AMPLIFICADOR CON BJT
(ELECTRÓNICA I)
Presentado por:
JAIR JOYA BONILLA Código: 1118123135
FERNANDO BRAVO TUAY Código: 1115865515
LUIS FELIPE MARTINEZ Código: 1094282896
ANDERSON SANCHEZ R. Código: 10904800690
Presentado a:
Ing. GUSTAVO CLEMEN
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
PAMPLONA – NORTE DE SANTANDER
2017
TABLA DE CONTENIDO
INTRODUCCION
1. Marco teórico.
2. Procedimiento.
3. Resultados y análisis.
4. Evidencias
5. Conclusiones
6. Bibliografía
INTRODUCCIÓN
A continuación trataremos un circuito amplificador con bjt, se procederá a realizar
cálculos teóricos y experimentales, el primer paso para la realización de la práctica es
tener a la mano los materiales adecuados dados por el Ingeniero respecto al curso en
proceso. Para la realización correcto de ésta práctica debemos calcular los valores de las
resistencias y así poder implementarse en protoboard y tomar datos por medio del
voltímetro, generador de señales y el osciloscopio junto con la fuente, cabe recordar que
los datos o resistencias a hallar se hará en DC y el análisis del amplificador como tal junto
con la resistencia de carga que nos da el ingeniero será de 100kΩ.
MARCO TEÓRICO
¿Qué es un transistor? Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de
corriente o de tensión actuando como un interruptor o amplificador para señales
electrónicas. El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico estrella, pues
inició una auténtica revolución en la electrónica que ha superado cualquier previsión
inicial. También se llama Transistor Bipolar o Transistor Electrónico. [1]
Los transistores son elementos que han facilitado el diseño de circuitos electrónicos de
reducido tamaño. [1]
Transistores
diferentes. [1]
Transistor de unión bipolar.
El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el
voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones. [2]
Transistor de unión bipolar [2]
Símbolo electrónico [2]
Principio de funcionamiento.
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base, A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico
que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la
unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región
de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector.
Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en
la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que
se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusión de los electrones. [2]
PROCEDIMIENTO
Voltajes y corrientes medidos con voltímetro durante el montaje y prueba. (AC)
EVIDENCIAS
CONCLUSIONES
1. En esta práctica se observó que cuando se varía la frecuencia da una mayor
ganancia, amplificando las señales según está ganancia por ende la señal de salida
es más grande que la de entrada.
2. Cuando se trabaja en el análisis en AC en el emisor común al igual que en el análisis
DC, el emisor común va a tierra, se haya la impedancia de salida, la impedancia de
entrada y la ganancia, la distorsión de la señal se generó en la corriente de base
(Ib) donde afecto para que hubiera un cambio en el colector.
BIBLIOGRAFÍA
[1] http://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL%20TRANSISTOR.htm
[2] https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar#Principio_de_Funcionamiento
