte 3?.
3. ¿El punto de operación del transistor en esta configuración varia poco, mucho o nada con el cambio de beta?
4. ¿Qué efecto efectos tiene sobre las curvas características el aumentar la temperatura sobre el transistor?.
5. ¿Indique las zonas lineal y no lineal sobre las curvas obtenidas?
6. Determine los parámetros β y α del transistor.
7. Analice el circuito de la figura 3 con carga capacitiva.
8. Sugiera un circuito para que el motor de la figura 3 funciona en ambos sentidos de giro. Realice los cálculos
necesarios para su funcionamiento.