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Universidad San Buenaventura. Quintana. Arboleda. Laboratorio 6.Polarizacion transistor.

Laboratorio 6: Polarización transistor BJT

Quintana casanova, Andrés Felipe 1155588, Arboleda Vallecilla, carolina 30000035802
[email protected], [email protected]
Universidad San Buenaventura Cali

I. INTRODUCCIÓN.

En este informe se encuentra reunida la información obtenida de las diferentes pruebas realizadas con transistores BJT, con el
objetivo de analizar el comportamiento de los circuitos de polarización, los cuales permites fijar el punto de operación del
transistor.

II. OBJETIVO GENERAL.

● Polarizar un transistor BJT en zona de corte, zona de saturación y zona activa.

● Observar la variación del punto de polarización ante cambios de temperatura en un circuito de polarización fija de base
y en un circuito con polarización en divisor de voltaje.

● Verificar los criterios de diseño con los circuitos implementados en la práctica.

III. MARCO TEORICO.

Transistor BJT:
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) son dispositivos de estado sólido de tres terminales,
núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar
potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. [ CITATION Ger20 \l 3082 ]

Beta del transistor BJT:

El parámetro Beta de un transistor bipolar o BJT nos indica la eficiencia del transistor, relacionando la corriente de colector con la corriente
de base, cuanto mayor es el número de Beta más eficiente es el transistor. [ CITATION Cri16 \l 3082 ]

IV. METERIALES.

1 Manual ECG 1 Protoboard

2 Multímetro Digitales 1 Fuente Dual
1 Cautín 1 Pelacables
1 Pinza

V. PROCEDIMIENTO.
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Figura 1. Circuito que se debe implementar.

2 Icmax Vcemax
Icq= VCEq=
2 12 k Ω

Malla de entrada:
20 V =Ib∗RB+0.7 V
Malla de salida:
20 V =12 k Ω Ic+ VCE

Para hallar Ic MAX , realizamos una ecuación de la malla de salida y asumimos Vce como cero:

20 V =12 k Ω∗Ic+ Vce

20 V
IcMax=
12 k Ω

IcMax=1.7 mA

IcMax
Así pues, con la ecuación de malla de entrada y el valor deseado de la corriente en el colector ( ) se despeja RB:
2
20 V =Ib∗RB+0.7 V
Sabiendo que:
Ic
Ib=
β

Ic
β=
β
Tenemos que:
β=250

20 V −0.7 V
RB=
Ic
2∗β

RB=5.7 M Ω
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Figura 2. Recta de carga.

Figura 3. Circuito implementado en multisim midiendo las corrientes Ib, Ic, Ie.

Figura 4. Voltaje VCE.

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Figura 5.voltaje VBE.

Figura 6.voltaje VCB.

Valor de Vc Vb Zona de
Ib Ic Ie β Vcb
Rb e e operación
2
3,4 0,763 -767 10. 0.6 10.1
5,7MΩ 5 Zona Activa
uA mA uA 84 1V 9V
0

Figura 7.recta de carga voltaje vs corriente.

Luego, cambie la resistencia de base RB por una que sea cuatro veces más pequeña (más o menos). Mida nuevamente (IB, IC,
IE, VCE, VBE y VCB) y ubique el punto de operación.
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Figura 8. Circuito implementado en multisim midiendo las corrientes

Ib,Ic,Ie.

Figura 9. Voltaje VCE.

Figura 10.voltaje VBE.

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Figura 11.voltaje VCB.

Valor de Vc Zona de
Ib Ic Ie β Vce Vbe
Rb b operación
2
12,9 1,65 1,66 0,18 0,64 0,4 Zona de
1,5MΩ 5
uA mA mA 1V 1V 5V Saturación
0

Figura 12.recta de carga voltaje vs corriente

.
Ahora, para el circuito inicial coloque una resistencia adicional entre base y tierra (la resistencia debe ser cien veces más
pequeña que la RB). Mida nuevamente (IB, IC, IE, VCE, VBE y VCB) y ubique el punto de operación.

Figura 13. Circuito implementado en multisim midiendo las corrientes

Ib,Ic,Ie.

Valor de I I V Vc Zona de
Ib β Vbe
R c e ce b operación
57kΩ 3,47 0 0 2 2 198.0 19. Zona de Corte
uA A A 5 0 mV 8V
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0 V

Figura 14. Voltaje VCE.

Figura 15.voltaje VBE.

Figura 16.voltaje VCB.

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Figura 17.recta de carga voltaje vs corriente.

POLARIZACIÓN CON DIVISOR DE VOLTAJE. (Debe ser simulado)

Diseñe una etapa amplificadora con divisor de voltaje que tenga una estabilidad en la polarización del 20%. La corriente
ICQ=1mA, β=80, VCC=20V.

Figura 18. Circuito que se debe implementar.

Diseñe una etapa amplificadora con divisor de voltaje que tenga una estabilidad en la polarización del 20%. La corriente
ICQ=1mA, β=80, VCC=20V.
200 mV
ℜ= =2 kΩ
(1 mA ) ( 0.10)

Ve=( 1 mA )( 2 kΩ )=2V

R 2=(0.10)(8 0)(2 kΩ)

R 2=16 kΩ

Vb=0.7 V + 2V =2.7
20 V
R 1= 16 KΩ=102.5 kΩ
2.7 V

20 V −10V −2 V
Rc= =8 kΩ
1mA
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Figura 19. Circuito implementado en multisim midiendo las corrientes Ib,Ic,Ie,I1,I2.

Figura 20. Voltaje VCE.

Figura 21.voltaje VBE.

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Figura 22.voltaje VCB.

Zona de
Valor de Vc
Ib Ic Ie β Vbe Vcb Vb operació
Rb e
n
4.48 1.00 1.01 8 10 625. 9.34 2.63
13.8K
uA mA mA 0 V 5mV v v Activa

Figura 23.voltaje VB.

Figura 24.recta de carga voltaje vs corriente.

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VI. PREGUNTAS:

Investigue y explique por qué la ganancia de corriente β no es la misma para todos transistores que son de la misma referencia,
cual es la razón de estas variaciones.

● La ganancia de corriente en un transistor es imposible de controlar de manera exacta debido a diferentes aspectos que
suceden en la fabricación, así pues, el fabricante otorga una tolerancia 3:1 entre el mejor transistor en las condiciones
ideales de temperatura y las diferentes variaciones que puede tener, de esta manera los circuitos diseñados deben
siempre tener en cuenta estas variaciones pues es muy difícil definir un valor exacto para β.

VII. CONCLUSIONES:

En la práctica de laboratorio se presentó el transistor, en los que, sin realizar alteraciones al voltaje de entrada, si no
en cambio a los valores de resistencias, se encuentra que alcanza diferentes zonas de activación según la
polarización en la que se encuentre.

Comprobar experimentalmente los criterios de diseño para una etapa amplificadora vistos en clase mostrando la
efectividad de este circuito ante los cambios bruscos en la ganancia de corriente del transistor o las diferentes
variables que pueden afectar a un circuito.

Por medio de la aplicación de los cálculos y de las simulaciones de las distintas estructuras de redes de polarización, podemos
darnos cuenta que para el diseño de una red de polarización es necesario establecer un punto de trabajo, definiendo los valores
de V CE Q , I CQ.[ CITATION JIH11 \l 3082 ]

Referencias
[1] G. V. Madrid y M. A. Z. Izquierdo, «tl satel villa nueva,» [En línea]. Available:
https://tlsatelvillanueva.webnode.es/_files/200000070-5e2ab5f249/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt-1.pdf.
[Último acceso: 14 05 2020].

[2] C. Veloso, «ETOOLS,» 28 03 2016. [En línea]. Available: https://www.electrontools.com/Home/WP/beta-del-transistor/.

[Último acceso: 14 05 2020].

[3] J.IHUIRCAN, «Polarizaciòn del Transistor de Uniòn Bipolar,» 21 November 2011. [En línea]. Available:
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELECTRONICA/T02aH.pdf. [Último acceso: 14 05 2020].
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