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Guía de práctica N° 8
Curva característica del transistor MOSFET
Sección : ………………………..……………….. Docente: Jaime Huaytalla Pariona
Fecha : .…../……/2020 Duración: 45 minutos
Instrucciones: Lea detenidamente cada una de las instrucciones y enunciados, aplique el criterio
personal para la realización de los experimentos.
Tome en cuenta las normas de seguridad del laboratorio y las reglas de usuario, utilice los instrumentos de
forma adecuada evitando el deterioro o avería de los instrumentos.
1. Propósito /Objetivo (de la práctica):
Demostrar experimentalmente las características de un transistor MOSFET
2. Fundamento Teórico
Curva característica del transistor MOSFET
Para Vds < Vds sat el MOSFET se comporta como una resistencia variable con Vgs
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3. Equipos, Materiales y Reactivos
3.1. Equipos
Ítem Equipo Característica Cantidad
1 Protoboard Estándar 1
2 Fuente regulable Estándar 2
3 Multímetro Estándar 3
4 Alicate de corte 1
5 Alicate de pinza 1
3.2. Materiales
Ítem Material Característica Cantidad
1 Transistor IRFZ44 1
2 Resistor 10 ohmios 2
3 Alambre para protoboard 2 metros 1
4. Indicaciones/instrucciones:
4.1 El alumno debe traer los materiales, pudiendo hacerlo en grupos de máximo 3 integrantes.
4.2 Un representante de grupo solicitará al encargado de laboratorio los equipos necesarios para
realizar la práctica.
4.3 Ejecutar el procedimiento según la secuencia establecida, cada alumno debe tomar una
actividad, mientras otro los graba en video.
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5. Procedimientos:
Primero
Implemente el siguiente circuito en el protoboard, comenzando con los valores mínimos de voltaje en
ambas fuentes, luego mover la fuente del gate hasta alcanzar los 2 voltios, luego la segunda fuente de
surtidor drenador variarla de poco a poco hasta alcanzar el máximo, complete la siguiente tabla y
grafique en un papel milimetrado las curvas características de Vsd e Id además de Vgs e Id.
Tabla 1: tabla de valores para una corriente aproximada de 2V
V drenador-surtidor (voltios) I corriente de drenador (mA)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
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6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
Calibrar la fuente del gate surtidor a 3 voltios y la fuente de drenador-surtidor en función al a los
valores de la tabla siguiente:
Tabla 2: tabla de valores para una corriente aproximada de 3V
V drenador-surtidor (voltios) I corriente de drenador (mA)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
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Repetir el paso anterior para las siguientes tablas
Tabla 3: tabla de valores para una corriente aproximada de 4V
V drenador-surtidor (voltios) I corriente de drenador (mA)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
Tabla 4: tabla de valores para una corriente aproximada de 5V
V drenador-surtidor (voltios) I corriente de drenador (mA)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
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3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
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Tabla 5: tabla de valores para una corriente aproximada de 6V
V drenador-surtidor (voltios) I corriente de drenador (mA)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
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6. Resultados
6.1 ………………………………………………………………………………………………………………..
6.2 ………………………………………………………………………………………………………………..
6.3 ………………………………………………………………………………………………………………..
6.4 ………………………………………………………………………………………………………………..
7. Conclusiones
7.1.………………………………………………………………………………………………………………………………
7.2………………………………………………………………………………………………………………………………
7.3………………………………………………………………………………………………………………………………
8. Sugerencias y /o recomendaciones
……………………………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………………………………
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Referencias bibliográficas consultadas y/o enlaces recomendados
Malvino, A., & Bates. (2006). Principios de electrónica. Mc Graw - Hill.
Pallas, R. (2006). Instrumentos electrónicos básicos. Marcombo.
Ruiz Robredo, G. A. (2009). Electrónica básica para ingenieros. Cantabria.
Ryder, J. (1962). Electrónica. Madrid.
http://quegrande.org/apuntes/grado/1G/TEG/teoria/10-11/tema_6_-_transistores_unipolares.pdf
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